JP2023038555A

JP2023038555A - 基板の分割方法

Info

Publication number: JP2023038555A
Application number: JP2021145347A
Authority: JP
Inventors: 俊輔寺西; Toshisuke Teranishi
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2021-09-07
Filing date: 2021-09-07
Publication date: 2023-03-17

Abstract

【課題】分割予定ラインに沿って基板を分割する場合に、チップ側面に加工屑が付着しないようにする。
【解決手段】複数の分割予定ライン９０１に沿って基板９０を分割する基板の分割方法であって、基板９０の表面９００から複数の分割予定ライン９０１に沿って、基板９０を完全に切断せず、かつ、基板９０の外周９０５まで至らない加工溝９９を形成する加工溝形成ステップと、加工溝形成ステップの実施後に、基板９０の裏面９０３から加工溝９９が露出しないエッチング前厚みまで基板９０を薄化する薄化ステップと、薄化ステップの実施後に、基板９０の裏面９０３側からプラズマエッチングを行い、加工溝９９を露出させるとともに基板９０を仕上げ厚みまで薄化し、基板９０を分割する分割ステップと、を備える事を特徴とする基板の分割方法。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体基板を分割する基板の分割方法に関する。

チップの裏面にできるチッピングを小さくする等の目的で、基板の厚みより小さい切り込み深さで基板のデバイスが形成された表面から分割予定ラインに沿って切削ブレードを切り込ませ、切削ブレードの切削送り方向に基板を移動させ、基板を切断しない所定の深さの切削溝（ハーフカット溝）を形成し、その後、該表面にテープを貼着し、該テープ側を保持して基板の裏面を回転する研削砥石で研削し切削溝の底を露出させることで、所定の厚みのチップを形成する加工方法がある。該加工方法は、ＤｉｃｉｎｇＢｅｆｏｒｅＧｒｉｎｄｉｎｇ（所謂、ＤＢＧ）と呼ばれている（例えば、特許文献１参照）。

また、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射して、基板内部の所定深さの位置に改質層を形成する。その後、基板の裏面を研削して基板を仕上がり厚みまで薄化するとともに、改質層を分割起点として研削圧力により基板の表面側に亀裂を伸長させることで、基板を個々のチップに分割する方法がある。この加工方法は、ＳＤＢＧ（ＳｔｅａｌｔｈＤｉｃｉｎｇＢｅｆｏｒｅＧｒｉｎｄｉｎｇ）加工と呼ばれている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００３－００７６５３号公報特開２００６－０１２９０２号公報

従来のＤＢＧプロセスやＳＤＢＧプロセスは、上記ダイシング工程後、又は上記改質層形成工程後に研削ホイールを用いた研削工程を実施し基板の薄化を行っていた。しかし研削時に基板が分割され、チップが生成されるため、チップの側面に研削屑が付着してしまう問題があった。

よって、分割予定ラインに沿って基板を分割する場合には、チップ側面に加工屑が付着しないようにするという課題がある。

上記課題を解決するための本発明は、複数の分割予定ラインに沿って基板を分割する基板の分割方法であって、基板の表面から複数の該分割予定ラインに沿って、基板を完全に切断せず、かつ、基板の外周まで至らない加工溝を形成する加工溝形成ステップと、該加工溝形成ステップの実施後に、基板の裏面から該加工溝が露出しないエッチング前厚みまで基板を裏面側から薄化する薄化ステップと、該薄化ステップの実施後に、基板の裏面側からプラズマエッチングを行い、該加工溝を露出させるとともに基板を仕上げ厚みまで薄化し、基板を分割する分割ステップと、を備える事を特徴とする基板の分割方法である。
前記加工溝形成ステップの後、かつ、前記薄化ステップの前に、基板の表面に保護部材を形成する保護部材形成ステップをさらに備えると好ましい。
例えば、前記薄化ステップは、研削ホイールによって基板を研削して、又は研磨パッドによって基板を研磨して、基板を薄化する。
例えば、前記薄化ステップは、基板の前記エッチング前厚みに相当する深さに剥離層を形成する剥離層形成ステップと、該剥離層を起点に基板から該剥離層よりも裏面側の部分を剥離し、該エッチング前厚みの基板を得る剥離ステップと、を有する。
例えば、前記剥離層は、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を、基板の内部の前記エッチング前厚みに相当する深さに位置づけて、基板の裏面全面にわたりレーザー光線を照射して形成される。

本発明に係る基板の分割方法は、従来とは異なり基板を裏面側から薄化する薄化ステップにおいて、基板を仕上げ厚みまで薄化せずチップに分割しないため、加工溝形成ステップにおいて形成された加工溝が基板の裏面側に露出せず、加工溝の側面に研削屑が付着することが無い。また、加工溝形成ステップにおいて、基板の外周に至らない加工溝を形成することで、基板の外周に加工溝が露出せず、基板の外周部分がリング状にシールされた状態になるため、薄化ステップにおいて加工屑が加工溝の側面に付着するのを防ぐことができる。

ワークセットの一例を示す斜視図である。切削ブレードを用いた実施形態１の加工溝形成ステップを説明する断面図である。加工溝形成ステップが実施されたワークセットの斜視図である。レーザー加工装置を用いた実施形態２の加工溝形成ステップを説明する断面図である。プラズマエッチング装置の一例を示す断面図である。ワークセットの基板の表面に保護膜が形成された状態を示す断面図である。基板の表面に形成された保護膜を分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射して除去して、デバイスの表面を保護するマスクを形成している状態を説明する断面図である。プラズマエッチング装置を用いた実施形態３の加工溝形成ステップが実施されたワークセットを示す断面図である。保護部材形成ステップにおいて、加工溝が形成された表面に保護部材が貼着されリングフレームと共にワークセットとなった基板を示す断面図である。研削砥石を用いて実施する実施形態１の薄化ステップを説明する断面図である。図１１（Ａ）は、実施形態２の薄化ステップにおいて、基板に剥離層を形成している状態を説明する斜視図である。図１１（Ｂ）は、実施形態２の薄化ステップにおいて、基板に剥離層を形成している状態を説明する断面図である。実施形態２の薄化ステップにおいて、基板から剥離層より裏側（上側）の部分を剥離している状態を説明する斜視図である。基板をチップにプラズマエッチングによって分割する分割ステップを説明する断面図である。レーザー加工装置を用いた実施形態２の加工溝形成ステップの別例であり、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射して、改質層と改質層から上側に延びるクラックとを形成している状態を説明する断面図である。

図１に示す外形が円形状の基板９０は、例えばシリコンウエーハであり、基板９０の表面９００には複数の分割予定ライン９０１がそれぞれ直交するように設定されている。分割予定ライン９０１によって区画された格子状の領域には、デバイス９０２がそれぞれ形成されている。なお、基板９０はシリコンウエーハに限定されるものではなく、シリコン以外にガリウムヒ素、サファイア、窒化ガリウム、樹脂、セラミックス、又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよい。基板９０の表面９００の外周９０５に近い領域は、デバイス９０２が形成されていない環状の廃棄領域となる。

基板９０は、その裏面９０３に基板９０よりも大径の粘着シート９１が貼着されており、粘着シート９１の粘着面の外周部は、環状フレーム９２に貼着された状態になっている。そして、基板９０は、粘着シート９１を介して環状フレーム９２に支持されることで、環状フレーム９２によるハンドリングが可能な状態、即ち、ワークセット９となっている。なお、基板９０は、後述する加工溝形成ステップにおいて、基板９０を完全に切断しないハーフカット溝が形成されるため、環状フレーム９２によって支持されていなくてもよく、基板９０と略同径の粘着シートが裏面９０３に貼着されているだけでもよい。加工溝形成ステップ以降において、基板９０が完全に切断されていないことで、環状フレーム９２に支持されていなくても搬送が可能なためである。また基板９０が最後に行う分割ステップまでチップに個片化されないため基板９０に粘着シート９１が貼着されていなくてもよい。

以下に、図１に示す複数の分割予定ライン９０１に沿って基板９０を分割する本発明に係る基板の分割方法の各ステップについて説明する。まず、実施形態１の加工溝形成ステップについて説明する。

（１－１）実施形態１の加工溝形成ステップ
図２に示す基板９０の表面９００から複数の該分割予定ライン９０１に沿って、基板９０を完全に切断せず、かつ、基板９０の外周９０５まで至らない加工溝を形成する。図２に示す基板９０を切削するための円形の切削ブレード１０は、例えば、基台１０１と基台１０１の外周側に形成された切り刃１０２とを備えるハブタイプのブレードであるが、全形が環状のワッシャー型ブレードであってもよい。切削ブレード１０は、軸方向がワークセット９の移動方向（Ｘ軸方向）に対し水平面内において直交する方向（Ｙ軸方向）であるスピンドル１１に装着されている。そして、図示しないモータによりスピンドル１１が回転駆動されることに伴って、切削ブレード１０も回転する。

切削ブレード１０が切削するべき分割予定ライン９０１の検出は、図２に示すアライメントユニット１２がカメラ１２０により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理を行うことでなされる。切削ブレード１０及びアライメントユニット１２は、Ｙ軸方向に移動可能となっている。

図２に示す保持テーブル１３は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる平坦な保持面１３２上で基板９０を吸引保持することができる。また、保持テーブル１３の周囲には、環状フレーム９２を固定する固定クランプ１３５が例えば４つ周方向に均等間隔を空けて配設されている。保持テーブル１３は、Ｘ軸方向に往復移動可能であるとともに、軸方向がＺ軸方向である回転軸を軸に回転可能となっている。

実施形態１の加工溝形成ステップにおいては、まず、ワークセット９が－Ｘ方向（図２においては、紙面奥側）に送られるとともに、カメラ１２０により分割予定ライン９０１を含む基板９０の上側を向いた表面９００についての画像が撮像されて、この画像に基づくアライメントユニット１２によるパターンマッチング等の分割予定ライン９０１の検出が実行され、切削ブレード１０を切り込ませるべき狙いの分割予定ライン９０１のＹ軸方向における座標位置が認識される。

切削すべき分割予定ライン９０１が検出されるのに伴って、切削ブレード１０がＹ軸方向にインデックス送りされ、切削すべきＸ軸方向に延びる分割予定ライン９０１と切削ブレード１０とのＹ軸方向における位置合わせがなされる。また、ワークセット９の基板９０が切削ブレード１０の下方に位置付けされる。次いで、切削ブレード１０が－Ｚ方向に降下していき、切削ブレード１０の切り刃１０２の最下端が高さ位置Ｚ１になるように、切削ブレード１０が位置付けられる。なお、高さ位置Ｚ１は、基板９０の表面９００から加工溝９９の底９９０までの距離Ｌ９が基板９０の最終的な仕上げ厚みＬ１以上となる位置（仕上げ厚みＬ１よりも深い位置）である。即ち、例えば、図２に示すように、距離Ｌ９は、仕上げ厚みＬ１に数μｍ程度の余裕厚みを加えた距離となり、これによって、後述する分割ステップにおいて基板９０が分割されて形成されるチップに、薄化加工による加工溝９９露出時のダメージが残ってしまうことが無いようになる。

ワークセット９がさらに所定の切削送り速度で－Ｘ方向に送り出されるとともに、図示しないモータがスピンドル１１を＋Ｙ方向側から見て反時計回り方向に高速回転させ、スピンドル１１に固定された切削ブレード１０がスピンドル１１の回転に伴って高速回転することで、切削ブレード１０が分割予定ライン９０１に沿って基板９０に切り込んでいく。また、切削加工中においては、切削ブレード１０と基板９０との接触部位に対して、洗浄水を供給して接触部位を冷却・洗浄する。

保持テーブル１３のＸ軸方向における移動量の制御が行われることで、Ｘ軸方向に延びる分割予定ライン９０１に沿って、基板９０を完全に切断せず、基板９０の外周９０５まで至らない図２、図３に示す加工溝９９が基板９０に形成される。

切削ブレード１０が、一本の分割予定ライン９０１を切削し終えるＸ軸方向の所定の位置までワークセット９が送られると、ワークセット９の切削送りを一度停止し、切削ブレード１０を基板９０から離間させ、次いで、ワークセット９を＋Ｘ方向に移動させ原点位置に戻す。そして、隣り合う分割予定ライン９０１の間隔ずつ切削ブレード１０を－Ｙ方向にインデックス送りしながら順次同様の切削を行うことにより、ワークセット９の同方向の全ての分割予定ライン９０１に沿って基板９０を完全に切断せず、かつ、基板９０の外周９０５まで至らないハーフカット溝である加工溝９９を形成する。さらに、ワークセット９を９０度回転させてから同様の切削加工を行うことで、各分割予定ライン９０１の全てに沿って加工溝９９を形成することができる。図３に示すように、基板９０の加工溝９９が切り抜けていない外周９０５は、所定幅のリング状になっている。

（１－２）実施形態２の加工溝形成ステップ
実施形態１の加工溝形成ステップに代えて、以下に説明する実施形態２の加工溝形成ステップを実施してもよい。図４に示すチャックテーブル１５は、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる水平な保持面１５０上でワークセット９を吸引保持する。チャックテーブル１５は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能であるとともに、Ｘ軸方向、及びＹ軸方向に往復移動可能となっている。チャックテーブル１５は、図示しないメカニカルクランプでワークセット９の環状フレーム９２を挟持固定可能となっていてもよい。

レーザー光線照射ユニット１６は、レーザー光線発振器１６２から発振され基板９０に吸収性を有し基板９０をアブレーション可能な波長のレーザー光線１６９を、光ファイバー等の伝送光学系を介して集光器１６３の内部の集光レンズ１６５に入光させることで、レーザー光線１６９をチャックテーブル１５で保持された基板９０の所定の高さ位置に集光して照射できる。なお、集光器１６３によって集光されるレーザー光線１６９の集光点位置は、図示しない集光点位置調整手段によってチャックテーブル１５の保持面１５０に対して垂直な方向（Ｚ軸方向）に調整可能となっている。本実施形態におけるレーザー光線発振器１６２は、例えば、ＹＡＧパルスレーザーや、ＹＶＯ４パルスレーザーである。

実施形態２の加工溝形成ステップにおいては、まず、図４に示すように、ワークセット９が、基板９０の表面９００を上側に向けた状態でチャックテーブル１５により吸引保持される。次いで、チャックテーブル１５に保持された基板９０が－Ｘ方向（紙面奥側である往方向）に送られるとともに、実施形態１の加工溝形成ステップと同様に、図示しないアライメントユニットによって、レーザー光線１６９を照射する基準となる分割予定ライン９０１の位置が検出される。

チャックテーブル１５がＹ軸方向にインデックス送りされ、レーザー光線１６９を照射する基準となる分割予定ライン９０１と集光器１６３とのＹ軸方向における位置合わせがなされる。次いで、集光レンズ１６５によって集光されるレーザー光線１６９の集光点位置を、例えば基板９０の表面９００の高さ位置に位置付ける。そして、レーザー光線発振器１６２から基板９０に吸収性を有する波長のレーザー光線１６９を発振させ、レーザー光線１６９をチャックテーブル１５で保持された基板９０の表面９００に集光し照射する。

レーザー光線１６９を分割予定ライン９０１に沿って基板９０に照射しつつ、基板９０を－Ｘ方向に所定の加工送り速度で加工送りし、図４に示すように基板９０の表面９００から基板９０の内部に向かって所定の深さの加工溝９９をレーザーアブレーションにより形成する。図４に示す加工溝９９の底９９０の高さ位置Ｚ１を、基板９０の表面９００から加工溝９９の底９９０までの距離Ｌ９が基板９０の仕上げ厚みＬ１以上となる（仕上げ厚みＬ１よりも深くなる）ように、加工送り速度、及びレーザー出力、及び繰り返し周波数等の諸条件が設定される。即ち、例えば、図４に示すように、距離Ｌ９は、仕上げ厚みＬ１に数μｍ程度の余裕厚みを加えた距離となり、これによって、後述する分割ステップにおいて基板９０が分割されて形成されるチップに、薄化加工による加工溝９９露出時のダメージが残ってしまうことが無いようになる。

一本の分割予定ライン９０１に沿ってレーザー光線１６９を照射し終えるＸ軸方向の所定の位置まで基板９０が－Ｘ方向に進行すると、レーザー光線１６９の照射を停止するとともに基板９０の－Ｘ方向への加工送りが停止される。ここで、チャックテーブル１５のＸ軸方向における移動量の制御が行われることで、Ｘ軸方向に延びる分割予定ライン９０１に沿って、基板９０を完全に切断せず、基板９０の外周９０５まで至らない図３に示す加工溝９９が基板９０に形成される。

次いで、チャックテーブル１５が＋Ｙ方向にインデックス送りされ、－Ｘ方向への加工送りにおいてレーザー光線１６９照射の際に基準となった分割予定ライン９０１の隣に位置する分割予定ライン９０１と集光器１６３とのＹ軸方向における位置合わせが行われる。位置合わせがされた後、基板９０が＋Ｘ方向（紙面手前側である復方向）へ加工送りされ、往方向でのレーザー光線１６９の照射と同様に、一本の分割予定ライン９０１に沿って基板９０にレーザー光線１６９が照射され加工溝９９が形成されていく。順次同様のレーザー光線１６９の照射を行うことにより、Ｘ軸方向に延びる全ての分割予定ライン９０１に沿って加工溝９９が形成される。

さらに、チャックテーブル１５を９０度回転させてから同様のレーザー光線１６９の照射を基板９０に対して行うと、縦横全ての分割予定ライン９０１に沿って基板９０に加工溝９９を形成することができる。図３に示すように、基板９０の加工溝９９が切り抜けていない外周９０５は、所定幅のリング状になっている。

（１－３）実施形態３の加工溝形成ステップ
実施形態１の加工溝形成ステップに代えて、以下に説明する実施形態３の加工溝形成ステップを実施してもよい。なお、実施形態３の加工溝形成ステップを実施する場合には、例えば、図１に示す環状フレーム９２及び粘着シート９１は、後述するドライエッチングで使用されるエッチングガス（例えば、ＳＦ_６ガスやＣ_４Ｆ_８ガス）に対する耐性を備えていると好ましい。即ち、例えば、環状フレーム９２はＳＵＳで形成され、粘着シート９１はポリオレフィン等で形成されていると好ましい。

図５に示す基板９０に減圧環境下でプラズマエッチング処理を施すプラズマエッチング装置２は、例えば、基板９０を保持する保持面２００を有する静電チャックテーブル２０と、静電チャックテーブル２０が配設された室内を減圧する減圧ユニット２１が接続された減圧室２２と、を備えている。

静電チャックテーブル２０は、例えば、減圧室２２の下部に軸受け２０１を介して上下動可能に挿通されている基軸部２０２と、アルミナ等のセラミック又は酸化チタン等の誘電体で形成されるウェーハ保持部２０３とを備えており、その縦断面が略Ｔ字状になる。例えば円板状に形成されたウェーハ保持部２０３は、基軸部２０２の上端側に基軸部２０２と一体的に形成されており、ウェーハ保持部２０３の上面が誘電体からなり基板９０を保持する保持面２００となる。なお、ウェーハ保持部２０３は、セラミック等から構成された誘電体膜が別の基台上に配置されて構成されているものでもよい。

基軸部２０２及びウェーハ保持部２０３の内部には、冷却水が通水する冷却水通水路２０５が形成されており、冷却水通水路２０５には、冷却水供給手段２０６が連通している。冷却水供給手段２０６は冷却水通水路２０５へ冷却水を流入させ、この冷却水が、静電チャックテーブル２０を内部から冷却する。例えば、本実施形態のように、処理対象の基板９０に粘着シート９１が貼着されている場合には、プラズマエッチング処理中に、冷却水供給手段２０６によって、静電チャックテーブル２０の保持面２００の温度を粘着シート９１からガスが発生しない温度以下に保つことができる。

静電チャックテーブル２０の内部には、電圧が印加されることにより電荷を誘起する電極として金属板２３が埋設されている。金属板２３は、円形に形成されており、保持面２００と平行に配設されており、バイアス高周波電源２５にスイッチ２５０を介して電気的に接続されている。バイアス高周波電源２５から金属板２３に高圧の直流電圧が印加されることで、保持面２００に分極による電荷（静電気）が発生し、そのクーロン力により基板９０は保持面２００に静電吸着される。

基軸部２０２からウェーハ保持部２０３にかけては、エア流路２６が形成されており、エア流路２６の一端（上端）はウェーハ保持部２０３の内部で径方向外側に向かって放射状に分岐している。エア流路２６の他端には、コンプレッサー等で構成されるエア供給源２６２が連通している。

静電チャックテーブル２０の保持面２００には複数のエア噴出口２６３が開口しており、各エア噴出口２６３は金属板２３を厚み方向（Ｚ軸方向）に向かって貫通しており、ウェーハ保持部２０３内においてエア流路２６に連通している。エア供給源２６２から供給されたエアによって、静電チャックテーブル２０からワークセット９を搬出する際に、基板９０と保持面２００との間に残存する真空吸着力を排除する。

減圧室２２内の上部側には、反応ガスを噴出するガス噴出ヘッド３０が、軸受け３１を介して昇降自在に配設されている。ガス噴出ヘッド３０の内部には、ガス拡散空間３２が設けられており、ガス拡散空間３２の上部にはガス導入路３２０が連通し、ガス拡散空間３２の下部にはガス吐出路３２２が連通している。ガス吐出路３２２の下端は、ガス噴出ヘッド３０の下面において静電チャックテーブル２０側に向かって開口している。

ガス噴出ヘッド３０には、ガス噴出ヘッド３０を上下動させるエアシリンダ３３が接続されている。ガス噴出ヘッド３０の内部に形成されたガス導入路３２０には、反応ガス供給源３２９が連通している。反応ガス供給源３２９は、例えば、反応ガスであるＳＦ_６、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_２Ｆ_４等のフッ素系ガスを蓄えている。なお、ガス導入路３２０には、反応ガス供給源３２９の他に、プラズマエッチング反応を支援するガスが蓄えられた図示しない支援ガス供給源が連通していてもよい。この場合、支援ガス供給源には、支援ガスとして、Ａｒ、Ｈｅ等の希ガスが蓄えられている。

ガス噴出ヘッド３０には、整合器３４０を介して高周波電源３４が接続されている。高周波電源３４から整合器３４０を介してガス噴出ヘッド３０に高周波電力を供給することにより、ガス吐出路３２２から吐出されたガスを真空雰囲気となった減圧室２２内部でプラズマ化することができる。

減圧室２２の側部には、ワークセット９の搬入出を行うための搬入出口２７と、この搬入出口２７を開閉するシャッター２７１とが設けられている。例えば、シャッター２７１は、エアシリンダ等のシャッター可動手段２７２によって上下動可能になっている。

減圧室２２の下部には排気口２２１が形成されており、この排気口２２１には減圧ユニット２１が接続されている。この減圧ユニット２１を作動させることにより、減圧室２２の内部を所定の真空度まで減圧することができる。

図１に示すように、プラズマエッチング装置２は、ＣＰＵ及びメモリ等の記憶素子等から構成される制御部２９を備えており、制御部２９による制御の下で、エッチングガスの吐出量や時間、高周波電力等の条件がコントロールされる。

実施形態３の加工溝形成ステップにおいては、まず、基板９０の表面９００全面に図６に示す保護膜９７を被覆する。表面９００に対する保護膜９７の形成は、例えば、液状の保護膜剤のスピンコートによって行われる。保護膜剤は、例えば、水溶性樹脂（ポリビニルピロリドン又はポリビニルアルコール等）からなる水溶性の保護膜剤であるが、これに限定されず、その他のレジスト液などであってもよい。

図６に示す表面９００に保護膜９７が形成された基板９０は、例えば、図７に示すチャックテーブル１５に搬送される。基板９０が、保護膜９７を上側にしてチャックテーブル１５の保持面１５０上で吸引保持される。そして、レーザー光線を保護膜９７に照射するための基準となる分割予定ライン９０１の位置が図示しないアライメントユニットによって検出される。

分割予定ライン９０１の位置が検出されるのに伴って、チャックテーブル１５がＹ軸方向に移動し、分割予定ライン９０１と集光器１６３との位置合わせがなされる。次いで、レーザー光線１６９の集光点位置が保護膜９７の高さ位置に合わせられる。そして、レーザー光線発振器１６２が保護膜９７に吸収性を有する波長のレーザー光線１６９を発振し、レーザー光線１６９を保護膜９７に集光し照射する。また、基板９０がＸ軸方向に加工送りされて、分割予定ライン９０１に沿って保護膜９７が溶融し除去される。そして、基板９０の表面９００の分割予定ライン９０１に対応する領域以外のデバイス９０２の表面を含む領域にマスク９６が形成された状態になる。なお、レーザー加工を基板９０の表面９００の外周９０５側の領域に行わず、基板９０の表面９００の外周９０５側の領域は、マスク９６によってリング状に覆われた状態が維持される。

なお、マスク９６の形成は本実施形態に限定されるものではない。一般的には、図１に示す基板９０のデバイス９０２を形成する際に、デバイス９０２が形成された表面９００側の全域には、汚染や不純物等の進入からデバイス９０２を保護するパシベーション膜（二酸化ケイ素膜等）がプラズマＣＶＤ法等で積層されるが、デバイス９０２の最表層となるパシベーション膜を分割予定ライン９０１に対応した領域を抜いておくように予め形成して、デバイス９０２を個々に保護する該パシベーション膜をプラズマエッチング用のマスクにしてもよい。

次いで、図７に示すマスク９６が形成された基板９０は、まず、図５に示す搬入出口２７から減圧室２２内に搬入され、マスク９６側を上側に向けて静電チャックテーブル２０の保持面２００上に載置される。そして、シャッター２７１を閉じ、減圧ユニット２１により減圧室２２内の空気を排気し、減圧室２２内を真空雰囲気の密閉空間とする。

ガス噴出ヘッド３０を減圧室２２内の所定の高さ位置まで下降させ、反応ガス供給源３２９から例えばＳＦ_６を主体とするエッチングガスをガス拡散空間３２に供給し、ガス吐出路３２２から下方に噴出させる。また、高周波電源３４からガス噴出ヘッド３０に高周波電力を印加して、ガス噴出ヘッド３０と静電チャックテーブル２０との間に高周波電界を生じさせ、エッチングガスをプラズマ化させる。これに並行して、金属板２３にバイアス高周波電源２５から電圧を印加して、静電チャックテーブル２０の保持面２００と基板９０との間に誘電分極現象を発生させ、電荷の分極により生じる静電吸着力によってワークセット９となっている基板９０を保持面２００上で吸着保持する。

図８に示すプラズマ化したエッチングガスＧ１は、基板９０の表面９００のマスク９６が形成されている領域はほとんどエッチングせず、基板９０の分割予定ライン９０１に沿って基板９０を－Ｚ方向に向かって異方性エッチングしていく。そのため、縦横の分割予定ライン９０１に沿って格子状に基板９０がエッチングされて、図３、図８に示す加工溝９９が形成されていく。プラズマ化したエッチングガスＧ１による環状フレーム９２に対する熱影響は、例えば減圧室２２に配設され環状フレーム９２の上方を覆う図示しないフレーム加熱防止ガードによって抑えられる。なお、基板９０の表面９００の外周９０５の領域は、マスク９６によってリング状に覆われているため、エッチングが進行しない。

図５に示す制御部２９によりエッチング時間、エッチングガスＧ１の送出量等の諸条件が制御されて、図８に示す加工溝９９の底９９０の高さ位置Ｚ１が、基板９０の表面９００から加工溝９９の底９９０までの距離Ｌ９が基板９０の仕上げ厚みＬ１以上となる（仕上げ厚みＬ１よりも深くなる）までプラズマエッチングを行い、プラズマエッチングを終了させる。即ち、例えば、図８に示すように、距離Ｌ９は、仕上げ厚みＬ１に数μｍ程度の余裕厚みを加えた距離となり、これによって、後述する分割ステップにおいて基板９０が分割されて形成されるチップに、薄化加工による加工溝９９露出時のダメージが残ってしまうことが無いようになる。即ち、図５に示す減圧室２２内へのエッチングガスＧ１等の導入及びガス噴出ヘッド３０への高周波電力の供給を停止し、また、減圧室２２内のエッチングガスＧ１を排気口２２１から減圧ユニット２１に排気する。

なお、ドライエッチングは、上記のようなＳＦ_６ガス単体によるプラズマエッチングで行われる形態に限定されず、ＳＦ_６ガスによるプラズマエッチングとＣ_４Ｆ_８ガスによる溝側壁等に対する保護膜堆積（デポジション）とを交互に繰り返すボッシュ法により行われるとより好ましい。

具体的には、反応ガス供給源３２９からＣ_４Ｆ_８ガスをガス拡散空間３２に供給し、ガス吐出路３２２から下方に噴出させる。高周波電源３４からガス噴出ヘッド３０に高周波電力を印加し、さらに、金属板２３にバイアス高周波電源２５から高周波電力を印加して基板９０を静電吸着しつつ、Ｃ_４Ｆ_８ガスをプラズマ化させ、プラズマ化したＳＦ_６ガスによる等方性エッチングで形成された加工溝９９の側壁と底９９０とに保護膜（フルオロカーボン膜）を堆積させる。再び、ＳＦ_６ガスを減圧室２２内に供給しプラズマ化させ、加工溝９９の底９９０の保護膜のみを除去する異方性エッチングを行い、次いで、加工溝９９の底９９０に露出した基板９０の等方性エッチングを再び行う。上記等方性エッチングと保護膜堆積と異方性エッチングとを１サイクルとし、例えば数十サイクル実施して、基板９０の垂直な深掘りを高速かつ所望のアスペクト比で実現し、分割予定ライン９０１に沿った格子状の加工溝９９を基板９０に形成していく。

例えば、実施形態３の加工溝形成ステップが施された基板９０は、図５に示すプラズマエッチング装置２から搬出されて、スピンナー洗浄装置等において図８に示すマスク９６が洗浄除去される。例えば、マスク９６が水溶性樹脂からなるものでない場合（例えば、レジスト膜である場合）には、実施形態３の加工溝形成ステップが完了した後に、プラズマエッチング装置２によるアッシング等によりマスク９６を基板９０から除去してもよい。

（２）保護部材形成ステップ
上記実施形態１、実施形態２、又は実施形態３の加工溝形成ステップが施されたワークセット９の基板９０に対して、以下に説明する基板９０の裏面９０３から加工溝９９が裏面９０３に露出しないエッチング前厚みまで基板９０を薄化する後述する実施形態１の薄化ステップが施される。そして、本実施形態においては、加工溝形成ステップの後、かつ、後述する実施形態１の薄化ステップを実施する前に、基板９０の表面９００に保護部材を形成する保護部材形成ステップを実施する。

図９に示す基板９０の表面９００には、基板９０よりも大径の保護部材９５が貼着され、保護部材９５の粘着面の外周部が円形の開口を備えるリングフレーム９３に貼着されることで、基板９０は、裏面９０３が上方に向いた状態で保護部材９５を介してリングフレーム９３に支持された状態になる。即ち、保護部材９５の基板９０に対する貼着等は、例えば、図示しないテープマウンタのテーブルに載置されリングフレーム９３に貼着された保護部材９５の粘着面に、基板９０の表面９００が当接し、転動するローラ等により基板９０を保護部材９５に押し付けてなされる。次いで、基板９０の裏面９０３から粘着シート９１（図１参照）が剥離され、環状フレーム９２が取り外され、加工溝９９が形成された基板９０は、保護部材９５及びリングフレーム９３と共にワークセット９８となる。リングフレーム９３の開口中心と基板９０の中心とは略合致した状態になる。なお、リングフレーム９３に支持されず、保護部材９５のみが貼着されていてもよい。

例えば、リングフレーム９３及び保護部材９５は、ドライエッチングで使用されるエッチングガス（例えば、ＳＦ_６ガスやＣ_４Ｆ_８ガス）に対する耐性を備えていると好ましい。即ち、例えば、リングフレーム９３はＳＵＳで形成され、保護部材９５はポリオレフィン等で形成されていると好ましい。

上記のように、保護部材９５は、糊層を備える粘着テープであるが、これに限定されるものではなく、保護部材９５は、例えば、糊層を備えないが、熱可塑性を有し、基板９０やリングフレーム９３に熱接着可能なポリオレフィンシートやポリスチレンシートであってもよい。

（３－１）実施形態１の薄化ステップ
実施形態１の薄化ステップでは、例えば、図１０に示す研削ホイール７１４によって基板９０を裏面９０３側から研削して薄化する。保護部材９５が表面９００に形成された基板９０は、図１０に示すチャックテーブル７０に搬送される。チャックテーブル７０は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる保持面７００に真空発生装置等の図示しない吸引源が生み出す吸引力が伝達され、保持面７００上で基板９０を吸引保持する。また、チャックテーブル７０は、Ｚ軸方向の回転軸を軸に回転可能であるとともに、Ｙ軸方向に移動可能となっている。チャックテーブル７０の周囲には、リングフレーム９３を挟持するクランプ７０３が配設されている。

チャックテーブル７０に保持された基板９０を研削加工する研削ユニット７１は、軸方向が鉛直方向（Ｚ軸方向）である回転軸７１０と、内部にエアベアリング等を形成し回転軸７１０を回転可能に支持するハウジング７１１と、回転軸７１０を回転駆動するモータ７１２と、回転軸７１０の下端に接続された円板状のマウント７１３と、マウント７１３の下面に着脱可能に接続された研削ホイール７１４とを備える。

研削ホイール７１４は、ホイール基台７１５と、ホイール基台７１５の底面に環状に配設された略直方体形状の複数の研削砥石７１６とを備える。研削砥石７１６は、例えば、レジンボンドやメタルボンド等でダイヤモンド砥粒等が固着されて成形されている。なお、研削砥石７１６の形状は、上記のようなセグメントタイプに限定されず、砥石が環状に隙間なく一体に形成されているコンテニュアスタイプのものであってもよい。

回転軸７１０の内部には、研削水の通り道となり研削水供給源に連通する図示しない流路が、回転軸７１０の軸方向（Ｚ軸方向）に貫通して形成されており、図示しない流路の下端側は、さらにマウント７１３を通り、ホイール基台７１５に形成された図示しない流路に連通している。図示しない流路は、ホイール基台７１５の内部において回転軸７１０の軸方向と直交する方向に、ホイール基台７１５の周方向に一定の間隔をおいて延在しており、ホイール基台７１５の底面において研削砥石７１６に向かって研削水を噴出できるように開口している。

実施形態１の薄化ステップにおいては、まず、チャックテーブル７０の中心とワークセット９８となっている基板９０の中心とが略合致するように、基板９０が、保護部材９５側を下にして保持面７００上に載置される。そして、図示しない吸引源により生み出される吸引力が保持面７００に伝達されることにより、基板９０が、裏面９０３を上方に向向けた状態でチャックテーブル７０によって吸引保持され、また、ワークセット９８のリングフレーム９３がクランプ７０３によって挟持固定された状態になる。

次いで、基板９０を保持したチャックテーブル７０が、研削ユニット７１の下までＸ軸方向へ移動する。そして、研削砥石７１６の回転中心が基板９０の回転中心に対して所定距離だけ水平方向にずれ、研削砥石７１６の回転軌跡が基板９０の回転中心を通るように位置づけされる。

モータ７１２が回転軸７１０を所定の回転速度で回転駆動し、これに伴って研削砥石７１６も回転する。そして、研削ユニット７１が－Ｚ方向に下降して、回転する研削砥石７１６が基板９０の裏面９０３に当接することで研削が行われる。研削中は、チャックテーブル７０が所定の回転速度で回転して保持面７００上に保持された基板９０も回転するので、研削砥石７１６が基板９０の裏面９０３の全面の研削加工を行う。また、図示しない流路を通る研削水が研削砥石７１６と基板９０との接触部位に対して供給され、接触部位が冷却・洗浄される。

図１０に示す基板９０が裏面９０３から加工溝９９の底９９０が露出しないエッチング前厚みＬ２まで薄化される。エッチング前厚みＬ２は、例えば、仕上げ厚みＬ１に２０μｍ程度加えた厚みである。即ち、加工溝９９の底９９０から上方に２０μｍ程度の厚みが残った状態で、研削ユニット７１が上方に引き上げられて、研削砥石７１６が基板９０から離間して研削が終了する。したがって、基板９０はまだ個々のチップに分割されていない状態が保たれる。基板９０はチップに分割されていないため、研削中にチップの側面が露出して研削屑が該側面に付着してしまうことはない。

なお、実施形態１の薄化ステップでは、研削ホイール７１４に代えて、研磨パッドによって基板９０を、ＣＭＰ研磨又はドライ研磨してエッチング前厚みＬ２まで薄化してもよい。

（３－２）実施形態２の薄化ステップ
先に説明した保護部材形成ステップを実施した後、実施形態１の薄化ステップに代えて、以下に説明する実施形態２の薄化ステップを実施してもよい。
実施形態２の薄化ステップは、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す基板９０のエッチング前厚みＬ２に相当する深さに剥離層９０９を形成する剥離層形成ステップと、剥離層９０９を起点に基板９０から剥離層９０９よりも裏面９０３側（上側）の部分を剥離し、エッチング前厚みＬ２の基板９０を得る剥離ステップと、を有する。

本実施形態における剥離層形成ステップでは、剥離層９０９は、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す基板９０に対して透過性を有する波長のレーザー光線１６９の集光点を、基板９０の内部のエッチング前厚みＬ２に相当する深さＺ２に位置づけて、基板９０の裏面９０３の全面にわたりレーザー光線１６９を照射して形成される。この加工は、所謂、ＫＡＢＲＡ加工と呼ばれている。

具体的には、保護部材９５が表面９００に形成された基板９０は、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示し、先に図４を用いて説明したチャックテーブル１５に搬送される。図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、集光器１６３から照射されるレーザー光線１６９の集光点が、チャックテーブル１５で保持された基板９０の表面９００から上方に仕上げ厚みＬ１にさらに所定厚みを加えたエッチング前厚みＬ２に対応する深さＺ２に位置づけられるとともに、基板９０に向けて基板９０に透過性を有する波長のパルスレーザー光線１６９が照射されて、分離の起点となる改質領域が基板９０内部に形成される。

例えば、レーザー光線１６９を基板９０に裏面９０３側から照射しつつ、チャックテーブル１５で保持された基板９０をＸ軸方向に所定の加工送り速度で加工送りし、基板９０の内部に分離の起点となる改質領域をＸ軸方向に延びる線状に連続的に形成していく。さらに、基板９０を保持するチャックテーブル１５が改質領域同士をＹ軸方向につなげることが可能な距離だけＹ軸方向にインデックス送りされた後、同様のレーザー光線１６９の照射が基板９０の裏面９０３の全面にわたってこのように繰り返し行われることで、基板９０の内部の深さＺ２となる箇所に改質領域同士がつながり分離面方向に沿った剥離層９０９が形成される。この剥離層９０９は、例えば、裏面９０３及び表面９００に対して概ね平行に形成され、基板９０中の他の領域に比べて強度が低い層である。なお、剥離層９０９からは、上下方向に微細なクラックが延びていてもよい。

なお、剥離層９０９の形成においては、レーザー光線１６９の集光点と基板９０とを相対的に移動させればよく、例えば、集光点に対してチャックテーブル１５で吸引保持された基板９０を上方からみて反時計回り（時計回りでもよい。）に所定の回転速度で回転させながら、基板９０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線１６９を集光器１６３から基板９０に照射することにより行うこともできる。これによって、基板９０のエッチング前厚みＬ２に対応する深さＺ２に、基板９０の周方向に沿って連続的に延びる環状の改質領域を形成することができる。その後、集光点に対して基板９０をＸ方向移動又はＹ方向移動することによって、基板９０の径方向に改質領域同士がつながる所定インデックス量だけインデックス送りする。そして、周方向における改質領域形成と径方向におけるインデックス送りと交互に繰り返すことにより、基板９０の周方向に沿って連続的に延びる改質領域を基板９０の径方向にインデックス量の間隔をおいて複数形成する。これによって、基板９０の内部に改質領域同士がつながり分離面方向に沿った剥離層９０９が形成される。

基板９０は、剥離層９０９が形成された後、剥離層９０９を起点として、基板９０から剥離層９０９よりも裏面９０３側の部分が剥離され、エッチング前厚みＬ２の基板９０となる。具体的には、例えば、図１１に示す基板９０が載置されたチャックテーブル１５が、図１２に示す基板吸着ユニット１９の直下に位置付けされる。

基板吸着ユニット１９は、水平に延在するアーム１９０の先端に剥離用パルスモータ１９４を介して吸着パッド１９２が配設されている。吸着パッド１９２の平坦な下面でありポーラス部材等で構成される吸着面１９９には、図示しない吸引源が生み出す吸引力が伝達される。例えば、吸着パッド１９２には、セラミックスの一種であるピエゾ素子等で構成される圧電振動板が超音波付与部１９３として内蔵されている。超音波付与部１９３には、図示しない高周波電源が接続されている。また、吸着パッド１９２は、剥離用パルスモータ１９４によって、Ｚ軸方向の回転軸を軸にして回転駆動可能となっている。

まず、アーム１９０を降下させて該基板９０の裏面９０３に吸着パッド１９２の吸着面１９９を密着させるとともに、図示しない吸引源を作動させて基板９０の裏面９０３を吸着パッド１９２に吸着させる。そして、図示しない高周波電源から電圧が印加された超音波付与部１９３が超音波振動を基板９０に付与すると共に、剥離用パルスモータ１９４を作動することにより吸着パッド１９２を回転駆動させて基板９０の剥離層９０９に対して捻り力を与え、剥離層９０９を界面として剥離層９０９よりも裏面９０３側の部分９０８（上側部分）を剥離し、エッチング前厚みＬ２の基板９０を得る。なお、基板９０から剥離した円形板状の部分９０８は、再利用可能となっている。

エッチング前厚みＬ２の基板９０を得る工程は、上記例に限定されるものではない。具体的には、例えば、剥離層９０９が形成されたワークセット９８となっている基板９０を液槽内に入れ液体中に浸漬すると共に超音波振動子の上面に載せる。次いで、超音波振動子から超音波を基板９０の剥離層９０９に付与して、剥離層９０９を界面として剥離層９０９よりも裏面９０３側の部分を剥離可能な状態にしてもよい。

（４）分割ステップ
実施形態１の薄化ステップ、又は実施形態２の薄化ステップを実施した後、ワークセット９８となっており、加工溝９９が形成され、エッチング前厚みＬ２まで薄化された基板９０は、図５に示すプラズマエッチング装置２に搬送される。

ワークセット９８が図５に示す減圧室２２内に搬入され、裏面９０３を上側に向けて静電チャックテーブル２０の保持面２００上に載置される。そして、減圧室２２内を真空雰囲気の密閉空間とする。ガス噴出ヘッド３０を減圧室２２内の所定の高さ位置まで下降させ、反応ガス供給源３２９から例えばＳＦ_６を主体とする図１３に示すエッチングガスＧ１をガス拡散空間３２に供給し、ガス吐出路３２２から下方に噴出させる。また、静電吸着力によってワークセット９となっている基板９０を静電チャックテーブル２０の保持面２００上で吸着保持する。

プラズマ化したエッチングガスＧ１は、基板９０の裏面９０３全面を－Ｚ方向に向かってエッチングしていく。そのため、エッチング前厚みＬ２であった基板９０が薄化されていき、基板９０が仕上げ厚みＬ１になると、プラズマエッチングを終了させる。即ち、加工溝９９の底９９０が基板９０の裏面９０３に露出することで、図１３に示すように、基板９０は、外周９０５側は独立してリング状に一体なった状態で、また、デバイス領域がデバイス９０２を備え仕上げ厚みＬ１の個々のチップ９０７に分割される。ここで、除去される分割予定ライン９０１に対応するシリコンがプラズマエッチングのける化学反応により揮発性生成物に変化するため、加工溝９９の側面にシリコン屑が付着してしまうことが無い。なお、プラズマエッチングはボッシュ法を実施してもよい。

上記のように本発明に係る基板の分割方法は、従来とは異なり基板９０を裏面９０３側から薄化する薄化ステップにおいて、基板９０を仕上げ厚みＬ１まで薄化せずチップに分割しないため、加工溝形成ステップにおいて形成された加工溝９９が基板９０の裏面９０３側に露出せず、加工溝９９の側面に研削屑が付着することが無い。また、加工溝形成ステップにおいて、基板９０の外周９０５に至らない加工溝９９を形成することで、基板９０の外周９０５に加工溝９９が露出せず、基板９０の外周側の領域がリング状にシールされた状態になるため、薄化ステップにおいて加工屑が加工溝９９の側面（分割ステップ後のチップの側面）に付着してしまうことを防ぐことができる。なお、加工溝９９が形成された基板９０に対して、その後、薄化ステップと分割ステップとを裏面９０３に対するプラズマエッチングのみで行っていく場合には、非常に時間がかかるため、エッチング前厚みＬ２まで基板９０を薄化する薄化ステップを備える事で、加工時間の短縮化を本発明に係る基板の分割方法は達成することもできる。

なお、例えば、シリコンチップ９０７に分割されたワークセット９８が、図示しないエキスパンド装置に搬送される。そして、基板９０の外周９０５側のリング状のデバイス９０２が形成されていない廃棄部分がワークセット９８から取り外された後、エキスパンド装置において、保護部材９５の突き上げ拡張等によって、各チップ９０７同士の間隔が拡張されることで、チップ９０７のピックアップ時における接触が防がれるようにしてもよい。

なお、実施形態１の加工溝形成ステップのように、切削ブレード１０で加工溝９９を基板９０に形成していた場合は、加工溝９９が実施形態２の加工溝形成ステップのようにレーザー光線１６９の基板９０に対する照射で形成された場合よりも、加工溝９９の幅が広いため、保護部材９５を拡張せずに、チップ９０７のピックアップが可能となる。また、実施形態３の加工溝形成ステップのように、プラズマエッチングで基板９０に加工溝９９を形成していた場合は、図６、図７に示す保護膜９７の除去する幅を変えることで、加工溝９９の幅を制御できるので、基板９０をチップ９０７に分割した後の保護部材９５のエキスパンドの必要／不要を選択できる。

本発明に係る基板の分割方法の各ステップは上記実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。また、各ステップにおいてそれぞれ使用する装置の構成も、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。

例えば、実施形態２の加工溝形成ステップの別例として、図１４に示すチャックテーブル１５に吸引保持された基板９０に対して、透過性を有する波長のレーザー光線１６９を、基板９０の最終的な仕上げ厚みＬ１よりも深い位置Ｚ１に集光点を合わせて照射し、基板９０の内部に分割起点となる改質層９９８を形成し、また、改質層９９８から上方向にクラック９９９を延びるように形成させてもよい。そして、改質層９９８と改質層９９８から延びるクラック９９９と、を加工溝９９としてもよい。表面９００に向かって上方向に延びるクラック９９９は、表面９００に到達していてもよいし、薄化ステップにおいて、研削圧力が改質層９９８に加わった場合に、クラック９９９がさらに表面９００に向かって延びて、基板９０を分割可能な基板９０の内部の所定位置まで延びているだけでもよい。改質層９９８とクラック９９９とからなる加工溝９９は、基板９０の外周９０５側の領域には形成しない。薄化ステップにおいては、該改質層９９８が例えば研削によって除去され、クラック９９９によって基板９０が仕上げ厚みＬ１のチップ９０７に分割される。

１０：切削ブレード１１：スピンドル１２：アライメントユニット
１３：保持テーブル１３５：固定クランプ
１５：チャックテーブル
１６：レーザー光線照射ユニット１６２：レーザー光線発振器１６３：集光器
２：プラズマエッチング装置
２０：静電チャックテーブル２０２：基軸部２０３：ウェーハ保持部
２０５：冷却水通水路２０６：冷却水供給手段
２１：減圧ユニット２２：減圧室２２１：排気口２３：金属板
２５：バイアス高周波電源２５０：スイッチ
２６：エア流路２６２：エア供給源２６３：エア噴出口
２７：搬入出口２７１：シャッター２７２：シャッター可動手段
２９：制御部
３０：ガス噴出ヘッド３１：軸受け３２：ガス拡散空間３２０：ガス導入路
３２２：ガス吐出路３２９：反応ガス供給源
３３：エアシリンダ３４：高周波電源３４０：整合器
７０：チャックテーブル７００：保持面７０３：クランプ
７１：研削ユニット７１０：回転軸７１４：研削ホイール７１６：研削砥石
１９：基板吸着ユニット１９０：アーム１９２：吸着パッド１９３：超音波付与部
１９４：剥離用パルスモータ
９：ワークセット９０：基板９００：基板の表面９０１：分割予定ライン
９０２：デバイス９０３：基板の裏面９０５：基板の外周９０７：チップ
９１：粘着シート９２：環状フレーム９３：リングフレーム９５：保護部材
９６：マスク９７：保護膜９８：ワークセット９９：加工溝
９９８：改質層９９９：クラック

Claims

複数の分割予定ラインに沿って基板を分割する基板の分割方法であって、
基板の表面から複数の該分割予定ラインに沿って、基板を完全に切断せず、かつ、基板の外周まで至らない加工溝を形成する加工溝形成ステップと、
該加工溝形成ステップの実施後に、基板の裏面から該加工溝が露出しないエッチング前厚みまで基板を裏面側から薄化する薄化ステップと、
該薄化ステップの実施後に、基板の裏面側からプラズマエッチングを行い、該加工溝を露出させるとともに基板を仕上げ厚みまで薄化し、基板を分割する分割ステップと、を備える事を特徴とする基板の分割方法。
前記加工溝形成ステップの後、かつ、前記薄化ステップの前に、基板の表面に保護部材を形成する保護部材形成ステップをさらに備える事を特徴とする、請求項１記載の基板の分割方法。
前記薄化ステップは、研削ホイールによって基板を研削して、又は研磨パッドによって基板を研磨して、基板を薄化する事を特徴とする請求項１、又は請求項２記載の基板の分割方法。
前記薄化ステップは、
基板の前記エッチング前厚みに相当する深さに剥離層を形成する剥離層形成ステップと、
該剥離層を起点に基板から該剥離層よりも裏面側の部分を剥離し、該エッチング前厚みの基板を得る剥離ステップと、を有する事を特徴とする請求項１、又は請求項２に記載の基板の分割方法。
前記剥離層は、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を、基板の内部の前記エッチング前厚みに相当する深さに位置づけて、基板の裏面全面にわたりレーザー光線を照射して形成される請求項４に記載の基板の分割方法。