JPH0496273A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0496273A JPH0496273A JP2207001A JP20700190A JPH0496273A JP H0496273 A JPH0496273 A JP H0496273A JP 2207001 A JP2207001 A JP 2207001A JP 20700190 A JP20700190 A JP 20700190A JP H0496273 A JPH0496273 A JP H0496273A
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
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- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特には基板深さ
方向に微細な不純物制御を要する化合物半導体装置の製
造方法に関する。
方向に微細な不純物制御を要する化合物半導体装置の製
造方法に関する。
〈従来技術〉
化合物半導体装置の昨今の進展に連れ、より −層の高
性能化、低コスト化のため、イオン注入によってｐ型不
純物を化合物半導体中に導入する必要が生じて来ている
。
性能化、低コスト化のため、イオン注入によってｐ型不
純物を化合物半導体中に導入する必要が生じて来ている
。
化合物半導体装置の１つとして、ペテロ接合バイポーラ
トランジスタ（以下ＨＢＴ）のベース層をイオン注入に
よって形成した例を第２図に示す。
トランジスタ（以下ＨＢＴ）のベース層をイオン注入に
よって形成した例を第２図に示す。
十
ｎ −ＧａＡｓ基板４主面上にｎ −ＧａＡｓコレク
タ層３を成長させ、このコレクタ層３にｐ型不純物イオ
ン全注入した後、活性化アニールを行ないｐ型ベース層
８を形成する。続いてこのｐ型ペース層８上にｎ−Ａ６
ＧａＡｓエミッタ層５を成長させ、このエミツタ層５上
及びｎ＋−ＧａＡｓ基板４裏面上にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａ
ｕからなるコレクタ及びエミッタのｎ層コンタクト電極
７．・７を形成する。次にリン酸エッチャントによ、９
ｎ−Ａｊ！ＧａＡｓエミッタ層５をメサエッチングして
選択的Ｋｐ型ペース層８を露出させ、該ｐ型ベース層８
上にＡｕＺｎ／Ａｕからなるベースの９層コンタクト電
極６．６を形成する。
タ層３を成長させ、このコレクタ層３にｐ型不純物イオ
ン全注入した後、活性化アニールを行ないｐ型ベース層
８を形成する。続いてこのｐ型ペース層８上にｎ−Ａ６
ＧａＡｓエミッタ層５を成長させ、このエミツタ層５上
及びｎ＋−ＧａＡｓ基板４裏面上にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａ
ｕからなるコレクタ及びエミッタのｎ層コンタクト電極
７．・７を形成する。次にリン酸エッチャントによ、９
ｎ−Ａｊ！ＧａＡｓエミッタ層５をメサエッチングして
選択的Ｋｐ型ペース層８を露出させ、該ｐ型ベース層８
上にＡｕＺｎ／Ａｕからなるベースの９層コンタクト電
極６．６を形成する。
ＨＢＴの特性を決める重要なパラメータの１つであるペ
ース幅を制御するために、活性化アニル、再成長等の熱
処理工程後にも、急峻かつ正確な不純物濃度分布を保つ
ことが必要とされる。イオン注入されるｐ型不純物とし
てはＢｅ＋ Ｚｎがよく知られているが、Ｂｅは毒性及
び大きい拡散定数のため、またＺｎは拡散係数が大きい
こと及び活性化アニール中に化合物半導体表面から離脱
し易いため、いずれも実用化には不適当であ−〕た。
ース幅を制御するために、活性化アニル、再成長等の熱
処理工程後にも、急峻かつ正確な不純物濃度分布を保つ
ことが必要とされる。イオン注入されるｐ型不純物とし
てはＢｅ＋ Ｚｎがよく知られているが、Ｂｅは毒性及
び大きい拡散定数のため、またＺｎは拡散係数が大きい
こと及び活性化アニール中に化合物半導体表面から離脱
し易いため、いずれも実用化には不適当であ−〕た。
そこで、Ｂｅ、Ｚｎに代わって、毒性がなく、また化合
物半導体中での拡散係数が小さい炭素を用いる方法が開
発されている。
物半導体中での拡散係数が小さい炭素を用いる方法が開
発されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、上述したように、高性能は素子を実現するに
は素子構造を基板深さ方向に微細化する必要がある。し
かしながら、炭素は原子量が小さいため、半導体内での
飛程（ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ ｒａｎｇｅ： Ｒｐ ）が
長くなり、実用的な加速電圧の下では浅くかつ急峻な分
布を得ることが難しく、また、チャネリング現象が生じ
易い。そのため、安定な制御が櫃めて困難となり、実用
化に際して著しい障害となっている。
は素子構造を基板深さ方向に微細化する必要がある。し
かしながら、炭素は原子量が小さいため、半導体内での
飛程（ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ ｒａｎｇｅ： Ｒｐ ）が
長くなり、実用的な加速電圧の下では浅くかつ急峻な分
布を得ることが難しく、また、チャネリング現象が生じ
易い。そのため、安定な制御が櫃めて困難となり、実用
化に際して著しい障害となっている。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は上述する問題点を解決するためになされたもの
で、ドーピング不純物として炭素を含む半導体装置を製
造する際、注入イオン種としてフッ化炭素を用いて半導
体基板にイオン注入する工程と、前記注入イオンを活性
化するアニール工程と、２有する半導体装置の製造方法
を提供するものである。
で、ドーピング不純物として炭素を含む半導体装置を製
造する際、注入イオン種としてフッ化炭素を用いて半導
体基板にイオン注入する工程と、前記注入イオンを活性
化するアニール工程と、２有する半導体装置の製造方法
を提供するものである。
〈作 用〉
上述の如く、ドーピング不純物として炭素を用いる際、
そのイオン種としてフッ化炭素を用いることにより、炭
素Ｃの原子量１２に対し、フ・ン化次素ＣＦで原子量３
０、フッ化炭素ＣＦ ２で原子量４８、フッ化炭素ＣＦ
３で原子量６６、フン化炭素ＣＦ ４で原子量８４であ
るため、原子量の増大に応じて半導体内での飛程Ｒｐが
小さくなる。
そのイオン種としてフッ化炭素を用いることにより、炭
素Ｃの原子量１２に対し、フ・ン化次素ＣＦで原子量３
０、フッ化炭素ＣＦ ２で原子量４８、フッ化炭素ＣＦ
３で原子量６６、フン化炭素ＣＦ ４で原子量８４であ
るため、原子量の増大に応じて半導体内での飛程Ｒｐが
小さくなる。
したがって、注入イオンの加速電圧を実用的レベルまで
大きくすること、及びチャネリング現象を抑制すること
が可能となり、また、飛程分散ΔＲｐも小さくなる。更
に、上述したように炭素Ｃは比較的拡散係数が小さいた
め、炭素イオン注入後の活性化アニールによってもドー
ピングプロファイルが崩れることはない。また、炭素Ｃ
と同時に注入されたフッ素は前記活性化アニール時にほ
ぼ半導体外へ離脱し、ディープレベ）Ｖを作ることはな
い０ 〈実施例〉 以下、本発明の一実施例をＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓのｎ
ｐｎ型ＨＢＴを例に取って説明するが、本発明はこれに
限定されるものではない。
大きくすること、及びチャネリング現象を抑制すること
が可能となり、また、飛程分散ΔＲｐも小さくなる。更
に、上述したように炭素Ｃは比較的拡散係数が小さいた
め、炭素イオン注入後の活性化アニールによってもドー
ピングプロファイルが崩れることはない。また、炭素Ｃ
と同時に注入されたフッ素は前記活性化アニール時にほ
ぼ半導体外へ離脱し、ディープレベ）Ｖを作ることはな
い０ 〈実施例〉 以下、本発明の一実施例をＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓのｎ
ｐｎ型ＨＢＴを例に取って説明するが、本発明はこれに
限定されるものではない。
第１図（ａ）乃至（ｃ）はＡ６ＧａＡｓのｎｐｎ型ＨＢ
の製造工程図である。先ず、第１図（ａ）の如く、ｎ−
ＧａＡｓ基板４−主面上にＳｌを５ Ｘ １０１５ｉ３
ドープしたＧａＡｓ層３をエピタキシ、／し成長させ
た後、ＣＦ；イオン１を加速電圧４．０ｋｅＶにて７
Ｘ １０” ｃｘｒ２注入する。次に、前記ＧａＡｓ層
３上にプラズマＣＶＤ法にてアニール工程ャ・ンフ０と
なる５ｉＮ（図示せず）を堆積し、前記ＧａＡｓ基板４
ｌ−ＲＴＡ（五ａｐｉｄ Ｔｈｅａ＝ｇａｌΔｎｎｅ
ａｌｅｒ）に窒素雰囲気中、９００℃下で５秒間アニー
ルして注入種を活性化し、第１図（ｂ）の如くｐ型ペー
ス層２を形成する。しかる後に前記ＳｉＮ’（Ｈｌ−Ｉ
Ｆ浴溶液て除去し、続いて前記ｐ型ベース層２に硫酸系
溶液を用いた通常のＭＢＥ成長の前処理を行なう。次い
で、ＧａＡｓ基板４をＭＢＥ装置内に導入し、基板温度
６００℃にてＳ ｉ ｆ ２ Ｘ４０”Ｃｌ１１ ド
ープしたｎ−Ａｊ’ＧａＡｓエミッタ層５を前記ｐ型ペ
ース層２上にエピタキシャル成侵させる。次に第１図（
Ｃ）のようにこのエミツタ層５上及びｎ＋ＧａＡｓ基板
４裏面上にＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ ／ Ａ ｕか
らなりコレクタ及びエミッタを構成するｎ層コンタクト
電極７，７を形成する。続いてリン酸系エッチャントに
よ、！１）ｎ−Ａｊ？ＧａＡｓエミッタ層５をメサエッ
チングして選択的にｐ型ペーヌ層２を露出させ、該ｐ型
ベーヌ層２上にＡ ｕ Ｚ ｎ ／ Ａ ｕからなるペ
ースのｐ層コンタクト電層６，６を形成してＨＢＴが完
成する。
の製造工程図である。先ず、第１図（ａ）の如く、ｎ−
ＧａＡｓ基板４−主面上にＳｌを５ Ｘ １０１５ｉ３
ドープしたＧａＡｓ層３をエピタキシ、／し成長させ
た後、ＣＦ；イオン１を加速電圧４．０ｋｅＶにて７
Ｘ １０” ｃｘｒ２注入する。次に、前記ＧａＡｓ層
３上にプラズマＣＶＤ法にてアニール工程ャ・ンフ０と
なる５ｉＮ（図示せず）を堆積し、前記ＧａＡｓ基板４
ｌ−ＲＴＡ（五ａｐｉｄ Ｔｈｅａ＝ｇａｌΔｎｎｅ
ａｌｅｒ）に窒素雰囲気中、９００℃下で５秒間アニー
ルして注入種を活性化し、第１図（ｂ）の如くｐ型ペー
ス層２を形成する。しかる後に前記ＳｉＮ’（Ｈｌ−Ｉ
Ｆ浴溶液て除去し、続いて前記ｐ型ベース層２に硫酸系
溶液を用いた通常のＭＢＥ成長の前処理を行なう。次い
で、ＧａＡｓ基板４をＭＢＥ装置内に導入し、基板温度
６００℃にてＳ ｉ ｆ ２ Ｘ４０”Ｃｌ１１ ド
ープしたｎ−Ａｊ’ＧａＡｓエミッタ層５を前記ｐ型ペ
ース層２上にエピタキシャル成侵させる。次に第１図（
Ｃ）のようにこのエミツタ層５上及びｎ＋ＧａＡｓ基板
４裏面上にＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ ／ Ａ ｕか
らなりコレクタ及びエミッタを構成するｎ層コンタクト
電極７，７を形成する。続いてリン酸系エッチャントに
よ、！１）ｎ−Ａｊ？ＧａＡｓエミッタ層５をメサエッ
チングして選択的にｐ型ペーヌ層２を露出させ、該ｐ型
ベーヌ層２上にＡ ｕ Ｚ ｎ ／ Ａ ｕからなるペ
ースのｐ層コンタクト電層６，６を形成してＨＢＴが完
成する。
こうして形成したＨＢＴを試料Ａとし、比較のため、上
記工程でＧａＡｓ層３に加速電圧４０ｋｅＶにテア Ｘ
１０１４ｃ＋ｎ２ 注入しりＣＦ ： Ｋ 代ｂ り
、ｃ＋イオンを加速電圧１５ ｋｅＶ （この加速電圧
は、実用的な値の下限より更に低く、またイオン電流の
収率も悪いが、炭素の原子量から考えると、これ以上大
きくできない。）で２ Ｘ １０１５σ 注入したＨＢ
Ｔ及び、ＣＯイオンをぶ速電圧２０ ｋｅＶで１×１０
１５ｃｍ 注入したＨＢＴ’！にそれぞれ試料Ｂ、試料
Ｃとして、不純物プロファイル及び電気的特性を測定し
た。
記工程でＧａＡｓ層３に加速電圧４０ｋｅＶにテア Ｘ
１０１４ｃ＋ｎ２ 注入しりＣＦ ： Ｋ 代ｂ り
、ｃ＋イオンを加速電圧１５ ｋｅＶ （この加速電圧
は、実用的な値の下限より更に低く、またイオン電流の
収率も悪いが、炭素の原子量から考えると、これ以上大
きくできない。）で２ Ｘ １０１５σ 注入したＨＢ
Ｔ及び、ＣＯイオンをぶ速電圧２０ ｋｅＶで１×１０
１５ｃｍ 注入したＨＢＴ’！にそれぞれ試料Ｂ、試料
Ｃとして、不純物プロファイル及び電気的特性を測定し
た。
第３図（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ上記試料Ａ、試料Ｂ
、試料Ｃの不純物プロファイ／ｌ／をＳ Ｉ Ｍ Ｓ
（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎ Ｍａｓｓ ５ｐｅｃｔ
ｒｏｓｃｏｐｙ）で測定したものである。試料Ｂにおい
ては、第３図（ｂ）に示すように炭素プロファイルは１
３０ｎｍ以上広がり、また、ホール測定と比較した結果
、注入活性化率は５％程度であった。試料Ｃにおいては
、第３図（Ｃ）に示すように炭素以外に酸素が検出され
た。
、試料Ｃの不純物プロファイ／ｌ／をＳ Ｉ Ｍ Ｓ
（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎ Ｍａｓｓ ５ｐｅｃｔ
ｒｏｓｃｏｐｙ）で測定したものである。試料Ｂにおい
ては、第３図（ｂ）に示すように炭素プロファイルは１
３０ｎｍ以上広がり、また、ホール測定と比較した結果
、注入活性化率は５％程度であった。試料Ｃにおいては
、第３図（Ｃ）に示すように炭素以外に酸素が検出され
た。
方、本発明による試料Ａにおいては、第３図（ａ）に示
すように炭素プロファイルは６０ｎｍ以内に収まってお
り、またホール測定と比較した結果、注入活性化率は１
０％を越えた。酸素、フッ素は共に検出限界以下であっ
た。更に 下表は、２インチ基板上で測定された上記試料Ａ、Ｂ、
Ｃ各々１０００個の素子の電流増幅率βと、その分散α
の対電流増幅率βの比α／βとを示すものである。
すように炭素プロファイルは６０ｎｍ以内に収まってお
り、またホール測定と比較した結果、注入活性化率は１
０％を越えた。酸素、フッ素は共に検出限界以下であっ
た。更に 下表は、２インチ基板上で測定された上記試料Ａ、Ｂ、
Ｃ各々１０００個の素子の電流増幅率βと、その分散α
の対電流増幅率βの比α／βとを示すものである。
試料Ｂにおいては、電流増幅率βが低く、また比ｃｔ綿
は大きい。これは、炭素のプロファイル広がりのためベ
ース層が厚くなり、かつまたチャネリングによってベー
ス層内に面内分布ができたためである。また、試料Ｃに
おいては、電流増幅率Ｂが低い。これは、注入したＣＯ
イオン中の０がディープレペ）Ｖを作り、ベース内の少
数キャリア拡散定数が小さくなったためである。一方、
本発明の一実施例による試料Ａにおいては、より高い電
流増幅率Ｂとより小さい比悴が得られ、炭素イオンの深
さ方向への制御性が向上していることがわかる。
は大きい。これは、炭素のプロファイル広がりのためベ
ース層が厚くなり、かつまたチャネリングによってベー
ス層内に面内分布ができたためである。また、試料Ｃに
おいては、電流増幅率Ｂが低い。これは、注入したＣＯ
イオン中の０がディープレペ）Ｖを作り、ベース内の少
数キャリア拡散定数が小さくなったためである。一方、
本発明の一実施例による試料Ａにおいては、より高い電
流増幅率Ｂとより小さい比悴が得られ、炭素イオンの深
さ方向への制御性が向上していることがわかる。
上記本実施例においてエミッタトップ型ＨＢＴを用いた
が、本発明はこれ限定されるものではなく、コレクタト
ップ型ＨＢＴｔ−用いても同様の効果が得られる。
が、本発明はこれ限定されるものではなく、コレクタト
ップ型ＨＢＴｔ−用いても同様の効果が得られる。
また、上記本実施例においてＨＢＴを用いて本発明を説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、基
板深さ方向に正確な制御の必要は、他の化合物半導体素
子であってもよい。これも上記Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ
／ Ｇ ａ Ａ ｓ系に限定されるものではなく、Ｉ
ｎＧａＡｓ／ＩｎＡ６Ａｓ系、ＩｎＧａＡｓ／ Ｉ ｎ
Ｐ系等、他の格子整合系、またはＩｎＧａＡｓ／ Ａ
（ｌ Ｇ ａ Ａ ｓ等の格子不整合系であってもよ
い。
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、基
板深さ方向に正確な制御の必要は、他の化合物半導体素
子であってもよい。これも上記Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ
／ Ｇ ａ Ａ ｓ系に限定されるものではなく、Ｉ
ｎＧａＡｓ／ＩｎＡ６Ａｓ系、ＩｎＧａＡｓ／ Ｉ ｎ
Ｐ系等、他の格子整合系、またはＩｎＧａＡｓ／ Ａ
（ｌ Ｇ ａ Ａ ｓ等の格子不整合系であってもよ
い。
更には、不純部イオンｆ：Ｔオン注入する層は必ずしも
ｐ型になる必要はなく、ｎ型層の精密な濃度調整に用い
てもよい。また、注入するフッ化炭素素はＣＦ４に限ら
ず、使用目的に応じてＣＦ３゜ＣＦ２．ＣＦ 等を使
い分けることによって、更に正確は不純物濃度制御が実
現される。
ｐ型になる必要はなく、ｎ型層の精密な濃度調整に用い
てもよい。また、注入するフッ化炭素素はＣＦ４に限ら
ず、使用目的に応じてＣＦ３゜ＣＦ２．ＣＦ 等を使
い分けることによって、更に正確は不純物濃度制御が実
現される。
〈発明の効果〉
本発明によυ、毒性がなく化合物半導体中での拡散係数
が小さい度素全用いる際、注入イオンの加速電圧ｔ−実
用的レベルで大きくすること、及びチャネリング現象を
抑制することが可能とな）、また、飛程分散ΔＲｐ も
小さくなる。更に炭素イオン注入後の活性化アニールに
よってもドーピング１０フアイルが崩れることはない。
が小さい度素全用いる際、注入イオンの加速電圧ｔ−実
用的レベルで大きくすること、及びチャネリング現象を
抑制することが可能とな）、また、飛程分散ΔＲｐ も
小さくなる。更に炭素イオン注入後の活性化アニールに
よってもドーピング１０フアイルが崩れることはない。
したがって注入イオン種の深さ方向への制御性が向上し
て、イオン注入を用いた化合物半導体装置の深さ方向の
微細化が可能となジ、これによる産業上の波及効果は著
しい。
て、イオン注入を用いた化合物半導体装置の深さ方向の
微細化が可能となジ、これによる産業上の波及効果は著
しい。
第１図（ａ）乃至（ｃ）は本発明による一実施例を説明
するためのＨＢＴＩＩＪ造工程図、第２図は従来例によ
るＨＢＴ断面図、第３図［ａ）乃至（ｃ）は本発明によ
る一実施例と従来例の特性図である。 １、 ＣＦ４イオ７ ２． ｐ−Ｇ ａ Ａ Ｓ
ベーヌ層３、ｎ ＧａＡｓ＝＋レクタＮｉ ４
．ｎ −ＧａＡｓ基板 ５．ｎ ＡｅＧａＡｓエ
ミッタ層６、ｐ層コンタクト電憧 ７． ｎ層コン
タクト電極 ８． ｐ型ベース層 代理人 弁理士 梅 １） 勝（他２名）◇ 第１図 三号イ・１イヒ了ニールＬｖｌイＱ １１１２！Ｐ！ｌ 第３図
するためのＨＢＴＩＩＪ造工程図、第２図は従来例によ
るＨＢＴ断面図、第３図［ａ）乃至（ｃ）は本発明によ
る一実施例と従来例の特性図である。 １、 ＣＦ４イオ７ ２． ｐ−Ｇ ａ Ａ Ｓ
ベーヌ層３、ｎ ＧａＡｓ＝＋レクタＮｉ ４
．ｎ −ＧａＡｓ基板 ５．ｎ ＡｅＧａＡｓエ
ミッタ層６、ｐ層コンタクト電憧 ７． ｎ層コン
タクト電極 ８． ｐ型ベース層 代理人 弁理士 梅 １） 勝（他２名）◇ 第１図 三号イ・１イヒ了ニールＬｖｌイＱ １１１２！Ｐ！ｌ 第３図
Claims (1)
- １、ドーピング不純物として炭素を含む半導体装置を製
造する際、注入イオン種としてフッ化炭素を用いて半導
体基板にイオン注入する工程と、前記注入イオンを活性
化するアニール工程と、を有することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207001A JPH0496273A (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
| US07/740,197 US5158897A (en) | 1990-08-03 | 1991-08-02 | Method for the production of a semiconductor device by implanting fluorocarbon ions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207001A JPH0496273A (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0496273A true JPH0496273A (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16532551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2207001A Pending JPH0496273A (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5158897A (ja) |
| JP (1) | JPH0496273A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010524263A (ja) * | 2007-04-10 | 2010-07-15 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 浅い接合の形成技術 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69316677T2 (de) * | 1992-07-24 | 1998-07-30 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit durch Implantation mit einer Kohlenstoff-Halogenverbindung erhaltenem Heteroübergang |
| JP3749924B2 (ja) * | 1996-12-03 | 2006-03-01 | 富士通株式会社 | イオン注入方法および半導体装置の製造方法 |
| US6107151A (en) * | 1997-05-09 | 2000-08-22 | Research Triangle Institute | Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing |
| JP2000214575A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Sharp Corp | クロムマスクの形成方法 |
| US6452338B1 (en) | 1999-12-13 | 2002-09-17 | Semequip, Inc. | Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer |
| AU2001238147A1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-20 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for measuring birefringent particles |
| US6358807B1 (en) * | 2000-02-15 | 2002-03-19 | Agere Systems Guardian Corp. | Bipolar semiconductor device and method of forming same having reduced transient enhanced diffusion |
| US6368924B1 (en) * | 2000-10-31 | 2002-04-09 | Motorola, Inc. | Amorphous carbon layer for improved adhesion of photoresist and method of fabrication |
| US6759312B2 (en) * | 2001-10-16 | 2004-07-06 | The Regents Of The University Of California | Co-implantation of group VI elements and N for formation of non-alloyed ohmic contacts for n-type semiconductors |
| US6995051B1 (en) * | 2004-10-28 | 2006-02-07 | International Business Machines Corporation | Irradiation assisted reactive ion etching |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63244842A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Sharp Corp | 化合物半導体へのイオン注入方法 |
| JPS6457627A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1990
- 1990-08-03 JP JP2207001A patent/JPH0496273A/ja active Pending
-
1991
- 1991-08-02 US US07/740,197 patent/US5158897A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010524263A (ja) * | 2007-04-10 | 2010-07-15 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 浅い接合の形成技術 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5158897A (en) | 1992-10-27 |
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