JPH05259156A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05259156A JPH05259156A JP5842892A JP5842892A JPH05259156A JP H05259156 A JPH05259156 A JP H05259156A JP 5842892 A JP5842892 A JP 5842892A JP 5842892 A JP5842892 A JP 5842892A JP H05259156 A JPH05259156 A JP H05259156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon oxide
- thin film
- oxide thin
- film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、平
坦性を損なうことなく膜の架橋密度を向上させて膜質を
向上させることができるシリコン酸化物薄膜を得ること
ができる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。 【構成】 有機シランガスとＨ及びＯＨ含有化合物ガス
を含むガスを反応させてシリコン酸化物薄膜を形成した
後、該シリコン酸化物薄膜をアニール処理するととも
に、該シリコン酸化物薄膜に含まれる有機成分を励起す
ることが可能な波長の紫外線を照射して該シリコン酸化
物薄膜中の有機成分を除去する工程を含むように構成す
る。
坦性を損なうことなく膜の架橋密度を向上させて膜質を
向上させることができるシリコン酸化物薄膜を得ること
ができる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。 【構成】 有機シランガスとＨ及びＯＨ含有化合物ガス
を含むガスを反応させてシリコン酸化物薄膜を形成した
後、該シリコン酸化物薄膜をアニール処理するととも
に、該シリコン酸化物薄膜に含まれる有機成分を励起す
ることが可能な波長の紫外線を照射して該シリコン酸化
物薄膜中の有機成分を除去する工程を含むように構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、詳しくは、Ａｌ多層配線間のＳｉＯ 2 等からな
る層間絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造
方法の改良に関する。近年の半導体デバイスでは、微細
化の進展及び配線の多層化に伴いアスペクト比が増大
し、パターン表面の凹凸がデバイスの信頼性に重大な影
響を及ぼすようになってきている。
に係り、詳しくは、Ａｌ多層配線間のＳｉＯ 2 等からな
る層間絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造
方法の改良に関する。近年の半導体デバイスでは、微細
化の進展及び配線の多層化に伴いアスペクト比が増大
し、パターン表面の凹凸がデバイスの信頼性に重大な影
響を及ぼすようになってきている。
【０００２】このため、素子や配線を保護絶縁する絶縁
膜を平坦化させることができる半導体装置の製造方法が
要求されている。
膜を平坦化させることができる半導体装置の製造方法が
要求されている。
【０００３】
【従来の技術】図５は従来の半導体装置の製造方法を説
明する図である。図５において、31はＳｉ等の基板であ
り、32は基板31上に形成されたＢＰＳＧ膜である。そし
て、33はＢＰＳＧ膜32上に形成された１層目のＡｌ等の
配線パターンであり、34は配線パターン33を覆うように
形成されたシリコン酸化物薄膜である。
明する図である。図５において、31はＳｉ等の基板であ
り、32は基板31上に形成されたＢＰＳＧ膜である。そし
て、33はＢＰＳＧ膜32上に形成された１層目のＡｌ等の
配線パターンであり、34は配線パターン33を覆うように
形成されたシリコン酸化物薄膜である。
【０００４】次に、その半導体装置の製造方法を説明す
る。ここでは、ＢＰＳＧ膜32の形成工程からシリコン酸
化物薄膜34の形成工程までを具体的に説明する。まず、
ＣＶＤ法等によりＳｉ基板31上にＢＰＳＧを堆積してＢ
ＰＳＧ膜32を形成し、スパッタ法等によりＢＰＳＧ膜32
上にＡｌを堆積してＡｌ膜を形成した後、ＲＩＥ等によ
りＡｌ膜をパターニングしてＡｌ配線パターン33を形成
する。
る。ここでは、ＢＰＳＧ膜32の形成工程からシリコン酸
化物薄膜34の形成工程までを具体的に説明する。まず、
ＣＶＤ法等によりＳｉ基板31上にＢＰＳＧを堆積してＢ
ＰＳＧ膜32を形成し、スパッタ法等によりＢＰＳＧ膜32
上にＡｌを堆積してＡｌ膜を形成した後、ＲＩＥ等によ
りＡｌ膜をパターニングしてＡｌ配線パターン33を形成
する。
【０００５】そして、Ｈ2 ＯとＴＥＯＳを用いたプラズ
マＣＶＤ法によりＡｌ配線パターン33を覆うようにシリ
コン酸化物を堆積することにより、図５に示すような配
線パターン33を覆うように平坦性に優れたシリコン酸化
物薄膜34を得ることができる。
マＣＶＤ法によりＡｌ配線パターン33を覆うようにシリ
コン酸化物を堆積することにより、図５に示すような配
線パターン33を覆うように平坦性に優れたシリコン酸化
物薄膜34を得ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
装置の製造方法では、Ｈ2 ＯとＴＥＯＳを用いたプラズ
マＣＶＤ法によりシリコン酸化物薄膜34を形成していた
ため、平坦性に優れたシリコン酸化物薄膜34を得ること
ができるという利点を有するが、図６に示すように、堆
積直後のシリコン酸化物薄膜34中には多量の有機成分が
残留しているため、堆積後に適当な回数のアニール処理
を施して有機成分を除去していた。
装置の製造方法では、Ｈ2 ＯとＴＥＯＳを用いたプラズ
マＣＶＤ法によりシリコン酸化物薄膜34を形成していた
ため、平坦性に優れたシリコン酸化物薄膜34を得ること
ができるという利点を有するが、図６に示すように、堆
積直後のシリコン酸化物薄膜34中には多量の有機成分が
残留しているため、堆積後に適当な回数のアニール処理
を施して有機成分を除去していた。
【０００７】しかしながら、アニール処理を施して有機
成分を除去しても、これだけでは膜自身の架橋（ネット
ワーク化）が不十分で膜質が良くないシリコン酸化物薄
膜しか得られないという問題があった。このため、アニ
ール処理されたシリコン酸化物薄膜を、例えば希釈した
ＨＦやＦを含むガスによるプラズマでエッチングした場
合、エッチングレートが速くなり過ぎてしまっていた。
このように、エッチングレートが速くなり過ぎると、膜
質がポーラスで、吸湿性が高く脱ガスが生じ易くなると
一般に考えられている。
成分を除去しても、これだけでは膜自身の架橋（ネット
ワーク化）が不十分で膜質が良くないシリコン酸化物薄
膜しか得られないという問題があった。このため、アニ
ール処理されたシリコン酸化物薄膜を、例えば希釈した
ＨＦやＦを含むガスによるプラズマでエッチングした場
合、エッチングレートが速くなり過ぎてしまっていた。
このように、エッチングレートが速くなり過ぎると、膜
質がポーラスで、吸湿性が高く脱ガスが生じ易くなると
一般に考えられている。
【０００８】そこで本発明は、平坦性を損なうことなく
膜の架橋密度を向上させて膜質を向上させることができ
るシリコン酸化物薄膜を得ることができる半導体装置の
製造方法を提供することを目的としている。
膜の架橋密度を向上させて膜質を向上させることができ
るシリコン酸化物薄膜を得ることができる半導体装置の
製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造方法は上記目的達成のため、有機シランガスとＨ
及びＯＨ含有化合物ガスを含むガスを反応させてシリコ
ン酸化物薄膜を形成した後、該シリコン酸化物薄膜をア
ニール処理するとともに、該シリコン酸化物薄膜に含ま
れる有機成分を励起することが可能な波長の紫外線を照
射して該シリコン酸化物薄膜中の有機成分を除去する工
程を含むものである。
の製造方法は上記目的達成のため、有機シランガスとＨ
及びＯＨ含有化合物ガスを含むガスを反応させてシリコ
ン酸化物薄膜を形成した後、該シリコン酸化物薄膜をア
ニール処理するとともに、該シリコン酸化物薄膜に含ま
れる有機成分を励起することが可能な波長の紫外線を照
射して該シリコン酸化物薄膜中の有機成分を除去する工
程を含むものである。
【００１０】本発明に係る有機シランガスには、テトラ
エトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラメトキシシラン
（ＴＭＯＳ）、テトラエチルシラン（ＴＥＳ）等のガス
が挙げられ、また、Ｈ及びＯＨ含有化合物ガスにはＨ2
Ｏ、Ｈ2 Ｏ2 等のガスが挙げられる。本発明において、
紫外線波長の下限は10nmが好ましく、10nmより小さくな
ると、紫外線がシリコン酸化物薄膜中にほとんど吸収さ
れず有機成分を分解して膜の架橋密度を向上させる効果
をほとんど得ることができず好ましくないからであり、
また、紫外線波長の上限は300nmが好ましく、図２から
わかるように300nm以上の波長に対して紫外線がシリコ
ン酸化物薄膜中にほとんど吸収されず有機成分を分解し
て膜の架橋密度を向上させる効果をほとんど得ることが
できず好ましくないからである。
エトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラメトキシシラン
（ＴＭＯＳ）、テトラエチルシラン（ＴＥＳ）等のガス
が挙げられ、また、Ｈ及びＯＨ含有化合物ガスにはＨ2
Ｏ、Ｈ2 Ｏ2 等のガスが挙げられる。本発明において、
紫外線波長の下限は10nmが好ましく、10nmより小さくな
ると、紫外線がシリコン酸化物薄膜中にほとんど吸収さ
れず有機成分を分解して膜の架橋密度を向上させる効果
をほとんど得ることができず好ましくないからであり、
また、紫外線波長の上限は300nmが好ましく、図２から
わかるように300nm以上の波長に対して紫外線がシリコ
ン酸化物薄膜中にほとんど吸収されず有機成分を分解し
て膜の架橋密度を向上させる効果をほとんど得ることが
できず好ましくないからである。
【００１１】本発明においては、前記紫外線照射は、紫
外線を発するランプを用いてもよい。本発明において
は、前記紫外線照射を行う際は、酸素、オゾン及び水蒸
気の内、少なくとも１種を含むガスを反応室内に導入す
るようにしてもよく、この場合、シリコン酸化物薄膜中
の有機成分を更に分解することができ、シリコン酸化物
薄膜の架橋密度を更に向上させることができ好ましい。
外線を発するランプを用いてもよい。本発明において
は、前記紫外線照射を行う際は、酸素、オゾン及び水蒸
気の内、少なくとも１種を含むガスを反応室内に導入す
るようにしてもよく、この場合、シリコン酸化物薄膜中
の有機成分を更に分解することができ、シリコン酸化物
薄膜の架橋密度を更に向上させることができ好ましい。
【００１２】本発明においては、前記紫外線照射を行う
際は、反応室内を減圧下にするようにしてもよく、この
場合、膜中の脱ガスを効率良く行うことができ好まし
い。本発明においては、前記シリコン酸化物薄膜の堆積
と前記紫外線照射を繰り返し行って所望の膜厚のシリコ
ン酸化物薄膜を形成するようにしてもよく、この場合、
架橋密度が向上した緻密な膜質にすることができるう
え、平坦形状を有するシリコン酸化物薄膜を厚く形成す
ることができ好ましい。なお、ここで、紫外線照射を行
う際は、有機成分の熱分解が開始する温度よりも低い温
度で行うのが望ましい。
際は、反応室内を減圧下にするようにしてもよく、この
場合、膜中の脱ガスを効率良く行うことができ好まし
い。本発明においては、前記シリコン酸化物薄膜の堆積
と前記紫外線照射を繰り返し行って所望の膜厚のシリコ
ン酸化物薄膜を形成するようにしてもよく、この場合、
架橋密度が向上した緻密な膜質にすることができるう
え、平坦形状を有するシリコン酸化物薄膜を厚く形成す
ることができ好ましい。なお、ここで、紫外線照射を行
う際は、有機成分の熱分解が開始する温度よりも低い温
度で行うのが望ましい。
【００１３】
【作用】図１は本発明の原理説明のための酸素雰囲気
中、 250℃でのシリコン酸化物薄膜中の有機成分が急激
に分解している様子を示す図である。この図１から判る
ように、酸素雰囲気内でシリコン酸化物薄膜をアニール
処理するだけでは、 250℃付近で急激に有機成分の分解
が発生してしまう。このように、シリコン酸化物薄膜を
アニール処理するだけでは、膜内で急激な有機成分の分
解反応が生じてしまい、この結果、膜の架橋密度が低下
してエッチングレートが速くなり過ぎてしまうものと考
えられる。
中、 250℃でのシリコン酸化物薄膜中の有機成分が急激
に分解している様子を示す図である。この図１から判る
ように、酸素雰囲気内でシリコン酸化物薄膜をアニール
処理するだけでは、 250℃付近で急激に有機成分の分解
が発生してしまう。このように、シリコン酸化物薄膜を
アニール処理するだけでは、膜内で急激な有機成分の分
解反応が生じてしまい、この結果、膜の架橋密度が低下
してエッチングレートが速くなり過ぎてしまうものと考
えられる。
【００１４】これに対し本発明では、堆積されたシリコ
ン酸化物薄膜をアニール処理する際、更に、シリコン酸
化物薄膜に膜中の有機成分が励起される10nm以上 300nm
以下の波長（図２参照）を含む紫外線を照射するように
したため、紫外線により励起された膜中の有機成分を分
解しながらＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を促進させることができ
る。このため、堆積されたシリコン酸化物薄膜の架橋密
度を向上させて膜質を向上させることができる。
ン酸化物薄膜をアニール処理する際、更に、シリコン酸
化物薄膜に膜中の有機成分が励起される10nm以上 300nm
以下の波長（図２参照）を含む紫外線を照射するように
したため、紫外線により励起された膜中の有機成分を分
解しながらＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を促進させることができ
る。このため、堆積されたシリコン酸化物薄膜の架橋密
度を向上させて膜質を向上させることができる。
【００１５】なお、図２は本発明の原理説明のためのシ
リコン酸化物薄膜をＵＶ測定した時のＵＶスペクトルを
示す図であるが、この図２から、波長が 200nm以下 (こ
こでは測定装置の測定限界) の紫外線照射でシリコン酸
化物薄膜の吸収ピークがあるものと推定される。
リコン酸化物薄膜をＵＶ測定した時のＵＶスペクトルを
示す図であるが、この図２から、波長が 200nm以下 (こ
こでは測定装置の測定限界) の紫外線照射でシリコン酸
化物薄膜の吸収ピークがあるものと推定される。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
３は本発明の一実施例に則した平行平板型のプラズマＣ
ＶＤ装置の構成を示す図である。図３において、１は反
応室であり、２は下部電極３上に載置されたウエハであ
り、４は下部電極３と対向するように反応室１内に配置
され、マッチングボックス５を介してＲＦ電源６と電気
的に接続されたシャワー状上部電極である。そして、７
は石英窓８を介して反応室１内のウエハ２に紫外線を照
射するための紫外線ランプである。
３は本発明の一実施例に則した平行平板型のプラズマＣ
ＶＤ装置の構成を示す図である。図３において、１は反
応室であり、２は下部電極３上に載置されたウエハであ
り、４は下部電極３と対向するように反応室１内に配置
され、マッチングボックス５を介してＲＦ電源６と電気
的に接続されたシャワー状上部電極である。そして、７
は石英窓８を介して反応室１内のウエハ２に紫外線を照
射するための紫外線ランプである。
【００１７】次に、図４は本発明の一実施例に則した半
導体装置の製造方法を説明する図である。本実施例で
は、低圧Ｈｇランプを用いた場合である。図４におい
て、11はＳｉ等の基板であり、12はこの基板11上に形成
されたＢＰＳＧ膜であり、13はこのＢＰＳＧ膜12上に形
成された１層目のＡｌ等の配線パターンである。そし
て、14はＨ2 ＯとＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ成膜
と紫外線照射（アニール処理同時）で形成されたシリコ
ン酸化物薄膜14ａを形成することによって所望の膜厚に
なるシリコン酸化物薄膜である。
導体装置の製造方法を説明する図である。本実施例で
は、低圧Ｈｇランプを用いた場合である。図４におい
て、11はＳｉ等の基板であり、12はこの基板11上に形成
されたＢＰＳＧ膜であり、13はこのＢＰＳＧ膜12上に形
成された１層目のＡｌ等の配線パターンである。そし
て、14はＨ2 ＯとＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ成膜
と紫外線照射（アニール処理同時）で形成されたシリコ
ン酸化物薄膜14ａを形成することによって所望の膜厚に
なるシリコン酸化物薄膜である。
【００１８】次に、その半導体装置の製造方法を説明す
る。ここでは、ＢＰＳＧ膜12の形成工程からシリコン酸
化物薄膜14の形成工程までを説明し、特にシリコン酸化
物薄膜14の形成工程を具体的に説明する。まず、ＣＶＤ
法等によりＳｉ基板11上にＢＰＳＧを堆積して膜厚が40
00Å程度のＢＰＳＧ膜12を形成し、スパッタ法等により
ＢＰＳＧ膜12上にＡｌを堆積して膜厚0.5μm程度のＡｌ
膜を形成した後、ＲＩＥ等によりＡｌ膜をパターニング
してＡｌ配線パターン13を形成する。
る。ここでは、ＢＰＳＧ膜12の形成工程からシリコン酸
化物薄膜14の形成工程までを説明し、特にシリコン酸化
物薄膜14の形成工程を具体的に説明する。まず、ＣＶＤ
法等によりＳｉ基板11上にＢＰＳＧを堆積して膜厚が40
00Å程度のＢＰＳＧ膜12を形成し、スパッタ法等により
ＢＰＳＧ膜12上にＡｌを堆積して膜厚0.5μm程度のＡｌ
膜を形成した後、ＲＩＥ等によりＡｌ膜をパターニング
してＡｌ配線パターン13を形成する。
【００１９】次に、図３に示す紫外線ランプ７を有する
プラズマＣＶＤ装置を用い、ＴＥＯＳとＨ2 Ｏを用いた
プラズマＣＶＤ法により配線パターン13を覆うように膜
厚200Å程度のシリコン酸化物薄膜14ａをウェハ温度150
℃程度で形成する。次いで、このシリコン酸化物薄膜14
ａを150℃に保持したまま、低圧水銀ランプにより紫外
線を照射する。このように、プラズマＣＶＤ成膜と紫外
線照射（アニール処理同時）により形成されたシリコン
酸化物薄膜14ａを50回形成することにより、所望の膜厚
となる例えば膜厚4000〜6000Å程度のシリコン酸化物薄
膜14を得ることができる。
プラズマＣＶＤ装置を用い、ＴＥＯＳとＨ2 Ｏを用いた
プラズマＣＶＤ法により配線パターン13を覆うように膜
厚200Å程度のシリコン酸化物薄膜14ａをウェハ温度150
℃程度で形成する。次いで、このシリコン酸化物薄膜14
ａを150℃に保持したまま、低圧水銀ランプにより紫外
線を照射する。このように、プラズマＣＶＤ成膜と紫外
線照射（アニール処理同時）により形成されたシリコン
酸化物薄膜14ａを50回形成することにより、所望の膜厚
となる例えば膜厚4000〜6000Å程度のシリコン酸化物薄
膜14を得ることができる。
【００２０】このように、本実施例では、堆積されたシ
リコン酸化物薄膜14ａをアニール処理する際、更に、シ
リコン酸化物薄膜14ａに膜中の有機成分が励起される10
nm〜300nmの波長を含む紫外線を照射するようにしたた
め、紫外線により励起された膜中の有機成分を分解しな
がらＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を促進させることができる。こ
のため、堆積されたシリコン酸化物薄膜14の架橋密度を
向上させて膜質を向上させることができる。
リコン酸化物薄膜14ａをアニール処理する際、更に、シ
リコン酸化物薄膜14ａに膜中の有機成分が励起される10
nm〜300nmの波長を含む紫外線を照射するようにしたた
め、紫外線により励起された膜中の有機成分を分解しな
がらＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を促進させることができる。こ
のため、堆積されたシリコン酸化物薄膜14の架橋密度を
向上させて膜質を向上させることができる。
【００２１】なお、上記実施例では、シリコン酸化物薄
膜14ａの堆積と紫外線照射（アニール処理も同時）を繰
り返し行って所望の膜厚のシリコン酸化物薄膜14を形成
する場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、有機シランガスとＨ及びＯＨ含有化合
物ガスを含むガスを反応させて単層のシリコン酸化物薄
膜を形成した後、この単層のシリコン酸化物薄膜に紫外
線照射とアニール処理を施して行う場合であってもよ
い。
膜14ａの堆積と紫外線照射（アニール処理も同時）を繰
り返し行って所望の膜厚のシリコン酸化物薄膜14を形成
する場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、有機シランガスとＨ及びＯＨ含有化合
物ガスを含むガスを反応させて単層のシリコン酸化物薄
膜を形成した後、この単層のシリコン酸化物薄膜に紫外
線照射とアニール処理を施して行う場合であってもよ
い。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、平坦性を損なうことな
く膜の架橋密度を向上させて膜質を向上させることがで
きる半導体装置の製造方法を得ることができるという効
果がある。
く膜の架橋密度を向上させて膜質を向上させることがで
きる半導体装置の製造方法を得ることができるという効
果がある。
【図１】本発明の原理説明のための酸素雰囲気中、 250
℃でのシリコン酸化物薄膜中の有機成分が急激に分解し
ている様子を示す図である。
℃でのシリコン酸化物薄膜中の有機成分が急激に分解し
ている様子を示す図である。
【図２】本発明の原理説明のためのシリコン酸化物薄膜
をＵＶ測定した時のＵＶスペクトルの様子を示す図であ
る。
をＵＶ測定した時のＵＶスペクトルの様子を示す図であ
る。
【図３】本発明の一実施例に則したプラズマＣＶＤ装置
の構成を示す概略図である。
の構成を示す概略図である。
【図４】本発明の一実施例に則した半導体装置の製造方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
【図５】従来例の半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。
ある。
【図６】従来例の課題を説明するためのシリコン酸化物
薄膜のＦＴ−ＩＲ測定した時のスペクトルを示す図であ
る。
薄膜のＦＴ−ＩＲ測定した時のスペクトルを示す図であ
る。
11 基板 12 ＢＰＳＧ膜 13 配線パターン 14、14ａ シリコン酸化物薄膜
Claims (5)
- 【請求項１】 有機シランガスとＨ及びＯＨ含有化合物
ガスを含むガスを反応させてシリコン酸化物薄膜を形成
した後、該シリコン酸化物薄膜をアニール処理するとと
もに、該シリコン酸化物薄膜に含まれる有機成分を励起
することが可能な波長の紫外線を照射して該シリコン酸
化物薄膜中の有機成分を除去する工程を含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記紫外線照射を行う際は、酸素、オゾ
ン及び水蒸気の内、少なくとも１種を含むガスを反応室
内に導入することを特徴とする請求項１乃至２記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記紫外線照射を行う際は、反応室内を
減圧下にすることを特徴とする請求項１乃至３記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記シリコン酸化物薄膜の堆積と前記紫
外線照射を繰り返し行って所望の膜厚のシリコン酸化物
薄膜を形成することを特徴とする請求項１乃至４記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記紫外線照射を行う際は、有機成分の
熱分解が開始する温度よりも低い温度で行うことを特徴
とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5842892A JPH05259156A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5842892A JPH05259156A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259156A true JPH05259156A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13084112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5842892A Withdrawn JPH05259156A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259156A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5698464A (en) * | 1993-12-16 | 1997-12-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device with oxynitride layer |
| JP2009135450A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-06-18 | Applied Materials Inc | トレンチ内に誘電層を形成する方法 |
| JP2010103495A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Adeka Corp | 半導体デバイス、その製造装置及び製造方法 |
| JP2011109086A (ja) * | 2009-11-12 | 2011-06-02 | Novellus Systems Inc | 膜の少なくとも一部を酸化シリコンに変換し、および／または、蒸気内紫外線硬化を利用して膜の品質を改善し、および、アンモニア内紫外線硬化を利用して膜を高密度化するシステムおよび方法 |
| US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
| US8980382B2 (en) | 2009-12-02 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films |
| US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
| CN104752195A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 含硅氧介质层及其表面处理方法、半导体器件及互连层 |
| US9285168B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Module for ozone cure and post-cure moisture treatment |
| US9404178B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment and deposition for reduced outgassing |
| US9412581B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Low-K dielectric gapfill by flowable deposition |
| WO2016143025A1 (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| JP2018512727A (ja) * | 2015-02-23 | 2018-05-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高品質薄膜を形成するための周期的連続処理 |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP5842892A patent/JPH05259156A/ja not_active Withdrawn
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5698464A (en) * | 1993-12-16 | 1997-12-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device with oxynitride layer |
| JP2009135450A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-06-18 | Applied Materials Inc | トレンチ内に誘電層を形成する方法 |
| JP2010103495A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Adeka Corp | 半導体デバイス、その製造装置及び製造方法 |
| JP2011109086A (ja) * | 2009-11-12 | 2011-06-02 | Novellus Systems Inc | 膜の少なくとも一部を酸化シリコンに変換し、および／または、蒸気内紫外線硬化を利用して膜の品質を改善し、および、アンモニア内紫外線硬化を利用して膜を高密度化するシステムおよび方法 |
| TWI608121B (zh) * | 2009-11-12 | 2017-12-11 | 諾發系統有限公司 | 用於至少部分地轉換薄膜為二氧化矽及／或於蒸氣中使用紫外線硬化來改善薄膜品質以及於氨中使用紫外線硬化來改善薄膜密實化之系統及方法 |
| US9147589B2 (en) | 2009-11-12 | 2015-09-29 | Novellus Systems, Inc. | Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using UV curing in ammonia |
| US8980382B2 (en) | 2009-12-02 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films |
| US9285168B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Module for ozone cure and post-cure moisture treatment |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US9404178B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment and deposition for reduced outgassing |
| US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
| US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
| CN104752195A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 含硅氧介质层及其表面处理方法、半导体器件及互连层 |
| US9412581B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Low-K dielectric gapfill by flowable deposition |
| JP2018512727A (ja) * | 2015-02-23 | 2018-05-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高品質薄膜を形成するための周期的連続処理 |
| WO2016143025A1 (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| JPWO2016143025A1 (ja) * | 2015-03-09 | 2017-08-31 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2699695B2 (ja) | 化学気相成長法 | |
| KR100672066B1 (ko) | 전자기 방사를 이용하는 반도체들의 표면 변경 | |
| JP5233975B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2697315B2 (ja) | フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法 | |
| JP3365554B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05259156A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20080122121A1 (en) | Semiconductor device having a interlayer insulation film with low dielectric constant and high mechanical strength | |
| JPH07312368A (ja) | 絶縁膜の平坦化構造を形成するための方法 | |
| JP3698885B2 (ja) | 強誘電体膜を用いた装置の製造方法 | |
| JP4194521B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0481706B1 (en) | Method of producing CVD silicon oxynitride film | |
| JP2758847B2 (ja) | スピンオングラス膜の形成方法 | |
| JP3216266B2 (ja) | 平坦化絶縁膜の製造方法 | |
| JP2008166374A (ja) | 絶縁膜形成方法 | |
| JP2008021800A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR0172031B1 (ko) | 반도체장치의 층간 절연막 형성방법 | |
| JP3391575B2 (ja) | 多層ｓｏｇ膜の硬化方法 | |
| JPH09275102A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPH08203894A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3204041B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JP2636715B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4986661B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置 | |
| JP4986660B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置 | |
| JP2006080128A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3008996B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |