JP5500966B2 - 複合基板及び金属パターンの形成方法 - Google Patents
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Description
本発明は、複合基板及び金属パターンの形成方法に関する。
従来、基板の表面にフォトリソグラフィにより所望の金属パターンを形成するにあたり、フォトレジストによりレジストパターンを形成し、このレジストパターンを形成した面に金属薄膜層を形成した後、レジストを除去することにより所望の金属パターンを形成することが知られている。この方法は、一般にリフトオフ加工と呼ばれる。例えば、特許文献１に記載の金属薄膜パターンの形成方法では、まず、基板上にレジストパターンを形成した後、金属薄膜層をスパッタで形成する。次に、レジストパターンの剥離液に浸漬後超音波を加えて、レジストパターン及びこのレジストパターン上の不要な金属薄膜層を除去している。
ところで、圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせた複合基板においても、特許文献１のように、リフトオフ加工により所望の金属パターンを形成することが考えられる。ここで、フォトリソグラフィを用いてレジストパターンを形成する場合には、複合基板の圧電基板の表面にフォトレジストを塗布し、所望の金属パターンに対応するフォトマスクを圧電基板上に配置して該フォトマスクを介して光線を照射し、その後フォトマスクを外して現像することによりレジストパターンを形成する。
しかしながら、薄膜に形成された圧電基板や有機接着層、支持基板は照射光を透過してしまう。例えば、照射光がｉ線（波長３６５ｎｍ）の場合、図８に示すように、厚さ３０μｍのタンタル酸リチウム製の圧電基板の透過率は約９５％，厚さ１μｍのエポキシ樹脂製の有機接着層の透過率は約９０％，厚さ２５０μｍのホウ珪酸ガラス製の支持基板の透過率は約９０％であり、これらを貼り合わせた複合基板の透過率は約７７％である。このような場合、照射光が支持基板の底面あるいは複合基板を載置している台座の表面で反射して、フォトレジストのうちフォトマスクで覆われている部分の裏側に到達することがある。こうなると、フォトレジストのうち感光させたくない部分が感光されてしまうため、所望のレジストパターンが得られず、ひいては所望の金属パターンが形成できないという事態を招く。また、支持基板が反射率の高い材料（例えばシリコンなど）である場合でも、照射光が支持基板の表面で反射することで、同様の問題が生ずる。
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、リフトオフ加工を用いて精度よく所望の金属パターンを形成できるようにすることを主目的とする。
本発明は、上述の目的を達成するために以下の手段を採った。
本発明の第１の複合基板は、
フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な圧電基板と該圧電基板を支持する支持基板とを有機接着層により貼り合わせた複合基板であって、
前記支持基板及び前記有機接着層の少なくとも一方が前記フォトリソグラフィに使用される光線を吸収可能なものである。
フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な圧電基板と該圧電基板を支持する支持基板とを有機接着層により貼り合わせた複合基板であって、
前記支持基板及び前記有機接着層の少なくとも一方が前記フォトリソグラフィに使用される光線を吸収可能なものである。
この第１の複合基板は、フォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により所望の金属パターンが圧電基板の表面に形成されるものである。フォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により金属パターンを形成する手順は、例えば、まず、複合基板の圧電基板の表面にフォトレジストを塗布する。次いで、所望の金属パターンに対応するフォトマスクを圧電基板上又は該圧電基板から離間した上方に配置して該フォトマスクを介して光線を照射し、その後フォトマスクを外して現像することによりレジストパターンを形成する。続いて、レジストパターンが形成された面に金属層を形成し、不要な金属層が上面に乗っているレジストパターンを除去することにより所望の金属パターンを形成する、という手順となる。ここで、仮に、支持基板と有機接着層とが共にこのフォトリソグラフィに使用される光線を透過させる材質からなるとする。この場合には、フォトレジストを透過した光線が、圧電基板、有機接着層及び支持基板をこの順に透過したあと支持基板の底面又は複合基板を載置している台の表面で反射し、支持基板、有機接着層及び圧電基板をこの順に透過したあとフォトレジストのうちフォトマスクの陰に隠れた部分を感光させることがある。これに対して、本発明の複合基板では、有機接着層及び支持基板の少なくとも一方がフォトリソグラフィに使用する光線を吸収するため、フォトレジストを透過した光線は有機接着層及び支持基板の少なくとも一方に吸収される。このため、フォトマスクの陰に隠れた部分は感光されない。したがって、圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、フォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により、精度よく所望の金属パターンを形成することができる。
本発明の第１の複合基板において、前記有機接着層は、接着剤組成物中に光線吸収成分（例えば紫外線吸収成分）を添加した材料で作製されていてもよい。接着剤組成物としては、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などが挙げられる。また、光線吸収成分としては、例えばカーボンのほか、チタン、などが挙げられる。この場合において、前記支持基板は、シリコン製の支持基板としてもよい。シリコンは反射率が高いため、有機接着層がフォトリソグラフィに使用される光線を吸収する意義が高い。
本発明の第１の複合基板において、前記支持基板は、ガラス組成物中に光線吸収成分（例えば紫外線吸収成分）を添加した材料で作製されていてもよい。ガラス組成物としては、例えばソーダライムシリカガラスやホウ珪酸ガラス、無水アルカリガラス、石英ガラスなどが挙げられる。また、光線吸収成分としては、例えば酸化鉄、酸化セリウム、酸化チタン、酸化亜鉛等の金属酸化物、などが挙げられる。このようなガラス組成物中に光線吸収成分を添加したものについては、例えば特開平１０−１５２３４９号公報に記載されている。また、フォトリソグラフィに使用される光線は、波長が３５０ｎｍ以上であることが好ましい。３５０ｎｍ以上の波長の光線はガラスを透過しやすいため、本発明を適用する意義が高い。
本発明の第２の複合基板は、
フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な圧電基板と、
前記フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な支持基板と、
前記フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能であり、前記圧電基板と前記支持基板とを貼り合わせる第１の有機接着層と、
前記支持基板のうち前記第１の有機接着層とは反対側の面に形成された第２の有機接着層と、
を備え、
前記第２の有機接着層が前記フォトリソグラフィに使用される光線を吸収可能なものである。
フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な圧電基板と、
前記フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な支持基板と、
前記フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能であり、前記圧電基板と前記支持基板とを貼り合わせる第１の有機接着層と、
前記支持基板のうち前記第１の有機接着層とは反対側の面に形成された第２の有機接着層と、
を備え、
前記第２の有機接着層が前記フォトリソグラフィに使用される光線を吸収可能なものである。
この第２の複合基板において、フォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により所望の金属パターンを圧電基板の表面に形成する際には、フォトレジストを透過した光線が、圧電基板，第１の有機接着層，支持基板をこの順に透過したあと第２の有機接着層に吸収される。このため、フォトマスクの陰に隠れた部分は感光されない。したがって、第１の複合基板と同様に、フォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により、精度よく所望の金属パターンを形成することができる。なお、第２の有機接着層は接着剤組成物中に光線吸収成分を添加した材料で作製されていてもよい。
本発明の第２の複合基板において、前記第２の有機接着層により前記支持基板に貼り合わされている金属箔又は補償基板、を備え、前記圧電基板は、前記支持基板よりも熱膨張係数が大きく、前記金属箔又は補償基板は、前記支持基板よりも熱膨張係数が大きいものとしてもよい。こうすれば、温度が変化したときの圧電基板の大きさの変化が支持基板によって抑制されるとともに、支持基板の両側に熱膨張係数の大きい圧電基板と金属箔又は補償基板とが存在することで、複合基板の反りを防止できる。これにより、複合基板の温度特性を向上させることができる。
本発明の金属パターンの形成方法は、
（ａ）上述したいずれかの複合基板を用意し、該複合基板の圧電基板の表面にフォトレジストを塗布する工程と、
（ｂ）所望の金属パターンに対応するフォトマスクを前記圧電基板上又は該圧電基板から離間した上方に配置して該フォトマスクを介して光線を照射し、その後前記フォトマスクを外して現像することによりレジストパターンを形成する工程と、
（ｃ）前記レジストパターンが形成された面に金属層を形成し、その後不要な金属層が乗っているレジストパターンを除去することにより前記金属パターンを形成する工程と、
を含むものである。
（ａ）上述したいずれかの複合基板を用意し、該複合基板の圧電基板の表面にフォトレジストを塗布する工程と、
（ｂ）所望の金属パターンに対応するフォトマスクを前記圧電基板上又は該圧電基板から離間した上方に配置して該フォトマスクを介して光線を照射し、その後前記フォトマスクを外して現像することによりレジストパターンを形成する工程と、
（ｃ）前記レジストパターンが形成された面に金属層を形成し、その後不要な金属層が乗っているレジストパターンを除去することにより前記金属パターンを形成する工程と、
を含むものである。
この金属パターンの形成方法によれば、ステップ（ａ）で上述した第１の複合基板を用意した場合には有機接着層及び支持基板の少なくとも一方がフォトリソグラフィに使用する光線を吸収可能なため、フォトレジストを透過した光線は、有機接着層及び支持基板の少なくとも一方に吸収される。また、ステップ（ａ）で上述した第２の複合基板を用意した場合には、フォトレジストを透過した光線は第２の有機接着層に吸収される。このため、いずれの場合もフォトマスクの陰に隠れた部分は感光されない。したがって、圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、フォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により、精度よく所望の金属パターンを形成することができる。なお、工程（ｂ）において、レジストを塗布した圧電基板の上方に配置するフォトマスクは、一般に、レチクルとも呼ばれる。
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、弾性波素子用の複合基
板１０を模式的に示す断面図である。この複合基板１０は、圧電基板１１と、支持基板１２と、有機接着層１３とから構成されている。
板１０を模式的に示す断面図である。この複合基板１０は、圧電基板１１と、支持基板１２と、有機接着層１３とから構成されている。
圧電基板１１は、弾性表面波を伝搬可能な圧電体の基板であり、複合基板１０にフォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により所望の金属パターンを形成する際に、この金属パターンが表面に形成されるものである。この圧電基板１１は、フォトリソグラフィに使用される光線（以下、使用光線という）を透過させるものである。ここでは、使用光線として、波長が３５０ｎｍ以上のｉ線（３６５ｎｍ）又はｇ線（４３６ｎｍ）を用いるものとする。また、圧電基板１１の材質としては、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、ホウ酸リチウム、ランガサイト、水晶などが挙げられる。圧電基板１１の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が５０〜１５０ｍｍ、厚さが１０〜５０μｍである。
支持基板１２は、圧電基板１１に貼り合わせられた基板である。この支持基板１２の材質としては、光透過性のある材質、例えば、ソーダライムシリカガラスやホウ珪酸ガラス、無水アルカリガラス、石英ガラスなどが挙げられる。ここでは、ホウ珪酸ガラスを用いるものとする。なお、支持基板１２の材質をシリコンなどの光をあまり透過しない材質としてもよい。また、支持基板１２の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が、５０〜１５０ｍｍ、厚さが１５０〜５００μｍである。
有機接着層１３は、圧電基板１１の裏面と支持基板１２の表面とを接着するものである。この有機接着層１３は、使用光線を吸収するように接着剤組成物であるエポキシ樹脂に紫外線吸収成分としてカーボン又はチタンを混入させたものである。例として、図２に、エポキシ樹脂に３０重量％のカーボンブラック（平均粒子径２４ｎｍ）を添加した有機接着剤Ａ，エポキシ樹脂に３３重量％のチタンブラック（平均粒子径９０ｎｍ）を添加した有機接着剤Ｂ，及びエポキシ樹脂のみからなる有機接着剤Ｃの透過率を示す。なお、図２において有機接着剤Ａ〜Ｃの厚さはいずれも１μｍとした。図２に示すように、有機接着剤Ａのｉ線，ｇ線の透過率は約０％、有機接着剤Ｂのｉ線，ｇ線の透過率は約０．５％であり、いずれも有機接着剤Ｃ（ｉ線，ｇ線の透過率は９０％以上）と比べて著しく透過率が小さいことがわかる。なお、有機接着層１３は例えばこの有機接着剤Ａ，Ｂのような材料からなるが、添加するカーボンやチタンの重量％や粒径を上記の値に特に限定するものではなく、有機接着層１３が使用光線を吸収するように適宜設定すればよい。
次に、複合基板１０の表面に所望の金属パターンを形成するプロセスを図３を用いて説明する。図３は、複合基板１０の表面に所望の金属パターンを形成するプロセスを模式的に示す説明図（断面図）である。
まず、圧電基板１１の裏面と支持基板１２の表面とを有機接着層１３により接着した後、圧電基板１１の表面を研磨して薄くした複合基板１０を用意する（図３（ａ）参照）。この複合基板１０を台座３０へ載置し、圧電基板１１の表面に、例えばスピンコートによりポジ型のフォトレジスト２０を均一に塗布する（図３（ｂ）参照）。次に、所望の金属パターンに相当する部分が上下方向に貫通しているフォトマスク２１をフォトレジスト２０上に配置し（図３（ｃ）参照）、このフォトマスク２１を介して上方から使用光線を照射する（図３（ｄ）参照）。その後、フォトマスク２１を外して現像することにより、レジストパターン２０ａを形成する（図３（ｅ）参照）。ここで、圧電基板１１を通過した使用光線は、有機接着層１３にほとんど吸収される。このため、使用光線が支持基板１２の裏面あるいは台座３０の表面で反射してフォトレジスト２０のうちフォトマスク２１で覆われている部分の裏側に到達することはなく、この部分が感光されてしまうことはない。続いて、レジストパターン２０ａが形成された面に例えばスパッタにより金属層１４を形成する（図３（ｆ）参照）。その後、不要な金属層が乗っているレジストパターン２０ａを有機溶剤等に溶解させて除去することにより、金属パターン１４ａを完成させる（図３（ｇ）参照）。
以上詳述した本実施形態の複合基板１０によれば、フォトマスク２１の陰に隠れた部分はほとんど感光されないため、圧電基板１１と支持基板１２とを有機接着層１３を介して貼り合わせた複合基板１０につき、フォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により、精度よく所望の金属パターンを形成することができる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
例えば、上述した実施形態では、使用光線を吸収可能な有機接着層１３を用いたが、それに代えて又は加えて、使用光線を吸収可能な支持基板１２を用いてもよい。この場合も、上述した実施形態と同様の効果が得られる。
上述した実施形態では、複合基板１０は図１に示す構成としたが、図４に示す構成としてもよい。図４に示す複合基板１１０は、圧電基板１１１と、支持基板１１２と、第１有機接着層１１３と、第２有機接着層１１４と、を備えたものである。圧電基板１１１は上述した圧電基板１１と同様である。また、支持基板１１２は光透過性のある材質からなる基板である。第１有機接着層１１３は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂など光透過性のある材質からなり、圧電基板１１１の裏面と支持基板１１２の表面とを接着するものである。第２有機接着層１１４は、上述した有機接着層１３と同様に使用光線を吸収可能なものである。このように構成された複合基板１１０において、上述した複合基板１０と同様にフォトマスク及びフォトレジストを用いて圧電基板１１１上に金属パターンを形成する際には、使用光線が圧電基板１１１，第１有機接着層１１３，支持基板１１２を透過するが、第２有機接着層１１４が使用光線を吸収するため、支持基板１１２の裏面あるいは台座３０の表面で反射してフォトレジストのうちフォトマスクで覆われている部分の裏側に到達することはなく、この部分が感光されてしまうことはない。したがって、上述した複合基板１０と同様の効果が得られる。また、複合基板１０は図５に示す構成としてもよい。図５に示す複合基板１１０ａは、図４の複合基板１１０において、第２有機接着層１１４の裏面に金属箔１１５が存在する構成、すなわち第２有機接着層１１４が支持基板１１２の裏面と金属箔１１５の表面とを接着する構成としたものである。なお、図５の複合基板１１０ａの構成要素のうち図４の複合基板１１０と同じ構成要素については、同じ符号を付してその説明を省略する。この複合基板１１０ａにおいて、圧電基板１１１及び金属箔１１５の熱膨張係数が支持基板１１２の熱膨張係数よりも大きくなるように材質を適宜選択することにより、複合基板１１０ａの温度特性を向上させることができる。その理由は、温度が変化したときの圧電基板１１１の大きさの変化が支持基板１１２によって抑制されるとともに、支持基板１１２の両面に支持基板１１２よりも熱膨張係数の大きい圧電基板１１１と金属箔１１５とが存在することで、複合基板１１０ａの反りを防止できることによる。金属箔１１５の材質としては、例えばニッケル，銅，鋼，アルミニウム，青銅及びそれらの合金などが挙げられる。金属箔の厚さは、例えば１０〜５０μｍ（好ましくは１０〜３０μｍ）である。また、複合基板１１０ａは、金属箔１１５に代えて、支持基板１１２よりも熱膨張係数の大きい補償基板を備えるものとしてもよい。この場合も、金属箔１１５を備える場合と同様に複合基板の温度特性を向上させることができる。補償基板の材質としては、例えばタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、ホウ酸リチウム、ランガサイト、水晶などが挙げられる。補償基板は、圧電基板１１１と同じ材料であってもよいし異なる材料であってもよい。補償基板の厚さは、例えば１０〜５０μｍ（好ましくは１０〜３０μｍ）である。なお、複合基板１０においても、支持基板１２の裏面が有機接着層により上述した金属箔又は補償基板の表面と接着される構成とすることで、同様に温度特性を向上させることができる。この場合には支持基板１２と金属箔とを接着する有機接着層の材質は使用光線を吸収するものに限られない。
上述した実施形態では、ポジ型のフォトレジスト２０を用いたが、ネガ型のフォトレジストを用い、フォトマスクとして所望の金属パターンに相当する部分のみを覆うものを用いてもよい。この場合、現像したあとは図３（ｅ）と同じ状態になる。
［実施例１］
実施例１として、図１に示した複合基板１０を作製し、フォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により金属パターンを形成した。
実施例１として、図１に示した複合基板１０を作製し、フォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により金属パターンを形成した。
具体的には、まず、圧電基板１１となる厚さが２５０μｍ，直径１００ｍｍのタンタル酸リチウム基板（以下、ＬＴ基板）と、支持基板１２となる厚さ２５０μｍ，直径１００ｍｍのホウ珪酸ガラス基板と、を用意した。ここで、ＬＴ基板は、弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカットである４２°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いた。続いて、このホウ珪酸ガラス基板の表面に上述した有機接着剤Ａをスピンコートにより塗布し、ＬＴ基板の裏面がホウ珪酸ガラス基板の有機接着剤Ａを塗布した側と接するように貼り合わせて１６０℃に加熱し、有機接着層１３の厚さが０．７μｍとなる貼り合わせ基板を形成した。そして、この貼り合わせ基板を、ＬＴ基板の厚さが３０μｍとなるまで研磨して複合基板１０を作製した。
続いて、作製した複合基板１０の圧電基板１１の表面にスピンコートによりポジ型のフォトレジストを厚さ０．４μｍとなるように均一に塗布し、１００℃でプリべーク処理を行った。次に、Ｌ／Ｓ（Ｌｉｎｅ＆Ｓｐａｃｅ）が０．５μｍ（すなわち、線幅０．５μｍ，線間距離０．５μｍ）のフォトマスクをフォトレジスト上に配置し、複合基板１０をアルミニウム製の台座３０の上に載置した状態で、フォトマスクを介して複合基板１０の上方から使用光線（ｉ線）を照射した。その後、フォトマスクを外してレジスト現像液に浸漬してレジストパターンを形成し、レジストパターンが形成された面にスパッタにより厚さ０．１４μｍのアルミニウムからなる金属層を形成した。そして、不要な金属層が乗っているレジストパターンを有機溶剤に溶解させて除去することで、金属パターンを完成させた。完成した金属パターンの幅を１００箇所測定したところ、金属パターンの幅は０．５μｍ±０．０５μｍであり、標準偏差σは０．０２μｍであった。
［実施例２］
支持基板１２の材質をホウ珪酸ガラスの代わりにシリコンとした点以外は、実施例１と同様にして複合基板１０を作製し、金属パターンを完成させた。完成した金属パターンの幅を１００箇所測定したところ、金属パターンの幅は０．５μｍ±０．０５μｍであり、標準偏差σは０．０２μｍであった。
支持基板１２の材質をホウ珪酸ガラスの代わりにシリコンとした点以外は、実施例１と同様にして複合基板１０を作製し、金属パターンを完成させた。完成した金属パターンの幅を１００箇所測定したところ、金属パターンの幅は０．５μｍ±０．０５μｍであり、標準偏差σは０．０２μｍであった。
［比較例１］
有機接着層１３を上述した有機接着剤Ｃを塗布することで形成した点以外は、実施例１と同様にして複合基板１０を作製し、金属パターンを完成させた。完成した金属パターンの幅を１００箇所測定したところ、金属パターンの幅は０．７μｍ±０．１５μｍであり、標準偏差σは０．０５μｍであった。
有機接着層１３を上述した有機接着剤Ｃを塗布することで形成した点以外は、実施例１と同様にして複合基板１０を作製し、金属パターンを完成させた。完成した金属パターンの幅を１００箇所測定したところ、金属パターンの幅は０．７μｍ±０．１５μｍであり、標準偏差σは０．０５μｍであった。
［比較例２］
有機接着層１３を上述した有機接着剤Ｃを塗布することで形成した点以外は、実施例２と同様にして複合基板１０を作製し、金属パターンを完成させた。完成した金属パターンの幅を１００箇所測定したところ、金属パターンの幅は０．６μｍ±０．１０μｍであり、標準偏差σは０．０３μｍであった。
有機接着層１３を上述した有機接着剤Ｃを塗布することで形成した点以外は、実施例２と同様にして複合基板１０を作製し、金属パターンを完成させた。完成した金属パターンの幅を１００箇所測定したところ、金属パターンの幅は０．６μｍ±０．１０μｍであり、標準偏差σは０．０３μｍであった。
実施例１，２及び比較例１，２の結果から、有機接着層１３が有機接着剤Ａにより形成されている実施例１，２は、有機接着層１３が有機接着剤Ｃにより形成されている比較例１，２よりも、金属パターンの幅が所望の値（０．５μｍ）に近く、精度良く所望の金属パターンを形成できることがわかる。
ここで、比較例１，２における所望の金属パターンを形成するプロセスの一部を模式的に示す説明図（部分断面図）を図６，図７にそれぞれ示す。なお、図６，７の（ａ）〜（ｃ）は上述した実施形態の図３（ｄ）〜（ｆ）に対応するプロセスを示している。比較例１の複合基板１０にフォトレジスト２０及びフォトマスク２１を配置した状態で使用光線を照射すると、使用光線はフォトレジスト２０，圧電基板１１，有機接着層１３，支持基板１２を透過し、複合基板１０を載置する台座３０の表面で反射してフォトレジスト２０のうちフォトマスク２１で覆われている部分の裏側に到達する（図６（ａ）参照）。また、比較例２の複合基板１０では、使用光線はフォトレジスト２０，圧電基板１１，有機接着層１３を透過し、シリコン製の支持基板１２の表面で使用光線が反射してフォトレジスト２０のうちフォトマスク２１で覆われている部分の裏側に到達する（図７（ａ）参照）。これにより、フォトレジスト２０のうちフォトマスク２１で覆われており本来除去されるべきでない部分がレジスト現像液により一部除去されてしまう（図６（ｂ），図７（ｂ）の点線で囲まれた部分が除去された部分）。そして、その後の金属層１４の形成時にはこの一部除去されてしまった部分にまで金属パターン１４ａとなる金属層１４が形成されてしまうため、完成した金属パターン１４ａが所望の幅よりも広くなってしまう（図６（ｃ），図７（ｃ）参照）。このようにして、比較例１，２では実施例１，２と比べて金属パターン１４ａの幅が大きく、且つ幅のばらつきも大きくなっていると考えられる。実施例１，２では、有機接着層１３が使用光線を吸収するため、このような金属パターン１４ａの幅の増大やばらつきを防止して、精度良く所望の金属パターン１４ａを形成することができる。
１０，１１０，１１０ａ 複合基板、１１，１１１ 圧電基板、１２，１１２ 支持基板、１３ 有機接着層、１４ 金属層、１４ａ 金属パターン、２０ フォトレジスト、２０ａ レジストパターン、２１ フォトマスク、３０ 台座、１１３ 第１有機接着層、１１４ 第２有機接着層、１１５ 金属箔。
Claims (8)
- フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な圧電基板と該圧電基板を支持する支持基板とを有機接着層により貼り合わせた複合基板であって、
前記支持基板及び前記有機接着層の少なくとも一方が前記フォトリソグラフィに使用される光線を吸収可能であり、
前記フォトリソグラフィに使用される光線は、ｉ線又はｇ線であり、
前記有機接着層は、接着剤組成物中に光線吸収成分としてカーボンとチタンとの少なくともいずれかを添加した材料からなる、
複合基板。 - 前記支持基板は、シリコン製の支持基板である、
請求項１に記載の複合基板。 - フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な圧電基板と該圧電基板を支持する支持基板とを有機接着層により貼り合わせた複合基板であって、
前記支持基板及び前記有機接着層の少なくとも一方が前記フォトリソグラフィに使用される光線を吸収可能であり、
前記フォトリソグラフィに使用される光線は、ｉ線又はｇ線であり、
前記支持基板は、ガラス組成物中に光線吸収成分を添加した材料からなる、
複合基板。 - 前記支持基板は、ソーダライムシリカガラス、ホウ珪酸ガラス、無水アルカリガラス、石英ガラスのいずれかの前記ガラス組成物中に、前記光線吸収成分として金属酸化物を添加した材料からなる、
請求項３に記載の複合基板。 - 前記金属酸化物は、酸化鉄、酸化セリウム、酸化チタン、酸化亜鉛の少なくともいずれかである、
請求項４に記載の複合基板。 - フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な圧電基板と、
前記フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な支持基板と、
前記フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能であり、前記圧電基板と前記支持基板とを貼り合わせる第１の有機接着層と、
前記支持基板のうち前記第１の有機接着層とは反対側の面に形成された第２の有機接着層と、
を備え、
前記第２の有機接着層が前記フォトリソグラフィに使用される光線を吸収可能であり、
前記フォトリソグラフィに使用される光線は、ｉ線又はｇ線である、
複合基板。 - 請求項６に記載の複合基板であって、
前記第２の有機接着層により前記支持基板に貼り合わされている金属箔又は補償基板、
を備え、
前記圧電基板は、前記支持基板よりも熱膨張係数が大きく、
前記金属箔又は補償基板は、前記支持基板よりも熱膨張係数が大きい、
複合基板。 - （ａ）請求項１〜７のいずれか１項に記載の複合基板を用意し、該複合基板の圧電基板の表面にフォトレジストを塗布する工程と、
（ｂ）所望の金属パターンに対応するフォトマスクを前記圧電基板上又は該圧電基板から離間した上方に配置して該フォトマスクを介して光線を照射し、その後前記フォトマスクを外して現像することによりレジストパターンを形成する工程と、
（ｃ）前記レジストパターンが形成された面に金属層を形成し、その後不要な金属層が乗っているレジストパターンを除去することにより前記金属パターンを形成する工程と、
を含む金属パターンの形成方法。
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