JP6495086B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
ガス種:SF6
ウエーハの被加工面と上部電極との距離(高さ)H:10mm
高周波周波数:13.56MHz
高周波電力:100W−5KW
チャンバ内圧力:1〜200Pa(絶対真空を0Paとした時(絶対圧表記))
処理時間:10秒〜10分
高周波電源51による高周波電力によって希ガスがイオン化される。印加する電力の周波数が高くなる程、振幅の回数が増えるので、高密度のイオンを作る効率を高めることができる。しかし、高周波電力だけを印加した状態では、高周波電力は振幅量が小さいため保持テーブル33と噴出テーブル43との間で希ガスのイオンは重いために動作できず、ウエーハ1に衝突されない。
ガス種:Ar
ウエーハの被加工面と上部電極との距離(高さ)H:50〜100mm
高周波周波数:13.56MHz
高周波電力:100W−5KW
低周波周波数:2MHz
低周波電力:100W−5KW
チャンバ内圧力:1〜800Pa(絶対真空を0Paとした時(絶対圧表記))
処理時間:10秒〜10分
1a 表面
1b 裏面
1c ゲッタリング層
2 分割予定ライン
3 デバイス
5 保護テープ
10 加工装置
11 チャンバ
33 保持テーブル
Claims (1)
- 表面が分割予定ラインによって区画されデバイスが形成されるウエーハの裏面に研削砥石を接触させ研削して所定の厚みにした後、ウエーハを収容するチャンバに供給したガスをプラズマ化させ該裏面をエッチングするエッチング工程と、該裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程とを実施するウエーハ加工方法であって、
ウエーハの表面を保護テープを介して保持テーブルで保持し、該保持テーブルに対向して配置される上部電極ユニットを該保持テーブルに対して離反又は接近して該保持テーブル上のウエーハに対する該上部電極ユニットの高さを調整する保持工程と、
該保持工程の後、該チャンバ内にフッ素系ガスとなる第1のガスを充満させ、該保持テーブルに接続される高周波電源を用いて第1の周波数帯の範囲内の高周波とした高周波電力を印加して該第1のガスをプラズマ化させてウエーハ裏面をプラズマエッチングするエッチング工程と、
該エッチング工程の後、該チャンバ内の該第1のガスを希ガスとなる第2のガスに置換し、該高周波電源により該第1の周波数帯の範囲内の高周波とした高周波電力と、該保持テーブルに接続される低周波電源を用いて該第1の周波数帯より低い第2の周波数帯の範囲内の低周波とした低周波電力とを重畳印加して該第2のガスをイオン化させてウエーハ裏面に衝突させ、ウエーハの裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、
からなるウエーハの加工方法。
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