KR20180133808A - 디바이스칩의 제조 방법 - Google Patents

디바이스칩의 제조 방법 Download PDF

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KR20180133808A
KR20180133808A KR1020180064865A KR20180064865A KR20180133808A KR 20180133808 A KR20180133808 A KR 20180133808A KR 1020180064865 A KR1020180064865 A KR 1020180064865A KR 20180064865 A KR20180064865 A KR 20180064865A KR 20180133808 A KR20180133808 A KR 20180133808A
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도시유키 다테이시
도모타카 다부치
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 표면에 디바이스가 형성되고 이면에 막이 형성된 디바이스칩을 제조하는 경우에 있어서, 막의 칩으로부터의 박리, 칩 비산, 또는 칩끼리의 접촉에 의한 손상 등이 발생하지 않도록 하는 것을 과제로 한다.
표면(Wa)에 디바이스(D)가 형성되고 이면(Wb)에 금속막이 형성된 디바이스칩의 제조 방법으로서, 표면(Wa)의 교차하는 복수의 스트리트(S)로 구획된 각 영역에 각각 디바이스(D)가 형성된 웨이퍼(W)를 준비하는 웨이퍼 준비 단계와, 웨이퍼(W)를 스트리트(S)를 따라서 개개의 디바이스칩으로 분할하는 분할 단계와, 개개의 디바이스칩으로 분할된 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 금속막(J)을 형성하는 금속막 형성 단계를 구비한 디바이스칩의 제조 방법이다.

Description

디바이스칩의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE CHIP}
본 발명은, 표면에 디바이스가 형성되고 이면에 막이 형성된 디바이스칩의 제조 방법에 관한 것이다.
이면에 전극이 되는 금속층이 형성된 디바이스칩, 칩의 강도 향상을 위해 이면에 수지층이 형성된 디바이스칩, 또는 다이아 터치용의 본드재로서 이면에 수지 필름이 접착된 디바이스칩이 존재한다. 이들 디바이스칩을 제조하기 위해서는, 웨이퍼의 상태로 이면에 금속막이나 수지막을 성막하거나 수지 필름을 접착하거나 한 후, 이면에 상기 막 등이 형성된 웨이퍼를 분할한다. 그러나, 상이한 재질이 적층된 웨이퍼를 분단하는 것은 어렵고, 수지 등의 특히 연성을 갖는 막을 구비한 웨이퍼를 절삭 블레이드로 절삭하면, 절삭 블레이드에는 막에 의한 막힘이 생기고, 막에는 버어가 발생한다.
최근에는, 디바이스칩의 소형화에 의한 웨이퍼 분할시의 생산성을 높이기 위해, 플라즈마 에칭 장치(예컨대 특허문헌 1 참조)를 이용한 플라즈마 다이싱이 채용되고 있다. 그러나, 에칭 가스에 의한 플라즈마 다이싱으로는 상기 각종 막을 분단할 수 없다. 따라서, 예컨대, 웨이퍼 분할후에 드라이아이스를 분사하여 상기 막을 분단하거나 하여 대처하고 있다(예컨대 특허문헌 2 참조).
일본 특허 공개 제2015-037110호 공보 일본 특허 공개 제2016-096266호 공보
그러나, 상기 특허문헌 2에 기재되어 있는 바와 같이 드라이아이스의 분사로 완전히 막을 분단하는 것은 어렵고, 막에 미분할 영역이 발생할 우려도 있다. 드라이아이스의 분사 압력을 높이는 것으로 미분할 영역의 발생을 억제할 수 있지만, 고압의 드라이아이스의 분사에 의해 막이 칩으로부터 박리되거나, 칩 비산이 발생하거나, 칩이 움직여 인접하는 칩끼리 접촉하여 손상되어 버릴 우려가 있다.
따라서, 표면에 디바이스가 형성되고 이면에 막이 형성된 디바이스칩을 제조하는 경우에는, 막의 칩으로부터의 박리, 칩 비산, 또는 칩끼리의 접촉에 의한 손상 등이 발생하지 않도록 하는 과제가 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 표면에 디바이스가 형성되고 이면에 금속막이 형성된 디바이스칩의 제조 방법으로서, 표면의 교차하는 복수의 스트리트로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 단계와, 상기 웨이퍼를 상기 스트리트를 따라서 개개의 디바이스칩으로 분할하는 분할 단계와, 개개의 상기 디바이스칩으로 분할된 상기 웨이퍼의 이면에 상기 금속막을 형성하는 금속막 형성 단계를 구비한 디바이스칩의 제조 방법이다.
상기 분할 단계에서는, 상기 웨이퍼를 이면측으로부터 미리 정해진 두께로 박화하고, 박화된 상기 웨이퍼를 상기 스트리트를 따라서 개개의 디바이스칩으로 분할하는 것으로 하는 것이 바람직하다.
상기 분할 단계에서는, 상기 웨이퍼의 표면으로부터 상기 스트리트를 따라서 미리 정해진 마무리 두께에 이르는 깊이의 홈을 형성하고, 상기 홈이 형성된 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 배치하고, 상기 보호 부재측을 유지 수단으로 유지한 상태로 상기 웨이퍼를 이면측으로부터 상기 마무리 두께로 박화함으로써 상기 웨이퍼를 개개의 상기 디바이스칩으로 분할하는 것으로 하는 것이 바람직하다.
상기 분할 단계에서는, 상기 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔의 집광점을 상기 웨이퍼의 내부에 위치 부여한 상태로, 상기 스트리트를 따라서 상기 레이저빔을 조사함으로써 상기 스트리트를 따르는 개질층을 형성하고, 상기 개질층이 형성된 웨이퍼를 이면측으로부터 연삭하여 박화함으로써 상기 웨이퍼를 개개의 상기 디바이스칩으로 분할하는 것으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 관한 디바이스칩의 제조 방법은, 웨이퍼를 스트리트를 따라서 개개의 디바이스칩으로 분할하는 분할 단계를 실시하고, 그 후, 개개의 디바이스칩으로 분할된 웨이퍼의 이면에 금속막을 형성하는 금속막 형성 단계를 실시하기 때문에, 막의 칩으로부터의 박리, 칩 비산, 또는 칩끼리의 접촉에 의한 손상 등을 발생시키지 않고, 표면에 디바이스가 형성되고 이면에 막이 형성된 디바이스칩을 제조할 수 있다.
분할 단계에서는, 웨이퍼를 이면측으로부터 미리 정해진 두께로 박화하고, 박화된 웨이퍼를 스트리트를 따라서 개개의 디바이스칩으로 분할하는 것으로 함으로써, 웨이퍼의 테이프 전사 횟수 등을 적게 하거나, 또는 웨이퍼의 테이프 전사를 실시하지 않고, 일련의 프로세스를 실시할 수 있기 때문에, 작업 효율을 향상시킬 수 있다.
분할 단계에서는, 웨이퍼의 표면으로부터 스트리트를 따라서 미리 정해진 마무리 두께에 이르는 깊이의 홈을 형성하고, 홈이 형성된 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 배치하고, 보호 부재측을 유지 수단으로 유지한 상태로 웨이퍼를 이면측으로부터 마무리 두께로 박화함으로써 웨이퍼를 개개의 디바이스칩으로 분할하기 때문에, 일련의 단계를 실시할 때 얇아진 웨이퍼를 반송하는 리스크를 없앨 수 있다.
분할 단계에서는, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔의 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치 부여한 상태로, 스트리트를 따라서 레이저빔을 조사함으로써 스트리트를 따르는 개질층을 형성하고, 개질층이 형성된 웨이퍼를 이면측으로부터 연삭하여 박화하여 웨이퍼를 개개의 디바이스칩으로 분할함으로써, 웨이퍼의 테이프 전사를 실시하지 않고 일련의 프로세스를 실시할 수 있기 때문에, 작업 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 준비된 웨이퍼의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는 프레임을 통해 지지된 상태의 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.
도 3은 웨이퍼를 이면측으로부터 연삭하여 미리 정해진 두께로 박화하고 있는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 4는 연삭후의 웨이퍼에 대하여 스트리트를 따라서 이면측으로부터 레이저빔을 조사하여 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 5는 익스팬드 장치에, 보호 테이프에 접착되고 고리형 프레임으로 지지된 웨이퍼를 셋팅한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 6은 익스팬드 장치에 의해 보호 테이프를 확장함으로써, 웨이퍼를 개질층을 따라서 분할하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 7은 스퍼터링 장치의 일례를 약시적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 디바이스칩으로 분할되고 이면에 금속막이 형성된 웨이퍼를 부분적으로 나타내는 단면도이다.
도 9는 웨이퍼를 이면측으로부터 미리 정해진 두께로 박화하고 있는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 10은 미리 정해진 두께로 박화된 웨이퍼를 절삭 수단에 의해 웨이퍼의 표면측으로부터 스트리트를 따라서 풀커트하고 있는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 11은 디바이스칩 사이에 수용성 수지가 충전된 웨이퍼를 부분적으로 나타내는 단면도이다.
도 12는 디바이스칩 사이에 수용성 수지가 충전된 웨이퍼에 금속막이 형성된 상태를 부분적으로 나타내는 단면도이다.
도 13은 디바이스칩으로 분할되고 이면에 금속막이 형성되고 수용성 수지가 제거된 웨이퍼를 부분적으로 나타내는 단면도이다.
도 14는 절삭 수단에 의해 표면측으로부터 웨이퍼를 스트리트를 따라서 절삭하여 홈을 형성하고 있는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 15는 홈이 형성된 웨이퍼를 이면측으로부터 미리 정해진 두께로 박화하여 분할하고 있는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 16은 디바이스칩으로 분할되고 이면에 금속막이 형성된 웨이퍼를 부분적으로 나타내는 단면도이다.
도 17은 웨이퍼에 대하여 스트리트를 따라서 이면측으로부터 레이저빔을 조사하여 웨이퍼의 내부에 개질층과 크랙을 형성하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 18은 개질층과 크랙이 형성된 웨이퍼를 이면측으로부터 미리 정해진 두께로 박화하여 분할하고 있는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 19는 디바이스칩으로 분할되고 이면에 금속막이 형성된 웨이퍼를 부분적으로 나타내는 단면도이다.
(실시형태 1)
이하에, 본 발명에 관한 디바이스칩의 제조 방법을 실시하는 경우의 각 단계에 관해 설명해 간다.
(1) 웨이퍼 준비 단계
우선, 도 1에 나타내는 웨이퍼(W)가 준비된다. 외형이 원형의 판형인 웨이퍼(W)는, 예컨대 실리콘 웨이퍼이며, 그 표면(Wa)에는, 서로 직교차하는 복수의 스트리트(S)에 의해 구획된 복수의 격자형의 영역에 IC나 LSI 등의 디바이스(D)가 형성되어 있다.
웨이퍼(W)는, 디바이스(D)를 구비하는 칩으로 분할된 후의 핸들링을 쉽게 하기 위해, 도 2에 나타낸 바와 같이, 고리형 프레임(F)에 의해 지지된 상태가 된다. 즉, 우선, 도 2에 나타내는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 보호 테이프(T1)가 접착된다. 보호 테이프(T1)는, 웨이퍼(W)의 외경보다 큰 외경을 갖는 원반형의 테이프이며, 예컨대, 기계적 외력에 대한 적당한 신축성을 갖추고 있다. 도시하지 않은 접착 테이블 위에 배치된 웨이퍼(W)의 중심과 고리형 프레임(F)의 개구의 중심이 대략 합치하도록, 웨이퍼(W)에 대하여 고리형 프레임(F)이 위치 부여된다. 그리고, 접착 테이블 위에서 프레스 롤러 등에 의해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 보호 테이프(T1)가 압박되어 접착된다. 동시에, 보호 테이프(T1)의 점착면의 외주부가 고리형 프레임(F)에도 접착됨으로써, 이면(Wb)이 노출된 상태의 웨이퍼(W)는, 고리형 프레임(F)을 통한 핸들링이 가능해진다.
(2) 분할 단계
이어서, 웨이퍼(W)는, 예컨대, 도 3에 나타내는 연삭 장치(1)에 반송된다. 도 3에 나타내는 연삭 장치(1)는, 유지 수단(10) 위에 유지된 웨이퍼(W)를 연삭 수단(11)에 의해 연삭한다.
유지 수단(10)은, 다공성 부재 등으로 구성되고 웨이퍼(W)를 흡인 유지하는 원형의 유지면(100)을 구비하고 있고, 유지면(100)에는, 도시하지 않은 흡인원이 연통해 있다. 유지 수단(10)은, Z축 방향의 축심 둘레에 회전 가능함과 함께, Y축 방향으로 왕복 이동 가능하다.
연삭 수단(11)은, 축방향이 Z축 방향인 스핀들(110)과, 스핀들(110)을 회전 구동시키는 도시하지 않은 모터와, 스핀들(110)의 하단측에 연결된 마운트(111)와, 마운트(111)의 하면에 착탈 가능하게 장착된 연삭 휠(112)을 구비한다.
연삭 휠(112)은, 원환형의 휠 베이스(112b)와, 휠 베이스(112b)의 하면에 고리형으로 복수 배치된 대략 직방체 형상의 연삭 지석(112a)을 구비하고 있다.
우선, 웨이퍼(W)가, 이면(Wb)측을 위로 향하게 한 상태로 유지 수단(10)의 유지면(100) 위에 배치되고, 유지 수단(10)에 의해 흡인 유지된다. 이어서, 유지 수단(10)이, 연삭 수단(11)의 아래까지 Y축 방향으로 이동하고, 예컨대, 연삭 휠(112)의 회전 중심이 웨이퍼(W)의 회전 중심에 대하여 미리 정해진 거리만큼 +Y 방향으로 틀어져, 연삭 지석(112a)의 회전 궤도가 웨이퍼(W)의 회전 중심을 통과하도록 미리 정해진 위치에 위치 부여된다.
스핀들(110)이 회전 구동됨에 따라 연삭 휠(112)이 회전한다. 또한, 연삭 수단(11)이 -Z 방향으로 이송되고, 회전하는 연삭 지석(112a)이 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 접촉함으로써 연삭 가공이 행해진다. 연삭중에는, 유지 수단(10)이 회전함에 따라, 유지면(100) 위에 유지된 웨이퍼(W)도 회전하기 때문에, 연삭 지석(112a)이 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 전면을 연삭 가공한다. 연삭 가공중에는, 연삭수를 연삭 지석(112a)과 웨이퍼(W)의 접촉 부위에 대하여 공급하여, 접촉 부위를 냉각ㆍ세정한다. 그리고 원하는 두께까지 웨이퍼(W)를 연삭하여, 웨이퍼(W)에 대한 연삭 가공을 종료한다.
원하는 두께로 박화된 웨이퍼(W)는, 도 4에 나타내는 레이저 가공 장치(2)에 반송된다. 레이저 가공 장치(2)는, 예컨대, 웨이퍼(W)를 흡인 유지하는 유지 테이블(20)과, 유지 테이블(20)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔을 조사하는 레이저빔 조사 수단(21)을 적어도 구비하고 있다.
유지 테이블(20)은, 예컨대, 그 외형이 원형이며, 다공성 부재 등으로 이루어진 수평의 유지면(20a) 위에서 웨이퍼(W)를 흡인 유지한다. 유지 테이블(20)은, Z축 방향의 축심 둘레에 회전 가능함과 함께, 도시하지 않은 가공 이송 수단에 의해 X축 방향으로 왕복 이동 가능하고, 또한, 도시하지 않은 인덱싱 이송 수단에 의해 Y축 방향으로 왕복 이동 가능하게 되어 있다. 유지 테이블(20)의 외주부에는, 예컨대 4개(도시예에서는 2개만 도시함)의 고정 클램프(200)가 균등하게 배치되어 있다.
레이저빔 조사 수단(21)은, 레이저빔 발진기(219)로부터 발진되고 웨이퍼(W)에 투과성을 갖는 파장의 레이저빔을, 광파이버 등의 전송 광학계를 통해 집광기(211) 내부의 집광 렌즈(211a)에 입광시킴으로써, 레이저빔을 유지 테이블(20)로 유지된 웨이퍼(W)의 미리 정해진 높이 위치에 집광하여 조사할 수 있다. 또, 집광기(211)에 의해 집광되는 레이저빔의 집광점 위치는, 도시하지 않은 집광점 위치 조정 수단에 의해 유지 테이블(20)의 유지면(20a)에 대하여 수직인 방향(Z축 방향)으로 조정 가능하게 되어 있다.
우선, 고리형 프레임(F)에 의해 지지되어 있는 연삭후의 웨이퍼(W)가, 이면(Wb)이 상측을 향한 상태로 유지 테이블(20)에 의해 흡인 유지된다. 또한, 각 고정 클램프(200)에 의해 고리형 프레임(F)이 고정된다. 이어서, 유지 테이블(20)에 유지된 웨이퍼(W)가 -X 방향(진행 방향)으로 이송됨과 함께, 레이저빔을 웨이퍼(W)에 조사하기 위한 기준이 되는 1개의 스트리트(S)의 위치가 검출된다.
스트리트(S)의 위치 검출은, 레이저빔 조사 수단(21)의 근방에 배치된 도시하지 않은 얼라인먼트 수단에 의해 이루어진다. 얼라인먼트 수단은, 적외선을 조사하는 적외선 조사 수단과, 적외선 CCD 등으로 구성된 적외선 카메라를 구비하고 있고, 적외선 카메라에 의해 웨이퍼(W)를 이면(Wb)측으로부터 투과하여 촬상한 화상에 기초하여, 패턴 매칭 등의 화상 처리를 행하고, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 스트리트(S)의 Y축 방향에서의 위치를 검출한다.
스트리트(S)가 검출됨에 따라, 유지 테이블(20)이 Y축 방향으로 인덱싱 이송되고, 레이저빔을 조사하는 기준이 되는 스트리트(S)와 레이저빔 조사 수단(21)의 집광기(211)의 Y축 방향에서의 위치 맞춤이 이루어진다. 이어서, 집광 렌즈(211a)에 의해 집광되는 레이저빔의 집광점 위치를, 웨이퍼(W) 내부의 미리 정해진 높이 위치에 위치 부여한다. 그리고, 레이저빔 발진기(219)로부터 웨이퍼(W)에 투과성을 갖는 파장의 레이저빔을 발진시키고, 레이저빔을 유지 테이블(20)로 유지된 웨이퍼(W)의 내부에 집광하여 조사한다.
레이저빔을 스트리트(S)를 따라서 웨이퍼(W)에 조사하면서, 웨이퍼(W)를 -X 방향으로 미리 정해진 가공 이송 속도로 가공 이송하고, 도 4에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)의 내부에 개질층(M)을 형성해 간다.
1개의 스트리트(S)를 따라서 레이저빔의 조사를 끝내는 X축 방향의 미리 정해진 위치까지 웨이퍼(W)가 -X 방향으로 진행되면, 레이저빔의 조사를 정지함과 함께 웨이퍼(W)의 -X 방향으로의 가공 이송이 정지된다. 이어서, 유지 테이블(20)이 Y축 방향으로 인덱싱 이송되고, -X 방향에서의 가공 이송에 있어서 레이저빔 조사시에 기준이 된 스트리트(S)의 이웃에 위치하는 스트리트(S)와 집광기(211)의 Y축 방향에서의 위치 맞춤이 행해진다. 위치 맞춤된 후, 웨이퍼(W)가 +X 방향(복귀 방향)으로 가공 이송되고, 진행 방향에서의 레이저빔의 조사와 마찬가지로, 1개의 스트리트(S)를 따라서 웨이퍼(W)의 내부에 레이저빔이 조사되어 개질층(M)이 형성되어 간다. 순차적으로 동일한 레이저빔을 조사함으로써, X축 방향으로 연장되는 모든 스트리트(S)를 따라서 레이저빔이 웨이퍼(W)의 내부에 조사되어, 각 스트리트(S)를 따라서 개질층(M)이 형성된다.
또한, 유지 테이블(20)을 90도 회전시키고 나서 동일한 레이저빔의 조사를 웨이퍼(W)에 대하여 행하면, 종횡의 모든 스트리트(S)를 따라서 웨이퍼(W)의 내부에 개질층(M)을 형성할 수 있다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 개질층(M)이 형성된 웨이퍼(W)는 익스팬드 장치(5)에 반송된다. 익스팬드 장치(5)는, 예컨대, 보호 테이프(T1)의 외경보다 대직경의 고리형 테이블(50)을 구비하고 있고, 고리형 테이블(50)의 개구(50c)의 직경은 보호 테이프(T1)의 외경보다 작게 형성되어 있다. 고리형 테이블(50)의 외주부에는, 4개(도시예에서는 2개만 도시함)의 고정 클램프(52)가 균등하게 배치되어 있다. 고정 클램프(52)는, 도시하지 않은 스프링 등에 의해 회전축(52c)을 축으로 회동 가능하며, 고리형 테이블(50)의 유지면(50a)과 고정 클램프(52)의 하면 사이에 고리형 프레임(F)을 끼워 넣을 수 있다.
고리형 테이블(50)의 개구(50c) 내에는, 원통형의 확장 드럼(53)이 높이 위치를 고정하여 배치되어 있고, 고리형 테이블(50)의 중심과 확장 드럼(53)의 중심은 대략 합치하고 있다. 이 확장 드럼(53)의 외경은, 보호 테이프(T1)의 외경보다 작고, 또한 웨이퍼(W)의 외경보다 크게 형성되어 있다.
고리형 테이블(50)은, 예컨대 에어 실린더 등으로 이루어진 고리형 테이블 승강 수단(55)에 의해 상하 이동 가능하게 되어 있다.
우선, 기준 높이 위치에 위치 부여된 고리형 테이블(50)의 유지면(50a)에, 고리형 프레임(F)이 배치된다. 이어서, 고정 클램프(52)를 회동시켜, 고리형 프레임(F)이 고정 클램프(52)와 고리형 테이블(50)의 유지면(50a) 사이에 끼워져 고정된 상태로 한다. 이 상태에서는, 고리형 테이블(50)의 유지면(50a)과 확장 드럼(53)의 고리형의 상단부면과는 동일한 높이 위치에 있고, 확장 드럼(53)의 상단부면이, 보호 테이프(T1)의 고리형 프레임(F)의 내주 가장자리와 웨이퍼(W)의 외주 가장자리 사이의 영역에, 보호 테이프(T1)의 기재면측(도 5에서의 하면측)으로부터 접촉한다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 고리형 테이블 승강 수단(55)이 고리형 테이블(50)을 -Z 방향으로 하강시킴으로써, 고리형 테이블(50)의 유지면(50a)을 확장 드럼(53)의 상단부면보다 하측의 테이프 확장 위치에 위치 부여한다. 그 결과, 확장 드럼(53)은 고정 클램프(52)에 대하여 상대적으로 상승하고, 보호 테이프(T1)는, 확장 드럼(53)의 상단부면에 의해 밀려 올라가 직경 방향 외측을 향해 확장된다. 또한, 외력(확장력)이 보호 테이프(T1)를 통해 웨이퍼(W)에 대하여 부여됨으로써, 스트리트(S)를 따라서 형성된 개질층(M)을 기점으로 균열이 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 및 이면(Wb)을 향해 신장되고, 웨이퍼(W)는 직사각형의 개개의 디바이스칩(C)으로 분할된다.
또, 분할 단계에서는, 상기와 같이 하여 웨이퍼(W)를 디바이스칩(C)으로 분할하는 것 외에도, 절삭 블레이드에 의한 다이싱, 플라즈마 에칭 장치를 이용한 플라즈마 다이싱, 또는 레이저 가공 장치(2)를 이용한 레이저 풀커트에 의해, 웨이퍼(W)를 디바이스칩(C)으로 분할하는 것으로 해도 좋다.
다음으로, 웨이퍼(W)는, 예컨대, 도 7에 나타내는 스퍼터링 장치(8)에 반송된다. 스퍼터링 장치(8)의 챔버(81)의 내부에는 정전척 테이블(80)이 배치되어 있다. 정전척 테이블(80)은, 예컨대, 챔버(81)의 하부에 도시하지 않은 베어링을 통해 회전 가능하게 삽입 관통되어 있는 기축부(800)와, 기축부(800)와 일체적으로 형성된 원판형의 테이블 본체(801)를 구비하고 있다. 테이블 본체(801)의 상면은, 알루미나 등의 세라믹 또는 산화티탄 등의 유전체로 형성되고 웨이퍼(W)를 유지하는 유지면(801a)이 된다.
챔버(81) 내의 상측의 정전척 테이블(80)에 대향하는 위치에는, 미리 정해진 금속으로 이루어진 스퍼터원(84)이 여자 부재(83)에 지지된 상태로 배치되어 있다. 이 스퍼터원(84)에는 고주파 전원(85)이 연결되어 있다.
챔버(81)의 한쪽 측부에는, 아르곤 가스 등의 스퍼터 가스를 도입하는 도입구(810)가 마련되고, 다른쪽 측부에는 감압원에 연통하는 감압구(811)가 마련되어 있다.
금속막 형성 단계에서는, 우선, 웨이퍼(W)가 보호 테이프(T1)를 하측으로 한 상태로 스퍼터링 장치(8)의 정전척 테이블(80)에 의해 흡착 유지된다. 그리고, 도시하지 않은 감압원을 작동시켜, 감압구(811)를 통해 챔버(81) 내를 10-2 Pa∼10-4 Pa 정도까지 감압한다. 또한, 여자 부재(83)에 의해 자화된 스퍼터원(84)에 고주파 전원(85)으로부터 예컨대 40 kHz 정도의 고주파 전력을 인가하고, 또한, 도입구(810)로부터 아르곤 가스를 도입함으로써, 챔버(81) 내에 플라즈마를 발생시킨다.
플라즈마 중의 아르곤 원자가 스퍼터원(84)에 충돌하여 스퍼터원(84)으로부터 금속 입자가 튕겨 나와, 상기 금속 입자가, 이면(Wb)이 스퍼터원(84)에 대향한 상태로 되어 있는 웨이퍼(W)를 향해 간다. 그리고, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 상기 금속 입자가 퇴적되어, 도 8에 나타낸 바와 같이, 이면(Wb)이 대략 균일한 미리 정해진 두께(예컨대 0.5 ㎛∼30 ㎛ 정도)의 금속막(J)에 의해 피복된다. 금속막(J)은 디바이스칩(C)마다 분단되어 있다.
또, 금속막 형성 단계는, 상기와 같은 스퍼터링 대신에 CVD에 의한 증착이나, 습식 도금 도장 등으로 실시해도 좋다.
본 발명에 관한 디바이스칩의 제조 방법은, 웨이퍼(W)를 스트리트(S)를 따라서 개개의 디바이스칩으로 분할하는 분할 단계를 실시하고, 그 후, 개개의 디바이스칩(C)으로 분할된 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 금속막(J)을 형성하는 금속막 형성 단계를 실시하기 때문에, 금속막(J)의 칩으로부터의 박리, 칩 비산, 또는 칩끼리의 접촉에 의한 손상 등을 발생시키지 않고, 표면(Wa)에 디바이스(D)가 형성되고 이면(Wb)에 금속막(J)이 형성된 디바이스칩(C)을 제조할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 분할 단계에서는, 웨이퍼(W)를 이면(Wb)측으로부터 미리 정해진 두께로 박화하고, 박화된 웨이퍼(W)를 스트리트(S)를 따라서 개개의 디바이스칩(C)으로 분할, 즉, 레이저빔에 의한 개질층(M)을 형성한 후 테이프 익스팬드로 분할하는 것으로 함으로써, 웨이퍼(W)의 테이프 전사 등을 실시하지 않더라도 일련의 프로세스를 실시할 수 있기 때문에, 작업 효율을 향상시킬 수 있다.
(실시형태 2)
이하에, 본 발명에 관한 디바이스칩의 제조 방법을 실시하는 경우의 각 단계에 관해 설명해 간다.
(1) 웨이퍼 준비 단계
우선, 도 9에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)가 준비되고, 그 표면(Wa)에 웨이퍼(W)와 동일한 직경의 보호 테이프(T2)가 접착된다. 또, 웨이퍼(W)는, 도 1에 나타내는 웨이퍼(W)와 동일한 것이다.
(2) 분할 단계
웨이퍼(W)는, 도 9에 나타내는 연삭 장치(1)에 반송된다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)가, 이면(Wb)측을 위로 향하게 한 상태로 유지면(100) 위에 배치되고, 유지 수단(10)에 의해 흡인 유지된다. 이어서, 웨이퍼(W)를 유지한 유지 수단(10)이, 연삭 수단(11)의 아래까지 Y축 방향으로 이동하여, 연삭 지석(112a)의 회전 궤도가 웨이퍼(W)의 회전 중심을 통과하도록 위치 부여된다.
스핀들(110)이 회전 구동됨에 따라 연삭 휠(112)이 회전한다. 그리고, 회전하는 연삭 지석(112a)이 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 접촉하도록 -Z 방향으로 이송되어 연삭 가공이 행해진다. 유지 수단(10)이 회전함에 따라 웨이퍼(W)도 회전하기 때문에, 연삭 지석(112a)이 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 전면을 연삭 가공한다. 또한, 연삭수가 연삭 지석(112a)과 웨이퍼(W)의 접촉 부위에 대하여 공급된다. 웨이퍼(W)를 미리 정해진 두께에 이를 때까지 연삭한 후, 웨이퍼(W)에 대한 연삭 가공을 종료한다.
이어서, 웨이퍼(W)는, 도 10에 나타내는 절삭 수단(31)에 의해, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)으로부터 스트리트(S)를 따라서 풀커트된다. 절삭 수단(31)은, 축방향이 웨이퍼(W)의 이동 방향(X축 방향)에 대하여 수평 방향으로 직교하는 방향(Y축 방향)인 스핀들(311)을 구비하고 있고, 스핀들(311)의 선단에는 원환형의 절삭 블레이드(310)가 고정되어 있다.
절삭 가공이 실시됨에 있어서, 예컨대, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 웨이퍼(W)보다 대직경의 다이싱 테이프(T3)가 압박되어 접착된다. 동시에, 다이싱 테이프(T3)의 점착면의 외주부가 고리형 프레임(F)에도 접착됨으로써, 표면(Wa)이 노출된 상태의 웨이퍼(W)는, 고리형 프레임(F)을 통한 핸들링이 가능해진다. 그 후, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)으로부터 도 9에 나타내는 보호 테이프(T2)가 박리된다.
웨이퍼(W)는, 도시하지 않은 척테이블에 의해 표면(Wa)이 상측을 향한 상태로 흡인 유지되고, 척테이블의 협지 클램프 등에 의해 고리형 프레임(F)이 고정된 상태가 된다. 그 후, 웨이퍼(W)가 -X 방향측으로 송출되고, 웨이퍼(W)의 절삭 블레이드(310)를 절입시켜야 할 스트리트(S)의 Y축 방향의 좌표 위치가 검출된다. 스트리트(S)가 검출됨에 따라서, 절삭 수단(31)이 Y축 방향으로 인덱싱 이송되고, 절삭해야 할 스트리트(S)와 절삭 블레이드(310)의 Y축 방향에서의 위치 맞춤이 행해진다.
스핀들(311)이 회전함에 따라, 절삭 블레이드(310)가 -Y 방향측에서 볼 때 시계 방향으로 회전한다. 또한, 절삭 수단(31)이 -Z 방향을 향해 절입 이송되고, 절삭 블레이드(310)의 최하단이 웨이퍼(W)를 완전히 절단하고 다이싱 테이프(T3)에 절입되는 미리 정해진 높이 위치에 절삭 수단(31)이 위치 부여된다.
웨이퍼(W)를 유지하는 척테이블이 미리 정해진 절삭 이송 속도로 -X 방향측으로 더욱 송출됨으로써, 회전하는 절삭 블레이드(310)가 스트리트(S)를 따라서 웨이퍼(W)의 표면(Wa)측으로부터 절입되어 웨이퍼(W)가 풀커트된다. 절삭 블레이드(310)가 1개의 스트리트(S)를 완전히 절삭하는 -X 방향의 미리 정해진 위치까지 웨이퍼(W)가 이송되면, 웨이퍼(W)의 절삭 이송이 정지되고, 절삭 블레이드(310)가 웨이퍼(W)로부터 이격되고, 이어서, 웨이퍼(W)가 +X 방향으로 이동하여 원점 위치로 되돌아간다. 그리고, 인접하는 스트리트(S)의 간격씩 절삭 블레이드(310)를 +Y 방향으로 인덱싱 이송하면서 순차적으로 동일한 절삭을 행함으로써, X축 방향의 모든 스트리트(S)를 따라서 웨이퍼(W)를 절삭한다. 또한, 웨이퍼(W)를 90도 회전시키고 나서 동일한 절삭 가공을 행함으로써, 모든 스트리트(S)를 따라서 웨이퍼(W)를 절삭하여, 웨이퍼(W)를 디바이스(D)를 구비하는 개개의 칩으로 분할할 수 있다.
또, 분할 단계에서는, 플라즈마 다이싱, 레이저 다이싱, 또는 레이저빔에 의한 개질층을 형성한 후의 테이프 익스팬드에 의해, 웨이퍼(W)를 디바이스칩(C)으로 분할하는 것으로 해도 좋다.
예컨대, 칩으로 분할된 웨이퍼(W)는, 도시하지 않은 스핀코터 등에 반송되고, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)측으로부터 수용성의 액상 수지(예컨대, 폴리비닐피롤리돈이나 폴리비닐알콜)이 도포되어, 도 11에 나타낸 바와 같이 각 칩(C) 사이에 수용성 수지(H)가 충전된 상태가 된다. 그 후, 상기 수용성 수지(H)가 예컨대 건조되어 경화한다.
(3) 금속막 형성 단계
수용성 수지(H)가 칩(C) 사이에 충전된 웨이퍼(W)는, 예컨대 도 12에 나타낸 바와 같이, 표면(Wa)에 보호 테이프(T4)가 접착됨과 함께, 이면(Wb)으로부터 다이싱 테이프(T3)가 박리되고, 그 후, 도 7에 나타내는 스퍼터링 장치(8)에 반송된다. 또, 웨이퍼(W)는, 표면(Wa)에 보호 테이프(T4)가 접착되지 않아도 좋다. 그리고, 실시형태 1의 금속막 형성 단계에서의 경우와 마찬가지로, 이면(Wb)에 대략 균일한 미리 정해진 두께(예컨대 0.5 ㎛∼30 ㎛ 정도)의 금속막(J)을 형성한다. 또, 금속막(J)의 형성에서는, 예컨대, 칩(C)에 대응하는 직사각형의 슬릿이 형성된 도시하지 않은 판형의 마스크를 이용하는 것이 좋다. 즉, 마스크를 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 씌우고, 웨이퍼(W)의 이면(Wb) 중의 칩(C)의 이면만이 마스크의 직사각형의 슬릿으로부터 노출된 상태로 스퍼터링을 실시한다. 그 결과, 칩(C)의 이면에 대응한 영역에만 금속막(J)을 형성할 수 있다. 본 실시형태 2에서의 금속막 형성 단계에서는, 웨이퍼(W)가 각 칩(C) 사이에 수용성 수지(H)가 충전된 상태로 되어 있기 때문에, 각 칩(C)의 측면까지 금속막(J)으로 피복되어 버릴 우려가 없어진다.
이면(Wb)에 금속막(J)이 형성된 웨이퍼(W)는, 예컨대, 금속막(J)의 노출면 위에 도 13에 나타내는 보호 부재(T5)가 접착됨과 함께, 표면(Wa)으로부터 보호 테이프(T4)가 박리되고, 도시하지 않은 수용성 수지 제거 장치에 반송된다. 예컨대, 수용성 수지 제거 장치에 있어서, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 향해 세정수가 분사되고, 수용성 수지(H)가 세정수에 의해 용해됨으로써, 도 13에 나타낸 바와 같이 칩(C) 사이에서 수용성 수지(H)가 제거된다.
본 발명에 관한 디바이스칩의 제조 방법은, 예컨대 블레이드 다이싱에 의해 웨이퍼(W)를 스트리트(S)를 따라서 개개의 디바이스칩으로 분할하는 분할 단계를 실시하고, 그 후, 개개의 디바이스칩으로 분할된 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 금속막(J)을 형성하는 금속막 형성 단계를 실시하기 때문에, 금속막(J)의 칩으로부터의 박리, 칩 비산, 또는 칩끼리의 접촉에 의한 손상 등을 발생시키지 않고, 표면(Wa)에 디바이스(D)가 형성되고 이면(Wb)에 금속막(J)이 형성된 디바이스칩(C)을 제조할 수 있다.
(실시형태 3)
이하에, 본 발명에 관한 디바이스칩의 제조 방법을 실시하는 경우의 각 단계에 관해 설명해 간다.
(1) 웨이퍼 준비 단계
우선, 도 14에 나타내는 웨이퍼(W)가 준비된다. 웨이퍼(W)의 이면(Wb)은, 예컨대, 도시하지 않은 다이싱 테이프에 의해 보호되어 있다. 또, 웨이퍼(W)는, 도 1에 나타내는 웨이퍼(W)와 동일한 것이다.
(2) 분할 단계
이어서, 웨이퍼(W)는, 도 14에 나타내는 절삭 수단(31)에 의해, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)측으로부터 스트리트(S)를 따라서 미리 정해진 마무리 두께에 이르는 깊이의 홈이 형성된다. 우선, 웨이퍼(W)는, 도시하지 않은 척테이블에 의해 표면(Wa)이 상측을 향한 상태로 흡인 유지된다. 그 후, 웨이퍼(W)가 -X 방향측으로 송출되고, 웨이퍼(W)의 절삭 블레이드(310)를 절입시켜야 할 스트리트(S)의 Y축 방향의 좌표 위치가 검출된다. 그리고, 절삭 수단(31)이 Y축 방향으로 인덱싱 이송되고, 절삭해야 할 스트리트(S)와 절삭 블레이드(310)의 Y축 방향에서의 위치 맞춤이 행해진다.
절삭 블레이드(310)가 -Y 방향측에서 볼 때 시계 방향으로 회전한다. 또한, 절삭 수단(31)이 -Z 방향을 향해 절입 이송되고, 절삭 블레이드(310)가 웨이퍼(W)를 완전히 절단하지 않는 미리 정해진 높이 위치에 위치 부여된다. 이 미리 정해진 높이 위치는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)으로부터 형성되는 홈의 바닥면까지의 거리가 웨이퍼(W)의 마무리 두께가 되는 위치이다.
웨이퍼(W)가 미리 정해진 절삭 이송 속도로 -X 방향측으로 더 송출됨으로써, 절삭 블레이드(310)가 스트리트(S)를 따라서 웨이퍼(W)의 표면(Wa)측으로부터 절입되어 가고, 마무리 두께에 이르는 깊이의 홈(G)이 형성된다. 인접하는 스트리트(S)의 간격씩 절삭 블레이드(310)를 +Y 방향으로 인덱싱 이송하면서 순차적으로 동일한 절삭을 행함으로써, X축 방향의 모든 스트리트(S)를 따라서 홈(G)을 웨이퍼(W)에 형성한다. 또한, 웨이퍼(W)를 90도 회전시키고 나서 동일한 절삭 가공을 행함으로써, 모든 스트리트(S)를 따라서 홈(G)을 형성할 수 있다.
홈(G)이 형성된 웨이퍼(W)는, 도 15에 나타낸 바와 같이, 표면(Wa)에 보호 부재(T6)가 접착됨과 함께, 이면(Wb)으로부터 도시하지 않은 다이싱 테이프가 박리된다. 보호 부재(T6)는, 웨이퍼(W)와 동일한 정도의 직경을 구비하는 원반형의 테이프이다.
그리고, 웨이퍼(W)는, 도 15에 나타내는 연삭 장치(1)에 반송되고, 이면(Wb)측을 위로 향하게 한 상태로 유지 수단(10)에 흡인 유지된다. 이어서, 웨이퍼(W)를 유지한 유지 수단(10)이, 연삭 수단(11)의 아래까지 Y축 방향으로 이동한다.
그리고, 연삭 휠(112)이 -Z 방향으로 이송되고, 회전하는 연삭 지석(112a)이 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 연삭해 간다. 연삭중에는, 유지 수단(10)이 회전함에 따라 웨이퍼(W)도 회전하기 때문에, 연삭 지석(112a)이 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 전면을 연삭 가공한다. 그리고, 홈(G)의 바닥이 웨이퍼(W)의 이면(Wb)측에 노출될 때까지 이면(Wb)을 연삭함으로써, 도 15에 나타낸 바와 같이, 마무리 두께로 박화된 웨이퍼(W)는, 디바이스(D)를 구비하는 복수의 칩(C)으로 분할된다.
(3) 금속막 형성 단계
칩(C)으로 분할된 웨이퍼(W)는, 도 7에 나타내는 스퍼터링 장치(8)에 반송된다. 그리고, 실시형태 1의 금속막 형성 단계에서의 경우와 마찬가지로, 도 16에 나타낸 바와 같이, 이면(Wb)에 대략 균일한 미리 정해진 두께(예컨대 0.5 ㎛∼30 ㎛ 정도)의 디바이스칩(C)마다 분단되어 있는 금속막(J)이 형성된다.
본 발명에 관한 디바이스칩의 제조 방법은, 웨이퍼(W)를 스트리트(S)를 따라서 개개의 디바이스칩으로 분할하는 분할 단계를 실시하고, 그 후, 개개의 디바이스칩으로 분할된 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 금속막(J)을 형성하는 금속막 형성 단계를 실시하기 때문에, 금속막(J)의 칩으로부터의 박리, 칩 비산, 또는 칩끼리의 접촉에 의한 손상 등을 발생시키지 않고, 표면(Wa)에 디바이스(D)가 형성되고 이면(Wb)에 금속막(J)이 형성된 디바이스칩(C)을 제조할 수 있다.
또한, 분할 단계에서는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)으로부터 스트리트(S)를 따라서 미리 정해진 마무리 두께에 이르는 깊이의 홈(G)을 형성하고, 홈(G)이 형성된 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 보호 부재(T6)를 배치하고, 보호 부재(T6)측을 유지 수단(10)으로 유지한 상태로 웨이퍼(W)를 이면(Wb)측으로부터 마무리 두께로 박화함으로써 웨이퍼(W)를 개개의 디바이스칩(C)으로 분할하기 때문에, 일련의 단계를 실시할 때에 얇아진 웨이퍼(W)를 반송하는 리스크를 없앨 수 있다.
(실시형태 4)
이하에, 본 발명에 관한 디바이스칩의 제조 방법을 실시하는 경우의 각 단계에 관해 설명해 간다.
(1) 웨이퍼 준비 단계
우선, 도 17에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)가 준비되고, 예컨대, 그 표면(Wa)에 웨이퍼(W)와 동일한 직경의 보호 테이프(T7)가 접착된다. 또, 웨이퍼(W)는, 도 1에 나타내는 웨이퍼(W)와 동일한 것이며, 예컨대, 고리형 프레임에 의해 지지되어 있어도 좋다.
(2) 분할 단계
웨이퍼(W)는, 레이저 가공 장치(2)로 반송되고, 이면(Wb)이 상측을 향하게 한 상태로 유지 테이블(20)에 의해 흡인 유지된다. 이어서, 유지 테이블(20)에 유지된 웨이퍼(W)가 -X 방향(진행 방향)으로 이송됨과 함께, 레이저빔을 웨이퍼(W)에 조사하기 위한 기준이 되는 1개의 스트리트(S)의 위치가 검출된다.
유지 테이블(20)이 Y축 방향으로 인덱싱 이송되고, 스트리트(S)와 레이저빔 조사 수단(21)의 집광기(211)의 Y축 방향에서의 위치 맞춤이 이루어진다. 또한, 집광 렌즈(211a)에 의해 집광되는 레이저빔의 집광점 위치가, 웨이퍼(W) 내부의 미리 정해진 높이 위치에 위치 부여된다. 그리고, 레이저빔 발진기(219)로부터 웨이퍼(W)에 투과성을 갖는 파장의 레이저빔을 발진시키고, 레이저빔을 유지 테이블(20)로 유지된 웨이퍼(W)의 내부에 집광하여 조사한다. 또, 레이저빔의 출력은, 예컨대, 후술하는 개질층(K)으로부터 크랙이 신장되는 출력으로 조정된다.
레이저빔을 스트리트(S)를 따라서 웨이퍼(W)에 조사하면서, 웨이퍼(W)를 -X 방향으로 미리 정해진 가공 이송 속도로 가공 이송하고, 도 17에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)의 내부에 개질층(K)을 형성해 간다. 또한, 개질층(K)으로부터 웨이퍼(W)의 표면(Wa)으로 신장하여 도달하는 다수의 미세한 크랙이 형성되어 간다. 크랙은 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 향해서도 신장된다.
1개의 스트리트(S)를 따라서 레이저빔의 조사를 끝내는 X축 방향의 미리 정해진 위치까지 웨이퍼(W)가 -X 방향으로 진행되면, 레이저빔의 조사를 정지함과 함께 웨이퍼(W)의 -X 방향으로의 가공 이송이 정지된다. 이어서, 유지 테이블(20)이 Y축 방향으로 인덱싱 이송되고, -X 방향에서의 가공 이송에 있어서 레이저빔 조사시에 기준이 된 스트리트(S)의 이웃에 위치하는 스트리트(S)와 집광기(211)의 Y축 방향에서의 위치 맞춤이 행해진다. 위치 맞춤된 후, 웨이퍼(W)가 +X 방향(복귀 방향)으로 가공 이송되고, 진행 방향에서의 레이저빔의 조사와 마찬가지로, 1개의 스트리트(S)를 따라서 웨이퍼(W)의 내부에 레이저빔이 조사되어 개질층(M)과 크랙이 형성되어 간다. 순차적으로 동일한 레이저빔의 조사를 행함으로써, X축 방향으로 연장되는 모든 스트리트(S)를 따라서 개질층(M)과 크랙이 형성된다.
또한, 유지 테이블(20)을 90도 회전시키고 나서 동일한 레이저빔의 조사를 웨이퍼(W)에 대하여 행하면, 종횡의 모든 스트리트(S)를 따라서 웨이퍼(W)의 내부에 개질층(M)과 크랙을 형성할 수 있다.
또, 웨이퍼 준비 단계에서, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 보호 테이프(T7)를 접착하고, 본 분할 단계에서, 레이저빔을 표면(Wa)측으로부터 웨이퍼(W)에 조사하는 것으로 해도 좋다.
다음으로, 웨이퍼(W)는, 도 18에 나타내는 연삭 장치(1)에 반송되고, 이면(Wb)측을 위로 향하게 한 상태로 유지 수단(10)에 흡인 유지된다. 웨이퍼(W)를 유지한 유지 수단(10)이 연삭 수단(11)의 아래까지 Y축 방향으로 이동하고, 또한, 연삭 휠(112)이 -Z 방향으로 이송되어 회전하는 연삭 지석(112a)이 웨이퍼(W)의 이면(Wb)을 연삭해 간다. 연삭중에는, 유지 수단(10)이 회전함에 따라 웨이퍼(W)도 회전하기 때문에, 연삭 지석(112a)이 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 전면의 연삭 가공을 행한다. 그리고, 연삭에 의해, 개질층(M)이 제거됨과 함께 스트리트(S)를 따르는 크랙에 연삭 압력이 작용하여, 웨이퍼(W)는 개개의 디바이스칩(C)으로 분할된다.
(3) 금속막 형성 단계
칩(C)으로 분할된 웨이퍼(W)는, 도 7에 나타내는 스퍼터링 장치(8)에 반송된다. 그리고, 실시형태 1의 금속막 형성 단계에서의 경우와 마찬가지로, 도 19에 나타낸 바와 같이, 이면(Wb)에 대략 균일한 미리 정해진 두께(예컨대 0.5 ㎛∼30 ㎛ 정도)의 디바이스칩(C)마다 분단되어 있는 금속막(J)이 형성된다.
본 발명에 관한 디바이스칩의 제조 방법은, 예컨대, 웨이퍼(W)를 스트리트(S)를 따라서 개개의 디바이스칩으로 분할하는 분할 단계를 실시하고, 그 후, 개개의 디바이스칩으로 분할된 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 금속막(J)을 형성하는 금속막 형성 단계를 실시하기 때문에, 금속막(J)의 칩으로부터의 박리, 칩 비산, 또는 칩끼리의 접촉에 의한 손상 등을 발생시키지 않고, 표면(Wa)에 디바이스(D)가 형성되고 이면(Wb)에 금속막(J)이 형성된 디바이스칩(C)을 제조할 수 있다.
분할 단계에서는, 웨이퍼(W)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔의 집광점을 웨이퍼(W)의 내부에 위치 부여한 상태로, 스트리트(S)를 따라서 레이저빔을 조사함으로써 스트리트(S)를 따르는 개질층(K)을 형성하고, 개질층(K)이 형성된 웨이퍼(W)를 이면(Wb)측으로부터 연삭하여 박화함으로써 웨이퍼(W)를 개개의 디바이스칩(C)으로 분할한다. 그 때문에, 웨이퍼(W)의 테이프 전사를 실시하지 않고 일련의 프로세스를 실시할 수 있기 때문에, 작업 효율을 향상시킬 수 있다.
W : 웨이퍼 Wa : 웨이퍼의 표면
Wb : 웨이퍼의 이면 S : 스트리트
D : 디바이스 F : 고리형 프레임
T1 : 보호 테이프 1 : 연삭 장치
10 : 유지 수단 100 : 유지면
11 : 연삭 수단 110 : 스핀들
111 : 마운트 112 : 연삭 휠
112a : 연삭 지석 112b : 휠 베이스
2 : 레이저 가공 장치 20 : 유지 테이블
20a : 유지면 200 : 고정 클램프
21 : 레이저빔 조사 수단 211 : 집광기
211a : 집광 렌즈 219 : 레이저빔 발진기
M : 개질층 5 : 익스팬드 장치
50 : 고리형 테이블 50a : 고리형 테이블의 유지면
50c : 고리형 테이블의 개구 52 : 고정 클램프
53 : 확장 드럼 55 : 고리형 테이블 승강 수단
8 : 스퍼터링 장치 80 : 정전척 테이블
800 : 기축부 801 : 테이블 본체
801a : 유지면 81 : 챔버
810 : 도입구 811 : 감압구
83 : 여자 부재 84 : 스퍼터원
85 : 고주파 전원 J : 금속막

Claims (4)

  1. 표면에 디바이스가 형성되고 이면에 금속막이 형성된 디바이스칩의 제조 방법으로서,
    표면의 교차하는 복수의 스트리트로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 단계와,
    상기 웨이퍼를 상기 스트리트를 따라서 개개의 디바이스칩으로 분할하는 분할 단계와,
    개개의 상기 디바이스칩으로 분할된 상기 웨이퍼의 이면에 상기 금속막을 형성하는 금속막 형성 단계
    를 포함한, 디바이스칩의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분할 단계에서는, 상기 웨이퍼를 이면측으로부터 미리 정해진 두께로 박화하고, 박화된 상기 웨이퍼를 상기 스트리트를 따라서 개개의 디바이스칩으로 분할하는 것인, 디바이스칩의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 분할 단계에서는, 상기 웨이퍼의 표면으로부터 상기 스트리트를 따라서 미리 정해진 마무리 두께에 이르는 깊이의 홈을 형성하고,
    상기 홈이 형성된 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 배치하고, 상기 보호 부재측을 유지 수단으로 유지한 상태로 상기 웨이퍼를 이면측으로부터 상기 마무리 두께로 박화함으로써 상기 웨이퍼를 개개의 상기 디바이스칩으로 분할하는 것인, 디바이스칩의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 분할 단계에서는, 상기 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔의 집광점을 상기 웨이퍼의 내부에 위치 부여한 상태로, 상기 스트리트를 따라서 상기 레이저빔을 조사함으로써 상기 스트리트를 따르는 개질층을 형성하고,
    상기 개질층이 형성된 웨이퍼를 이면측으로부터 연삭하여 박화함으로써 상기 웨이퍼를 개개의 상기 디바이스칩으로 분할하는 것인, 디바이스칩의 제조 방법.
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