JP2015513609A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- ケイ素含有ガス、第１窒素含有ガス、第２窒素含有ガス及び水素ガスを含むガス混合物を処理チャンバ内に送出する工程と、
処理チャンバ内に配置された基板の上方に約８００ミル〜約１８００ミル離間したガス分配プレートアセンブリに、約０．３５０ワット／ｃｍ２〜約０．９０３ワット／ｃｍ２を印加することによって、処理チャンバ内でガス混合物を励起させる工程と、
処理チャンバ内で励起したガス混合物を約０．５トール〜約３．０トールの圧力に維持する工程と、
励起したガス混合物の存在下で基板上に無機封止膜を堆積させる工程と、
有機封止膜上に無機誘電体層を堆積させる工程を含む封止膜の形成方法。 - ガス混合物を送出する工程は、
基板面積１ｍ２当たり約１５５０〜約３１１５ｓｃｃｍの流量でケイ素含有ガスを送出する工程と、
基板面積１ｍ２当たり約２３６０〜約６１４０ｓｃｃｍの流量で第１窒素含有ガスを送出する工程と、
基板面積１ｍ２当たり約９３０５〜約１５４５５ｓｃｃｍの流量で第２窒素含有ガスを送出する工程を含む請求項１記載の方法。 - 無機封止膜を堆積させる工程は、無機封止膜上に有機誘電体層を堆積させる工程を含む請求項１記載の方法。
- ケイ素含有ガス、第１窒素含有ガス、第２窒素含有ガス及び水素ガスを含むガス混合物を処理チャンバ内に送出する工程と、
処理チャンバ内に配置された基板の上方に約８００ミル〜約１８００ミル離間したガス分配プレートアセンブリに、約０．３５０ワット／ｃｍ２〜約０．９０３ワット／ｃｍ２を印加することによって、処理チャンバ内でガス混合物を励起させる工程と、
処理チャンバ内で励起したガス混合物を約０．５トール〜約３．０トールの圧力に維持する工程と、
励起したガス混合物の存在下で基板上に無機封止膜を堆積させる工程を含み、ガス混合物を送出する工程は、
基板面積１ｍ２当たり約１５５０〜約３１１５ｓｃｃｍの流量でケイ素含有ガスを送出する工程と、
基板面積１ｍ２当たり約２３６０〜約６１４０ｓｃｃｍの流量で第１窒素含有ガスを送出する工程と、
基板面積１ｍ２当たり約９３０５〜約１５４５５ｓｃｃｍの流量で第２窒素含有ガスを送出する工程を含む封止膜の形成方法。 - 無機封止膜上に有機誘電体層を堆積させる工程を含む請求項４記載の方法。
- ケイ素含有ガス、第１窒素含有ガス、第２窒素含有ガス及び水素ガスを含むガス混合物を処理チャンバ内に送出する工程と、
処理チャンバ内に配置された基板の上方に約８００ミル〜約１８００ミル離間したガス分配プレートアセンブリに、約０．３５０ワット／ｃｍ２〜約０．９０３ワット／ｃｍ２を印加することによって、処理チャンバ内でガス混合物を励起させる工程と、
処理チャンバ内で励起したガス混合物を約０．５トール〜約３．０トールの圧力に維持する工程と、
励起したガス混合物の存在下で基板上に無機封止膜を堆積させる工程と、
無機封止膜上に有機誘電体層を堆積させる工程を含む封止膜の形成方法。 - ガス混合物を送出する工程は、
基板面積１ｍ２当たり約２３６３０〜約４３３２５ｓｃｃｍの流量で水素ガスを送出する工程を含む請求項２、４、又は５のいずれか１項記載の方法。 - 無機封止膜は、波長４００ｎｍで約８０％を超える透明性を有する請求項７記載の方法。
- 第２窒素含有ガスは、Ｎ２である請求項２、４、又は５のいずれか１項記載の方法。
- 有機誘電体層上に第２無機封止膜を堆積させる工程を含む請求項３、５、又は６のいずれか１項記載の方法。
- 無機封止膜及び第２無機封止膜は、約０．８ダイン／ｃｍ２の応力を有する請求項１０記載の方法。
- 第２無機封止膜を堆積させる工程は、
基板の上方に約８００ミル〜約１８００ミル離間させたガス分配プレートアセンブリに、約０．３５０ワット／ｃｍ２〜約０．９０３ワット／ｃｍ２を印加することによって、ケイ素含有ガス、第１窒素含有ガス、第２窒素含有ガス及び水素ガスを含む第２ガス混合物を励起させる工程と、
励起した第２ガス混合物を約０．５トール〜約３．０トールの圧力に維持する工程と、
励起した第２ガス混合物の存在下で基板上に無機封止膜を堆積させる工程を含む請求項１０記載の方法。 - 第２無機封止膜を堆積させる工程は、第１無機封止膜上に第２無機封止膜の一部を堆積させる工程を含む請求項１２記載の方法。
- 第２ガス混合物を送出する工程は、
基板面積１ｍ２当たり約１５５０〜約３１１５ｓｃｃｍの流量でケイ素含有ガスを送出する工程と、
基板面積１ｍ２当たり約２３６０〜約６１４０ｓｃｃｍの流量で第１窒素含有ガスを送出する工程と、
基板面積１ｍ２当たり約９３０５〜約１５４５５ｓｃｃｍの流量で第２窒素含有ガスを送出する工程を含む請求項１２記載の方法。 - 無機封止膜を堆積させる工程は、ＳｉＮｘを含む請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
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