JP2009088501A5 - - Google Patents
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- 基板上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にフッ化シラン及びシランを用いて結晶核を形成し、
シランを用いて前記結晶核を結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成し、
前記結晶成長は、フッ化シランを導入せずに行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 基板上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜表面にフッ化シラン及び水素を用いてプラズマ処理を行い、
前記ゲート絶縁膜上にフッ化シラン及びシランを用いて結晶核を形成し、
シランを用いて前記結晶核を結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成し、
前記結晶成長は、フッ化シランを導入せずに行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項１又は２において、
前記結晶核の形成及び前記結晶成長は、グロー放電プラズマによることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記微結晶半導体膜を形成した後、大気に触れることなく連続的に前記微結晶半導体膜上にバッファ層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
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