JP5331500B2 - ウエーハの処理方法 - Google Patents
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Description
ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚みに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されることによってウエーハの裏面に生成された研削歪層を除去する歪層除去工程と、
研削歪層が除去されたウエーハの裏面にプラズマ化した不活性ガスを照射する不活性ガス照射工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの処理方法が提供される。
また、上記裏面研削工程を実施する前に、ウエーハの表面から複数のストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚みに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程を実施する。
先ずゲート作動手段63を作動してゲート62を図4において下方に移動せしめ、ハウジング61の右側側壁614に設けられた開口614aを開ける。次に、図示しない搬出入手段によって保護部材3が貼着された半導体ウエーハ2を開口614aからハウジング61によって形成される密閉空間61aに搬送し、下部電極65を構成する被加工物保持部651の吸着保持部材653上に保護部材3側を載置する。このとき、昇降駆動手段72を作動して上部電極66を上昇せしめておく。そして、吸引手段69を作動して上述したように室651bに負圧を作用することにより、吸着保持部材653上に載置された半導体ウエーハ2に貼着された保護部材3は吸引保持される(図5参照)。
電源68の出力 :1〜4W
密閉空間61a内の圧力 :400〜600Pa
プラズマ発生用ガス :六フッ化イオウ(SF6)とヘリウム(He)を1:3〜4:1の
割合で混合した混合ガス
エッチング処理時間 :3〜4分
不活性ガス照射工程は、歪層除去工程が終了した状態で、ガス排出手段64を作動してハウジング61によって形成される密閉空間61a内を真空排気する。密閉空間61a内を真空排気したならば、不活性ガス供給手段74を作動して不活性ガスを上部電極66に供給する。不活性ガス供給手段74から供給された不活性ガスは、支持部662に形成された連通路662aおよびガス噴出部661に形成された連通路661bを通して複数の噴出口661aから下部電極65の吸着保持部材653上に保持された半導体ウエーハ2の裏面2b(上面)に向けて噴出される。そして、密閉空間61a内を所定のガス圧力に維持する。このように、不活性ガスを供給した状態で、高周波電源68から下部電極65と上部電極66との間に高周波電圧を印加する。これにより、下部電極65と上部電極66との間の空間にプラズマが発生し、このプラズマ化した不活性ガスが半導体ウエーハ2の裏面2bに照射される。この結果、半導体ウエーハ2の裏面2bに微細な歪みが形成され、この微細な歪みによるゲッタリング効果が得られる。
電源68の出力 :2W
密閉空間61a内の圧力 :10Pa
不活性ガス :アルゴンまたはネオンまたはヘリウム
エッチング処理時間 :5〜10分
この実施形態においては、上記裏面研削工程を実施する前に、半導体ウエーハ2の表面から複数のストリート21に沿ってデバイスの仕上がり厚みに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程を実施する。この分割溝形成工程は、図6の(a)に示す切削装置8を用いて実施する。図6の(a)に示す切削装置8は、被加工物を保持するチャックテーブル81と、切削ブレード821を備えた切削手段82と、撮像手段83を具備している。この切削装置8によって分割溝形成工程を実施するには、チャックテーブル81上に半導体ウエーハ2の表面2aを上にして載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ2をチャックテーブル81上に保持する。このようにして、半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル81は、図示しない切削送り機構によって撮像手段83の直下に位置付けられる。
21:ストリート
22:デバイス
3:保護部材
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52:研削手段
6:プラズマ処理装置
65:下部電極
66:上部電極
68:高周波電源
73:混合ガス供給手段
74:不活性ガス供給手段
8:切削装置
81:切削装置のチャックテーブル
82:切削手段
Claims (3)
- 表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの処理方法であって、
ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚みに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されることによってウエーハの裏面に生成された研削歪層を除去する歪層除去工程と、
研削歪層が除去されたウエーハの裏面にプラズマ化した不活性ガスを照射することにより研削歪層が除去されたウエーハの裏面に微細な歪みを形成する不活性ガス照射工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの処理方法。 - 該歪層除去工程は、ウエーハの裏面にプラズマ化したフッ素系ガスを照射してウエーハの裏面に生成された研削歪層を除去する、請求項1記載のウエーハの処理方法。
- 該裏面研削工程を実施する前に、ウエーハの表面から複数のストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚みに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程を実施する、請求項1又は2記載のウエーハの処理方法。
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