JP2000214575A - クロムマスクの形成方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストパターン形成からクロムマスクパタ
ーン形成までを含めたトータルな意味でのクロムマスク
パターンの寸法精度を大幅に向上させることを目的とす
る。 【解決手段】クロム膜２が形成されたマスク基板３上に
所定形状のレジストパターン１を形成し、レジストパタ
ーン１をフッ素系ガスを用いてプラズマ処理し、得られ
たレジストパターン４をマスクとして用いてクロム膜２
をドライエッチングすることからなるクロムマスクの形
成方法。
ーン形成までを含めたトータルな意味でのクロムマスク
パターンの寸法精度を大幅に向上させることを目的とす
る。 【解決手段】クロム膜２が形成されたマスク基板３上に
所定形状のレジストパターン１を形成し、レジストパタ
ーン１をフッ素系ガスを用いてプラズマ処理し、得られ
たレジストパターン４をマスクとして用いてクロム膜２
をドライエッチングすることからなるクロムマスクの形
成方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、クロムマスクの形
成方法に関し、より詳細には、レジストパターンをマス
クとして用いてマスク基板の上に形成されたクロム膜を
ドライエッチングによりパターニングするクロムマスク
の形成方法に関する。
成方法に関し、より詳細には、レジストパターンをマス
クとして用いてマスク基板の上に形成されたクロム膜を
ドライエッチングによりパターニングするクロムマスク
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来か
ら、半導体プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程で
は、石英基板上に遮光体としてクロム膜を一定形状で形
成したクロムマスクが一般的に使用されている。クロム
膜のパターニングは、通常、クロム膜が形成された石英
基板上にレジストを塗布し、このレジストを電子ビーム
（以下ＥＢと称す）を用いてパターニングするリソグラ
フィ工程と、レジストパターンをマスクとして用いてク
ロム膜のパターニングするエッチング工程とに大別され
る。
ら、半導体プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程で
は、石英基板上に遮光体としてクロム膜を一定形状で形
成したクロムマスクが一般的に使用されている。クロム
膜のパターニングは、通常、クロム膜が形成された石英
基板上にレジストを塗布し、このレジストを電子ビーム
（以下ＥＢと称す）を用いてパターニングするリソグラ
フィ工程と、レジストパターンをマスクとして用いてク
ロム膜のパターニングするエッチング工程とに大別され
る。
【０００３】特に、クロム膜のエッチング工程では、従
来からウェットエッチングが広く用いられており、現在
のクロムマスクの生産においても主流をなしている。こ
のことは、早くから工場生産においてドライエッチング
が検討・採用されたウェハプロセスと対象的であり、そ
の原因としては、以下の２点が挙げられる。
来からウェットエッチングが広く用いられており、現在
のクロムマスクの生産においても主流をなしている。こ
のことは、早くから工場生産においてドライエッチング
が検討・採用されたウェハプロセスと対象的であり、そ
の原因としては、以下の２点が挙げられる。
【０００４】第１に、クロムマスクの微細化の点におい
て、必要性が希薄であったことである。つまり、従来、
ウェハプロセスでのフォトリソグラフィの微細化牽引者
は縮小投影露光装置（以下ステッパと称す）であり、ク
ロムマスクのマスクパターンはウェハの５倍や１０倍な
どのルールのため微細化対応の必要性が小さかった。第
２に、一般に、ウェットエッチングは等方性エッチング
であるため必ずエッチングシフトが起こるとともに、被
エッチング膜の膜厚がばらつくと必ずエッチング後のパ
ターン寸法がばらつくこととなる。よって、ウェハプロ
セスではこのようなエッチングシフトやパターン寸法の
ばらつきを防止するためにドライエッチングが検討され
たが、マスク基板上ではウェハプロセスで問題となる段
差がなく、被エッチング膜の膜厚が均一であるため、こ
れらの問題を考慮する必要性が特にない。一方、最近に
おいては、徐々に先端品を軸にドライエッチングの必要
性・適用が拡大しつつある。
て、必要性が希薄であったことである。つまり、従来、
ウェハプロセスでのフォトリソグラフィの微細化牽引者
は縮小投影露光装置（以下ステッパと称す）であり、ク
ロムマスクのマスクパターンはウェハの５倍や１０倍な
どのルールのため微細化対応の必要性が小さかった。第
２に、一般に、ウェットエッチングは等方性エッチング
であるため必ずエッチングシフトが起こるとともに、被
エッチング膜の膜厚がばらつくと必ずエッチング後のパ
ターン寸法がばらつくこととなる。よって、ウェハプロ
セスではこのようなエッチングシフトやパターン寸法の
ばらつきを防止するためにドライエッチングが検討され
たが、マスク基板上ではウェハプロセスで問題となる段
差がなく、被エッチング膜の膜厚が均一であるため、こ
れらの問題を考慮する必要性が特にない。一方、最近に
おいては、徐々に先端品を軸にドライエッチングの必要
性・適用が拡大しつつある。
【０００５】これは、第１に、従来のフォトリソグラフ
ィ工程でのステッパを用いた方式から、スキャナ方式に
移行してきたためである。つまり、このスキャナ方式に
使用するための現在市販されているスキャナ装置はマス
ク倍率が全て４倍となっており、クロムマスクのパター
ンが微細化の方へ移行してきているためである。第２
に、ウェハプロセスの微細化が進行するにつれて、露光
波長と加工寸法の逆転現象がでてきたため、光近接効果
補正マスクの需要が拡大してきたためである。つまり、
フォトリソグラフィ工程で露光波長以下の寸法のパター
ニングを行う場合、光の開口部からの透過量（光強度）
・回折の影響等を正確に調整することが必要となる。こ
の調整は、ウェハ上では解像しない正確な微細パターン
がマスク上に形成された光近接効果補正マスクによって
行われるため、従来と比較し飛躍的に高い解像度が必要
となり、微細化が急務となっている。第３に、マスク上
にごみや異物が存在すると、これがウェハ上に転写され
てしまう。よって、このような転写を防止するために、
特にクロムマスクのプロセスにおいて、ごみや異物が存
在しないように細心の注意をはらう必要があるためであ
る。
ィ工程でのステッパを用いた方式から、スキャナ方式に
移行してきたためである。つまり、このスキャナ方式に
使用するための現在市販されているスキャナ装置はマス
ク倍率が全て４倍となっており、クロムマスクのパター
ンが微細化の方へ移行してきているためである。第２
に、ウェハプロセスの微細化が進行するにつれて、露光
波長と加工寸法の逆転現象がでてきたため、光近接効果
補正マスクの需要が拡大してきたためである。つまり、
フォトリソグラフィ工程で露光波長以下の寸法のパター
ニングを行う場合、光の開口部からの透過量（光強度）
・回折の影響等を正確に調整することが必要となる。こ
の調整は、ウェハ上では解像しない正確な微細パターン
がマスク上に形成された光近接効果補正マスクによって
行われるため、従来と比較し飛躍的に高い解像度が必要
となり、微細化が急務となっている。第３に、マスク上
にごみや異物が存在すると、これがウェハ上に転写され
てしまう。よって、このような転写を防止するために、
特にクロムマスクのプロセスにおいて、ごみや異物が存
在しないように細心の注意をはらう必要があるためであ
る。
【０００６】このように、ドライエッチング技術の導入
により、パターン形状（エッジラフネス、断面形状）の
改善、微細パターンの解像度の向上を実現することがで
きる。現在、クロムマスクのドライエッチングでは、一
般に、塩素又はジクロロメタンと酸素との混合ガスが用
いられている。この場合、被エッチング面積に依存した
エッチングレートの不均一性をいかに緩和するかが、高
精度で均一なクロムパターンを形成するために重要であ
る。通常、ドライエッチングにおいては、図５に示した
ように、面積効果によりエッチングレートの不均一性を
引き起こす。つまり、マスク基板上のチップ領域中央部
では、周辺部と比較して単位面積あたりのエッチングに
寄与するＣｌイオンが少ない状態となり、エッチングレ
ートが低下し、その結果、マスク上でのクロムパターン
の寸法バラツキを引き起こすこととなる。
により、パターン形状（エッジラフネス、断面形状）の
改善、微細パターンの解像度の向上を実現することがで
きる。現在、クロムマスクのドライエッチングでは、一
般に、塩素又はジクロロメタンと酸素との混合ガスが用
いられている。この場合、被エッチング面積に依存した
エッチングレートの不均一性をいかに緩和するかが、高
精度で均一なクロムパターンを形成するために重要であ
る。通常、ドライエッチングにおいては、図５に示した
ように、面積効果によりエッチングレートの不均一性を
引き起こす。つまり、マスク基板上のチップ領域中央部
では、周辺部と比較して単位面積あたりのエッチングに
寄与するＣｌイオンが少ない状態となり、エッチングレ
ートが低下し、その結果、マスク上でのクロムパターン
の寸法バラツキを引き起こすこととなる。
【０００７】これに対して、クロム膜をオーバーエッチ
ングして、クロムパターンの寸法バラツキを防止する方
法がある。例えば、図６（a）に示したように、クロム
膜２が形成されたマスク基板３上レジストパターン１を
形成した後、このレジストパターンをマスクとして用い
て、クロム膜２をエッチングすると、マスク基板３上の
チップ周辺部におけるクロム膜２は、エッチングレート
が大きいため中央部と比較して先にエッチングされてし
まう。さらにエッチングが進行すると、図６（ｂ）に示
したように、エッチングレートが小さい中央部のクロム
膜２もエッチングされる。この際、周辺部のクロム膜２
はサイドエッチングされ、中央部のクロム膜２のパター
ン寸法Ａよりも小さなパターン寸法Ｂとなる。さらにエ
ッチングを続行すると、図６（ｃ）に示したように、周
辺部はのクロム膜２はレジストパターン３の影響で徐々
にサイドエッチング量が小さくなり、一方、中央部のク
ロム膜２はサイドエッチされるため、徐々に両者の寸法
差が小さくなる（図７参照）。
ングして、クロムパターンの寸法バラツキを防止する方
法がある。例えば、図６（a）に示したように、クロム
膜２が形成されたマスク基板３上レジストパターン１を
形成した後、このレジストパターンをマスクとして用い
て、クロム膜２をエッチングすると、マスク基板３上の
チップ周辺部におけるクロム膜２は、エッチングレート
が大きいため中央部と比較して先にエッチングされてし
まう。さらにエッチングが進行すると、図６（ｂ）に示
したように、エッチングレートが小さい中央部のクロム
膜２もエッチングされる。この際、周辺部のクロム膜２
はサイドエッチングされ、中央部のクロム膜２のパター
ン寸法Ａよりも小さなパターン寸法Ｂとなる。さらにエ
ッチングを続行すると、図６（ｃ）に示したように、周
辺部はのクロム膜２はレジストパターン３の影響で徐々
にサイドエッチング量が小さくなり、一方、中央部のク
ロム膜２はサイドエッチされるため、徐々に両者の寸法
差が小さくなる（図７参照）。
【０００８】しかし、この方法によって寸法差を軽減す
るためには、レジスト選択比を確保した状態で前記処理
を行うことが必要である。つまり、図８に示したよう
に、レジスト選択比が高くなければ、レジスト選択比が
低い場合と比較して十分なオーバーエッチングによる寸
法差低減効果が得られないし、トータルのエッチングシ
フト量の低減にも十分な効果が得られないからである。
るためには、レジスト選択比を確保した状態で前記処理
を行うことが必要である。つまり、図８に示したよう
に、レジスト選択比が高くなければ、レジスト選択比が
低い場合と比較して十分なオーバーエッチングによる寸
法差低減効果が得られないし、トータルのエッチングシ
フト量の低減にも十分な効果が得られないからである。
【０００９】エッチングシフト量が大きければ、最終的
（エッチング後）に所定の寸法のクロムパターンを得る
ために、前工程のレジストパターンの形成において、あ
らかじめエッチングシフト量相当分だけ太いパターン寸
法、言い換えると、エッチングシフト量相当分だけ狭い
スペース寸法を解像する必要がある。よって、レジスト
パターンの形成において、より高解像の性能が必要とな
る。例えば、１０ｋＶと比較的低加速電圧のＥＢ露光装
置により、ポジ型レジストを用いてパターニングを行う
場合の寸法リニアリティを図９及び図１０に示す。寸法
リニアリティは、孤立パターンの場合（図９）には０．
５μｍから２．５μｍまで確保されているが、ラインア
ンドスペース（１：１）パターンの場合（図１０）には
１．０μｍから２．５μｍまでしか確保されていない。
つまり、ラインアンドスペースの場合では、寸法リニア
リティの性能はスペース幅のみで決定される。よって、
レジストパターンの形成においては、少しでも広いスペ
ースを露光解像することが、寸法リニアリティを確保し
て高精度レジストパターンを形成する上で有利である。
さらに言えば、エッチングシフト量が小さければ、必要
以上に狭いスペース寸法の露光を行う必要がなく、トー
タルとして高精度のクロムパターンを形成することがで
きる。
（エッチング後）に所定の寸法のクロムパターンを得る
ために、前工程のレジストパターンの形成において、あ
らかじめエッチングシフト量相当分だけ太いパターン寸
法、言い換えると、エッチングシフト量相当分だけ狭い
スペース寸法を解像する必要がある。よって、レジスト
パターンの形成において、より高解像の性能が必要とな
る。例えば、１０ｋＶと比較的低加速電圧のＥＢ露光装
置により、ポジ型レジストを用いてパターニングを行う
場合の寸法リニアリティを図９及び図１０に示す。寸法
リニアリティは、孤立パターンの場合（図９）には０．
５μｍから２．５μｍまで確保されているが、ラインア
ンドスペース（１：１）パターンの場合（図１０）には
１．０μｍから２．５μｍまでしか確保されていない。
つまり、ラインアンドスペースの場合では、寸法リニア
リティの性能はスペース幅のみで決定される。よって、
レジストパターンの形成においては、少しでも広いスペ
ースを露光解像することが、寸法リニアリティを確保し
て高精度レジストパターンを形成する上で有利である。
さらに言えば、エッチングシフト量が小さければ、必要
以上に狭いスペース寸法の露光を行う必要がなく、トー
タルとして高精度のクロムパターンを形成することがで
きる。
【００１０】このように、実際のＬＳＩ製造用のクロム
マスクのドライエッチング工程では、周辺部と中央部と
のパターン寸法の調整のためかなりオーバーエッチング
を必要としているにもかかわらず、大きなエッチングシ
フト量を寸法的に吸収するだけの高解像性能がないた
め、オーバーエッチングによるエッチングシフト量を可
能な限り小さくする方法が望まれている。
マスクのドライエッチング工程では、周辺部と中央部と
のパターン寸法の調整のためかなりオーバーエッチング
を必要としているにもかかわらず、大きなエッチングシ
フト量を寸法的に吸収するだけの高解像性能がないた
め、オーバーエッチングによるエッチングシフト量を可
能な限り小さくする方法が望まれている。
【００１１】これに対して、例えば、特開平５−２６７
２５５号公報等において、イオンビーム装置によりリン
等をレジスト内にイオン注入し、レジスト選択比を向上
する（エッチングシフト量を小さくする）方法が提案さ
れている。しかし、この方法では、ドライエッチャとは
別の装置が必要となるため、それに伴って製造工程が煩
雑になるとともに、マスク欠陥の発生確率が上昇する、
すなわちマスク製造歩留まりが低下するという問題点が
ある。また、この方法では、未だ十分なレジスト選択比
の向上は得られていない。
２５５号公報等において、イオンビーム装置によりリン
等をレジスト内にイオン注入し、レジスト選択比を向上
する（エッチングシフト量を小さくする）方法が提案さ
れている。しかし、この方法では、ドライエッチャとは
別の装置が必要となるため、それに伴って製造工程が煩
雑になるとともに、マスク欠陥の発生確率が上昇する、
すなわちマスク製造歩留まりが低下するという問題点が
ある。また、この方法では、未だ十分なレジスト選択比
の向上は得られていない。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、クロム
膜が形成されたマスク基板上に所定形状のレジストパタ
ーンを形成し、該レジストパターンをフッ素系ガスを用
いてプラズマ処理し、得られたレジストパターンをマス
クとして用いてクロム膜をドライエッチングすることか
らなるクロムマスクの形成方法が提供される。
膜が形成されたマスク基板上に所定形状のレジストパタ
ーンを形成し、該レジストパターンをフッ素系ガスを用
いてプラズマ処理し、得られたレジストパターンをマス
クとして用いてクロム膜をドライエッチングすることか
らなるクロムマスクの形成方法が提供される。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明のクロムマスクの形成方法
においては、まず、クロム膜が形成されたマスク基板上
に所定形状のレジストパターンを形成する。本発明にお
いて使用することができるマスク基板は、このマスク基
板をフォトリソグラフィ工程において使用する際の露光
光を透過することができる基板であれば特に限定される
ものではなく、例えば、石英基板等が挙げられる。ま
た、この基板の厚さは、用いる材料等により異なるが、
０．２５インチ程度以上が挙げられる。
においては、まず、クロム膜が形成されたマスク基板上
に所定形状のレジストパターンを形成する。本発明にお
いて使用することができるマスク基板は、このマスク基
板をフォトリソグラフィ工程において使用する際の露光
光を透過することができる基板であれば特に限定される
ものではなく、例えば、石英基板等が挙げられる。ま
た、この基板の厚さは、用いる材料等により異なるが、
０．２５インチ程度以上が挙げられる。
【００１４】マスク基板上には、その全面にクロム膜を
形成する。クロム膜は、公知の方法、例えば、スパッタ
リング法、蒸着法、ＥＢ蒸着法等種々の方法が挙げられ
る。クロム膜の膜厚は、フォトリソグラフィ工程におい
て使用する際の露光光を完全に遮光することができる膜
厚であれば特に限定されるものではなく、例えば、６０
〜１１０ｎｍ程度が挙げられる。さらに、クロム膜が形
成されたマスク基板上全面に、レジスト層を形成し、フ
ォトリソグラフィ及びエッチング工程によって所定の形
状にパターニングし、レジストパターンを形成する。こ
の際に形成するレジスト層は、当該分野において公知の
ポジ型及びネガ型のいずれものレジストを用いて形成す
ることができる。具体的には、ＺＥＰ８１０Ｓ、ＺＥＰ
７０００（日本ゼオン社製）等が挙げられる。レジスト
層は、上記レジストを用いて、公知の方法、例えば、回
転塗布法、ドクターブレード法等により、膜厚１５０〜
５００ｎｍ程度で形成することができる。また、レジス
ト層のパターニングは、当該分野で通常用いられる方
法、つまりフォトリソグラフィ及びエッチング工程によ
り行うことができる。この際のパターンは、クロムマス
クにおけるクロムパターンの線幅を決定するものであ
り、クロムパターンにほぼ対応した寸法により形成する
ことが好ましい。
形成する。クロム膜は、公知の方法、例えば、スパッタ
リング法、蒸着法、ＥＢ蒸着法等種々の方法が挙げられ
る。クロム膜の膜厚は、フォトリソグラフィ工程におい
て使用する際の露光光を完全に遮光することができる膜
厚であれば特に限定されるものではなく、例えば、６０
〜１１０ｎｍ程度が挙げられる。さらに、クロム膜が形
成されたマスク基板上全面に、レジスト層を形成し、フ
ォトリソグラフィ及びエッチング工程によって所定の形
状にパターニングし、レジストパターンを形成する。こ
の際に形成するレジスト層は、当該分野において公知の
ポジ型及びネガ型のいずれものレジストを用いて形成す
ることができる。具体的には、ＺＥＰ８１０Ｓ、ＺＥＰ
７０００（日本ゼオン社製）等が挙げられる。レジスト
層は、上記レジストを用いて、公知の方法、例えば、回
転塗布法、ドクターブレード法等により、膜厚１５０〜
５００ｎｍ程度で形成することができる。また、レジス
ト層のパターニングは、当該分野で通常用いられる方
法、つまりフォトリソグラフィ及びエッチング工程によ
り行うことができる。この際のパターンは、クロムマス
クにおけるクロムパターンの線幅を決定するものであ
り、クロムパターンにほぼ対応した寸法により形成する
ことが好ましい。
【００１５】次いで、本発明においては、上記で得られ
たレジストパターンをフッ素系ガスを用いてプラズマ処
理する。この際に使用するフッ素系ガスとしては、例え
ば、ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ6等の単一のガス又は２以上
の混合ガスが挙げられる。この際のプラズマ処理は、後
工程におけるクロム膜のドライエッチングを行うことが
できる装置と同一の装置内で行うことが好ましい。この
ような装置内でプラズマ処理を行うことにより、外気に
さらすことなく後工程を行うことができ、簡略化された
プロセスによって作業性を向上させることができるとと
もに、ダストレスのエッチングプロセスが可能となる。
また、プラズマ処理の条件としては、使用するフッ素系
ガスの種類、レジストパターンの膜厚等により適宜調整
することができるが、例えば、フッ素系ガスを９０〜１
１０ｓｃｃｍ程度で導入しながら、ＲＦパワーが５０〜
１５０Ｗ程度、圧力が１．５〜７Ｐａ程度、１０〜４０
秒間程度行うことが好ましい。
たレジストパターンをフッ素系ガスを用いてプラズマ処
理する。この際に使用するフッ素系ガスとしては、例え
ば、ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ6等の単一のガス又は２以上
の混合ガスが挙げられる。この際のプラズマ処理は、後
工程におけるクロム膜のドライエッチングを行うことが
できる装置と同一の装置内で行うことが好ましい。この
ような装置内でプラズマ処理を行うことにより、外気に
さらすことなく後工程を行うことができ、簡略化された
プロセスによって作業性を向上させることができるとと
もに、ダストレスのエッチングプロセスが可能となる。
また、プラズマ処理の条件としては、使用するフッ素系
ガスの種類、レジストパターンの膜厚等により適宜調整
することができるが、例えば、フッ素系ガスを９０〜１
１０ｓｃｃｍ程度で導入しながら、ＲＦパワーが５０〜
１５０Ｗ程度、圧力が１．５〜７Ｐａ程度、１０〜４０
秒間程度行うことが好ましい。
【００１６】続いて、得られたレジストパターンをマス
クとして用いてクロム膜をドライエッチングする。この
際のドライエッチングは、例えば、ＲＩＥ法等が挙げら
れる。なかでも、マグネトロンＲＩＥ法によりドライエ
ッチングする場合は、ガスをＣｌ2：Ｏ2＝８０：２０ｓ
ｃｃｍ程度で導入しながら、圧力が７Ｐａ程度、ＲＦパ
ワーが８０Ｗ程度、ＭＧが６０ガウス程度、１５分間程
度等の条件で行うことができる。また、ノーマルＲＩＥ
法の場合は、ガスをＣＨ2Ｃｌ2：Ｏ2＝２５：７５ｓｃ
ｃｍ程度で導入しながら、圧力が３３Ｐａ程度、ＲＦパ
ワーが２００Ｗ程度、ＭＧが０ガウス、５分間程度等の
条件で行うことができる。エッチングガスとしては、Ｃ
ｌ2、ＣＨ2Ｃｌ2等の塩素系ガスを単独又は混合ガスと
して使用することが好ましい。以下に、本発明のクロム
マスクの形成方法の一実施例を、図面に基いて説明す
る。
クとして用いてクロム膜をドライエッチングする。この
際のドライエッチングは、例えば、ＲＩＥ法等が挙げら
れる。なかでも、マグネトロンＲＩＥ法によりドライエ
ッチングする場合は、ガスをＣｌ2：Ｏ2＝８０：２０ｓ
ｃｃｍ程度で導入しながら、圧力が７Ｐａ程度、ＲＦパ
ワーが８０Ｗ程度、ＭＧが６０ガウス程度、１５分間程
度等の条件で行うことができる。また、ノーマルＲＩＥ
法の場合は、ガスをＣＨ2Ｃｌ2：Ｏ2＝２５：７５ｓｃ
ｃｍ程度で導入しながら、圧力が３３Ｐａ程度、ＲＦパ
ワーが２００Ｗ程度、ＭＧが０ガウス、５分間程度等の
条件で行うことができる。エッチングガスとしては、Ｃ
ｌ2、ＣＨ2Ｃｌ2等の塩素系ガスを単独又は混合ガスと
して使用することが好ましい。以下に、本発明のクロム
マスクの形成方法の一実施例を、図面に基いて説明す
る。
【００１７】まず、図１（ａ）に示したように、厚さ
０．２５インチ程度の石英製のマスク基板３上全面に、
スパッタ成膜法により膜厚６０〜１１０ｎｍ程度のクロ
ム膜２を形成する。次いで、クロム膜２上全面に膜厚１
５０〜５００ｎｍ程度でレジスト層を形成し、ＥＢリソ
グラフィ工程により所望の形状のレジストパターン１を
形成する。その後、空気雰囲気中、１００〜１３０℃程
度の温度で、１５分間程度、熱処理（ポストベーク）を
行う。
０．２５インチ程度の石英製のマスク基板３上全面に、
スパッタ成膜法により膜厚６０〜１１０ｎｍ程度のクロ
ム膜２を形成する。次いで、クロム膜２上全面に膜厚１
５０〜５００ｎｍ程度でレジスト層を形成し、ＥＢリソ
グラフィ工程により所望の形状のレジストパターン１を
形成する。その後、空気雰囲気中、１００〜１３０℃程
度の温度で、１５分間程度、熱処理（ポストベーク）を
行う。
【００１８】続いて、図１（ｂ）に示したように、得ら
れたレジストパターン１に対して、ＣＦ4プラズマ処理
を行う。この際のプラズマ処置は、リアクティブイオン
エッチング（以下ＲＩＥと称す）装置にて、ＣＦ4ガス
を１００ＳＣＣＭで導入し、ＲＦパワー１００Ｗ、圧力
２Ｐａで１０〜２０秒間放電することにより行う。これ
によりイオン化したＦイオンがレジストパターン４内に
注入され、レジスト選択比を向上させることができる。
れたレジストパターン１に対して、ＣＦ4プラズマ処理
を行う。この際のプラズマ処置は、リアクティブイオン
エッチング（以下ＲＩＥと称す）装置にて、ＣＦ4ガス
を１００ＳＣＣＭで導入し、ＲＦパワー１００Ｗ、圧力
２Ｐａで１０〜２０秒間放電することにより行う。これ
によりイオン化したＦイオンがレジストパターン４内に
注入され、レジスト選択比を向上させることができる。
【００１９】なお、プラズマ処理は、Ｆイオンによって
レジストをスパッタリングするスパッタ性を有している
ため、長時間の処理を行うとレジストパターン１自体が
膜減りし、後工程のクロム膜のエッチングにおいて結果
的にエッチングシフトが大きくなる。つまり、図２に示
したように、上記の条件において、レジストパターン１
のプラズマ処理を行ったところ、約２０秒の処理時間
が、トータルでのエッチングシフト量を低減するのに最
も効果的であることがわかる。また、この最適処理時間
は各パラメータとしての条件と密接に関係しており、こ
れらの条件を変えることで変動する。例えば、図３に示
すように、ＲＦパワーが大きい条件下で、あるいは図４
に示すように圧力の小さい条件下でＣＦ4プラズマ処理
を行うと、プラズマ放電の逆バイアス電位が高くなり、
Ｆイオンの入射エネルギーが上昇するため、レジストパ
ターン内へのＦイオンの注入レートが上がり同時にレジ
ストのスパッタ性も上昇する。このためＣＦ4放電によ
る最適処理時間は短くなる。
レジストをスパッタリングするスパッタ性を有している
ため、長時間の処理を行うとレジストパターン１自体が
膜減りし、後工程のクロム膜のエッチングにおいて結果
的にエッチングシフトが大きくなる。つまり、図２に示
したように、上記の条件において、レジストパターン１
のプラズマ処理を行ったところ、約２０秒の処理時間
が、トータルでのエッチングシフト量を低減するのに最
も効果的であることがわかる。また、この最適処理時間
は各パラメータとしての条件と密接に関係しており、こ
れらの条件を変えることで変動する。例えば、図３に示
すように、ＲＦパワーが大きい条件下で、あるいは図４
に示すように圧力の小さい条件下でＣＦ4プラズマ処理
を行うと、プラズマ放電の逆バイアス電位が高くなり、
Ｆイオンの入射エネルギーが上昇するため、レジストパ
ターン内へのＦイオンの注入レートが上がり同時にレジ
ストのスパッタ性も上昇する。このためＣＦ4放電によ
る最適処理時間は短くなる。
【００２０】次いで、図１（ｃ）に示したように、同一
のＲＩＥ装置内で十分真空引きを行い、連続的に、得ら
れたレジストパターン４をマスクとして用いてクロム膜
２をドライエッチングによりパターニングする。この際
のドライエッチングの条件は、例えば、ガスをＣｌ2：
Ｏ2＝８０：２０ｓｃｃｍ程度で導入しながら、圧力が
７Ｐａ程度、ＲＦパワーが８０Ｗ程度、ＭＧが６０ガウ
ス程度、１５分間程度の条件で行うことができる。上記
方法により、エッチングシフト量の小さいクロム膜２の
ドライエッチングを行うことができ、精度の非常に高い
クロムマスクを形成することができる。また、同一装置
／同一チャンバでの連続処理が可能であり、従来よりも
作業性が高くなり、簡略化された方法によるダストレス
のエッチングプロセスを実現することができる。
のＲＩＥ装置内で十分真空引きを行い、連続的に、得ら
れたレジストパターン４をマスクとして用いてクロム膜
２をドライエッチングによりパターニングする。この際
のドライエッチングの条件は、例えば、ガスをＣｌ2：
Ｏ2＝８０：２０ｓｃｃｍ程度で導入しながら、圧力が
７Ｐａ程度、ＲＦパワーが８０Ｗ程度、ＭＧが６０ガウ
ス程度、１５分間程度の条件で行うことができる。上記
方法により、エッチングシフト量の小さいクロム膜２の
ドライエッチングを行うことができ、精度の非常に高い
クロムマスクを形成することができる。また、同一装置
／同一チャンバでの連続処理が可能であり、従来よりも
作業性が高くなり、簡略化された方法によるダストレス
のエッチングプロセスを実現することができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、レジストパターンをフ
ッ素系ガスを用いてプラズマ処理することにより、クロ
ム膜のドライエッチングの際のレジスト選択比を向上す
ることができ、よって、エッチングシフト量を大幅に低
減することができる。その結果、前工程でのレジストパ
ターンを形成するためのリソグラフィ工程での微細加工
の負担が小さくなり、レジストパターン形成からクロム
マスクパターン形成までを含めたトータルな意味でのク
ロムマスクパターンの寸法精度を大幅に向上することが
できる。
ッ素系ガスを用いてプラズマ処理することにより、クロ
ム膜のドライエッチングの際のレジスト選択比を向上す
ることができ、よって、エッチングシフト量を大幅に低
減することができる。その結果、前工程でのレジストパ
ターンを形成するためのリソグラフィ工程での微細加工
の負担が小さくなり、レジストパターン形成からクロム
マスクパターン形成までを含めたトータルな意味でのク
ロムマスクパターンの寸法精度を大幅に向上することが
できる。
【００２２】また、レジストパターンのフッ素系ガスに
よるプラズマ処理と、クロム膜のドライエッチングと
を、同一の装置内で外気にさらすことなく連続的に行う
場合には、作業性の高い簡略化されたダストレスのエッ
チングプロセスを実現することができ、マスク欠陥の発
生率を低減することができ、クロムマスクの形成におい
て高い製造歩留りを確保することが可能となる。
よるプラズマ処理と、クロム膜のドライエッチングと
を、同一の装置内で外気にさらすことなく連続的に行う
場合には、作業性の高い簡略化されたダストレスのエッ
チングプロセスを実現することができ、マスク欠陥の発
生率を低減することができ、クロムマスクの形成におい
て高い製造歩留りを確保することが可能となる。
【図１】本発明のクロムマスクの形成方法の一実施例を
示す要部の概略断面図である。
示す要部の概略断面図である。
【図２】ＣＦ4プラズマ処理時間とエッチングシフト量
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図３】ＣＦ4プラズマ処理でのＲＦパワーとＣＦ4プラ
ズマ最適処理時間又は逆バイアス電位との関係を示すグ
ラフである。
ズマ最適処理時間又は逆バイアス電位との関係を示すグ
ラフである。
【図４】ＣＦ4プラズマ処理での圧力とＣＦ4プラズマ最
適処理時間又は逆バイアス電位との関係を示すグラフで
ある。
適処理時間又は逆バイアス電位との関係を示すグラフで
ある。
【図５】マスク基板面内（チップエリアの中央部と周辺
部）でのエッチングレート差を説明するための要部の概
略模式図である。
部）でのエッチングレート差を説明するための要部の概
略模式図である。
【図６】マスク基板内でエッチングレートに差がある場
合のエッチング工程を説明するための要部の概略断面図
である。
合のエッチング工程を説明するための要部の概略断面図
である。
【図７】オーバーエッチングにより寸法差が軽減される
ことを説明するための図である。
ことを説明するための図である。
【図８】レジスト選択比ごとのエッチング時間と寸法差
又はエッチングシフト量との関係を示すグラフである。
又はエッチングシフト量との関係を示すグラフである。
【図９】孤立ラインの寸法リニアリティを説明するため
のグラフである。
のグラフである。
【図１０】ラインアンドスペース（１：１）パターンの
寸法リニアリティを説明するためのグラフである。
寸法リニアリティを説明するためのグラフである。
１ レジストパターン ２ クロム膜 ３ マスク基板 ４ Ｆイオンが注入されたレジストパターン
Claims (3)
- 【請求項１】 クロム膜が形成されたマスク基板上に所
定形状のレジストパターンを形成し、該レジストパター
ンをフッ素系ガスを用いてプラズマ処理し、得られたレ
ジストパターンをマスクとして用いてクロム膜をドライ
エッチングすることからなるクロムマスクの形成方法。 - 【請求項２】 レジストパターンのフッ素系ガスによる
プラズマ処理と、クロム膜のドライエッチングとを、同
一の装置内で外気にさらすことなく連続的に行う請求項
１記載の方法。 - 【請求項３】 フッ素系ガスによるプラズマ処理をＣＦ
4ガスを用いて行い、クロム膜のドライエッチングを塩
素系ガスを用いて行う請求項１又は２に記載の方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11017302A JP2000214575A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | クロムマスクの形成方法 |
| TW088121573A TW475202B (en) | 1999-01-26 | 1999-12-09 | Method of producing chromium mask |
| US09/459,642 US6544894B1 (en) | 1999-01-26 | 1999-12-13 | Method of producing chromium mask |
| KR1020000001777A KR20000057762A (ko) | 1999-01-26 | 2000-01-14 | 크롬 마스크 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11017302A JP2000214575A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | クロムマスクの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000214575A true JP2000214575A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11940220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11017302A Pending JP2000214575A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | クロムマスクの形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6544894B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000214575A (ja) |
| KR (1) | KR20000057762A (ja) |
| TW (1) | TW475202B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7575692B2 (en) | 2003-04-11 | 2009-08-18 | Hoya Corporation | Method for etching chromium thin film and method for producing photomask |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100873069B1 (ko) * | 2002-05-31 | 2008-12-11 | 삼성전자주식회사 | 크롬 식각용 에천트 및 이를 이용한 이중 금속 박막패터닝 방법 |
| US20040224524A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-11 | Applied Materials, Inc. | Maintaining the dimensions of features being etched on a lithographic mask |
| JP2007502023A (ja) * | 2003-05-19 | 2007-02-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子デバイスの製造方法 |
| US7014958B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-03-21 | International Business Machines Corporation | Method for dry etching photomask material |
| US7014959B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-03-21 | International Business Machines Corporation | CD uniformity of chrome etch to photomask process |
| US7157377B2 (en) * | 2004-02-13 | 2007-01-02 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of making a semiconductor device using treated photoresist |
| US7985513B2 (en) * | 2008-03-18 | 2011-07-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Fluorine-passivated reticles for use in lithography and methods for fabricating the same |
| JP5541266B2 (ja) * | 2011-11-18 | 2014-07-09 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成膜のエッチング条件の評価方法 |
| US10522549B2 (en) * | 2018-02-17 | 2019-12-31 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Uniform gate dielectric for DRAM device |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB680306A (en) * | 1949-06-01 | 1952-10-01 | Gen Aniline & Film Corp | Insulation of ferromagnetic particles |
| JPS5190274A (en) | 1975-02-05 | 1976-08-07 | Fuotomasukuno seizohoho | |
| JPS60219748A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエツチングによるパタ−ンの形成方法 |
| US4534816A (en) * | 1984-06-22 | 1985-08-13 | International Business Machines Corporation | Single wafer plasma etch reactor |
| JPH0644551B2 (ja) | 1985-08-13 | 1994-06-08 | 松下電子工業株式会社 | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPH01288853A (ja) | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Fujitsu Ltd | ドライエッチング方法 |
| US5183775A (en) * | 1990-01-23 | 1993-02-02 | Applied Materials, Inc. | Method for forming capacitor in trench of semiconductor wafer by implantation of trench surfaces with oxygen |
| JPH03271739A (ja) | 1990-03-20 | 1991-12-03 | Fujitsu Ltd | マスクの製造方法 |
| JPH0496273A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-27 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3206916B2 (ja) * | 1990-11-28 | 2001-09-10 | 住友電気工業株式会社 | 欠陥濃度低減方法、紫外線透過用光学ガラスの製造方法及び紫外線透過用光学ガラス |
| US5246799A (en) * | 1991-09-20 | 1993-09-21 | At&T Bell Laboratories | Method of removing excess material, for repairing phase-shifting lithographic masks |
| US5877032A (en) * | 1995-10-12 | 1999-03-02 | Lucent Technologies Inc. | Process for device fabrication in which the plasma etch is controlled by monitoring optical emission |
| JPH05267255A (ja) | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Yamaha Corp | 配線形成法 |
| JP3066783B2 (ja) * | 1992-11-16 | 2000-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 電極材料及びそれを用いたプラズマ処理装置 |
| JP3348305B2 (ja) | 1993-01-30 | 2002-11-20 | ソニー株式会社 | クロム系材料のパターン形成方法 |
| US5449920A (en) * | 1994-04-20 | 1995-09-12 | Northeastern University | Large area ion implantation process and apparatus |
| US5783366A (en) * | 1995-12-07 | 1998-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method for eliminating charging of photoresist on specimens during scanning electron microscope examination |
| JPH09246246A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-19 | Fujitsu Ltd | ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-01-26 JP JP11017302A patent/JP2000214575A/ja active Pending
- 1999-12-09 TW TW088121573A patent/TW475202B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-12-13 US US09/459,642 patent/US6544894B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-01-14 KR KR1020000001777A patent/KR20000057762A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7575692B2 (en) | 2003-04-11 | 2009-08-18 | Hoya Corporation | Method for etching chromium thin film and method for producing photomask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6544894B1 (en) | 2003-04-08 |
| KR20000057762A (ko) | 2000-09-25 |
| TW475202B (en) | 2002-02-01 |
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