JP2012089721A - 半導体装置の製造方法、半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、ダイシング工程、裏面金属膜形成工程、及びエキスパンド工程を有する。ダイシング工程では、素子領域が形成される半導体ウェハの第一主面に表面保護部材を張り付けて、半導体ウェハの第一主面と相対向する第二主面側からレーザ光を照射し、半導体ウェハをレーザダイシングする。裏面金属膜形成工程では、半導体ウェハの第二主面に裏面金属膜を形成する。エキスパンド工程では、表面が球面形状を有する押し当て部を表面保護部材に押し当て、表面保護部材を斜め方向に押し広げて裏面金属膜をブレーキングし、個片化された裏面金属膜付半導体チップを形成する。
【選択図】 図2
Description
まず、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法、半導体装置について、図面を参照して説明する。図1乃至4は半導体装置の製造工程を示す断面図である。本実施形態では、表面に素子領域が形成された半導体ウェハをダイシング・ブレーキングしてから裏面金属膜を形成し、球面形状を有する押し当て部を用いて、半導体チップを個片化している。
次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法、半導体装置について、図面を参照して説明する。図8及び9は半導体装置の製造工程を示す断面図である。本実施形態では、表面に素子領域が形成された半導体ウェハをダイシング・ブレーキング及びプリエキスパンドを行ってから裏面金属膜を形成し、球面形状を有する押し当て部を用いて、半導体チップを個片化している。
(付記1) 素子領域が形成される半導体ウェハの第一主面に表面保護部材を張り付けて、前記半導体ウェハの第一主面と相対向する第二主面を研磨する工程と、前記半導体ウェハの第一主面と相対向する第二主面側からレーザ光を照射し、前記半導体ウェハをレーザダイシングする工程と、前記半導体ウェハの第二主面に裏面金属膜を形成する工程と、表面が球面形状を有する押し当て部を前記表面保護部材に押し当て、前記表面保護部材を斜め方向に押し広げて前記裏面金属膜をブレーキングし、個片化された裏面金属膜付半導体チップを形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法。
2 素子領域
3、3a、3b、31 半導体チップ
11 半導体ウェハ保持部材
12 裏面研削領域
13 表面保護部材
14 裏面金属膜
15 押し当て部
16、17 裏面保護部材
30 半導体ウェハ
W1、W2 裏面金属膜と基板の間隔
Wpe プリエキスパンド間隔
Claims (5)
- 素子領域が形成される半導体ウェハの第一主面に表面保護部材を張り付けて、前記半導体ウェハの第一主面と相対向する第二主面側からレーザ光を照射し、前記半導体ウェハをレーザダイシングする工程と、
前記半導体ウェハの第二主面に裏面金属膜を形成する工程と、
表面が球面形状を有する押し当て部を前記表面保護部材に押し当て、前記表面保護部材を斜め方向に押し広げて前記裏面金属膜をブレーキングし、個片化された裏面金属膜付半導体チップを形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 素子領域が形成される半導体ウェハの第一主面に表面保護部材を張り付けて、前記半導体ウェハの第一主面と相対向する第二主面側から前記半導体ウェハの内部にレーザ光を集光して改質層を形成し、前記改質層を用いて前記半導体ウェハをブレーキングする工程と、
前記半導体ウェハの第二主面に裏面金属膜を形成する工程と、
表面が球面形状を有する押し当て部を前記表面保護部材に押し当て、前記表面保護部材を斜め方向に押し広げて前記裏面金属膜をブレーキングし、個片化された裏面金属膜付半導体チップを形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 素子領域が形成される半導体ウェハの第一主面に表面保護部材を張り付けて、前記半導体ウェハの第一主面と相対向する第二主面側からレーザ光を照射し、前記半導体ウェハをレーザダイシングする工程と、
前記表面保護部材を水平方向に引き延ばして、前記レーザダイシングにより個片化された半導体チップを所定幅離間する工程と、
前記半導体ウェハの第二主面に裏面金属膜を形成する工程と、
表面が球面形状を有する押し当て部を前記表面保護部材に押し当て、前記表面保護部材を斜め方向に押し広げて前記裏面金属膜をブレーキングし、個片化された裏面金属膜付半導体チップを形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記押し当て部の表面は、半径が30乃至300mmを有する球面形状を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板と、
前記基板の第一主面に設けられ、端部が前記基板の端部と同一断面上に形成される素子領域と、
前記基板の第一主面と相対向する第二主面に設けられ、端部が前記基板及び前記素子領域の端部よりもせり出している裏面金属膜と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
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