JP2012033902A5

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Publication number: JP2012033902A5
Application number: JP2011141548A
Authority: JP
Filing date: 2011-06-27
Publication date: 2014-08-07
Anticipated expiration: 2031-06-27

Claims

基板上に絶縁膜を形成し、
第１の条件で第１の処理室内に水素と堆積性気体とを供給して、前記絶縁膜上に種結晶を形成し、
第２の条件で第２の処理室内に水素と前記堆積性気体とを供給して、前記種結晶上に微結晶半導体膜を形成し、
前記第１の条件において、前記堆積性気体の流量に対する前記水素の流量を５０倍以上１０００倍以下とし、前記第１の処理室内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ以上１０Ｔｏｒｒ以下とし、
前記第２の条件において、前記堆積性気体の流量を第１の値と第２の値との間で周期的に変化させ、前記第２の処理室内の圧力を１０ｏｒｒ以上１００Ｔｏｒｒ以下とし、
前記第２の値は、前記第１の値よりも低く、
前記微結晶半導体膜を形成する間、前記第２の処理室内における前記堆積性気体の前記水素に対する流量比を、周期的に変化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上に絶縁膜を形成し、
第１の条件で第１の処理室内に水素と堆積性気体とを供給して、前記絶縁膜上に種結晶を形成し、
第２の条件で第２の処理室内に水素と前記堆積性気体とを供給して、前記種結晶上に微結晶半導体膜を形成し、
前記第１の条件において、前記堆積性気体の流量に対する前記水素の流量を５０倍以上１０００倍以下とし、前記第１の処理室内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ以上１０Ｔｏｒｒ以下とし、
前記第２の条件において、前記第２の処理室内の圧力を１０ｏｒｒ以上１００Ｔｏｒｒ以下とし、
前記微結晶半導体膜を形成する間、前記第２の処理室内における前記堆積性ガスの前記水素に対する流量比を周期的に変化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上にゲート電極を形成し、
前記基板上及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
第１の条件で第１の処理室内に水素と堆積性気体とを供給して、前記ゲート絶縁膜上に種結晶を形成し、
第２の条件で第２の処理室内に水素と前記堆積性気体とを供給して、前記種結晶上に微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜上に半導体膜を形成し、
前記種結晶の一部、前記微結晶半導体膜の一部、及び前記半導体膜の一部をエッチングして、半導体積層体を形成し、
前記半導体積層体上に配線を形成し、
前記第１の条件において、前記堆積性気体の流量に対する前記水素の流量は５０倍以上１０００倍以下とし、前記第１の処理室内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ以上１０Ｔｏｒｒ以下とし、
前記第２の条件において、前記堆積性気体の流量を第１の値と第２の値との間で周期的に変化させ、前記第２の処理室内の圧力を１０ｏｒｒ以上１００Ｔｏｒｒ以下とし、
前記第２の値は、前記第１の値よりも低く、
前記微結晶半導体膜を形成する間、前記第２の処理室内における前記堆積性ガスの前記水素に対する流量比を周期的に変化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上にゲート電極を形成し、
前記基板上及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
第１の条件で第１の処理室内に水素と堆積性気体とを供給して、前記ゲート絶縁膜上に種結晶を形成し、
第２の条件で第２の処理室内に水素と前記堆積性気体とを供給して、前記種結晶上に微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜上に半導体膜を形成し、
前記種結晶の一部、前記微結晶半導体膜の一部、及び前記半導体膜の一部をエッチングして、半導体積層体を形成し、
前記半導体積層体上に配線を形成し、
前記第１の条件において、前記堆積性気体の流量に対する前記水素の流量を５０倍以上１０００倍以下とし、前記第１の処理室内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ以上１０Ｔｏｒｒ以下とし、
前記第２の条件において、前記第２の処理室内の圧力を１０ｏｒｒ以上１００Ｔｏｒｒ以下とし、
前記微結晶半導体膜を形成する間、前記第２の処理室内における前記堆積性ガスの前記水素に対する流量比を周期的に変化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項３又は４において、
前記半導体積層体の側面にプラズマ処理を行って、前期半導体積層体の前記側面に障壁領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項３乃至５のいずれか一において、
前記配線上、前記半導体積層体上、前記ゲート絶縁膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にバックゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項６において、
前記ゲート電極は、前記バックゲート電極と接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項６又は７において、
前記バックゲート電極はフローティングであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第２の条件における前記水素の流量は一定であり、前記第１の条件における前記水素の流量と同じであることを特徴とする半導体装置の作製方法。