CN117790416A - 基板的加工方法和芯片的制造方法 - Google Patents
基板的加工方法和芯片的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117790416A CN117790416A CN202311197198.2A CN202311197198A CN117790416A CN 117790416 A CN117790416 A CN 117790416A CN 202311197198 A CN202311197198 A CN 202311197198A CN 117790416 A CN117790416 A CN 117790416A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- shield tunnel
- functional layer
- front surface
- forming step
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 165
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
Abstract
本发明提供基板的加工方法和芯片的制造方法，能够不损坏用于构成多个器件的功能层而在基板中形成期望的盾构隧道。该基板的加工方法利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着该基板的厚度方向的长度比沿着与该厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束对该基板进行加工，该基板的加工方法具有如下的工序：盾构隧道形成工序，按照将该区域的至少一部分定位于该基板的内部的方式对该基板照射该激光束，从而形成盾构隧道，该盾构隧道包含开口于该基板的正面或背面中的至少一方的细孔和围绕该细孔的非晶质部；以及功能层形成工序，在该盾构隧道形成工序之后，在该基板的该正面上形成功能层。
Description
技术领域
本发明涉及利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着基板的厚度方向的长度比沿着与厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束对基板进行加工的基板的加工方法和利用该基板的加工方法从基板制造芯片的芯片的制造方法。
背景技术
关于集成电路(IC)等半导体器件或发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等光器件的芯片，例如利用由硅、碳化硅或蓝宝石等单晶材料构成的圆板状的基板来制造。
具体而言，这样的芯片如下制造：在为了构成多个器件而在基板的正面上形成包含导电膜、半导体膜和/或绝缘膜的功能层之后，沿着多个器件的边界将基板分割。
作为将基板分割的方法，已知利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着基板的厚度方向的长度比沿着与厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束的方法(例如，参照专利文献1)。
在该方法中，首先，将会聚激光束的区域定位于基板的内部并且沿着多个器件的边界照射激光束。由此，在基板的内部形成包含细孔和围绕细孔的非晶质部的盾构隧道(filament：丝)。然后，在该方法中，按照去除盾构隧道的方式对基板实施蚀刻。其结果是，从基板制造芯片。
专利文献1：日本特开2014-168790号公报
当从正面上形成有功能层的基板的正面侧照射激光束时，激光束的行进方向会在功能层中变化，有可能难以在基板中形成期望的盾构隧道。另外，当从该基板的背面侧照射激光束时，可能因到达基板的正面侧的激光束而使功能层破损。
发明内容
鉴于这些问题，本发明的目的在于提供能够不损坏用于构成多个器件的功能层而在基板中形成期望的盾构隧道的基板的加工方法和利用该基板的加工方法从基板制造芯片的芯片的制造方法。
根据本发明的一个方面，提供基板的加工方法，利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着该基板的厚度方向的长度比沿着与该厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束对该基板进行加工，其中，该基板的加工方法具有如下的工序：盾构隧道形成工序，按照将该区域的至少一部分定位于该基板的内部的方式对该基板照射该激光束，从而形成盾构隧道，该盾构隧道包含开口于该基板的正面或背面中的至少一方的细孔和围绕该细孔的非晶质部；以及功能层形成工序，在该盾构隧道形成工序之后，在该基板的该正面上形成功能层。
优选该基板的加工方法还具有如下的蚀刻工序：在该盾构隧道形成工序与该功能层形成工序之间，从作为该基板的该正面或该背面中的一方的开口有该细孔的面将该盾构隧道进行蚀刻。
根据本发明的另一方面，提供芯片的制造方法，利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着该基板的厚度方向的长度比沿着与该厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束从该基板制造芯片，其中，该芯片的制造方法具有如下的工序：盾构隧道形成工序，按照将该区域的至少一部分定位于该基板的内部的方式对该基板照射该激光束，从而形成盾构隧道，该盾构隧道包含开口于该基板的正面或背面中的至少一方的细孔和围绕该细孔的非晶质部；蚀刻工序，在该盾构隧道形成工序之后，从作为该基板的该正面或该背面中的一方的开口有该细孔的面将该盾构隧道进行蚀刻；功能层形成工序，在该蚀刻工序之后，在该基板的该正面上形成功能层；以及分割工序，在该功能层形成工序之后，通过对该基板赋予外力而将该基板分割。
另外，在本发明中，优选该细孔仅在该基板的该正面或该背面中的一方开口。
在本发明中，在实施在基板的正面上形成功能层的功能层形成工序之前实施如下的盾构隧道形成工序：形成包含开口于基板的正面或背面中的至少一方的细孔和围绕细孔的非晶质部的盾构隧道。
即，在本发明中，在未在正面上形成功能层的状态下在基板中形成盾构隧道。因此，在本发明中，能够在不损坏用于构成多个器件的功能层的情况下在基板中形成期望的盾构隧道。
附图说明
图1是示意性示出芯片的制造所利用的基板的一例的立体图。
图2是示意性示出利用激光束对基板进行加工的基板的加工方法的一例的流程图。
图3的(A)是示意性示出盾构隧道形成工序的情况的局部剖视侧视图，图3的(B)是示意性示出形成于基板的内部的盾构隧道的立体图。
图4的(A)是示意性示出功能层形成工序的情况的局部剖视侧视图，图4的(B)是示意性示出正面上形成有功能层的基板的剖视图。
图5是示意性示出与图3的(A)所示的盾构隧道形成工序不同的盾构隧道形成工序的情况的局部剖视侧视图。
图6是示意性示出基板的加工方法的另一例的流程图。
图7的(A)是示意性示出蚀刻工序的情况的局部剖视侧视图，图7的(B)是示意性示出盾构隧道的一部分被蚀刻的基板的剖视图。
图8是示意性示出芯片的制造方法的一例的流程图。
图9的(A)和图9的(B)分别是示意性示出分割步骤的情况的局部剖视侧视图。
图10是示意性示出芯片的制造方法的另一例的流程图。
标号说明
2：激光加工装置；4：保持工作台；6：头；8：溅射装置；10：壳体；11：基板(11a：正面，11b：背面，11c：槽)；12：支承部件；13：分割预定线；14：保持工作台；15：区域；16：靶；17：保护带；18：电极；19：盾构隧道(19a：细孔，19b：非晶质部)；20：励磁部件；21：保护带；22：高频电源；23：功能层；24：蚀刻装置；25：划片带；26：保持工作台；27：框架；28：喷嘴；30：扩展装置；32：鼓；34：支承单元(34a：支承台，34b：把持部，34c：杆)。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式进行说明。图1是示意性示出用于芯片的制造的基板的一例的立体图。图1所示的基板11具有圆状的正面11a和背面11b，例如是由硅或碳化硅等单晶材料构成的圆盘状的晶片。
另外，在基板11上，呈格子状设定有相互交叉的多条分割预定线13。而且，基板11被多条分割预定线13划分为多个区域15，如后所述在各区域15的正面11a上形成用于构成器件的功能层。
而且，通过将在各区域15中形成有功能层的基板11按照多条分割预定线13分别分割而制造芯片。此外，基板11的材质、形状、构造以及大小等没有限制。例如，基板11也可以由蓝宝石等其他单晶材料构成。
图2是示意性示出利用激光束对基板11进行加工的基板的加工方法的一例的流程图。在该方法中，首先，形成包含开口于基板11的背面11b的细孔和围绕细孔的非晶质部的盾构隧道(盾构隧道形成工序S1)。
图3的(A)是示意性示出盾构隧道形成工序S1的情况的局部剖视侧视图。具体而言，在图3的(A)中，示出了在激光加工装置2中在基板11的内部形成盾构隧道19的情况。
激光加工装置2具有圆盘状的保持工作台4。该保持工作台4例如具有圆状的上表面(保持面)。另外，保持工作台4具有圆盘状的多孔板(未图示)，多孔板的上表面在该保持面露出。
并且，该多孔板经由形成于保持工作台4的内部的流路等与喷射器等吸引源(未图示)连通。并且，当该吸引源进行动作时，吸引力作用于保持工作台4的保持面附近的空间。由此，例如能够通过保持工作台4对放置于保持面的基板11进行保持。
另外，保持工作台4与水平方向移动机构(未图示)连结。该水平方向移动机构例如包含滚珠丝杠和电动机等。并且，当该水平方向移动机构进行动作时，保持工作台4沿着水平方向移动。
另外，在保持工作台4的上方设置有激光束照射单元的头6。另外，激光束照射单元具有激光振荡器(未图示)。该激光振荡器例如具有Nd：YAG等作为激光介质。
并且，激光振荡器照射透过构成基板11的材料的波长(例如，波长为1064nm)的脉冲状的激光束(例如，脉冲宽度为10ps且频率为50kHz的激光束)LB。
该激光束LB在通过衰减器(未图示)对输出(功率)进行了调整(例如，平均输出为2W)之后，经由设置于头6中的包含聚光透镜6a等的光学系统(未图示)而从头6向正下方照射。
另外，激光束LB例如通过该光学系统被赋予像差(特别是纵向像差)。由此，激光束LB在沿着激光束LB的行进方向(基板11的厚度方向)的长度比沿着与行进方向垂直的方向的宽度长的区域R会聚。
并且，激光束照射单元的头6与铅垂方向移动机构(未图示)连结。该铅垂方向移动机构例如包含滚珠丝杠和电动机等。并且，当该铅垂方向移动机构进行动作时，头6沿着铅垂方向移动。
当在激光加工装置2中在基板11的内部形成盾构隧道时，首先，按照背面11b朝上的方式将正面11a上粘贴有保护带17的基板11放置于保持工作台4。另外，该保护带17例如由树脂构成，呈与基板11具有大致相等的直径的圆盘状的形状。
另外，在盾构隧道形成工序S1中，也可以不在基板11的正面11a上粘贴保护带17。即，基板11也可以按照正面11a与保持工作台4的保持面直接接触的方式放置于保持工作台4。
接着，使与在保持工作台4的保持面露出的多孔板连通的吸引源进行动作。由此，基板11被保持工作台4保持。接着，调整保持工作台4和/或头6的位置以便使基板11的多条分割预定线13的任意的一端与会聚激光束LB的区域重叠。
接着，一边从头6照射激光束LB，一边使保持工作台4沿着该分割预定线13的延伸方向移动(参照图3的(A))。由此，在基板11的沿着该分割预定线13的区域形成盾构隧道19。
图3的(B)是示意性示出形成于基板11的内部的盾构隧道19的立体图。该盾构隧道19包含开口于基板11的正面11a和背面11b的双方的细孔19a和围绕细孔19a的非晶质部19b。
并且，重复上述的动作直至在全部的沿着多条分割预定线13的区域形成盾构隧道19。由此，得到俯视时呈格子状形成有盾构隧道19的基板11。
在盾构隧道形成工序S1之后，在基板11的正面11a上形成功能层(功能层形成工序S2)。在该功能层形成工序S2中，例如利用物理蒸镀(PVD)在基板11的正面11a上形成由一层金属膜构成的功能层。另外，该功能层例如能够作为功率器件用背面电极等进行利用。
图4的(A)是示意性示出功能层形成工序S2的情况的局部剖视侧视图。具体而言，在图4的(A)中，示出了在溅射装置8中在基板11的正面11a上形成金属膜的情况。此外，在图4的(A)中，用框示出溅射装置8的构成要素的一部分。
溅射装置8具有划定腔室C的壳体10。在该壳体10的底壁上形成有贯通孔，支承部件12穿过贯通孔。并且，支承部件12对在上表面侧设置有静电卡盘的保持工作台14进行支承。
另外，在保持工作台14的上方设置有由金属材料构成的靶16，该靶16安装于电极18。并且，在靶16的附近设置有用于将靶16励磁的励磁部件20。另外，靶16经由电极18与高频电源22连接。
另外，在壳体10的侧壁上，形成有能够经由阀(未图示)等与溅射气体(例如氩气等)的提供源连通的导入口10a和能够与用于对腔室C进行减压的吸引源连通的排气口10b。
当在溅射装置8中在基板11的正面11a上形成金属膜时，首先，将粘贴于基板11的正面11a的保护带17剥离，并且在背面11b上粘贴与保护带17同样的保护带21。
接着，按照露出的正面11a朝上的方式隔着保护带21将基板11放置于保持工作台14。接着，使设置于保持工作台14的上表面侧的静电卡盘进行动作。由此，基板11被保持工作台14保持。
接着，使与排气口10b连通的吸引源进行动作而将腔室C排气，将腔室C减压直至腔室C的内压达到10-2Pa～10-4Pa。接着，使高频电源22进行动作以便对利用励磁部件20而磁化的靶16经由电极18而赋予例如40kHz的高频电力，并且经由阀和导入口10a等从提供源对腔室C提供溅射气体。
由此，在腔室C中产生包含溅射气体的离子的等离子体，该离子与靶16碰撞。并且，通过溅射气体的离子的碰撞而从靶16弹出的金属粒子堆积在基板11的正面11a上而形成金属膜。
图4的(B)是示意性示出在正面11a上形成有由一层金属膜构成的功能层23的基板11的剖视图。此外，该功能层23也可以由多层的薄膜构成。具体而言，该功能层23通过反复进行基于物理蒸镀(PVD)或化学蒸镀(CVD)等的薄膜的形成和利用光刻和蚀刻等的薄膜的图案化而形成。
在图2所示的基板的加工方法中，在实施在基板11的正面11a上形成功能层23的功能层形成工序S2之前实施如下的盾构隧道形成工序S1：形成包含开口于基板11的正面11a和背面的双方的细孔19a和围绕细孔19a的非晶质部19b的盾构隧道19。
即，在该方法中，在基板11的正面11a上未形成功能层23的状态下在基板11中形成盾构隧道19。因此，在该方法中，能够不损坏用于构成多个器件的功能层23而在基板11中形成期望的盾构隧道19。
另外，上述内容是本发明的一个方式，本发明不限于上述内容。例如，在本发明的盾构隧道形成工序S1中，只要能够在后述的分割工序等中将基板11分割，盾构隧道19也可以不按照在厚度方向上贯通基板11的方式形成。
图5是示意性示出与图3的(A)所示的盾构隧道形成工序S1不同的盾构隧道形成工序S1的情况的局部剖视侧视图。图5所示的盾构隧道形成工序S1与图3的(A)所示的盾构隧道形成工序S1同样地实施，但将盾构隧道19形成为不贯通基板11。
具体而言，该盾构隧道19包含仅开口于基板11的背面11b的细孔19a和围绕细孔19a的非晶质部19b。或者，该盾构隧道19也可以包含仅开口于基板11的正面11a的细孔19a和围绕细孔19a的非晶质部19b。
另外，在本发明的盾构隧道形成工序S1中利用的激光加工装置的构造并不限于上述的激光加工装置2的构造。例如，盾构隧道形成工序S1也可以利用设置有用于使保持工作台4沿着铅垂方向移动的铅垂方向移动机构和用于使激光束照射单元的头6沿着水平方向移动的水平方向移动机构的激光加工装置来实施。
或者，本发明的盾构隧道形成工序S1也可以使用在激光束照射单元中设置有能够变更从头6照射的激光束LB的方向的扫描光学系统的激光加工装置来实施。另外，该扫描光学系统例如包含电流扫描器、声光元件(AOD)和/或多面镜等。
即，在本发明的盾构隧道形成工序S1中，只要能够使保持工作台4所保持的基板11和从头6照射的激光束LB所会聚的区域分别沿着水平方向和铅垂方向相对地移动即可，用于实现该移动的构造并无限定。
另外，在本发明中，也可以在功能层形成工序S2之前将盾构隧道19的一部分(例如60％～75％)去除。图6是示意性示出将盾构隧道19的一部分去除的基板的加工方法的一例的流程图。
在图6所示的基板的加工方法中，在盾构隧道形成工序S1与功能层形成工序S2之间，从基板11的背面11b将盾构隧道19进行蚀刻(蚀刻工序S3)。
图7的(A)是示意性示出蚀刻工序S3的情况的局部剖视侧视图。具体而言，在图7的(A)中，示出了在蚀刻装置24中利用蚀刻剂E对按照贯通基板11的方式形成的盾构隧道19的一部分(例如背面11b侧的一部分)进行蚀刻的情况。
蚀刻装置24具有与图3的(A)所示的保持工作台4同样的保持工作台26。并且，保持工作台26的多孔板经由形成于保持工作台26的内部的流路等与喷射器等吸引源(未图示)连通。
并且，当该吸引源进行动作时，吸引力作用于保持工作台26的保持面附近的空间。由此，例如能够通过保持工作台26对放置于保持面的基板11进行保持。
另外，保持工作台26与旋转机构(未图示)连结。该旋转机构例如包含主轴和电动机等。并且，当该旋转机构进行动作时，保持工作台26以通过保持面的中心且沿着铅垂方向的直线为旋转轴线进行旋转。
另外，在保持工作台26的上方设置有向保持工作台26所保持的基板11提供蚀刻剂E的喷嘴28。该蚀刻剂E例如包含氢氟酸等。
当在蚀刻装置24中利用蚀刻剂E对盾构隧道19的一部分进行蚀刻时，首先，按照背面11b朝上的方式将正面11a上粘贴有保护带17的基板11放置于保持工作台26。
另外，在蚀刻工序S3中，也可以不在基板11的正面11a上粘贴保护带17。即，基板11也可以按照正面11a与保持工作台26的保持面直接接触的方式放置于保持工作台26。
接着，使与在保持工作台26的保持面露出的多孔板连通的吸引源进行动作。由此，基板11被保持工作台26保持。接着，一边向基板11的背面11b提供蚀刻剂E，一边按照使基板11在规定的期间内旋转的方式使旋转机构进行动作。
由此，盾构隧道19的背面11b侧的一部分被蚀刻。图7的(B)是示意性示出盾构隧道19的一部分被蚀刻的基板11的剖视图。
通过该蚀刻，在基板11的背面11b上在沿着多条分割预定线13的区域中形成槽11c。此外，在该蚀刻中，也可以将基板11的未形成盾构隧道19的部分即与区域15重叠的部分稍微蚀刻。
另外，在蚀刻工序S3中，也可以继续进行蚀刻直至盾构隧道19被全部去除即基板11沿着多条分割预定线13被分割。
另外，在蚀刻工序S3中，也可以将盾构隧道19的正面11a侧的一部分去除。即，在蚀刻工序S3中，也可以从通过剥离保护带17而露出的正面11a对盾构隧道19进行蚀刻。
另外，本发明也可以是包含上述基板的加工方法的芯片的制造方法。图8是示意性示出这样的芯片的制造方法的一例的流程图。在图8所示的方法中，依次实施上述的盾构隧道形成工序S1、蚀刻工序S3以及功能层形成工序S2。
然后，在功能层形成工序S2之后，通过对基板11赋予外力而将基板11分割(分割工序S4)。图9的(A)和图9的(B)分别是示意性示出分割工序S4的情况的局部剖视侧视图。
具体而言，在图9的(A)和图9的(B)中分别示出了如下的情况：在扩展装置30中，通过对基板11和功能层23赋予使基板11和功能层23沿着径向扩展的外力，沿着多条分割预定线13将基板11和功能层23分割。
另外，在分割工序S4之前，从基板11的背面11b剥离保护带21并且新粘贴直径比基板11大的圆盘状的划片带25的中央区域。另外，在该划片带25的外周区域粘贴有环状的框架27，该框架27形成有直径比基板11大的圆形的开口。
扩展装置30具有圆筒形的鼓32。另外，在鼓32的周围设置有支承单元34。该支承单元34具有按照围绕鼓32的上端部的方式设置的环状的支承台34a。
另外，在支承台34a的上表面上，沿着支承台34a的周向以大致相等的角度的间隔设置有多个把持部34b。并且，当将借助划片带25而与框架27一体化的基板11搬入扩展装置30时，隔着划片带25将框架27放置于支承台34a，并且利用支承台34a和多个把持部34b对框架27进行把持。
另外，在支承台34a的下表面上，沿着支承台34a的周向以大致相等的角度间隔设置有多个杆34c。多个杆34c分别是例如气缸的杆，能够升降。并且，当多个杆34c升降时，支承台34a和多个把持部34b也与多个杆34c一起升降。
当在扩展装置30中沿着多条分割预定线13将基板11分割时，首先，按照使支承台34a的上表面与鼓32的上端位于同一平面上的方式使多个杆34c升降。
接着，将按照功能层23朝上的方式借助划片带25而与框架27一体化的基板11搬入扩展装置30，利用支承台34a和多个把持部34b对框架27进行把持(参照图9的(A))。接着，使支承台34a和多个把持部34b与多个杆34c一起下降。
由此，划片带25按照鼓32的上端与支承台34a的分离的量而扩展。此时，对基板11和功能层23也作用有使它们扩展的外力。其结果是，沿着多条分割预定线13将基板11和功能层23分割(参照图9的(B))。
另外，在本发明的芯片的制造方法中，也可以是：功能层23在分割工序S4之前被沿着多条分割预定线13而分割。图10是示意性示出这样的芯片的制造方法的一例的流程图。
在图10所示的方法中，在功能层形成工序S2与分割工序S4之间，按照将功能层23的与盾构隧道19重叠的区域去除的方式在功能层23上形成图案(图案化工序S5)。该图案化工序例如利用光刻和蚀刻等而实施。
此外，上述的实施方式所涉及的构造以及方法等只要不脱离本发明的目的的范围就能够适当变更而实施。
Claims (5)
1.一种基板的加工方法，利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着该基板的厚度方向的长度比沿着与该厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束对该基板进行加工，其中，
该基板的加工方法具有如下的工序：
盾构隧道形成工序，按照将该区域的至少一部分定位于该基板的内部的方式对该基板照射该激光束，从而形成盾构隧道，该盾构隧道包含开口于该基板的正面或背面中的至少一方的细孔和围绕该细孔的非晶质部；以及
功能层形成工序，在该盾构隧道形成工序之后，在该基板的该正面上形成功能层。
2.根据权利要求1所述的基板的加工方法，其中，
该基板的加工方法还具有如下的蚀刻工序：在该盾构隧道形成工序与该功能层形成工序之间，从作为该基板的该正面或该背面中的一方的开口有该细孔的面将该盾构隧道进行蚀刻。
3.根据权利要求1或2所述的基板的加工方法，其中，
该细孔仅在该基板的该正面或该背面中的一方开口。
4.一种芯片的制造方法，利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着该基板的厚度方向的长度比沿着与该厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束从该基板制造芯片，其中，
该芯片的制造方法具有如下的工序：
盾构隧道形成工序，按照将该区域的至少一部分定位于该基板的内部的方式对该基板照射该激光束，从而形成盾构隧道，该盾构隧道包含开口于该基板的正面或背面中的至少一方的细孔和围绕该细孔的非晶质部；
蚀刻工序，在该盾构隧道形成工序之后，从作为该基板的该正面或该背面中的一方的开口有该细孔的面将该盾构隧道进行蚀刻；
功能层形成工序，在该蚀刻工序之后，在该基板的该正面上形成功能层；以及
分割工序，在该功能层形成工序之后，通过对该基板赋予外力而将该基板分割。
5.根据权利要求4所述的芯片的制造方法，其中，
该细孔仅在该基板的该正面或该背面中的一方开口。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022154396A JP2024048470A (ja) | 2022-09-28 | 2022-09-28 | 基板の加工方法及びチップの製造方法 |
| JP2022-154396 | 2022-09-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117790416A true CN117790416A (zh) | 2024-03-29 |
Family
ID=90140434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311197198.2A Pending CN117790416A (zh) | 2022-09-28 | 2023-09-15 | 基板的加工方法和芯片的制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240105511A1 (zh) |
| JP (1) | JP2024048470A (zh) |
| KR (1) | KR20240044325A (zh) |
| CN (1) | CN117790416A (zh) |
| DE (1) | DE102023209145A1 (zh) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6062287B2 (ja) | 2013-03-01 | 2017-01-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
-
2022
- 2022-09-28 JP JP2022154396A patent/JP2024048470A/ja active Pending
-
2023
- 2023-08-28 KR KR1020230112966A patent/KR20240044325A/ko unknown
- 2023-09-12 US US18/465,268 patent/US20240105511A1/en active Pending
- 2023-09-15 CN CN202311197198.2A patent/CN117790416A/zh active Pending
- 2023-09-20 DE DE102023209145.3A patent/DE102023209145A1/de active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102023209145A1 (de) | 2024-03-28 |
| US20240105511A1 (en) | 2024-03-28 |
| JP2024048470A (ja) | 2024-04-09 |
| KR20240044325A (ko) | 2024-04-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6166034B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP4447325B2 (ja) | 半導体ウェーハの分割方法 | |
| US10354919B2 (en) | Wafer dividing method | |
| US8101504B2 (en) | Semiconductor chip fabrication method | |
| US6806544B2 (en) | Method and apparatus for cutting devices from conductive substrates secured during cutting by vacuum pressure | |
| US10991622B2 (en) | Wafer processing method | |
| TWI284580B (en) | Method and apparatus for cutting devices from substrates | |
| JP2005252126A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| US20200090934A1 (en) | Processing method of workpiece | |
| US20100003805A1 (en) | Semiconductor device fabrication method | |
| JP2017162901A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
| CN117790416A (zh) | 基板的加工方法和芯片的制造方法 | |
| US20210043474A1 (en) | Plasma etching apparatus | |
| TW202414555A (zh) | 基板的加工方法及晶片的製造方法 | |
| JP7401183B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| US20220093464A1 (en) | Device chip manufacturing method | |
| JP7104559B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| JP6814672B2 (ja) | 加工方法 | |
| JP7128064B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| JP4731244B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
| JP2020047875A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP6912254B2 (ja) | 加工方法 | |
| JP2018181929A (ja) | 加工方法 | |
| JP7104558B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| JP2023038555A (ja) | 基板の分割方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication |