TW201733175A - 複合基板及複合基板之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種複合基板及複合基板之製造方法，其課題為提供可在壓電材料層與支持基板之貼合中得到充分之接合強度的複合基板及複合基板之製造方法。解決手段為本發明係具備：將第1元素作為主成分之單結晶支持基板，和加以設置於單結晶支持基板上，將第2元素(除了氧以外)作為主成分之氧化物單結晶層，和加以設置於單結晶支持基板與氧化物單結晶層之間，包含第1元素，第2元素及Ar之非晶質層的複合基板，其特徵為非晶質層係具有：第1元素的比例則成為較第2元素的比例為高之第1非晶質範圍，和第2元素的比例則成為較第1元素的比例為高之第2非晶質範圍，而含於第1非晶質範圍之Ar的濃度係較含於第2非晶質範圍之Ar的濃度為高，且為3原子%以上者。
Description
本發明係有關使用於表面彈性波(SAW)裝置等的複合基板及複合基板之製造方法。
近年，在智慧型手機所代表之移動體通信的市場中，通信量則急遽地增大。為了對應於此，而增加必要的頻帶數之同時，必然地各種構件的小型化，高性能化則成為重要。
一般的壓電材料之鉭酸鋰(Lithium Tantalate：亦有略稱為LT者)或鈮酸鋰(Lithium Niobate：亦有略稱為LN者)，係作為表面彈性波(SAW)裝置的材料而被廣泛利用。此等材料係具有大的電性機械結合係數，可寬幅調整之反面，具有溫度安定性低，經由溫度變化而可對應之頻率數則產生偏移之問題點。此係因鉭酸鋰或鈮酸鋰則具有非常高的熱膨脹係數引起。
為了降低此問題，而加以提案有：於鉭酸鋰及鈮酸鋰，貼合具有更小的熱膨脹係數之材料，具體而言為藍寶石，且以研削等而將鉭酸鋰或鈮酸鋰之晶圓薄化為
數μm~數十μm者，藉以抑制熱膨脹，而改善溫度特性之方法(例如，參照非專利文獻1)。另外，更提案有：與熱膨脹係數小的矽之貼合(例如，參照專利文獻1)。
但已知此等材料係在貼合後欲加上熱處理而提升結合強度時，經由兩基板之膨脹係數的差而產生有基板的彎曲，或剝離，破裂等情況。為了迴避此問題，而加以提案有：在貼合之後得到高結合強度之常溫接合(例如，參照非專利文獻2)。在此方法中，係在高真空下，於貼合的基板，照射氬(Ar)射束，活化表面，直接貼合之方法。
[專利文獻1]日本特開2005-347295號公報
[非專利文獻1]電波新聞高科技，2012年11月8日，「使用於智慧型手機之RF前端之SAW-Duplexer的溫度補償技術」
[非專利文獻2]Applied Physies Letters Vol.74, Number16, pp.2387-2389, 19 APRIL 1999
但在如上述之經由常溫的接合方法中，雖有可在室溫而得到高接合強度之特徵，但在由如此作為所得到之複合基板，亦無法得到充分之接合強度之情況為多。因此，有著在裝置製作的途中等引起剝離之可能性。另外，從長期信賴性的觀點，亦要求更完全之接合性。
本發明之目的係提供可在壓電材料層與支持基板之貼合中得到充分之接合強度的複合基板及複合基板之製造方法。
為了解決上述課題，本發明係具備：將第1元素作為主成分之單結晶支持基板，和加以設置於單結晶支持基板上，將第2元素(除了氧以外)作為主成分之氧化物單結晶層，和加以設置於單結晶支持基板與氧化物單結晶層之間，包含第1元素，第2元素及Ar之非晶質層的複合基板，其特徵為非晶質層係具有：第1元素的比例則成為較第2元素的比例為高之第1非晶質範圍，和第2元素的比例則成為較第1元素的比例為高之第2非晶質範圍，而含於第1非晶質範圍之Ar的濃度係較含於第2非晶質範圍之Ar的濃度為高，且為3原子%以上者。
如根據如此之構成，經由含於非晶質層之Ar的偏析及濃度，可提高單結晶支持基板與氧化物單結晶層之接合強度者。
在本發明之複合基板中，含於第2非晶質範
圍之Ar的濃度係為不足3原子%亦可。經由此，可謀求單結晶支持基板與氧化物單結晶層之進一步之接合強度的提升者。
在本發明之複合基板中，單結晶支持基板係含有選自矽單結晶基板及藍寶石單結晶基板所成的群之1個亦可。另外，氧化物單結晶層係含有選自鉭酸鋰及鈮酸鋰所成的群之1個亦可。另外，氧化物單結晶層之厚度係為50μm以下亦可。經由此，可對應於薄膜之壓電裝置者。另外，氧化物單結晶層係作為單一極化即可。經由此，作為表面彈性波元件而可最佳地使用複合基板者。
本發明之複合基板的製造方法係具備：經由Ar而活性化各將第1元素作為主成分而含有之單結晶支持基板的表面，及將第2元素(除了氧以外)作為主成分之氧化物單結晶基板之表面的工程，和貼合經由Ar而加以活性化之單結晶支持基板的表面，與經由Ar而加以活性化之氧化物單結晶基板的表面，於單結晶支持基板與氧化物單結晶基板之間，形成包含第1元素，第2元素及Ar之非晶質層的工程，和薄化氧化物單結晶基板之厚度而形成氧化物單結晶層之工程，和熱處理工程；非晶質層係具有：第1元素的比例則成為較第2元素的比例為高之第1非晶質範圍，和第2元素的比例則成為較第1元素的比例為高之第2非晶質範圍；熱處理工程係包含將含於第1非晶質範圍之Ar的濃度作為較含於第2非晶質範圍之Ar的濃度為高，且為3原子%以上者。
如根據如此之構成，經由含於非晶質層之Ar的偏析及濃度，可製造提高單結晶支持基板與氧化物單結晶層之接合強度的複合基板者。
在本發明之複合基板的製造方法中，熱處理工程係包含將含於第2非晶質範圍之Ar的濃度作為不足3原子%者亦可。經由此，可製造使單結晶支持基板與氧化物單結晶層之接合強度更提升的複合基板者。
在本發明之複合基板的製造方法中，熱處理工程係包含將非晶質層加熱至150℃以上者亦可。經由此，可將含於非晶質層的Ar，作為可提高單結晶支持基板與氧化物單結晶層之接合強度的偏析及濃度者。
在本發明之複合基板的製造方法中，單結晶支持基板係含有選自矽單結晶基板及藍寶石單結晶基板所成的群之1個亦可。另外，氧化物單結晶層係含有選自鉭酸鋰及鈮酸鋰所成的群之1個亦可。另外，氧化物單結晶層之厚度係為50μm以下亦可。經由此，可對應於薄膜之壓電裝置者。
在本發明之複合基板的製造方法中，在貼合單結晶支持基板與氧化物單結晶層之前，更具備於氧化物單結晶層之特定深度施以離子注入的工程，且薄化氧化物單結晶層的厚度之工程係含有在加以離子注入的位置，剝離氧化物單結晶基板的一部分者亦可。經由此，可在加以離子注入的位置，剝離氧化物單結晶層的一部分而製造含有薄膜之氧化物單結晶層之複合基板者。
在本發明之複合基板的製造方法中，氧化物單結晶基板係作為單一極化即可。另外，作為呈更具備將複合基板之前述氧化物單結晶層作為單一極化之工程亦可。藉由經由此等的手法，而將氧化物單結晶層作為單一極化者，作為表面彈性波元件而可最佳地使用由本發明之複合基板的製造方法而製造之複合基板者。
1‧‧‧複合基板
10‧‧‧單結晶支持基板
20‧‧‧氧化物單結晶層
30‧‧‧非晶質層
31‧‧‧第1非晶質範圍
32‧‧‧第2非晶質範圍
圖1係例示有關本實施形態之複合基板的模式剖面圖。
圖2係有關本實施形態之複合基板的剖面照片。
圖3係例示有關本實施形態之複合基板的製造方法之流程圖。
圖4(a)及(b)係經由剝離試驗而產生些微的膜剝落之複合基板的光學顯微鏡照片。
圖5係進行熱處理之後的複合基板之剖面TEM照片。
圖6(a)及(b)係顯示在熱處理前後之非晶質層的狀態之剖面TEM照片。
以下，依據圖面而加以說明本發明之實施形態。此外，在以下的說明中，於同一構件係附上同一符
號，而對於曾經一度說明過的構件，係適宜省略其說明。
圖1係例示有關本實施形態之複合基板的模式剖面圖。另外，圖2係有關本實施形態之複合基板的剖面照片。圖2所示之剖面照片係TEM像。
有關本實施形態之複合基板1係具備：將第1元素作為主成分之單結晶支持基板10，和將第2元素(除了氧以外)作為主成分之氧化物單結晶層20，和加以設置於單結晶支持基板10與氧化物單結晶層20之間，例如非晶質層30。
單結晶支持基板10係在複合基板1中支持薄膜之氧化物單結晶層20的基板。單結晶支持基板10之熱膨脹係數係較氧化物單結晶層20之熱膨脹係數為小。於單結晶支持基板10係加以使用選自矽單結晶基板及藍寶石單結晶基板所成的群之1個。在本實施形態中，將作為單結晶支持基板10而使用矽單結晶基板之情況，作為例。使用矽單結晶基板之情況，第1元素係為矽(Si)。
氧化物單結晶層20係加以設置於單結晶支持基板10上。氧化物單結晶層20係經由單結晶支持基板10所支持之薄膜狀的壓電材料膜。氧化物單結晶層20係經由研磨或一部分剝離等而成為數μm~數十μm之厚度。氧化物單結晶層20係成為單一極化即可。
於氧化物單結晶層20係含有選自鉭酸鋰及鈮
酸鋰所成的群之1個。在本實施形態中，將作為氧化物單結晶層20而使用鉭酸鋰之情況，作為例。使用鉭酸鋰之情況，第2元素係為鉭(Ta)。
非晶質層30係包含第1元素，第2元素及Ar。非晶質層30係在單結晶支持基板10與氧化物單結晶層20之貼合時，加以形成於貼合之界面附近。作為單結晶支持基板10而使用矽單結晶基板，作為氧化物單結晶層20而使用鉭酸鋰之情況，於貼合的界面附近係加以形成有Si與Ta之非晶質範圍，而於此非晶質範圍內含有Ar。此外，Ar係在後述之複合基板之製造方法中，於各單結晶支持基板10及氧化物單結晶層20的貼合面經由Ar而活性化時的Ar。
加以設置於貼合之界面附近的非晶質層30係具有：第1元素(例如，Si)的比例則成為較第2元素(例如，Ta)的比例為高之第1非晶質範圍31，和第2元素(例如，Ta)的比例則成為較第1元素(例如，Si)的比例為高之第2非晶質範圍32。第1非晶質範圍31與第2非晶質範圍32之邊界則成為貼合的界面。
在圖2之剖面TEM像所示之point1~point5中，從與剖面TEM像之取得同時實施極微電子繞射之結果，了解到point2、point3及point4係作為非晶質化者。隨之，包含point2、point3及point4的層之範圍係成為非晶質層30。
表1係以EDX(能量分散型X線分析)而進行
圖2之剖面TEM像所示之point1~point5之各點的組成分析的結果。此外，對象元素係氧(O)、Si、Ar、Ta之4個。另外，表1所示之組成分析係常溫接合單結晶支持基板10與及氧化物單結晶層20之後，熱處理前的狀態(使Ar偏析之前)。
如表1所示，於point1係未含有Si，而於point5係未含有Ta。另外，在point2中，第2元素之Ta的比例則成為較第1元素之Si的比例為高。另一方面，在point3中，第1元素之Si的比例則成為較第2元素之Ta的比例為高。也就是，了解到在point2與point3之間，Si的濃度急劇地變化，而認為此處係接合的界面。
另外，非晶質層30之point3的範圍係第1元素(Si)的比例則成為較第2元素(Ta)的比例為高之第1非晶質範圍31，而point2之範圍係第2元素(Ta)的比例則成為較第1元素(Si)的比例為高之第2非晶質範圍32。
另外，經由單結晶支持基板10與氧化物單結
晶層20之貼合而加以形成非晶質層30之原因係認為使用於表面之活性化的Ar則殘存於結晶中內而直接加以導入之故。如表1所示，貼合單結晶支持基板10與氧化物單結晶層20之後係了解到Ar則廣而薄地分布於point1~point5為止。
另一方面，在貼合後，藉由施以熱處理而Ar係產生偏析。本申請發明者係發現經由含於非晶質層30之Ar的偏析及濃度，可提高單結晶支持基板10與氧化物單結晶層20之接合強度者。對於可提高接合強度之Ar的偏析及濃度係後述之。
圖3係例示有關本實施形態之複合基板的製造方法之流程圖。
首先，如步驟S101所示地，準備單結晶支持基板10與氧化物單結晶基板。於單結晶支持基板10係加以使用選自矽單結晶基板及藍寶石單結晶基板所成的群之1個。在本實施形態中，將作為單結晶支持基板而使用矽單結晶基板(例如，矽單結晶晶圓)之情況，作為例。另外，於氧化物單結晶基板係含有選自鉭酸鋰及鈮酸鋰所成的群之1個。在此所使用之氧化物單結晶層係成為單一極化即可。在本實施形態中，將使用鉭酸鋰基板(例如，鉭酸鋰晶圓)之情況，作為例。
各矽單結晶晶圓及鉭酸鋰晶圓的表面係加以
平坦化者為佳。例如，以RMS先將兩晶圓的表面粗度作為1.0nm以下。
接著，如步驟S102所示地，進行經由Ar之活性化。即，經由Ar而活性化進行各矽單結晶晶圓及鉭酸鋰晶圓的貼合之表面。例如，在高真空下的Ar環境中，活性化處理兩晶圓的表面。
接著，如步驟S103所示地，進行貼合。貼合在先前步驟S102經由Ar而加以活性化之矽單結晶晶圓及鉭酸鋰晶圓的彼此之面。表面係被活性化之故，成為可進行在常溫的接合。經由此貼合，於矽單結晶晶圓與鉭酸鋰晶圓的貼合面之附近，係加以形成非晶質層30(第1非晶質範圍31及第2非晶質範圍32)。
接著，如步驟S104所示，進行形成氧化物單結晶層20之處理。即，研削及研磨鉭酸鋰晶圓，作為所期望的厚度(例如，50μm以下)，形成薄膜化之氧化物單結晶層(鉭酸鋰層)20。
接著，如步驟S105所示地，進行熱處理。經由此熱處理，進行Ar的偏析。具體而言，將含於第1非晶質範圍31之Ar的濃度，作為較含於第2非晶質範圍32之Ar的濃度為高，且為3原子%以上。經由如此之處理，複合基板1則完成。
本申請發明者係在如此之複合基板1及其製造方法中進行種種的實驗之結果，得到藉由經由熱處理而使成為非晶質層30中的不純物之Ar偏析至單結晶支持基
板10側者，可得到堅固之結合強度的新的見解。
此時，明確了解到貼合界面附近的矽單結晶晶圓側之Ar濃度則為3原子%以上，在除此以外之處中不足3原子%之情況，則為為了得到更堅固的結合之最佳條件。
作為藉由如此使Ar偏析者而可得到堅固的結合之理由之一，如以下情況。即，如Ar，未具有原子鍵結之元素係當局部存在於界面時，有引起界面的膜剝落之可能性。認為藉由使Ar偏析至比較容易含有不純物之Si側者，可增加界面的結合強度。定義此時之熱處理溫度或時間等係為不易，但作為一例，亦可以比較高溫(例如，250℃以上550℃以下程度)而短時間進行，而亦可以比較低溫(例如，150℃以上250℃以下程度)而非常長的時間(例如，24小時程度)進行。
此方法係不僅對於經由研削．研磨之薄化，對於經由離子注入剝離法而加以得到之薄膜的結合力強化，亦可同樣地適應。原因係此現象為結合界面的現象之故，而為了剝離而導入之離子係與貼合界面離開有數百nm~數μm程度，故對於在接合界面之現象帶來的影響為少。
在此，離子注入剝離法係在貼合兩晶圓之前，先進行離子注入於氧化物單結晶基板(鉭酸鋰晶圓)之特定深度，在貼合之後，在此加以離子注入的位置，剝離鉭酸鋰晶圓之一部分而形成氧化物單結晶層(鉭酸鋰層)20之方法。
具體而言，準備：預先注入離子於鉭酸鋰或鈮酸鋰之晶圓的晶圓(施體晶圓)，和作為支持晶圓而具有石英(玻璃)，Si，藍寶石等之低熱膨脹係數(與鉭酸鋰及鈮酸鋰比較為低熱膨脹係數)的材料。以RMS將此雙方的晶圓之表面粗度作為1.0nm以下，而於單方或雙方之晶圓，施以表面活性化處理。在貼合此兩晶圓之後，在離子注入的位置剝離施體晶圓的一部分，形成鉭酸鋰或鈮酸鋰之薄膜。經由此，於支持晶圓，加以支持鉭酸鋰或鈮酸鋰之薄膜的複合基板1則完成。此時，作為簡便的方法而舉出作為剝離方法如SiGen法般的機械剝離法，但並未特別加以限定。
經由如此之製造方法，經由含於非晶質層30之Ar的偏析及濃度，可得到提高單結晶支持基板10與氧化物單結晶層20之接合強度之複合基板1。此外，在上述之製造方法中，作為氧化物單結晶基板而使用單一極化者時，作為表面彈性波元件而可最佳地使用由該製造方法而製造之複合基板者。另外，於在上述製造方法中更具備將氧化物單結晶基板作為單一極化之工程的情況，同樣地，作為表面彈性波元件而可最佳地使用由該製造方法而製造之複合基板者。
將第1實施例的條件，示於以下。準備直徑100mm，厚度0.35mm鉭酸鋰晶圓(以下，亦稱為「LT晶圓」)和成
為支持晶圓之Si晶圓。兩晶圓的表面粗度係以RMS作為1.0nm以下。於此等之晶圓，在高真空下中，照射Ar射束，進行表面活性化之後，進行貼合。貼合之後，將LT晶圓薄化至5μm，再經由各條件而施以熱處理。對於以各熱處理條件所做成之試料，進行剝離試驗。剝離試驗係貼合聚醯亞胺的膠帶，使其密著之後剝離之方法。貼合之結合強度則並非充分的情況，進行剝離試驗時，產生有如圖4(a)及(b)的光學顯微鏡照片所示之些微的剝落。將剝離試驗的結果，及貼合晶圓各層之將Ar作為對象元素之EDX檢查的結果，示於表2。
圖5係作為第1實施例之熱處理的條件，進行500℃，6小時之熱處理之後的複合基板1之剖面TEM照片。圖6(a)及(b)係顯示在熱處理前後之非晶質層的狀態之剖面TEM照片。了解到藉由進行500℃，6小時之熱處理者，point3之非晶質層30的第1非晶質範圍31之Ar的濃度則變非常高者。
自表1所示的結果，了解到貼合之界面附近
的Si側(point3)之Ar濃度為3原子%以上，而除此以外之處則不足3原子%之情況則為為了具有高結合力的條件者。
在第2實施例中，在上述第1實施例，取代LT晶圓而使用鈮酸鋰晶圓(以下，亦稱作「LN晶圓」)而進行同樣的檢查。第2實施例的檢查結果亦與第1實施例同樣。
在第3實施例中，在上述第1實施例，取代Si晶圓而使用藍寶石晶圓而進行同樣的檢查。第3實施例的檢查結果亦與第1實施例同樣。
在第4實施例中，在上述第1實施例，作為LT晶圓的薄化而適用離子注入剝離法。即，預先導入氫離子於LT晶圓之特定位置，與Si晶圓貼合之後，進行機械剝離。之後，經由各條件而施以熱處理，進行與第1實施例同樣的檢查。第4實施例的檢查結果亦與第1實施例同樣。
在第5實施例中，在上述第4實施例，取代LT晶圓
而使用LN晶圓而進行同樣的檢查。第5實施例的檢查結果亦與第1實施例同樣。
在第6實施例中，與上述第4實施例同樣地，作為LT晶圓的薄化而適用離子注入剝離法。即，預先導入氫離子於LT晶圓之特定位置，作為支持基板而與藍寶石晶圓貼合之後，進行機械剝離。
如此作為所得到之薄化LT晶圓與藍寶石晶圓所成之接合基板的前述薄化LT的厚度係為1μm。
接著，將如此作為所得到之薄化LT晶圓與藍寶石晶圓，施以500℃、6小時之熱處理後，LT晶圓與藍寶石晶圓之接合界面之EDX檢查結果係與實施例1之表2的500℃、6小時處理之情況同樣，而實施剝離試驗後，得到未有剝落的結果。
接著，在欲將前述薄化LT晶圓作為單一極化，而將前述薄化LT晶圓與藍寶石晶圓所成之接合基板，加熱至LT的居里溫度以上之700℃，且進而降溫前述接合基板晶圓之過程的700℃~500℃之間，施加4000V/m的電場於概略+Z軸方向，之後，進行將溫度下降至室溫為止之處理。施以前述加熱與電場施加處理之後的前述薄化LT晶圓與藍寶石晶圓所成之接合基板接合界面的EDX檢查結果，係與實施例1之表2的500℃，6小時處理之情況同樣，在實施剝離試驗後，得到無剝落的結果。
之後將前述接合基板晶圓，使用中國科學院聲樂研究所製測壓d33計(型式ZJ-3BN)，觀測對於前述接合基板晶圓的主面與背面，賦予厚度方向之垂直振動而使其誘發的電壓波形後，可得到在晶圓之所有的場所顯示壓電回應之波形，而d33值係於面內一樣的為5pC/N。
第6實施例之薄化LT與藍寶石晶圓所成之接合基板係由基板面內所有具有壓電性之情況，確認到單一地加以極化且可作為表面彈性波元件而使用者。
如以上說明，如根據本實施形態之複合基板1及複合基板1之製造方法，在壓電材料層與支持基板的貼合中，可得到充分的接合強度者。
此外，於上述說明過本實施形態，但本發明係未加以限定於此等例。例如，對於前述之各實施形態而言，該業者適宜進行構成要素的追加，刪除，設計變更者，或適宜組合各實施形態之特徵者，只要具備本發明之主旨，均加以包含於本發明之範圍。
1‧‧‧複合基板
10‧‧‧單結晶支持基板
20‧‧‧氧化物單結晶層
30‧‧‧非晶質層
31‧‧‧第1非晶質範圍
32‧‧‧第2非晶質範圍
Claims (15)
- 一種複合基板，係具備：將第1元素作為主成分之單結晶支持基板，和加以設置於前述單結晶支持基板上，將第2元素(除了氧以外)作為主成分之氧化物單結晶層，和加以設置於前述單結晶支持基板與前述氧化物單結晶層之間，包含前述第1元素，前述第2元素及Ar之非晶質層的複合基板，其特徵為前述非晶質層係具有：前述第1元素的比例則成為較前述第2元素的比例為高之第1非晶質範圍，前述第2元素的比例則成為較前述第1元素的比例為高之第2非晶質範圍，含於前述第1非晶質範圍之Ar的濃度係較含於前述第2非晶質範圍之Ar的濃度為高，且為3原子%以上者。
- 如申請專利範圍第1項記載之複合基板，其中，含於前述第2非晶質範圍之Ar的濃度係為不足3原子%者。
- 如申請專利範圍第1項或第2項記載之複合基板，其中，前述單結晶支持基板係含有選自矽單結晶基板及藍寶石單結晶基板所成的群之1個。
- 如申請專利範圍第1項至第3項任一項記載之複合基板，其中，前述氧化物單結晶層係含有選自鉭酸鋰及 鈮酸鋰所成的群之1個。
- 如申請專利範圍第1項至第4項任一項記載之複合基板，其中，前述氧化物單結晶層之厚度係為50μm以下。
- 如申請專利範圍第1項至第5項任一項記載之複合基板，其中，前述氧化物單結晶層係為單一極化。
- 一種複合基板之製造方法，其特徵為具備：經由Ar而活性化各將第1元素作為主成分而含有之單結晶支持基板的表面，及將第2元素(除了氧以外)作為主成分之氧化物單結晶基板之表面的工程，和貼合經由前述Ar而加以活性化之前述單結晶支持基板的表面，與經由前述Ar而加以活性化之前述氧化物單結晶基板的表面，於前述單結晶支持基板與前述氧化物單結晶基板之間，形成包含前述第1元素，前述第2元素及Ar之非晶質層的工程，和薄化前述氧化物單結晶基板之厚度而形成氧化物單結晶層之工程，和熱處理工程；前述非晶質層係具有：前述第1元素的比例則成為較前述第2元素的比例為高之第1非晶質範圍，前述第2元素的比例則成為較前述第1元素的比例為高之第2非晶質範圍；前述熱處理工程係包含將含於前述第1非晶質範圍之 Ar的濃度作為較含於前述第2非晶質範圍之Ar的濃度為高，且為3原子%以上者。
- 如申請專利範圍第7項記載之複合基板之製造方法，其中，前述熱處理工程係包含將含於前述第2非晶質範圍之Ar的濃度作為不足3原子%者。
- 如申請專利範圍第7項或第8項記載之複合基板之製造方法，其中，前述熱處理工程係包含將前述非晶質層加熱至150℃以上者。
- 如申請專利範圍第7項至第9項任一項記載之複合基板之製造方法，其中，前述單結晶支持基板係含有選自矽單結晶基板及藍寶石單結晶基板所成的群之1個。
- 如申請專利範圍第7項至第10項任一項記載之複合基板之製造方法，其中，前述氧化物單結晶基板係含有選自鉭酸鋰及鈮酸鋰所成的群之1個。
- 如申請專利範圍第7項至第11項任一項記載之複合基板之製造方法，其中，形成前述氧化物單結晶層之工程係包含將前述氧化物單結晶基板之厚度作為50μm以下者。
- 如申請專利範圍第7項至第12項任一項記載之複合基板之製造方法，其中，在貼合前述單結晶支持基板與前述氧化物單結晶基板之前，更具備於前述氧化物單結晶基板之特定深度施以離子注入的工程；形成前述氧化物單結晶層之工程係含有在前述加以離子注入的位置，剝離前述氧化物單結晶基板的一部分者。
- 如申請專利範圍第7項至第13項任一項記載之複合基板之製造方法，其中，前述氧化物單結晶基板係為單一極化者。
- 如申請專利範圍第7項至第13項任一項記載之複合基板之製造方法，其中，更具備單一極化前述複合基板之前述氧化物單結晶層之工程。
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