JP2016092347A - エッチング方法 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 62
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 37
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 37
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02041—Cleaning
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
- H01L21/30621—Vapour phase etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
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- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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Abstract
【課題】被加工物に付着した水分を短時間で乾燥させると共に、フッ酸の生成を防止すること。【解決手段】フッ素系安定ガスをプラズマ化させて、被加工物(W)をドライエッチングするエッチング方法であり、チャンバー(11)内の圧力を負圧状態にして、不活性ガスをプラズマ化して被加工物に付着した水分を除去する工程と、水分を除去した後に、不活性ガスの代わりにフッ素系安定ガスを使用して、フッ素系安定ガスをプラズマ化して被加工物をドライエッチングする工程とを有する構成にした。【選択図】図2
Description
本発明は、フッ素系安定ガスをプラズマ化させて半導体ウエーハ等の被加工物をエッチングするエッチング方法に関する。
研削装置で半導体ウエーハ等の被加工物が研削されると、被加工物の被研削面に研削ダメージが残存し、被加工物の抗折強度を低下させる原因となっている。そこで、研削装置にエッチング装置を組み込んだ研削システムが提案されている(例えば、特許文献1参照)。この研削システムは、被加工物の研削からエッチングまでの一連の動作を自動的に実施しており、研削後の被加工物をエッチング装置に搬入して、研削後に残った研削ダメージをプラズマエッチングによって鏡面加工することで、被加工物から研削ダメージを除去している。
ところで、被加工物のエッチングには、SF6、CF4、NF3等のフッ素系安定ガスがプラズマガスとして使用されるが、これらのフッ素系安定ガスが被加工物の表面に付着した水分と反応するとフッ酸(HF)が生成される。フッ酸は人体に危険性があると共に装置を腐食させるため、排ガス処理を行わなければならなかった。フッ酸の生成を防止するために、被加工物の洗浄後に十分に乾燥された状態でエッチング装置に搬入されるが、ドライエアーによるスピン乾燥では乾燥時間が長くなると共に、エッチング装置までの搬送中の湿気等によって被加工物に水分が付着する可能性があった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、被加工物に付着した水分を短時間で乾燥させると共に、フッ酸の生成を防止することができるエッチング方法を提供することを目的とする。
本発明のエッチング方法は、フッ素系安定ガスをプラズマ化させ被加工物をドライエッチングするエッチング方法であって、被加工物を収容したチャンバー内の圧力を負圧状態にさせ不活性ガスを供給させ、第1の加工条件で該不活性ガスをプラズマ化させ被加工物に付着する水分を除去する水分除去工程と、該水分除去工程の後、該不活性ガスを該フッ素系安定ガスに切換え該チャンバー内の負圧状態を維持し、第2の加工条件で該フッ素系安定ガスをプラズマ化させ被加工物をドライエッチングするエッチング工程と、からなる。
この構成によれば、水分が付着した被加工物がチャンバー内に搬入されても、プラズマ化した不活性ガスによって被加工物の水分が気相化されて短時間で被加工物が乾燥される。被加工物が乾燥した後に、プラズマ化したフッ素系安定ガスによって被加工物がドライエッチングされるため、ドライエッチング時にフッ酸が生成されることがない。よって、ドライエッチング前に被加工物に水分が付着することがなく、フッ酸の生成を効果的に防止してフッ酸の排ガスの処理を無くすことができる。また、チャンバー内で乾燥されるため、チャンバー内への搬入前の被加工物の乾燥処理を省略することができる。
本発明によれば、フッ素系安定ガスによるドライエッチング前に不活性ガスによって被加工物に付着した水分を乾燥させることで、乾燥時間を短縮できる共に、フッ酸の生成を防止することができる。
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るエッチング方法について説明する。図1は、本実施の形態に係るエッチング装置の全体模式図である。なお、本実施の形態では、容量結合型プラズマ(CCP: Capacitive Coupled Plasma)のプラズマエッチング装置に本発明を適用した例について説明するが、誘導結合型プラズマ(ICP: Inductive Coupled Plasma)のプラズマエッチング装置やその他各種プラズマエッチング装置にも適用可能である。
図1に示すように、エッチング装置1は、チャンバー11内のエッチングガスをプラズマ化させて、研削後の被加工物Wに残存した研削ダメージをドライエッチングによって除去するように構成されている。被加工物Wは、略円板状に形成されたシリコン(Si)、ガリウム砒素(GaAs)等の半導体ウエーハであり、研削加工によって裏面61側が研削された後にエッチング装置1に搬入される。なお、本実施の形態では、被加工物Wとして半導体ウエーハを例示するが、被加工物Wは、半導体ウエーハに限らず、ドライエッチングの対象になれば、どのようなものでもよい。
ところで、エッチングガスとしては、六フッ化硫黄(SF6)、四フッ化メタン(CF4)、三フッ化窒素(NF3)等のフッ素を含むフッ素系安定ガスが用いられる。この場合、被加工物Wに水分が付着していると、水とフッ素が反応してフッ酸(HF)が生成されてしまい装置を腐食させる原因となる。このため、被加工物Wを完全に乾燥させた状態でエッチング装置1に搬入することが好ましい。一般に、研削後の被加工物Wは、洗浄後にスピン乾燥された状態でエッチング装置1に搬送されるが、搬送中に水分が付着しないように乾燥エアを噴き付けながら搬送しなければならない。
そこで、本実施の形態に係るエッチング装置1では、チャンバー11内でドライエッチングを実施する前に、水に反応し難い不活性ガスをプラズマ化して、被加工物Wを短時間で乾燥させるようにしている。これにより、水分が付着した状態で被加工物Wをエッチング装置1に搬入させることができ、さらにスピン乾燥よりも短時間で乾燥させることができる。また、チャンバー11内で被加工物Wの乾燥とドライエッチングが連続して実施されるため、乾燥後に被加工物Wに水分が付着することがなく、ドライエッチング時にフッ酸の発生を効果的に防止することが可能になっている。
エッチング装置1のチャンバー11の側壁12には、被加工物Wの搬入及び搬出用に搬入出口13が形成されている。側壁12の外壁面には、搬入出口13を開閉するようにシャッター機構21が取り付けられている。シャッター機構21は、シリンダ22の上端にシャッター23が連結されており、シリンダ22によってチャンバー11が外壁面に沿って昇降されることで搬入出口13が開閉される。搬入出口13がシャッター23によって閉じられると、チャンバー11内に密閉空間が形成される。また、チャンバー11内には、電界を形成する下部電極ユニット31と上部電極ユニット41とが上下方向で対向して配設されている。
下部電極ユニット31は、チャンバー11の底壁14を貫通する導電性の支柱部32の上端に設けられている。下部電極ユニット31は、導電性の保持テーブル33の上面に、ポーラス材で形成された円板状の保持板34を取り付けて構成されている。保持板34は、保持テーブル33及び支柱部32内の吸引路35を通じて吸引源36に接続されており、保持板34に生じる負圧によって被加工物Wが吸引保持される。また、下部電極ユニット31内には、冷却部37から送り出された冷媒が通る冷却路38が形成されている。エッチング時には、保持テーブル33に発生する熱が冷媒に伝達されて異常な温度上昇が抑えられている。
上部電極ユニット41は、チャンバー11の上壁15を貫通する導電性の支柱部42の下端に設けられている。上部電極ユニット41は、チャンバー11内にエッチングガスを導入する導電性の噴出テーブル43の下面に、ポーラス材で形成された円板状の拡散板材44を取り付けて構成される。拡散板材44は、噴出テーブル43及び支柱部42内の流路45を通じてフッ素系安定ガス源46及び不活性ガス源47に接続されている。フッ素系安定ガス源46及び不活性ガス源47に向かう管路の途中には切換バルブ48が設けられており、切換バルブ48によってガスの供給元が切換可能に構成されている。
チャンバー11内には、フッ素系安定ガス源46から上記したフッ素系安定ガスが供給され、不活性ガス源47から不活性ガスとして、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、窒素(N2)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)が供給される。また、支柱部42の上端側は、チャンバー11から上方に突出しており、チャンバー11の上壁15に設けられたボールねじ式の昇降駆動機構49に連結されている。この昇降駆動機構49が駆動されることで、上部電極ユニット41が下部電極ユニット31に対して離反又は接近され、保持テーブル33上の被加工物Wに対して噴出テーブル43の高さが適切な位置に調整される。
下部電極ユニット31が高周波電源51に接続され、上部電極ユニット41が接地されている。下部電極ユニット31及び上部電極ユニット41の間で高周波電圧が印加されることで、フッ素系安定ガス及び不活性ガスがプラズマ化される。さらに、チャンバー11には、保持テーブル33の下方に排出口53が形成されており、排出口53にはホースを介して減圧部54が接続されている。減圧部54は、いわゆるターボ分子ポンプ(TMP)であり、減圧部54によってチャンバー11内のエアやプラズマガスが吸引されることで、チャンバー11内が負圧状態になるまで減圧される。
このように構成されたエッチング装置1では、チャンバー11内が負圧にされた状態で、上部電極ユニット41から被加工物Wに向けて不活性ガスが噴射される。この状態で、上部電極ユニット41及び下部電極ユニット31間に高周波電圧が印加されることで不活性ガスがプラズマ化される。プラズマ化した不活性ガスによって被加工物Wに付着した水分が気相化して被加工物Wが乾燥される。続いて、乾燥後の被加工物Wに向けて不活性ガスの代わりにフッ素系安定ガスが噴射され、不活性ガスと同様にフッ素系安定ガスがプラズマ化されて被加工物Wがエッチングされる。
以下、図2を参照して、エッチング装置によるエッチング方法について説明する。図2は、本実施の形態に係るエッチング方法の説明図である。なお、図2Aは水分除去工程を示し、図2Bはエッチング工程を示している。また、本実施の形態に係るエッチング方法は一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
図2Aに示すように、水分除去工程では、研削後の被加工物Wは洗浄された後にチャンバー11まで搬送され、水分が付着した状態で搬入出口13からチャンバー11内に搬入される。被加工物Wは裏面61側を上方に向けて保持テーブル33上に保持され、裏面61に付着した水分によって液相Lが形成されている。水分除去工程では、切換バルブ48によってガスの供給元が不活性ガス源47に調節されており、フッ素系安定ガス源46からのガスの供給が遮断されている。シャッター23が閉じられてチャンバー11内に密閉空間が形成されると、上部電極ユニット41が下部電極ユニット31に近づけられて電極間距離が調整される。
そして、チャンバー11内の圧力が負圧状態になるまで真空排気されて、負圧状態を維持したままで上部電極ユニット41から被加工物Wに向けて不活性ガスとしてアルゴンガス(Ar)が噴射される。このとき、拡散板材44を介して不活性ガスが噴射されるため、被加工物Wの裏面61に対して一様に不活性ガスが噴き付けられる。不活性ガスが噴射された状態で、上部電極ユニット41と下部電極ユニット31との間で高周波電圧が印加されて不活性ガスがプラズマ化(イオン化)される。プラズマ化した不活性ガスによって被加工物Wに付着した水分が気相化されて被加工物Wが乾燥される。
プラズマ化した不活性ガスは、被加工物Wに付着した水分と反応することなく、水分に向かって電子衝突して水素と酸素に分解させて気相化させるため、チャンバー11内に水蒸気や湿気が残ることがない。よって、ドライエアーによるスピン乾燥と比較して被加工物Wを短時間で良好に乾燥させることができる。
なお、水分除去工程では、例えば、以下の第1の加工条件で被加工物Wの乾燥が実施される。第1の加工条件は下記の内容に限定されるものではなく、装置性能、エッチング対象、ガス種等に応じて適宜変更が可能である。
<第1の加工条件>
ガス種:Ar
高周波周波数:2.0−13.56MHz
高周波電力:500−3000W
チャンバー内圧力: 5pa−500Pa
乾燥時間:5−30s
<第1の加工条件>
ガス種:Ar
高周波周波数:2.0−13.56MHz
高周波電力:500−3000W
チャンバー内圧力: 5pa−500Pa
乾燥時間:5−30s
図2Bに示すように、水分除去工程の後にはエッチング工程が実施される。エッチング工程では、切換バルブ48によってガスの供給元が不活性ガス源47からフッ素系安定ガス源46に切換えられ、フッ素系安定ガス源46からのガスの供給が解放され、不活性ガス源47からのガスの供給が遮断される。また、チャンバー11内の圧力が負圧状態に維持されたままで上部電極ユニット41から被加工物Wに向けてフッ素系安定ガスとして六フッ化硫黄(SF6)が噴射される。このとき、拡散板材44を介してフッ素系安定ガスが噴射されるため、乾燥後の被加工物Wの裏面61に対して一様にフッ素系安定ガスが噴き付けられる。
フッ素系安定ガスが噴射された状態で、上部電極ユニット41と下部電極ユニット31との間で高周波電圧が印加されてフッ素系安定ガスがプラズマ化(ラジカル化)される。プラズマ化したフッ素系安定ガスによって被加工物Wの裏面61がラジカル連鎖反応によってドライエッチング(等方性エッチング)され、被加工物Wから研削ダメージが除去されて抗折強度が向上される。このとき、被加工物Wが完全に乾燥されているため、フッ素系安定ガスが水分と反応することがなく、エッチング工程中にフッ酸(HF)が生成されることがない。よって、チャンバー11にフッ酸の排気処理の設備を設ける必要がない。
なお、エッチング工程では、例えば、以下の第2の加工条件で被加工物Wのエッチングが実施される。第2の加工条件は下記の内容に限定されるものではなく、装置性能、エッチング対象、ガス種等に応じて適宜変更が可能である。
<第2の加工条件>
ガス種:SF6
高周波周波数:13.56MHz
高周波電力:1000−5000W
チャンバー内圧力:50−300Pa
処理時間:30−180s
<第2の加工条件>
ガス種:SF6
高周波周波数:13.56MHz
高周波電力:1000−5000W
チャンバー内圧力:50−300Pa
処理時間:30−180s
被加工物Wのドライエッチングが完了すると、上部電極ユニット41と下部電極ユニット31との間の高周波電圧の印加が停止され、切換バルブ48が閉じられてフッ素系安定ガス源46からのガス供給が遮断される。そして、シャッター23が開かれてチャンバー11内が外部に開放されて、搬入出口13からチャンバー11内の被加工物Wが搬出される。このようにして、本実施の形態に係るエッチング装置1では、チャンバー11内で被加工物Wの水分除去工程とエッチング工程が連続的に実施されるため、被加工物Wに水分を付着させたままチャンバー11内に搬入させることができる。
なお、本実施の形態では、排出口53から不活性ガス及びフッ素系安定ガスを排出してもよいし、排出されたガスを不活性ガス源47及びフッ素系安定ガス源46に戻して再利用するようにしてもよい。不活性ガス及びフッ素系安定ガスを循環させることで、プラズマ化されなかったガスを有効利用することができる。また、本実施の形態では、上部電極ユニット41と下部電極ユニット31の電極間距離が、水分除去工程とエッチング工程とで可変されてもよい。
以上のように、本実施の形態に係るエッチング方法では、水分が付着した被加工物Wがチャンバー11内に搬入されても、プラズマ化した不活性ガスによって被加工物Wの水分が気相化されて短時間で被加工物が乾燥される。被加工物が乾燥した後に、プラズマ化したフッ素系安定ガスによって被加工物Wがドライエッチングされるため、ドライエッチング時にフッ酸が生成されることがない。よって、ドライエッチング前に被加工物Wに水分が付着することがなく、フッ酸の生成を効果的に防止してフッ酸の排ガスの処理を無くすことができる。また、チャンバー11内で乾燥されるため、チャンバー11内への搬入前の被加工物の乾燥処理を省略することができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
例えば、上記した実施の形態においては、研削後の被加工物Wをエッチングする方法について説明したが、この構成に限定されない。例えば、切削ブレード等で分割後の被加工物Wをエッチングすることも可能である。このような場合においても、不活性ガスをプラズマ化して切削水を気相化して除去した後に、フッ素系安定ガスをプラズマ化して切削ダメージをドライエッチングによって除去してもよい。
また、上記した実施の形態においては、水分除去工程で、被加工物Wに付着した水分を水素と酸素に分解させる構成にしたが、この構成に限定されない。水分除去工程では、被加工物Wに付着した水分を除去可能であれば、どのように気相化させてもよい。
以上説明したように、本発明は、被加工物に付着した水分を短時間で乾燥させると共に、フッ酸の生成を防止することができるという効果を有し、特に、フッ素系安定ガスをプラズマ化させて半導体ウエーハ等の被加工物をエッチングするエッチング方法に有用である。
1 エッチング装置
11 チャンバー
31 下部電極ユニット
41 上部電極ユニット
46 フッ素系安定ガス源
47 不活性ガス源
48 切換バルブ
51 高周波電源
54 減圧部
W 被加工物
11 チャンバー
31 下部電極ユニット
41 上部電極ユニット
46 フッ素系安定ガス源
47 不活性ガス源
48 切換バルブ
51 高周波電源
54 減圧部
W 被加工物
Claims (1)
- フッ素系安定ガスをプラズマ化させ被加工物をドライエッチングするエッチング方法であって、
被加工物を収容したチャンバー内の圧力を負圧状態にさせ不活性ガスを供給させ、第1の加工条件で該不活性ガスをプラズマ化させ被加工物に付着する水分を除去する水分除去工程と、
該水分除去工程の後、該不活性ガスを該フッ素系安定ガスに切換え該チャンバー内の負圧状態を維持し、第2の加工条件で該フッ素系安定ガスをプラズマ化させ被加工物をドライエッチングするエッチング工程と、からなるエッチング方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014228755A JP2016092347A (ja) | 2014-11-11 | 2014-11-11 | エッチング方法 |
US14/933,259 US9812292B2 (en) | 2014-11-11 | 2015-11-05 | Etching method |
KR1020150155640A KR20160056282A (ko) | 2014-11-11 | 2015-11-06 | 에칭 방법 |
CN201510767562.3A CN105590837A (zh) | 2014-11-11 | 2015-11-11 | 蚀刻方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014228755A JP2016092347A (ja) | 2014-11-11 | 2014-11-11 | エッチング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016092347A true JP2016092347A (ja) | 2016-05-23 |
Family
ID=55930318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014228755A Pending JP2016092347A (ja) | 2014-11-11 | 2014-11-11 | エッチング方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9812292B2 (ja) |
JP (1) | JP2016092347A (ja) |
KR (1) | KR20160056282A (ja) |
CN (1) | CN105590837A (ja) |
Cited By (1)
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JP2018133505A (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング方法 |
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-
2014
- 2014-11-11 JP JP2014228755A patent/JP2016092347A/ja active Pending
-
2015
- 2015-11-05 US US14/933,259 patent/US9812292B2/en active Active
- 2015-11-06 KR KR1020150155640A patent/KR20160056282A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-11-11 CN CN201510767562.3A patent/CN105590837A/zh active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105590837A (zh) | 2016-05-18 |
KR20160056282A (ko) | 2016-05-19 |
US9812292B2 (en) | 2017-11-07 |
US20160260624A1 (en) | 2016-09-08 |
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