JP3206916B2 - 欠陥濃度低減方法、紫外線透過用光学ガラスの製造方法及び紫外線透過用光学ガラス - Google Patents
欠陥濃度低減方法、紫外線透過用光学ガラスの製造方法及び紫外線透過用光学ガラスInfo
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Description
【０００１】
本発明は欠陥濃度低減方法、紫外線透過用光学ガラス
の製造方法及び紫外線透過用光学ガラスに関する。
の製造方法及び紫外線透過用光学ガラスに関する。
【０００２】
【従来の技術】 従来紫外線透過性ガラスとしては、合成石英ガラス系
以外紫外線を透過する光学ガラスはなかった。しかしな
がら合成石英ガラスはその製造方法に依存して紫外域に
種々の欠陥吸収が存在することが知られている。その主
なものは、合成石英ガラスの化学的構造中のSi−Si、Si
・、Si−Ｏ−Ｏ−Si及びSi−Ｏ−Ｏ・などの遊離ラヂカ
ルを含む原子団に基づく特定の欠陥吸収である。［J.Ap
pl.Phys.65（12）,15 June 1989,Phisical Review B.3
8.17（1988）］これらの欠陥を低減し紫外域の透過性に
優れた材料として、OH基を100〜1,000ppm含む高OH含有
合成石英ガラスが市販されている。
以外紫外線を透過する光学ガラスはなかった。しかしな
がら合成石英ガラスはその製造方法に依存して紫外域に
種々の欠陥吸収が存在することが知られている。その主
なものは、合成石英ガラスの化学的構造中のSi−Si、Si
・、Si−Ｏ−Ｏ−Si及びSi−Ｏ−Ｏ・などの遊離ラヂカ
ルを含む原子団に基づく特定の欠陥吸収である。［J.Ap
pl.Phys.65（12）,15 June 1989,Phisical Review B.3
8.17（1988）］これらの欠陥を低減し紫外域の透過性に
優れた材料として、OH基を100〜1,000ppm含む高OH含有
合成石英ガラスが市販されている。
【０００３】
しかしながら、高OH含有合成石英ガラスはエキシマレ
ーザなど高エネルギー紫外線を長期間に亙って照射する
につれて、蛍光の発生や新たな吸収帯の生成などの問題
が生じ、長期使用の信頼性に欠けるという課題がある。
ーザなど高エネルギー紫外線を長期間に亙って照射する
につれて、蛍光の発生や新たな吸収帯の生成などの問題
が生じ、長期使用の信頼性に欠けるという課題がある。
【０００４】
本発明の目的は紫外線の欠陥吸収を著しく軽減もしく
は解除し、かつ長期使用の信頼性に優る紫外線透過用光
学ガラス、その製造方法及び欠陥濃度低減方法を提供す
るものである。
は解除し、かつ長期使用の信頼性に優る紫外線透過用光
学ガラス、その製造方法及び欠陥濃度低減方法を提供す
るものである。
【０００５】 即ち、本発明の目的はフッ素をドープした合成石英ガ
ラスよりなる紫外線透過用光学ガラスにより達成され
る。
ラスよりなる紫外線透過用光学ガラスにより達成され
る。
【０００６】 フッ素ドープ合成石英ガラスは、光ファイバにおける
屈折率を低下させた合成石英ガラス母材として知られて
いる。本発明はこのガラスが紫外域、特に商業的に意義
のある155nm〜400nmの波長域において欠陥吸収を軽減も
しくは失わせ、かつ高エネルギー紫外線を長期に亙って
照射しても欠陥をおこさないことを見いだして本発明に
到達したものである。
屈折率を低下させた合成石英ガラス母材として知られて
いる。本発明はこのガラスが紫外域、特に商業的に意義
のある155nm〜400nmの波長域において欠陥吸収を軽減も
しくは失わせ、かつ高エネルギー紫外線を長期に亙って
照射しても欠陥をおこさないことを見いだして本発明に
到達したものである。
【０００７】 合成石英ガラスの欠陥吸収は酸素欠乏型欠陥と酸素過
剰型欠陥の２種類に大別される。前者の欠陥はSi−Si基
に起因し165nmと250nmとに吸収帯を持ち、紫外透過材料
として用いる場合極めて重大な欠陥となる。またこのガ
ラスにエキシマレーザなどの高エネルギー紫外線を照射
するとこの結合が切れて遊離ラジカルSi・（Ｅ′セン
タ）を生成し、新たに215nmに吸収を生じ新たな欠陥と
なる。また後者の欠陥はSi−Ｏ−Ｏ−Si基に基づき、32
5nmに吸収帯を持つ。さらに高エネルギー紫外線の照射
により遊離ラジカル、Si−Ｏ−Ｏ・、Si−Ｏ・そして究
極的にはSi・を生じ、同様に問題となる。
剰型欠陥の２種類に大別される。前者の欠陥はSi−Si基
に起因し165nmと250nmとに吸収帯を持ち、紫外透過材料
として用いる場合極めて重大な欠陥となる。またこのガ
ラスにエキシマレーザなどの高エネルギー紫外線を照射
するとこの結合が切れて遊離ラジカルSi・（Ｅ′セン
タ）を生成し、新たに215nmに吸収を生じ新たな欠陥と
なる。また後者の欠陥はSi−Ｏ−Ｏ−Si基に基づき、32
5nmに吸収帯を持つ。さらに高エネルギー紫外線の照射
により遊離ラジカル、Si−Ｏ−Ｏ・、Si−Ｏ・そして究
極的にはSi・を生じ、同様に問題となる。
【０００８】 本発明者らは上記欠陥吸収を観察し、鋭意その除去を
検討した結果、フッ素をドープした合成石英ガラスがこ
の目的に適合することを認めた。
検討した結果、フッ素をドープした合成石英ガラスがこ
の目的に適合することを認めた。
【０００９】 即ち本発明の光学ガラスの紫外線透過率をフッ素を含
まない各種合成石英ガラスと比較した結果を第１図に、
そしてそれらをエキシマレーザ照射した後の透過率の変
化を第２図に示す。
まない各種合成石英ガラスと比較した結果を第１図に、
そしてそれらをエキシマレーザ照射した後の透過率の変
化を第２図に示す。
【００１０】 第１図より合成石英ガラスのうちフッ素ドープのもの
及び高OH含有のものは、共に何ら欠陥吸収を示さない
が、過酸素含有のものはSi−Ｏ−Ｏ−Siに基づく吸収
を、そして低OH含有のものはSi−Si及び他のSi結合（第
１図においてSi−Siで示してある結合）に基づく吸収を
示す。かつまた、本発明のガラスは紫外線透過域を低波
長に若干広げそして透過率もやや高いことが示される。
及び高OH含有のものは、共に何ら欠陥吸収を示さない
が、過酸素含有のものはSi−Ｏ−Ｏ−Siに基づく吸収
を、そして低OH含有のものはSi−Si及び他のSi結合（第
１図においてSi−Siで示してある結合）に基づく吸収を
示す。かつまた、本発明のガラスは紫外線透過域を低波
長に若干広げそして透過率もやや高いことが示される。
【００１１】 第２図は本発明のガラスを強力なエキシマレーザで照
射した後の吸収の変化の有無、つまり長期使用信頼性の
有無を示すものである。本発明のガラスには何らの変化
を認めることができないが、他の三者には共通してＥ′
センタに基づく欠陥吸収が顕著に認められる。
射した後の吸収の変化の有無、つまり長期使用信頼性の
有無を示すものである。本発明のガラスには何らの変化
を認めることができないが、他の三者には共通してＥ′
センタに基づく欠陥吸収が顕著に認められる。
【００１２】 本発明の上記の効果は次のように考察される。
【００１３】 石英ガラス中にフッ素が存在すれば、結合エネルギー
の大きいSi−Ｆ結合（592kcal,Si−Si結合は225kcal）
を生成し Si−Si＋2F→2SiF 極めて安定なガラスとして存在することができる。また
たとえＥ′センタが生成してもガラス中のフッ素と反応
し Si・Ｆ→SiF 吸収帯の生成を未然に防ぐことが可能となる。
の大きいSi−Ｆ結合（592kcal,Si−Si結合は225kcal）
を生成し Si−Si＋2F→2SiF 極めて安定なガラスとして存在することができる。また
たとえＥ′センタが生成してもガラス中のフッ素と反応
し Si・Ｆ→SiF 吸収帯の生成を未然に防ぐことが可能となる。
【００１４】 本発明の光学ガラスのフッ素含量は、ラマン分光分析
又は比色法による常法で定量される。それはドープされ
る合成石英の製造法により変動する酸素含量に依存する
が、欠陥吸収の原因となる原子団の少なくとも１部を安
定化するに足る量である。その１部を安定化したとして
も紫外線の透過率は向上するので使用目的によっては有
用な光学ガラスとなることができる。また過剰にフッ素
がトープされると紫外域の吸収末端が長波長側にシフト
しやや透過波長域を狭くする傾向がある。
又は比色法による常法で定量される。それはドープされ
る合成石英の製造法により変動する酸素含量に依存する
が、欠陥吸収の原因となる原子団の少なくとも１部を安
定化するに足る量である。その１部を安定化したとして
も紫外線の透過率は向上するので使用目的によっては有
用な光学ガラスとなることができる。また過剰にフッ素
がトープされると紫外域の吸収末端が長波長側にシフト
しやや透過波長域を狭くする傾向がある。
【００１５】 第３図は本発明の１種のガラス系におけるフッ素含量
によるＥ′センタ欠陥量の差をESRを用いて測定した結
果を示す図である。この系ではフッ素含量1wt％程度で
Ｅ′センタ欠陥濃度は最小であるが、少量のフッ素量に
より急速に減少し、反対に多量となると緩慢に増加する
ことを示す。
によるＥ′センタ欠陥量の差をESRを用いて測定した結
果を示す図である。この系ではフッ素含量1wt％程度で
Ｅ′センタ欠陥濃度は最小であるが、少量のフッ素量に
より急速に減少し、反対に多量となると緩慢に増加する
ことを示す。
【００１６】 また第４図は、フッ素含量が吸収紫外域に及ぼす影響
を示す図である。フッ素含量が大きくなると、吸収末端
がやや長波長側にシフトすることを示している。
を示す図である。フッ素含量が大きくなると、吸収末端
がやや長波長側にシフトすることを示している。
【００１７】 あるガラス系における最良の効果を示すフッ素含量
は、その系について第３図を得るのに必要な予備実験を
することにより容易に得られる。一般に欠陥吸収を抑制
するフッ素含量は極めて少量でよく、あまり大量である
必要はないこととなる。従って好ましいドープ量は一般
に0.5〜3wt％である。
は、その系について第３図を得るのに必要な予備実験を
することにより容易に得られる。一般に欠陥吸収を抑制
するフッ素含量は極めて少量でよく、あまり大量である
必要はないこととなる。従って好ましいドープ量は一般
に0.5〜3wt％である。
【００１８】 本発明のフッ素ドープ合成石英ガラスに155〜400nmの
紫外及び真空紫外域で80％以上の透過率を有し、種々の
光学ガラス物品に成形して用いられる。例えばフォトマ
スク基板（例、遠赤紫リソグラフィ用）、遠紫外、紫外
レーザ用レンズ、プリズム、分光分析用セル、窓材、ミ
ラー等々が挙げられる。その成形法は、通常の合成石英
と同様に切削研磨はもとより熱成形などが容易に用いら
れる。
紫外及び真空紫外域で80％以上の透過率を有し、種々の
光学ガラス物品に成形して用いられる。例えばフォトマ
スク基板（例、遠赤紫リソグラフィ用）、遠紫外、紫外
レーザ用レンズ、プリズム、分光分析用セル、窓材、ミ
ラー等々が挙げられる。その成形法は、通常の合成石英
と同様に切削研磨はもとより熱成形などが容易に用いら
れる。
【００１９】 本発明の光学ガラスは、公知のいかなるフッ素ドープ
合成石英ガラスであってもよく、またいかなる方法で製
造されたものであってもよい。フッ素は合成石英ガラス
中に例えば下の反応式に従ってドープされる。
合成石英ガラスであってもよく、またいかなる方法で製
造されたものであってもよい。フッ素は合成石英ガラス
中に例えば下の反応式に従ってドープされる。
【００２０】 3SiO2＋SiF4→4SiO1.5Ｆ 式中のドーパントの四フッ化ケイ素（SiF4）は他の反
応性フッ素系化合物であっても良い。
応性フッ素系化合物であっても良い。
【００２１】 このように、四塩化ハロゲンと酸素とを適当な熱源、
例えば抵抗加熱、酸素−水素火炎などを用いて反応させ
る気相法による合成石英製造工程中にドーパントを加え
て同時に反応させる方法（例えば特開昭55−15482号公
報）、気相法により生成した石英の多孔性微粒子の堆積
体（スート）にフッ素をドープする方法（特開昭55−67
533号公報）、及び上記スートにより得られた合成石英
の多孔性乾燥ゲルのような多孔性石英を、塩素又は反応
性塩素系化合物の共存においてドーパントと反応させる
方法（特開昭60−86045号公報）などを例として挙げ
る。
例えば抵抗加熱、酸素−水素火炎などを用いて反応させ
る気相法による合成石英製造工程中にドーパントを加え
て同時に反応させる方法（例えば特開昭55−15482号公
報）、気相法により生成した石英の多孔性微粒子の堆積
体（スート）にフッ素をドープする方法（特開昭55−67
533号公報）、及び上記スートにより得られた合成石英
の多孔性乾燥ゲルのような多孔性石英を、塩素又は反応
性塩素系化合物の共存においてドーパントと反応させる
方法（特開昭60−86045号公報）などを例として挙げ
る。
【００２２】 尚ドーパントとしては、SiF4の外CF4、F2、SF6、C3F8
及びCCl2F2のような高温で分解しガラスと反応してフッ
素を与えるものはいずれも使用出来る。
及びCCl2F2のような高温で分解しガラスと反応してフッ
素を与えるものはいずれも使用出来る。
【００２３】 本発明では、上記の方法を若干改良し、スートをまず
塩素又は反応性塩素系化合物と反応させ次いでフッ素系
ドーパントと反応させる。この際塩素はスートに含まれ
るか随伴される不純物とも反応し、これを除去する。反
応は公知のようにヘリウムなどの不活性ガスの雰囲気中
で行い、要すれば反応温度、時間及び圧力などを変化さ
せて数段階に連続的に分けて行う。このためには、局部
加熱炉を使用するのが便利である。即ち局部加熱炉中の
石英製炉心管中でスートなど多孔性石英を、不活性ガス
で希釈したドーパントの流動下、所定の温度に加熱した
加熱帯を所定の線速度で通るように移動させて反応さ
せ、次いで温度など条件を変えて同様に反応させる。勿
論炉全体を加熱する灼熱炉を用いることもできる。
塩素又は反応性塩素系化合物と反応させ次いでフッ素系
ドーパントと反応させる。この際塩素はスートに含まれ
るか随伴される不純物とも反応し、これを除去する。反
応は公知のようにヘリウムなどの不活性ガスの雰囲気中
で行い、要すれば反応温度、時間及び圧力などを変化さ
せて数段階に連続的に分けて行う。このためには、局部
加熱炉を使用するのが便利である。即ち局部加熱炉中の
石英製炉心管中でスートなど多孔性石英を、不活性ガス
で希釈したドーパントの流動下、所定の温度に加熱した
加熱帯を所定の線速度で通るように移動させて反応さ
せ、次いで温度など条件を変えて同様に反応させる。勿
論炉全体を加熱する灼熱炉を用いることもできる。
【００２４】 フッ素ドープ量は不活性ガスを含む反応系におけるド
ーパントの分圧に一定に関係する。即ちフッ素ドープに
より石英ガラスの屈折率低下量を比屈折率差（Δｎ％）
としドーパントの反応系における濃度（分圧）を「Ｃ」
とすると同じ反応条件において次の比例式が成り立つ。
ーパントの分圧に一定に関係する。即ちフッ素ドープに
より石英ガラスの屈折率低下量を比屈折率差（Δｎ％）
としドーパントの反応系における濃度（分圧）を「Ｃ」
とすると同じ反応条件において次の比例式が成り立つ。
【００２５】 Δｎ＝α［Ｃ］1/4 SiF4/He系においてフッ素をドープする場合、定数α
は0.75であり−0.27％がフッ素含量1wt％に相当する。
即ちΔｎはドープ量の目安となる。
は0.75であり−0.27％がフッ素含量1wt％に相当する。
即ちΔｎはドープ量の目安となる。
【００２６】 実施例１ SiCl4、O2、H2を原料として火炎加水分解法によっ
て、直径150mm、長さ500mmの成形スートを得た。これを
局部加熱炉中の石英製炉心管内に挿入し、線速度4mm/mi
nで加熱帯を通るよう移動させた。加熱帯の温度1050℃
において塩素ガス600cc/min及びヘリウム（He）ガス15
（/min（Cl2He＝0.04）を導入して加熱処理し（第１段
反応）、次いで温度を1250℃にあげ塩素ガスの代わりに
四フッ化ケイ素ガス（SiF4）400cc/min（SiF4/He＝0.02
7）を使用する以外第１段反応と同様に反応させ（第２
段反応）、最後に温度を1600℃とする以外は第２段反応
と同様に反応させた（第３段反応）。かくしてフッ素含
有率1.1wt％の透明化した、直径70mm、長さ260mmのガラ
ス焼結体を得た。
て、直径150mm、長さ500mmの成形スートを得た。これを
局部加熱炉中の石英製炉心管内に挿入し、線速度4mm/mi
nで加熱帯を通るよう移動させた。加熱帯の温度1050℃
において塩素ガス600cc/min及びヘリウム（He）ガス15
（/min（Cl2He＝0.04）を導入して加熱処理し（第１段
反応）、次いで温度を1250℃にあげ塩素ガスの代わりに
四フッ化ケイ素ガス（SiF4）400cc/min（SiF4/He＝0.02
7）を使用する以外第１段反応と同様に反応させ（第２
段反応）、最後に温度を1600℃とする以外は第２段反応
と同様に反応させた（第３段反応）。かくしてフッ素含
有率1.1wt％の透明化した、直径70mm、長さ260mmのガラ
ス焼結体を得た。
【００２７】 焼結体を加熱軟化させて長さ50mm厚さ1mmの板に加工
し、紫外（200〜400nm）及び真空紫外域（140〜200nm）
に於ける透過率を測定した。
し、紫外（200〜400nm）及び真空紫外域（140〜200nm）
に於ける透過率を測定した。
【００２８】 結果を第１図に示す。
【００２９】 比較例１ 実施例１に於いて用いた成形スートを局部加熱炉中の
石英製炉心管内に挿入し、線速度4mm/minで加熱帯を通
るよう移動させた。加熱帯の温度を1650℃としHeガスの
み15（/min供給した。かくして高OH含有ガラスの焼結体
が得られた。このガラスのOH基含量は、IRで測定したと
ころ3670cm-1の吸収より300ppmであった。
石英製炉心管内に挿入し、線速度4mm/minで加熱帯を通
るよう移動させた。加熱帯の温度を1650℃としHeガスの
み15（/min供給した。かくして高OH含有ガラスの焼結体
が得られた。このガラスのOH基含量は、IRで測定したと
ころ3670cm-1の吸収より300ppmであった。
【００３０】 このガラスにつき同様に測定した紫外線透過率も第１
図に示す。フッ素ドープガラスに比して紫外吸収末端が
長波長側にシフトしかつ透過率がやや低いことが認めら
れる。
図に示す。フッ素ドープガラスに比して紫外吸収末端が
長波長側にシフトしかつ透過率がやや低いことが認めら
れる。
【００３１】 比較例２ 実施例１を繰り返した。ただし第２段反応を行なわず
1050℃から1600℃に昇温して、He雰囲気のみで透明ガラ
ス化した。得られたガラスのOH基含有量は僅か10ppb以
下であった。
1050℃から1600℃に昇温して、He雰囲気のみで透明ガラ
ス化した。得られたガラスのOH基含有量は僅か10ppb以
下であった。
【００３２】 このガラスにつき同様に測定した紫外線透過率も第１
図に示す。Si−Si基に起因する165nm及び250nmに於ける
欠陥吸収が認められる。また紫外吸収末端が長波長側に
シフトしていることも認められる。
図に示す。Si−Si基に起因する165nm及び250nmに於ける
欠陥吸収が認められる。また紫外吸収末端が長波長側に
シフトしていることも認められる。
【００３３】 比較例３ 実施例１を繰り返した。ただし第２段反応および第３
段反応の温度をそれぞれ1200℃及び1650℃とし、第２段
反応にはSiF4ガスの代わりに酸素ガス1.5（/minを用
い、第３段反応にはヘリウムガスのみを導入した。
段反応の温度をそれぞれ1200℃及び1650℃とし、第２段
反応にはSiF4ガスの代わりに酸素ガス1.5（/minを用
い、第３段反応にはヘリウムガスのみを導入した。
【００３４】 このガラスにつき同様に測定した紫外線透過率も第１
図に示す。Si−Ｏ−Ｏ−Siに基づく325nmの吸収が認め
られる。
図に示す。Si−Ｏ−Ｏ−Siに基づく325nmの吸収が認め
られる。
【００３５】 実施例２ 実施例１、比較例１〜３により得られた４種のガラス
板にArF（193nm）照射を200mJ/cm2・パルス×105・パル
ス、周波数10Hzの条件で行った。
板にArF（193nm）照射を200mJ/cm2・パルス×105・パル
ス、周波数10Hzの条件で行った。
【００３６】 結果を第２図に示す。
【００３７】 実施例３ 実施例１の方法を繰り返した。但し実施例１において
用いたSiF4/He＝0.027の条件を種々変えて種々のフッ素
含量のドープガラスを製造した。
用いたSiF4/He＝0.027の条件を種々変えて種々のフッ素
含量のドープガラスを製造した。
【００３８】 それらのフッ素含有量に依存するＥ′センタの欠陥濃
度をESRを用いて調べた。また紫外域透過率をも測定し
た。
度をESRを用いて調べた。また紫外域透過率をも測定し
た。
【００３９】 前者の結果を第３図に示し、後者のそれを第４図に示
す。Ｅ′濃度はフッ素含有濃度約1wt％において最小で
あり、紫外線吸収末端はフッ素含有濃度に増加により長
波長側にシフトすることが分かる。
す。Ｅ′濃度はフッ素含有濃度約1wt％において最小で
あり、紫外線吸収末端はフッ素含有濃度に増加により長
波長側にシフトすることが分かる。
【００４０】 実施例４ フッ素添加石英ガラスを厚さ2mm板に加工し、鏡面研
磨を施し、分光分析用セルを作製した。フッ素添加石英
ガラスの光透過率は、160nmから、400nmまで80％以上で
ある。
磨を施し、分光分析用セルを作製した。フッ素添加石英
ガラスの光透過率は、160nmから、400nmまで80％以上で
ある。
【００４１】 実施例５ フッ素添加石英ガラスをフォトマスク基板とし、３イ
ンチφ×20mmtに加工し、遠紫外リソグラフィーに使用
した、純粋合成石英ガラスに比較して、フォトマスクの
寿命が伸びることが期待できる。
ンチφ×20mmtに加工し、遠紫外リソグラフィーに使用
した、純粋合成石英ガラスに比較して、フォトマスクの
寿命が伸びることが期待できる。
【００４２】 実施例６ フッ素添加石英ガラスを遠紫外、紫外レーザ用レン
ズ、プリズム、窓材、ミラー等の光学素子として各々加
工し、従来の純粋石英ガラスに比較して各々の寿命が約
20％伸びた。
ズ、プリズム、窓材、ミラー等の光学素子として各々加
工し、従来の純粋石英ガラスに比較して各々の寿命が約
20％伸びた。
【００４３】
本発明のフッ素をドープした石英ガラスよりなる紫外
線透過用光学ガラスは、既に詳記したように高エネルギ
ー紫外域を含め実質的に欠陥吸収がなく長期信頼性に富
み、そして容易に成形加工してフォトマスク、レンズ、
セルなど有用な光学ガラス物品の製造に用いることがで
きる。
線透過用光学ガラスは、既に詳記したように高エネルギ
ー紫外域を含め実質的に欠陥吸収がなく長期信頼性に富
み、そして容易に成形加工してフォトマスク、レンズ、
セルなど有用な光学ガラス物品の製造に用いることがで
きる。
【図１】 従来のものを含め種々の合成石英ガラスと本発明のフッ
素ドープ石英ガラスとの紫外線透過性の比較図である。
素ドープ石英ガラスとの紫外線透過性の比較図である。
【図２】 高エネルギー光照射後の上記ガラス類の紫外線透過性の
比較図である。
比較図である。
【図３】 フッ素含量に対するＥ′センタ欠陥濃度の依存性を示す
図である。
図である。
【図４】 フッ素含量に対する紫外線末端吸収の依存性を示す図で
ある。
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 齋藤 達彦 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友 電気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 横田 弘 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友 電気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 京藤 倫久 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友 電気工業株式会社横浜製作所内 (56)参考文献 特開 平２−248911（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−12101（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】合成石英ガラスにフッ素を0.75〜1.35wt％
添加することにより合成石英ガラス中のＥ′センタ欠陥
濃度を0.97×1016（1/cm3）以下に低減することを特徴
とする欠陥濃度低減方法。 - 【請求項２】気相法により石英の多孔質微粒子のスート
を生成し、そのスートを、紫外線透過用ガラス中のフッ
素添加量が0.75〜1.35wt％となるようにフッ素系化合物
と反応させることによりＥ′センタ欠陥濃度が0.97×10
16（1/cm3）以下の紫外線透過用光学ガラスを製造する
ことを特徴とする紫外線透過用光学ガラスの製造方法。 - 【請求項３】前記スートをフッ素系化合物と反応させる
前に、前記スートを塩素又は反応性塩素系化合物と反応
させることを特徴とする請求項２に記載の紫外線透過用
光学ガラスの製造方法。 - 【請求項４】気相法により生成した石英の多孔質微粒子
のスートを、紫外線透過用光学ガラス中のフッ素添加量
が0.75〜1.35wt％となるようにフッ素系化合物と反応さ
せることにより得られる0.97×1016（1/cm3）以下の
Ｅ′センタ欠陥濃度を有する紫外線透過用光学ガラス。 - 【請求項５】前記フッ素系化合物と反応させる前に、前
記スートが塩素又は反応性塩素系化合物と反応させられ
ている請求項４に記載の紫外線透過用光学ガラス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32832790A JP3206916B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 欠陥濃度低減方法、紫外線透過用光学ガラスの製造方法及び紫外線透過用光学ガラス |
| CA002056271A CA2056271C (en) | 1990-11-28 | 1991-11-27 | Uv light-permeable glass and article comprising the same |
| EP91120441A EP0488320A1 (en) | 1990-11-28 | 1991-11-28 | UV light-permeable glass and article comprising the same |
| US08/226,413 US5474589A (en) | 1990-11-28 | 1994-04-12 | UV light-permeable glass and article comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32832790A JP3206916B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 欠陥濃度低減方法、紫外線透過用光学ガラスの製造方法及び紫外線透過用光学ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04195101A JPH04195101A (ja) | 1992-07-15 |
| JP3206916B2 true JP3206916B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=18208995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32832790A Expired - Lifetime JP3206916B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 欠陥濃度低減方法、紫外線透過用光学ガラスの製造方法及び紫外線透過用光学ガラス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5474589A (ja) |
| EP (1) | EP0488320A1 (ja) |
| JP (1) | JP3206916B2 (ja) |
| CA (1) | CA2056271C (ja) |
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1994
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102461221B1 (ko) * | 2019-07-04 | 2022-11-01 | 테슬론 주식회사 | 오염물질 검출 카트리지 |
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