CN103258773A - 半导体元件镀膜制程方法 - Google Patents
半导体元件镀膜制程方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103258773A CN103258773A CN201310189074XA CN201310189074A CN103258773A CN 103258773 A CN103258773 A CN 103258773A CN 201310189074X A CN201310189074X A CN 201310189074XA CN 201310189074 A CN201310189074 A CN 201310189074A CN 103258773 A CN103258773 A CN 103258773A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plating
- substrate
- brilliant unit
- conducting
- carried out
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
本发明公开一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下：1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；2）对晶元进行雷射隐形切割；3）将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上；4）背镀氧化层或金属层；5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离；6）劈裂。本发明方法，通过增加将晶元粘附、键合于一坚固基板上的工序，解决了现有技术在隐形切割后仅靠一胶带粘附，晶元仍脆弱难以处理，且易破片的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，更具体的说，涉及一种半导体元件的镀膜制程方法。
背景技术
现有半导体LED制程，当背镀反射膜时，若背镀膜层对隐形切割(stealth dicing)雷射为不可穿透，在进行晶粒切割过程中，会因金属层对雷射的反射，造成无法由背镀面进行隐形切割的状况发生。当背镀反射膜层含金属时，若由晶粒正面，即非背镀面进行隐形切割，因雷射作用处接近LED外延层（EPI layer)，易造成元件漏电。为解决背镀金属膜层后，无法由背镀面进行隐形切割的问题，现亦有制程在背镀前即先由晶元背面对晶元进行隐形切割，而后在晶元正面贴上胶带，再进行背镀程序。但上述方法至少存在几个缺点，若后续背镀含氧化层，会因氧化层镀膜须在约120~200℃环境下进行，上述正面贴胶带须有耐高温且不残胶的特性，价格昂贵且不易取得。因背镀前已先对晶元进行减薄及隐形切割，因此晶元已处于半分离状态，仅靠正面贴上胶带，仍难以解决后续操作困难的问题，稍有外力，晶元即会沿任一切割处裂开，造成破片，不利后续制程。
发明内容
本发明为解决上述技术问题，提供一种半导体元件镀膜制程方法，可避免现行技术在隐形切割后仅靠一胶带粘附，晶元仍脆弱难以处理，且易破片的问题。
为达到上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下：
1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；
2）对晶元进行雷射隐形切割；
3）将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上；
4）背镀氧化层或金属层；
5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离；
6）劈裂。
一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下：
1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；
2）将晶元粘附、键合于一坚固基板上；
3）背镀氧化层加金属层；
4）对晶元进行雷射隐形切割；
5）将粘附、键合的基板进行剥离；
6）劈裂。
所述氧化物为SiO2或Ti3O5。
所述金属层为Al或Ag。
本发明所带来的有益效果如下：
本发明技术方案，是背镀反射层结合隐形切割的制程方法，通过增加将晶元粘附、键合于一坚固基板上的工序，解决了现有技术在隐形切割后仅靠一胶带粘附，晶元仍脆弱难以处理，且易破片的问题。且可避免背镀金属膜后，由晶元正面雷射隐形切割所造成的电性差的问题。
附图说明
图1是现有的半导体镀膜制程图；
图2是本发明所公开的半导体镀膜制程图。
具体实施方式
以下通过附图和具体实施例对本发明所提供的设计方法做一详细的描述：
图1是现有技术中半导体镀膜的制程图，其包括步骤如下：
1）在镀膜制程前先对晶元进行减薄处理；
2）对晶元进行雷射隐形切割；
3）将晶元的正面固定保护胶带；
4）背镀氧化层、金属层；
5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离；
6）对未裂片进行劈裂。
由于上述制程，在晶元减薄进行雷射隐形切割后，仅靠一胶带粘附，晶元仍脆弱难以处理，因此很容易出现裂片现象，使得后续制程困难，不适合大量生产。
图2是本发明所公开的半导体镀膜制程图，包括步骤如下：
1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；
2）对晶元进行雷射隐形切割；
3）将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上；
4）背镀氧化层或金属层；
5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离；
6）劈裂。
上述针对背面镀膜结合隐形切割的制程方法，在晶元减薄进行雷射隐形切割后，将半分离（因晶元经隐形切割后已非常脆弱，稍加外力即会裂开，因此在此称之为半分离）的晶元粘附、键合于另一坚固的基板上，再继续后续的镀膜制程，镀膜完成后将粘附、键合的基板进行剥离，再进行后续劈裂的工序。晶元因粘附的基底坚固，操作简易，不容易发生破片的现象。
若上述镀膜为氧化物加金属，则隐形切割的工序，可以在进行氧化物镀前，也可以在进行氧化物镀后进行。
上述具体实施方式只是用于说明本发明，并不能用来限定本发明的保护范围。对于在本发明技术方案的思想指导下的变形和转换，都应该归于本发明保护范围以内。
Claims (4)
1.一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下：
1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；
2）对晶元进行雷射隐形切割；
3）将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上；
4）背镀氧化层或金属层；
5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离；
6）劈裂。
2.一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下：
1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；
2）将晶元粘附、键合于一坚固基板上；
3）背镀氧化层加金属层；
4）对晶元进行雷射隐形切割；
5）将粘附、键合的基板进行剥离；
6）劈裂。
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件镀膜制程方法，其特征在于，所述氧化物为SiO2或Ti3O5。
4.根据权利要求1或2所述的半导体元件镀膜制程方法，其特征在于，所述金属层为Al或Ag。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310189074XA CN103258773A (zh) | 2013-05-21 | 2013-05-21 | 半导体元件镀膜制程方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310189074XA CN103258773A (zh) | 2013-05-21 | 2013-05-21 | 半导体元件镀膜制程方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103258773A true CN103258773A (zh) | 2013-08-21 |
Family
ID=48962603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310189074XA Pending CN103258773A (zh) | 2013-05-21 | 2013-05-21 | 半导体元件镀膜制程方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103258773A (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106129220A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-11-16 | 厦门三安光电有限公司 | 一种led芯片的制作方法及其制作设备 |
| CN106531638A (zh) * | 2015-09-11 | 2017-03-22 | 晟碟信息科技（上海）有限公司 | 包括堆叠的半导体裸芯块的半导体装置及其制造方法 |
| CN106653731A (zh) * | 2015-10-27 | 2017-05-10 | 晟碟信息科技（上海）有限公司 | 半导体装置中的侧壁桥互连体 |
| CN106784200A (zh) * | 2017-02-15 | 2017-05-31 | 西安中为光电科技有限公司 | 一种隐形切割和背镀led芯片的制作方法 |
| CN107653439A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-02-02 | 山西国惠光电科技有限公司 | 一种为蒸镀金属上片的方法 |
| CN111696968A (zh) * | 2019-03-14 | 2020-09-22 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的制造方法 |
| CN112750921A (zh) * | 2019-10-30 | 2021-05-04 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种砷化镓基led芯片的制作方法 |
| CN113013298A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-06-22 | 木林森股份有限公司 | 一种辅助贴片灯珠安装的制造工艺 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102290505A (zh) * | 2011-09-09 | 2011-12-21 | 上海蓝光科技有限公司 | GaN基发光二极管芯片及其制造方法 |
| US20120100695A1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor device |
| CN102779912A (zh) * | 2012-07-09 | 2012-11-14 | 厦门飞德利照明科技有限公司 | 一种白光发光二极管的结构及其制造方法 |
| CN103035573A (zh) * | 2013-01-05 | 2013-04-10 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种半导体单元的分离方法 |
-
2013
- 2013-05-21 CN CN201310189074XA patent/CN103258773A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120100695A1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor device |
| CN102290505A (zh) * | 2011-09-09 | 2011-12-21 | 上海蓝光科技有限公司 | GaN基发光二极管芯片及其制造方法 |
| CN102779912A (zh) * | 2012-07-09 | 2012-11-14 | 厦门飞德利照明科技有限公司 | 一种白光发光二极管的结构及其制造方法 |
| CN103035573A (zh) * | 2013-01-05 | 2013-04-10 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种半导体单元的分离方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106531638A (zh) * | 2015-09-11 | 2017-03-22 | 晟碟信息科技（上海）有限公司 | 包括堆叠的半导体裸芯块的半导体装置及其制造方法 |
| CN106531638B (zh) * | 2015-09-11 | 2020-02-07 | 晟碟信息科技（上海）有限公司 | 包括堆叠的半导体裸芯块的半导体装置及其制造方法 |
| CN106653731A (zh) * | 2015-10-27 | 2017-05-10 | 晟碟信息科技（上海）有限公司 | 半导体装置中的侧壁桥互连体 |
| CN106129220A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-11-16 | 厦门三安光电有限公司 | 一种led芯片的制作方法及其制作设备 |
| CN106784200A (zh) * | 2017-02-15 | 2017-05-31 | 西安中为光电科技有限公司 | 一种隐形切割和背镀led芯片的制作方法 |
| CN106784200B (zh) * | 2017-02-15 | 2018-10-19 | 西安中为光电科技有限公司 | 一种隐形切割和背镀led芯片的制作方法 |
| CN107653439A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-02-02 | 山西国惠光电科技有限公司 | 一种为蒸镀金属上片的方法 |
| CN111696968A (zh) * | 2019-03-14 | 2020-09-22 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的制造方法 |
| CN111696968B (zh) * | 2019-03-14 | 2022-06-24 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的制造方法 |
| CN112750921A (zh) * | 2019-10-30 | 2021-05-04 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种砷化镓基led芯片的制作方法 |
| CN112750921B (zh) * | 2019-10-30 | 2022-03-11 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种砷化镓基led芯片的制作方法 |
| CN113013298A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-06-22 | 木林森股份有限公司 | 一种辅助贴片灯珠安装的制造工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103258773A (zh) | 半导体元件镀膜制程方法 | |
| US20210376298A1 (en) | Film attaching method, manufacturing method of display panel and display device | |
| TW201733175A (zh) | 複合基板及複合基板之製造方法 | |
| WO2011139852A3 (en) | Thin film coating pinning arrangement | |
| CN102834901A (zh) | 用于半导体基板的剥落 | |
| JP2015029079A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| EP2677553A1 (en) | Flexible solar cell assembly and use of the same | |
| WO2013019319A3 (en) | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process | |
| TW201145550A (en) | Single-junction photovoltaic cell | |
| US10083850B2 (en) | Method of forming a flexible semiconductor layer and devices on a flexible carrier | |
| WO2009099656A1 (en) | Solar cell with integrated thermally conductive and electrically insulating substrate | |
| CN103943724A (zh) | 一种柔性高效晶体硅太阳电池及其制造方法 | |
| EP3776643B1 (fr) | Procede de transfert d'une couche | |
| CN105009267B (zh) | 功率器件的制造方法 | |
| CN105932079A (zh) | 柔性多结太阳电池及其制作方法 | |
| CN103258913A (zh) | 一种iii-v族化合物电子器件的制备方法 | |
| JP2020181974A (ja) | 溶融シリカカバーガラスを備える多接合型太陽電池 | |
| US20140290843A1 (en) | Method of preparing an adhesive film into a precut semiconductor wafer shape on a dicing tape | |
| CN115497821A (zh) | 一种基于柔性载板的SiC切割工艺 | |
| US20210066531A1 (en) | Flexible solar cell and manufacturing method thereof | |
| WO2008141863A3 (en) | Backside contacting on thin layer photovoltaic cells | |
| JP2017507486A (ja) | 基板から剥離可能な薄膜積層体を製造するための方法 | |
| CN110459501A (zh) | 一种用于减薄圆片的加固拿持结构及其制备方法 | |
| JP4245131B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| US20190006569A1 (en) | Led frame, manufacture method thereof and led device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130821 |