JP4731244B2

JP4731244B2 - ウエーハの分割方法

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Publication number: JP4731244B2
Application number: JP2005233652A
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Inventors: 智隆田渕; 秀輝小清水; 章仁川合; 洋司森數
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Filing date: 2005-08-11
Publication date: 2011-07-20
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Also published as: JP2007049041A

Description

本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、ストリートに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法に関する。

例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（切断予定ライン）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々の半導体チップを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般に切削装置が用いられており、この切削装置は厚さが２０μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハをストリートに沿って切削する。このようにして分割された半導体チップは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。

近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄い半導体チップが要求されている。より薄く半導体チップを分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する技術であり、半導体チップの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。

しかるに、上述した先ダイシング法によって分割されたチップの裏面には研削歪が残存し、チップの抗折強度が低下するという問題がある。
このような問題を解消するために、先ダイシング法によって個々のチップに分割されたウエーハの裏面にプラズマエッチングを施すことによって、ウエーハの裏面に生成された研削歪を除去し、チップの抗折強度を向上させる技術が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
特開２００３−１７３９８７号公報

而して、先ダイシング法によって個々のチップに分割されたウエーハの裏面にプラズマエッチングを施すことによって、ウエーハの裏面に生成された研削歪を除去することはできるが、チップの角部が鋭利に形成されチップが破損し易くなり、角部が欠けてチップの内部に亀裂を発生させるという新たな問題がある。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、チップの裏面に生成された研削歪を除去することができるとともに、チップの角部を曲面に形成することができるウエーハの分割方法を提供することにある。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に所定方向に形成された複数の第1のストリートと該第1のストリートと直交する方向に形成された複数の第２のストリートによって複数の領域が区画され、該複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、該第1のストリートおよび該第２のストリートに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの表面側から該第１のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、該第1のストリートに沿ってウエーハの表面からチップの仕上がり厚さに相当する深さの第1のレーザー加工溝を形成する第1のレーザー加工溝形成工程と、
ウエーハの表面側から該第２のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、該第２のストリートに沿ってウエーハの表面からチップの仕上がり厚さに相当する深さの第２のレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程と、
該第1のレーザー加工溝形成工程と該第２のレーザー加工溝形成工程を実施した後に、ウエーハの裏面を研削して該第1のレーザー加工溝と該第２のレーザー加工溝は表出させないが該第1のレーザー加工溝と該第２のレーザー加工溝との交差点に形成され該第1のレーザー加工溝および該第２のレーザー加工溝の深さより深い窪みをウエーハの裏面に表出させる研削工程と、
該研削工程を実施した後に、ウエーハの裏面側からプラズマエッチングを施し、該第1のレーザー加工溝と該第２のレーザー加工溝をウエーハの裏面に表出せしめてウエーハを個々のチップに分割するとともに、該窪みを形成している壁面をエッチングすることにより個々のチップの角部を曲面に形成するエッチング工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。

本発明によれば、エッチング工程においてはプラズマにより生じる活性物質がウエーハの裏面に表出している第1のレーザー加工溝と第２のレーザー加工溝との交差点に形成された窪みに侵入し、窪みを形成している壁面をエッチングするので、チップの裏面の角部が曲面に形成される。従って、個々の分割されたチップは、裏面の角部が曲面に形成されるので、角部が欠けてチップの内部に亀裂を発生させるという問題が解消される。また、上記第1のレーザー加工溝および第２のレーザー加工溝はレーザー光線によって形成するので、切削ブレードによって切削溝を形成する場合のようにチップに細かな欠けを生じさせることがなくチップの抗折強度が向上する。

以下、本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。

図１には、本発明によるウエーハの分割方法によって個々のチップに分割される半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが６００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに所定方向に複数の第1のストリート２１が形成されているとともに、該第1のストリート２１と直交する方向に複数の第２のストリート２２が形成されている。この複数の第1のストリート２１と複数の第２のストリート２２によって区画された複数の領域にデバイス２３が形成されている。この半導体ウエーハ２は、第1のストリート２１と第２のストリート２２に沿って切断され個々の半導体チップに分割される。

上記半導体ウエーハ２を第1のストリート２１と第２のストリート２２に沿って分割するには、ウエーハ２の表面２ａ側から第1のストリート２１に沿ってレーザー光線を照射し、第1のストリート２１に沿ってウエーハ２の表面２ａからチップの仕上がり厚さに相当する深さの第1のレーザー加工溝を形成する第1のレーザー加工溝形成工程と、ウエーハ２の表面２ａ側から第２のストリート２２に沿ってレーザー光線を照射し、第２のストリート２２に沿ってウエーハ２の表面２ａからチップの仕上がり厚さに相当する深さの第２のレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程を実施する。この第1のレーザー加工溝形成工程と第２のレーザー加工溝形成工程は、図２に示すレーザー加工装置３を用いて実施する。図２に示すレーザー加工装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り機構によって図２において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。

上記レーザー光線照射手段３２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング３２１の先端に装着された集光器３２２からパルスレーザー光線を照射する。また、図示のレーザー加工装置３は、上記レーザー光線照射手段３２を構成するケーシング３２１の先端部に装着された撮像手段３３を備えている。この撮像手段３３は、撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。

上述したレーザー加工装置３を用いて実施する上記第1のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程について説明する。
先ず図２に示すレーザー加工装置３のチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２を載置し、チャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する。このとき、半導体ウエーハ２はデバイス２３が形成されている表面２aを上側にして保持される。

上述したように半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない加工送り機構によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている第1のストリート２１と、第1のストリート２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている第２のストリート２２に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。

以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２に形成されている第1のストリート２１と第２のストリート２２を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図３の（a）で示すようにチャックテーブル３１をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、第1のストリート２１の一端(図３の（ａ）において左端)を集光器３２２の直下に位置付ける。そして、集光器３２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の表面２a（上面）付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段３２の集光器３２２からシリコンウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１即ち半導体ウエーハ２を図３の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、第1のストリート２１の他端（図３の（ｂ）において右端）が集光器３２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３１即ち半導体ウエーハ２の移動を停止する。この結果、図３の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２には、第1のストリート２１に沿って所定深さT1（表面２aからチップの仕上がり厚さに相当する深さ：例えば２０〜２５μm）の第1のレーザー加工溝２４が形成される（第1のレーザー加工溝形成工程）。

なお、上記第1のレーザー加工溝形成工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長：３５５ｎｍ
繰り返し周波数：１０〜３０ｋＨｚ
パルスエネルギー：０．１６〜０．２mj
集光スポット径：φ９．２μｍ
加工送り速度：３００ｍｍ／秒

上述した第１のレーザー加工溝形成工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての第1のストリート２１に沿って実施したならば、チャックテーブル３１を９０度回動する。そして、半導体ウエーハ２に形成された第２のストリート２２に沿ってレーザー光線を照射し、第２のストリート２２に沿ってウエーハ２の表面２ａからチップの仕上がり厚さに相当する深さの第２のレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程を実施する。

第２のレーザー加工溝形成工程は、図４の（a）で示すようにチャックテーブル３１をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、第2のストリート２２の一端(図４の（ａ）において左端)を集光器３２２の直下に位置付ける。そして、集光器３２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の表面２a（上面）付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段３２の集光器３２２からシリコンウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１即ち半導体ウエーハ２を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、第２のストリート２２の他端（図４の（ｂ）において右端）が集光器３２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３１即ち半導体ウエーハ２の移動を停止する。この第２のレーザー加工溝形成工程の加工条件は、上述した第1のレーザー加工溝形成工程と同じでよい。この結果、半導体ウエーハ２には、図４の（ｂ）に示すように第２のストリート２２に沿って所定深さT1（表面２aからチップの仕上がり厚さに相当する深さ：例えば２０〜２５μm）の第２のレーザー加工溝２５が形成される。この第２のレーザー加工溝形成工程を実施すると、図4の(c)に示すように上記第１のレーザー加工溝形成工程によって形成された第１のレーザー加工溝２４との交差点においては、第1のレーザー加工溝２４および第２のレーザー加工溝２５の深さより深い窪み２６が形成される。この窪み２６の深さT2は、上記加工条件においては半導体ウエーハ２の表面２aから３４〜４５μmになる。

上述した第２のレーザー加工溝形成工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての第２のストリート２２に沿って実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面２bを研削して第1のレーザー加工溝２４と第２のレーザー加工溝２５は表出させないが第1のレーザー加工溝２４と第２のレーザー加工溝２５との交差点に形成された窪み２６を半導体ウエーハの裏面２bに表出させる研削工程を実施する。この研削工程を実施するに際し、図５の（ａ）および図５の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに研削用の保護部材４を貼着する（保護部材貼着工程）。なお、保護部材４は、図示の実施形態においては厚さが１５０μｍのポリオレフィンシートが用いられている。

上述した研削工程は、図６の（ａ）に示すようにチャックテーブル５１と研削砥石５２を備えた研削手段５３を具備する研削装置５によって行われる。即ち、チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２の保護部材４側を載置し、チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、半導体ウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにしてチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を保持したならば、チャックテーブル５１を例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５３の研削砥石５２を例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触することにより研削し、図６の（ｂ）に示すように第1のレーザー加工溝２４と第２のレーザー加工溝２５との交差点に形成された窪み２６が裏面２ｂに表出するまで研削する。

上述した研削工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側からプラズマエッチングを施し、第1のレーザー加工溝２４と第２のレーザー加工溝２５を裏面２ｂに表出せしめるエッチング工程を実施する。このエッチング工程は、図7に示すプラズマエッチング装置を用いて実施する。図７に示すプラズマエッチング装置６は、密閉空間６１ａを形成するハウジング６１を具備している。このハウジング６１は、底壁６１１と上壁６１２と左右側壁６１３、６１４と後側が側壁６１５および前側側壁（図示せず）とからなっており、右側側壁６１４には被加工物搬出入用の開口６１４ａが設けられている。開口６１４ａの外側には、開口６１４ａを開閉するためのゲート６２が上下方向に移動可能に配設されている。このゲート６２は、ゲート作動手段６３によって作動せしめられる。ゲート作動手段６３は、エアシリンダ６３１と該エアシリンダ６３１内に配設された図示しないピストンに連結されたピストンロッド６３２とからなっており、エアシリンダ６３１がブラケット６３３を介して上記ハウジング６１の底壁６１１に取り付けられており、ピストンロッド６３２の先端（図において上端）が上記ゲート６２に連結されている。このゲート作動手段６３によってゲート６２が開けられることにより、被加工物としての上記保護部材４が貼着された半導体ウエーハ２を開口６１４ａを通して搬出入することができる。また、ハウジング６１を構成する底壁６１１には排気口６１１ａが設けられており、この排気口６１１ａがガス排出手段６４に接続されている。

上記ハウジング６１によって形成される密閉空間６１ａには、下部電極６５と上部電極６６が対向して配設されている。下部電極６５は、導電性の材料によって形成されており、円盤状の被加工物保持部６５１と、該被加工物保持部６５１の下面中央部から突出して形成された円柱状の支持部６５２とからなっている。このように被加工物保持部６５１と円柱状の支持部６５２とから構成された下部電極６５は、支持部６５２がハウジング６１の底壁６１１に形成された穴６１１ｂを挿通して配設され、絶縁体６７を介して底壁６１１にシールされた状態で支持されている。このようにハウジング６１の底壁６１１に支持された下部電極６５は、支持部６５２を介して高周波電源６８に電気的に接続されている。

下部電極６５を構成する被加工物保持部６５１の上部には、上方が開放された円形状の嵌合凹部６５１ａが設けられており、該嵌合凹部６５１ａにポーラスセラミック材によって形成された円盤状の吸着保持部材６５３が嵌合される。嵌合凹部６５１ａにおける吸着保持部材６５３の下側に形成される室６５１ｂは、被加工物保持部６５１および支持部６５２に形成された連通路６５２ａによって吸引手段６９に連通されている。従って、吸着保持部材６５３上に被加工物を載置して吸引手段６９を作動して連通路６５２ａを負圧源に連通することにより室６５１ｂに負圧が作用し、吸着保持部材６５３上に載置された被加工物が吸引保持される。また、吸引手段６９を作動して連通路６５２ａを大気に開放することにより、吸着保持部材６５３上に吸引保持された被加工物の吸引保持が解除される。

下部電極６５を構成する被加工物保持部６５１の下部には、冷却通路６５１ｂが形成されている。この冷却通路６５１ｂの一端は支持部６５２に形成された冷媒導入通路６５２ｂに連通され、冷却通路６５１ｂの他端は支持部６５２に形成された冷媒排出通路６５２ｃに連通されている。冷媒導入通路６５２ｂおよび冷媒排出通路６５２ｃは、冷媒供給手段７０に連通されている。従って、冷媒供給手段７０が作動すると、冷媒が冷媒導入通路６５２ｂ、冷却通路６５１ｂおよび冷媒排出通路６５２ｃを通して循環せしめられる。この結果、後述するプラズマエッチング処理時に発生する熱は下部電極６５から冷媒に伝達されるので、下部電極６５の異常昇温が防止される。

上記上部電極６６は、導電性の材料によって形成されており、円盤状のガス噴出部６６１と、該ガス噴出部６６１の上面中央部から突出して形成された円柱状の支持部６６２とからなっている。このようにガス噴出部６６１と円柱状の支持部６６２とからなる上部電極６６は、ガス噴出部６６１が下部電極６５を構成する被加工物保持部６５１と対向して配設され、支持部６６２がハウジング６１の上壁６１２に形成された穴６１２ａを挿通し、該穴６１２ａに装着されたシール部材７１によって上下方向に移動可能に支持されている。支持部６６２の上端部には作動部材６６３が取り付けられており、この作動部材６６３が昇降駆動手段７２に連結されている。なお、上部電極６６は、支持部６６２を介して接地されている。

上部電極６６を構成する円盤状のガス噴出部６６１には、下面に開口する複数の噴出口６６１ａが設けられている。この複数の噴出口６６１ａは、ガス噴出部６６１に形成された連通路６６１ｂおよび支持部６６２に形成された連通路６６２ａを介してガス供給手段７３に連通されている。ガス供給手段６３は、フッ素系ガスを主体とするプラズマ発生用の混合ガスを供給する。

図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置６は、上記ゲート作動手段６３、ガス排出手段６４、高周波電源６８、吸引手段６９、冷媒供給手段７０、昇降駆動手段７２、ガス供給手段７３等を制御する制御手段７４を具備している。この制御手段７４にはガス排出手段６４からハウジング６１によって形成される密閉空間６１ａ内の圧力に関するデータが、冷媒供給手段７０から冷媒温度（即ち電極温度）に関するデータが、ガス供給手段７３からガス流量に関するデータが入力され、これらのデータ等に基づいて制御手段７４は上記各手段に制御信号を出力する。

図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置６は以上のように構成されており、以下上述したように研削工程が実施された半導体ウエーハ２を裏面２ｂ側からプラズマエッチングして、第1のレーザー加工溝２４と第２のレーザー加工溝２５を裏面２ｂに露出せしめるエッチング工程について説明する。
先ずゲート作動手段６３を作動してゲート６２を図７において下方に移動せしめ、ハウジング６１の右側側壁６１４に設けられた開口６１４ａを開ける。次に、図示しない搬出入手段によって保護部材４が貼着された半導体ウエーハ２を開口６１４ａからハウジング６１によって形成される密閉空間６１ａに搬送し、下部電極６５を構成する被加工物保持部６５１の吸着保持部材６５３上に保護部材４側を載置する。このとき、昇降駆動手段７２を作動して上部電極６６を上昇せしめておく。そして、吸引手段６９を作動して上述したように室６５１ｂに負圧を作用することにより、吸着保持部材６５３上に載置された半導体ウエーハ２に貼着された保護部材４は吸引保持される（図８参照）。

半導体ウエーハ２に貼着された保護部材４が吸着保持部材６５３上に吸引保持されたならば、ゲート作動手段６３を作動してゲート６２を図７において上方に移動せしめ、ハウジング６１の右側側壁６１４に設けられた開口６１４ａを閉じる。そして、昇降駆動手段７２を作動して上部電極６６を下降させ、図８に示すように上部電極６６を構成するガス噴射部６６１の下面と下部電極６５を構成する被加工物保持部６５１に保持された保護部材４を貼着した半導体ウエーハ２の上面との間の距離をプラズマエッチング処理に適した所定の電極間距離（Ｄ）に位置付ける。なお、この電極間距離（Ｄ）は、図示の実施形態においては１０ｍｍに設定されている。

次に、ガス排出手段６４を作動してハウジング６１によって形成される密閉空間６１ａ内を真空排気する。密閉空間６１ａ内を真空排気したならば、ガス供給手段７３を作動してプラズマ発生用ガスを上部電極６６に供給する。ガス供給手段７３から供給されたプラズマ発生用ガスは、支持部６６２に形成された連通路６６２ａおよびガス噴出部６６１に形成された連通路６６１ｂを通して複数の噴出口６６１ａから下部電極８５の吸着保持部材６５３上に保持された半導体ウエーハ２の裏面２b（上面）に向けて噴出される。そして、密閉空間６１ａ内を所定のガス圧力に維持する。このように、プラズマ発生用ガスを供給した状態で、高周波電源６８から下部電極６５と上部電極６６との間に高周波電圧を印加する。これにより、下部電極６５と上部電極６６との間の空間にプラズマが発生し、このプラズマにより生じる活性物質が半導体ウエーハ２の裏面２bに作用するので、半導体ウエーハ２の裏面２bがエッチングされる。そして、このエッチング量が上記第1のレーザー加工溝２４および第２のレーザー加工溝２５に達すると、図９に示すように半導体ウエーハ２の裏面２bに第1のレーザー加工溝２４および第２のレーザー加工溝２５が表出せしめられる。この結果、半導体ウエーハ２は第1のストリート２１および第2のストリート２２に沿って個々の半導体チップ２０分割される。

このエッチング工程においては、上述したプラズマにより生じる活性物質が半導体ウエーハ２の裏面２b表出している第1のレーザー加工溝２４と第２のレーザー加工溝２５との交差点に形成された窪み２６に侵入し、窪み２６を形成している壁面をエッチングする。この結果、図１０に示すように半導体チップ２０の裏面２０bの角部が曲面２０１に形成される。このように、個々の分割された半導体チップ２０は、裏面２０bの角部が曲面２０１形成されるので、角部が欠けてチップの内部に亀裂を発生させるという問題が解消される。また、上記第1のレーザー加工溝２４および第２のレーザー加工溝２５はレーザー光線によって形成するので、切削ブレードによって切削溝を形成する場合のようにチップに細かな欠けを生じさせることがなくチップの抗折強度が向上する。

なお、上記エッチング工程は、例えば以下の条件で行われる。
電源６８の出力：２０００W
密閉空間６１ａ内の圧力：８０Pa
プラズマ発生用ガス：六フッ化イオウ(SF₆)を７６ml／分、ヘリウム(He)を１５
ml／分、酸素(O₂)を２７ml／分
または
：六フッ化イオウ(SF₆)を７６ml／分、三フッ化メチル(CHF₃)
を１５ml／分、酸素(O₂)を２７ml／分
または
：六フッ化イオウ(SF₆)を７６ml／分、窒素(N₂)を１５ml／
分、酸素(O₂)を２７ml／分
エッチング処理時間：３分

本発明によるウエーハの分割方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。本発明によるウエーハの分割方法における第1のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。本発明によるウエーハの分割方法における第1のレーザー加工溝形成工程の説明図。本発明によるウエーハの分割方法における第２のレーザー加工溝形成工程の説明図。ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程の説明図。本発明によるウエーハの分割方法における研削工程の説明図。本発明によるウエーハの分割方法におけるエッチング工程を実施するためのプラズマエッチング装置の断面図。図７に示すプラズマエッチング装置の下部電極を構成する被加工物保持部上に半導体ウエーハに貼着された保護部材を載置した状態を示す断面図。本発明によるウエーハの分割方法におけるエッチング工程が実施された半導体ウエーハの斜視図。本発明によるウエーハの分割方法によって半導体ウエーハが分割されたチップの斜視図。

符号の説明

２：半導体ウエーハ
２０：半導体チップ
２１：第1のストリート
２２：第２のストリート
２３：デバイス
２４：第１のレーザー加工溝
２５：第２のレーザー加工溝
２６：窪み
３：レーザー加工装置
３１：レーザー加工装置のチャックテーブル
３２：レーザー光線照射手段
３２２：集光器
４：保護部材
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５２：研削砥石
６：プラズマエッチング装置
６５：下部電極
６６：上部電極

Claims

表面に所定方向に形成された複数の第1のストリートと該第１のストリートと直交する方向に形成された複数の第２のストリートによって複数の領域が区画され、該複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、該第1のストリートおよび該第２のストリートに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの表面側から該第1のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、該第1のストリートに沿ってウエーハの表面からチップの仕上がり厚さに相当する深さの第1のレーザー加工溝を形成する第1のレーザー加工溝形成工程と、
ウエーハの表面側から該第２のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、該第２のストリートに沿ってウエーハの表面からチップの仕上がり厚さに相当する深さの第２のレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程と、
該第1のレーザー加工溝形成工程と該第２のレーザー加工溝形成工程を実施した後に、ウエーハの裏面を研削して該第1のレーザー加工溝と該第２のレーザー加工溝は表出させないが該第1のレーザー加工溝と該第２のレーザー加工溝との交差点に形成され該第1のレーザー加工溝および該第２のレーザー加工溝の深さより深い窪みをウエーハの裏面に表出させる研削工程と、
該研削工程を実施した後に、ウエーハの裏面側からプラズマエッチングを施し、該第1のレーザー加工溝と該第２のレーザー加工溝をウエーハの裏面に表出せしめてウエーハを個々のチップに分割するとともに、該窪みを形成している壁面をエッチングすることにより個々のチップの角部を曲面に形成するエッチング工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。