JP4723207B2 - 複合圧電基板 - Google Patents

Description

本発明は、弾性表面波デバイス等に用いられる複合圧電基板に関するものであり、特に熱による反りが小さく、挿入損失の少ないデバイスが作製でき、絶縁性に優れ、なおかつ安価な複合圧電基板に関するものである。

携帯電話等の高周波通信において周波数選択用の部品として、例えば圧電基板上に弾性表面波を励起するための櫛形電極が形成された弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ、ＳＡＷ）デバイスが用いられる。これに用いられる圧電基板材料は、電気信号から機械的振動への変換効率（以下電気機械結合係数と記す）が大きいこと、また櫛形電極の電極間隔と弾性波の音速により決まるフィルタ等の中心周波数が温度により変動しないことが求められる（以下、周波数温度特性と記す）。
すなわち、大きな電気機械結合係数と小さな周波数温度係数を兼ね備えた圧電基板が有れば好ましい。
こうした特性を実現する圧電基板の一例として、圧電基板と他の基板を接合した複合圧電基板がある。

このような複合圧電基板の一例として、圧電材料の表面に弾性波を励振・検出するための電極が設けられており、前記圧電材料裏面に複合積層体を接合したことを特徴とする温度安定化表面波装置が開示されている。この表面波装置は、制御された応力変化を前記圧電材料に誘起させることにより、前記圧電材料において温度補正がなされるというものである（特許文献１参照）。
この例では、「複合積層体にＬｉＮｂＯ_３（ニオブ酸リチウム）基板を強固に結合することにより、前述したように基板上に圧縮力が生じ、この圧縮力は温度が増大するに従って増大する。かくして、遅延時間およびフィルタ中心周波数に対する温度の影響を補正する手段を得ることができる。」とされている。これは、支持基板となる複合積層体の膨張係数は圧電材料であるＬｉＮｂＯ_３基板の弾性表面波伝播方向のそれよりも小さいことを意味し、これにより温度変化に応じて圧電基板に応力が発生してＳＡＷデバイスの遅延時間およびフィルタ中心周波数に対する温度の影響を補正できるということを意味する。

また、接着剤を使用して剛板と圧電板とを貼り合せて一体の基板とし、前記圧電板表面に電極を設けた機能素子を、パッケージに収納した電気部品が開示されている（特許文献２参照）。
すなわち、圧電材料とこれより小さな膨張係数を有する基板とを貼り合せた複合圧電基板を用いた弾性表面波素子は周波数温度特性が改善されること、接着剤を用いて剛板と圧電板を貼り合せて一体の基板とすることは公知の技術である。

また、少なくとも１つの単結晶圧電基板と非圧電基板からなり、前記単結晶圧電基板と前記非圧電基板が、少なくとも前記基板の一方の表面に、無機薄膜層を有し、前記無機薄膜層および基板表面を、平坦化、鏡面化、清浄化、親水化処理して、重ね合わせ熱処理することにより直接接合されて積層されており、前記単結晶圧電基板に表面弾性波を励振するための櫛形電極を設けたことを特徴とする表面弾性波素子が開示されている（特許文献３参照）。

また、ＳＡＷデバイスであって、前記ＳＡＷデバイスの圧電基板は少なくともＳＡＷの波長の２倍以上の厚みを持ち、前記圧電基板表面にはＳＡＷを励振もしくは検出するための電極が形成され、圧電基板を支持する支持基板は少なくとも３０Ω・ｃｍの抵抗率を有するとともに熱伝導性を持ち、前記圧電基板と支持基板は１μｍ以上厚みを有するＳｉＯ_２からなる接合膜により接合されることを特徴とするＳＡＷデバイスが開示されている。
このＳＡＷデバイスでは、支持基板の抵抗率が３０Ω・ｃｍ以上で３００Ω・ｃｍ程度とある程度大きいので、ＳＡＷデバイスからなるフィルタの挿入損失が少なくなり好ましいとされる（特許文献４参照）。

しかし、従来検討されている複合圧電基板は、圧電基板と他の基板を直接接合する場合は基板の平坦化・クリーン化等複雑な工程を用いなければならいことから、低コストで複合圧電基板を提供することが難しい。
また、複合圧電基板は異なる膨張係数を持つ材料を組み合わせているので、温度変化により基板の反りが生じる。この反りはＳＡＷデバイス作製工程の基板加熱工程でパターン形成に支障が生じる等の問題となる。そして、この反りは製造不良の原因となり、複合圧電基板の生産性を低下させる。

特開昭５１−２５９５１号公報 特開平０２−６２１０８号公報 特許第３４３５７８９号公報 国際公開第２００４／００６４３１号パンフレット

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、温度変化させたときの反りが少なく、耐熱性に優れ、周波数温度特性改善効果が高く、挿入損失の少ないデバイスが作製でき、絶縁性に優れ、なおかつ半導体デバイスとＳＡＷデバイスの複合化が容易な複合圧電基板を安価に提供することである。

上記課題を解決するために、本発明は、圧電基板と該圧電基板よりも小さな膨張係数を有する支持基板とを絶縁性接着層を介して貼り合せた複合圧電基板であって、前記圧電基板は厚さが５〜１００μｍであって、前記支持基板は、Ｓｉからなるものであって、抵抗率が２０００Ω・ｃｍ以上のものであり、かつ該支持基板の両表面層が０．１〜２０μｍの厚さで酸化されたものであることを特徴とする複合圧電基板を提供する（請求項１）。

このように、圧電基板と該圧電基板よりも小さな膨張係数を有する支持基板とを絶縁性接着層を介して貼り合せた複合圧電基板であれば、周波数温度特性が改善され、また直接接合するものよりも安価になり、圧電基板の厚さが５〜１００μｍ、好ましくは１５〜３０μｍであれば、加熱による反りが少なくかつ割れないものとなり、耐熱性に優れたものとなる。また、支持基板がＳｉからなるものであれば、ＳＡＷデバイスと半導体デバイスを複合化しやすいものとなり、支持基板の両表面層が０．１〜２０μｍの厚さで酸化されたものであれば、圧電基板と支持基板の膨張係数が異なっていても加熱による複合圧電基板の反りが低減され耐熱性が優れたものとなり、支持基板の抵抗率が２０００Ω・ｃｍ以上と極めて高いものであれば、支持基板の表面層に形成したＳｉ酸化膜及び絶縁性接着層と合わせて、支持基板の絶縁性が十分に確保可能なものとなる。また、このように極めて抵抗率の高い支持基板であるので、挿入損失の少ないデバイスを作製できる。そして反りが少なく割れがない複合圧電基板であるので、製造歩留まりが高く、安価なものとなる。

この場合、前記支持基板の両表面層は高圧下において酸化されたものであることが好ましい（請求項２）。
このように、支持基板の両表面層が高圧下において酸化されたものであれば、支持基板の表面層に形成したＳｉ酸化膜は緻密でピンホールが無く、またこの方法を用いれば酸化のスピードが速いため、生産性に優れた良質のＳｉ酸化層付支持基板とできる。

また、前記接着層の表面抵抗値が１×１０^１５Ω以上であることが好ましい（請求項３）。
このように、接着層の表面抵抗値が１×１０^１５Ω以上であれば、抵抗値が十分に高く、支持基板はさらに高い絶縁性を確保可能なものとなる。

また、前記接着層のｔａｎδ（誘電正接）が周波数１ＧＨｚにおいて０．１以下であることが好ましい（請求項４）。
このように、接着層のｔａｎδ（誘電正接）が周波数１ＧＨｚにおいて０．１以下であれば、このような高周波においても誘電損失が少ないので、高周波においても挿入損失が小さいＳＡＷデバイスが製造可能な複合圧電基板とできる。

また、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウムのいずれか１つからなるものであることが好ましい（請求項５）。
このように、圧電基板が、上記の電気機械結合係数が大きい結晶材料からなるものであれば、周波数選択フィルタとしての帯域幅が広く、挿入損失が小さいＳＡＷデバイスが製造可能な複合圧電基板とできる。

本発明に従う複合圧電基板であれば、周波数温度特性が改善され、また直接接合するものよりも安価になる。また加熱による反りが少なくかつ割れないものとなり、耐熱性に優れたものとなる。また、ＳＡＷデバイスと半導体デバイスを複合化しやすいものとなり、加熱による複合圧電基板の反りが低減され耐熱性が優れたものとなる。また、支持基板の絶縁性が十分に確保可能なものとなり、挿入損失の少ないデバイスを作製できるものとなる。そして反りが少なく割れがない複合圧電基板であるので、製造歩留まりが高く、安価なものになる。

以下では、本発明の実施形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１は本発明に係る複合圧電基板の実施形態の一例を示す断面概略図である。
複合圧電基板１は、圧電基板２とこれよりも小さい膨張係数を有する支持基板３とを絶縁性の接着層４を介して貼り合せて作製したものである。このような構成により、温度変化に応じて圧電基板２に応力が発生し、周波数温度特性を改善することができる。また、接着層４を介して貼り合わせたものであるので、比較的安価なものとできる。このような複合圧電基板１は、例えば圧電基板２及び支持基板３の一方又は両方に接着剤を塗布し、真空下で貼り合わせて荷重をかけて強固に接合することにより作製することができる。接着面に異物が混入しないように貼り合わせ前に各基板の表面を洗浄することが好ましく、また、表面をアンモニア−過酸化水素水溶液等で親水化処理をしたり、またはプラズマ処理をして接着力を高めてもよい。
基板の大きさは特に限られず、例えば直径１００ｍｍのものとできるがそれ以上でもそれ以下でもよい。

本発明では、圧電基板２は、厚さが５〜１００μｍである。このように、圧電基板２の厚さが５〜１００μｍ、好ましくは１５〜３０μｍであるので、加熱による反りが少なく割れのないものとなる。圧電基板２の厚さを上記範囲内の所望の値とするには、例えば複合圧電基板１を形成後、圧電基板２を研削、ラップ、ポリッシュ（研磨）加工すればよい。圧電基板２の厚さが５μｍより薄いと、例えば研削、ラップ工程等により生じる加工歪みが圧電基板内部に残存した場合に、圧電基板２を所望の厚さに加工する際にクラックが生じることがあるので好ましくない。また、１００μｍより厚いと、複合圧電基板１を２５０℃程度に加熱した場合に、圧電基板２が割れてしまうことがあるので好ましくない。また、ラップ加工等により圧電基板２の接着面５が粗面に加工されたものであれば、バルク波の裏面反射が抑制され、圧電基板の接着力をより高めることができる。この場合、接着面５の中心線平均粗さを示すＲａ値が、０．０５（μｍ）＜Ｒａ＜０．３（μｍ）であることが好ましい。

また、圧電基板２は、水晶等圧電性結晶材料からなるものであればいずれのものでもよいが、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウムのいずれか１つからなるものであれば、これらは電気機械結合係数が大きい結晶材料なので、周波数選択フィルタとしての帯域幅が広く、挿入損失が小さいＳＡＷデバイスが製造可能な複合圧電基板とできる。これらの圧電結晶材料からなる圧電基板は、例えばチョクラルスキー法でこれらの単結晶棒を育成し、これを所望の厚さにスライスすることによって高品質なものが得られる。
また、基板方位についても、３６°回転Ｙカット、４１°回転Ｙカット、４５°回転Ｙカット等、圧電性結晶材料の種類やＳＡＷデバイスの用途、所望特性等に応じて適宜選択することができる。

また、本発明では、支持基板３は、Ｓｉからなるものであって、かつ支持基板３の両表面層が０．１〜２０μｍの厚さで酸化され、Ｓｉ酸化膜６が形成されたものである。
このように、支持基板３が、圧電基板２よりも膨張係数が小さく、しかも半導体デバイス作製用として最も実用化されているＳｉからなるので、ＳＡＷデバイスと半導体デバイスを複合化しやすくなる。通常、Ｓｉ基板と圧電基板を貼り合わせて形成した複合圧電基板は、両基板の膨張係数が異なるため加熱すると反りが生じるので好ましくない。そこで本発明では、支持基板３の両表面層を０．１〜２０μｍの厚さだけ酸化し、Ｓｉ酸化膜６を形成することにより、複合圧電基板１の反りを低減できる。本発明では前述のように接着層４が絶縁性であるが、これに加えて前記支持基板３の抵抗率が２０００Ω・ｃｍ以上である。このように絶縁性を考慮した高抵抗率とすることにより、挿入損失が少なくなるだけでなく、Ｓｉ酸化膜６とともに絶縁性を十分確保可能とし、電気的特性も向上できる。また、接着層４が絶縁性であり且つ支持基板３の抵抗率が極めて高いので、Ｓｉ酸化膜６が上記の薄さであっても絶縁性を飛躍的に向上させることができる。

もし支持基板３の一方の表面のみにＳｉ酸化膜６がある場合には、複合圧電基板１に室温でも反りが生じ、圧電基板２を前記の厚さに加工する際に外周から剥がれたり、外周からクラックが生じるので好ましくない。またＳｉ酸化膜６の厚さが０．１μｍより薄いと、複合圧電基板１の反りの低減効果が少なく、２０μｍより厚いと、例えば複合圧電基板１をＮ_２雰囲気下３００℃程度に加熱した時に圧電基板２にクラックが生じることがあるので好ましくない。

なお、Ｓｉ酸化膜６の厚さは、上記範囲内であれば必ずしも両表面が同じである必要はないが、同程度であることが好ましい。また、このようなＳｉからなる２０００Ω・ｃｍ以上の極めて高抵抗率の支持基板３は、例えばフローティングゾーン法でＳｉの単結晶棒を育成し、これを所望の厚さにスライスすることによって高品質なものが容易に得られる。また、支持基板３の両表面層を酸化する方法は特に限定されないが、例えば高圧酸化法を用いることができる。この方法によれば、酸化のスピードが速いため、高生産性でＳｉ酸化膜６を前記の所望の厚さとでき、しかも緻密でピンホールがない良質の酸化膜とすることができるので好ましい。

なお、支持基板３の厚さは、１００〜４００μｍであることが好ましい。支持基板３の厚さが４００μｍ以下であれば、携帯電話等に搭載するのに適する、厚さの薄いＳＡＷデバイスの製造に適するものとできる。また、複合圧電基板１のたわみを防止するために、支持基板３の厚さが１００μｍ以上であるものが貼り合わせに適する。

接着層４を構成する接着剤としては、絶縁性のものであれば特に限定されないが、接着層の表面抵抗値が１×１０^１５Ω以上となるものであれば、抵抗値が十分に高いので、高い絶縁性を確保可能なものとなるので好ましい。また、ｔａｎδが周波数１ＧＨｚにおいて０．１以下であれば、このような高周波においても誘電損失が少ないので、高周波においても挿入損失が小さいＳＡＷデバイスが製造可能な複合圧電基板とできるので好ましい。
なお、ｔａｎδで表される誘電正接とは、誘電体に交流電流を流したときの位相遅れδに対して定義される量であり、位相遅れに関係する誘電体内の損失（誘電損失）はｔａｎδに比例する。

また、該接着剤が例えばエポキシメタクリレートを主成分とする光硬化接着剤であれば、上記の表面抵抗値およびｔａｎδの規定を満たすものであるのに加え、２５０℃以上の耐熱性が得られるので、加熱やＳＡＷデバイス実装時のハンダのリフローによる接着面の剥がれを確実に防止できる。またこの接着剤は光硬化前の粘度が１００ｃｐｓ以下と低いので、スピンコーティングやその他の塗布方法で容易に均一な接着層とできる。このように接着層が均一とできれば、複合圧電基板１は均一に接着された高品質なものとなり、より剥離しにくいものとなる。そして、光硬化性であるから、室温で光照射により圧電基板２と支持基板３を強固に貼り合わせ接合することができ、高温にしなくてもよいので貼り合わせ時に圧電基板２が高温で変形せず室温でフラットな形状を保つことができるので好ましい。

なお、圧電基板２は、焦電性による表面電荷の蓄積がないものであってもよい。このように、焦電性による表面電荷の蓄積がないものであれば、ＳＡＷデバイスの製造工程等で複合圧電基板１が温度変化を受けた時に、表面電荷の蓄積による放電現象によりデバイスが特性劣化や破損するのを防止することができる。焦電性による表面電荷の蓄積をなくすには、従来のように接地電極を設ける等して表面電荷を逃がしたり、また圧電基板２の導電性を高め、表面電荷を迅速に中和又は消滅させる等の方法がある。圧電基板２の導電性を高める方法としては、例えば圧電基板２を水素等の還元性雰囲気下で熱処理する方法等がある。

以下に本発明の実施例および比較例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
フローティングゾーン法を用いて製造した、直径４インチ（１００ｍｍ）で厚さが３００μｍであり、抵抗率が３，８００Ω・ｃｍのＳｉ基板の両面の表面層を、高圧酸化法により１０μｍの厚さで酸化した。次に直径４インチ（１００ｍｍ）の３６°回転Ｙカットタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）基板を厚さが０．２ｍｍ（２００μｍ）で両面ラップにより表面のＲａが０．１２μmとなるように加工した。
次いで、前記酸化膜付きＳｉ基板の表面を洗浄し、エポキシメタクリレートを主成分とする紫外線硬化接着剤をスピンコートし片側表面上に均一に塗布した。次いで、前記ＬｉＴａＯ_３基板の裏面を洗浄し、前記接着剤を同様に塗布し、前記酸化膜付きＳｉ基板の接着剤塗布面と前記ＬｉＴａＯ_３基板の接着剤塗布面を圧力１×１０^−３ｍｂａｒの真空下で貼り合せた。このとき基板面に均一に１０Ｎで荷重をかけた。

次に、この貼り合わせた複合圧電基板に、照度５０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１０分間照射し、接着剤を硬化させた。このとき基板面内で接着層は一様に６μｍの厚さだった。また、接着層の表面抵抗値を測定したところ１×１０^１６Ωであった。また、接着層の周波数１ＧＨｚにおけるｔａｎδを測定したところ０．０７と小さな値であった。
そして、この前記複合圧電基板を面取り加工した後、ＬｉＴａＯ_３基板の表面側を研削及びラップにより１６０μｍ削り落とし、さらにポリッシュによりＬｉＴａＯ_３基板の厚さが３０μｍになるようにした。

このようにして作製した複合圧電基板を１５０℃に加熱したところその反り量は最大で１．５ｍｍと小さかった。また、この複合圧電基板を２×３ｍｍの複合圧電基板チップに切断し、このチップをＮ_２雰囲気下、３００℃まで加熱してもチップは割れなかった。また、前記チップを−３５℃〜１２５℃のヒートサイクルに５００サイクルかけても、前記チップはヒートサイクル前と変化は無かった。

（実施例２）
Ｓｉ基板のＳｉ酸化膜の厚さを０．６μｍ、３６°回転ＹカットＬｉＴａＯ_３基板の表面のＲａが０．２６μmとなるように加工した以外は実施例１と同様の条件、方法で複合圧電基板を作製した。
このようにして作製した複合圧電基板を１５０℃に加熱したところその反り量は最大で２ｍｍと小さかった。また、この複合圧電基板を２×３ｍｍの複合圧電基板チップに切断し、このチップをＮ_２雰囲気下、３００℃まで加熱してもチップは割れなかった。また、前記チップを−３５℃〜１２５℃のヒートサイクルに５００サイクルかけても、前記チップはヒートサイクル前と変化は無かった。

（比較例１）
Ｓｉ基板の両面いずれも酸化しないこと以外は実施例１と同様の条件、方法で複合圧電基板を作製した。
このようにして作製した複合圧電基板を１５０℃に加熱したところその反り量は最大で５ｍｍと大きかった。また、この複合圧電基板を２×３ｍｍの複合圧電基板チップに切断し、このチップをＮ_２雰囲気下、３００℃まで加熱したところチップが割れてしまった。

（比較例２）
Ｓｉ基板の両面の表面層を高圧酸化法により１０μｍの厚さで酸化した後片側面の酸化膜を加工により除去し、前記片側酸化膜付きＳｉ基板の酸化膜がある側をＬｉＴａＯ_３基板と貼り合わせた以外は実施例１と同様の条件、方法で複合圧電基板を作製しようとした。
しかし、複合圧電基板を面取り加工した後、ＬｉＴａＯ_３基板の表面側を研削により１８０μｍ削り落としたところ、片側酸化膜付きＳｉ基板とＬｉＴａＯ_３基板が剥離してしまった。

（比較例３）
実施例１とほぼ同様の条件、方法で複合圧電基板を作製しようとした。
但し、複合圧電基板を面取り加工した後、ＬｉＴａＯ_３基板の表面側を研削により１８０μｍ削り落とし、さらにポリッシュによりＬｉＴａＯ_３基板の厚さが４μｍになるようにしたところ、前記ＬｉＴａＯ_３基板が加工中に割れてしまった。

（比較例４）
複合圧電基板を面取り加工した後、ＬｉＴａＯ_３基板の表面側を研削により８０μｍ削り落とし、さらにポリッシュによりＬｉＴａＯ_３基板の厚さが１０５μｍになるようにした以外は、実施例１と同様の条件、方法で複合圧電基板を作製した。
このようにして作製した複合圧電基板を１５０℃に加熱したところその反り量は最大で５ｍｍと大きかった。また、この複合圧電基板を２×３ｍｍの複合圧電基板チップに切断し、このチップをＮ_２雰囲気下、３００℃まで加熱したところチップが割れてしまった。

（実施例３、比較例５、６）
実施例１と同様に、フローティングゾーン法を用いて製造した、いずれも直径４インチ（１００ｍｍ）で厚さが３００μｍであり、抵抗率がそれぞれ３，８００Ω・ｃｍ、１，８００Ω・ｃｍ、１，５００Ω・ｃｍのＳｉ基板サンプルの両面の表面層を高圧酸化法により１０μｍの厚さで酸化した。そして、前記酸化膜付きＳｉ基板の表面を洗浄し、エポキシメタクリレートを主成分とする紫外線硬化接着剤をスピンコートし片側表面上に均一に塗布した後、照度５０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１０分間照射し、接着剤を硬化させた。このときいずれのサンプルも基板面内で接着層は一様であり３μｍの厚さだった。また、接着層の表面抵抗値を測定したところ１×１０^１６Ωであり、接着層の周波数１ＧＨｚにおけるｔａｎδを測定したところ０．０７と小さな値であった。

これらのサンプルの表面内で１チップサイズに相当する２×３ｍｍの領域にラダータイプのＳＡＷフィルタを形成し通過域（１ＧＨｚ）のロスを比較した。参考のため０．２５ｍｍｔの３６°回転ＹカットＬｉＴａＯ_３の表面内で１チップサイズに相当する２×３ｍｍの領域に前記ラダータイプのＳＡＷフィルタと同一パターンを形成しロスを比較した。その結果、前記３，８００Ω・ｃｍの抵抗率のサンプルは３６°回転ＹカットＬｉＴａＯ_３単体のロスと同じ値であったが、前記１，８００Ω・ｃｍ及び１，５００Ω・ｃｍの抵抗率のサンプルはロスが３６°回転ＹカットＬｉＴａＯ_３単体のロスと比べ、それぞれ０．２ｄＢ、０．４ｄＢ劣化していた。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

例えば、実施例では圧電基板として３６°回転ＹカットＬｉＴａＯ_３基板を用いたが、ＬｉＮｂＯ_３基板や他の圧電基板を用いてもよい。また、これらの圧電基板は、焦電性による表面電荷の蓄積をなくしたものであってもよい。

本発明に係る複合圧電基板の実施形態の一例を示す断面概略図である。

符号の説明

１…複合圧電基板、 ２…圧電基板、 ３…支持基板、 ４…接着層、
５…圧電基板の接着面、 ６…Ｓｉ酸化膜。

Claims (5)

1. 圧電基板と該圧電基板よりも小さな膨張係数を有する支持基板とを絶縁性接着層を介して貼り合せた複合圧電基板であって、前記圧電基板は厚さが５〜１００μｍであって、前記支持基板は、Ｓｉからなるものであって、抵抗率が２０００Ω・ｃｍ以上のものであり、かつ該支持基板の両表面層が０．１〜２０μｍの厚さで酸化されたものであることを特徴とする複合圧電基板。
2. 請求項１に記載の複合圧電基板であって、前記支持基板の両表面層は高圧下において酸化されたものであることを特徴とする複合圧電基板。
3. 請求項１又は請求項２に記載の複合圧電基板であって、前記接着層の表面抵抗値が１×１０^１５Ω以上であることを特徴とする複合圧電基板。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の複合圧電基板であって、前記接着層のｔａｎδ（誘電正接）が周波数１ＧＨｚにおいて０．１以下であることを特徴とする複合圧電基板。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の複合圧電基板であって、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウムのいずれか１つからなるものであることを特徴とする複合圧電基板。

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