JPH01184870A - ヘテロバイポーラトランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
ヘテロバイポーラトランジスタおよびその製造方法Info
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- JPH01184870A JPH01184870A JP385088A JP385088A JPH01184870A JP H01184870 A JPH01184870 A JP H01184870A JP 385088 A JP385088 A JP 385088A JP 385088 A JP385088 A JP 385088A JP H01184870 A JPH01184870 A JP H01184870A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］ ″本発明は、ワイ
ドギャップエミッタを有するシリコン系へテロバイポー
ラトランジスタおよびその製造方法に関し、特にワイド
ギャップエミッタのオーミックコンタクトを容易にし、
かつシリコンプロセスを利用して素子の集積化を図るの
に適したエミッタ構造を有するヘテロバイポーラトラン
ジスタおよびその製造方法に関する。
ドギャップエミッタを有するシリコン系へテロバイポー
ラトランジスタおよびその製造方法に関し、特にワイド
ギャップエミッタのオーミックコンタクトを容易にし、
かつシリコンプロセスを利用して素子の集積化を図るの
に適したエミッタ構造を有するヘテロバイポーラトラン
ジスタおよびその製造方法に関する。
［従来の技術］
従来のシリコン系へテロバイポーラトランジスタは、た
とえば化合物半導体などのエネルギーギャップの広い材
料を用いて形成したエミッタにオーミックコンタクトを
とる際、エミッタ電極材料と接触する部分に、イオン注
入等を用いて不純物を高濃度にドープしたり、あるいは
配線材料を変えるなどして、オーミックコンタクトを取
っていた。
とえば化合物半導体などのエネルギーギャップの広い材
料を用いて形成したエミッタにオーミックコンタクトを
とる際、エミッタ電極材料と接触する部分に、イオン注
入等を用いて不純物を高濃度にドープしたり、あるいは
配線材料を変えるなどして、オーミックコンタクトを取
っていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら上記の従来方法では、バンドギャップの広
いエミッタ材料の不純物ドープは、その不純物の活性化
率に限界があるため、コンタクト抵抗が充分に小さくな
らないという問題点があった。ざらに、エミッタ材料は
、ペースやコレクタを形成しているシリコンとは異物質
であるので、エミッタ用の配線材料を扱わねばならず、
プロセスが複雑になるうえ、エミッタ材料による不純物
汚染が問題になるため、シリコンプロセスラインに入れ
られないという問題点もあった。
いエミッタ材料の不純物ドープは、その不純物の活性化
率に限界があるため、コンタクト抵抗が充分に小さくな
らないという問題点があった。ざらに、エミッタ材料は
、ペースやコレクタを形成しているシリコンとは異物質
であるので、エミッタ用の配線材料を扱わねばならず、
プロセスが複雑になるうえ、エミッタ材料による不純物
汚染が問題になるため、シリコンプロセスラインに入れ
られないという問題点もあった。
本発明は以上述べたような従来の問題点を解決するため
になされたもので、シリコン以外のエミッタ材料を用い
ても従来のシリコンプロセスが使用でき、プロセスの簡
易化が達成できると共に、コンタクト抵抗の低減化され
たエミッタ構造を有するヘテロバイポーラトランジスタ
およびその製造方法を提供することを目的とする。
になされたもので、シリコン以外のエミッタ材料を用い
ても従来のシリコンプロセスが使用でき、プロセスの簡
易化が達成できると共に、コンタクト抵抗の低減化され
たエミッタ構造を有するヘテロバイポーラトランジスタ
およびその製造方法を提供することを目的とする。
［！！！題を解決するための手段］
本発明は、第一の半導体基板上のコレクタおよびベース
上に前記第一の半導体よりバンドギャップの広いｎ型ま
たはｐ型の第二の半導体よりなるエミッタが形成され、
前記エミッタ上には、エミッタと同一の導電型の前記第
一の半導体よりなる膜が形成されてなることを特徴仁す
るヘテロバイポーラトランジスタ、および第一の半導体
基板上のコレクタおよびベース上に前記第一の半導体よ
りバンドギャップの広いｎ型またはｐ型の第二の半導体
よりなるエミッタを形成する工程と、前記エミッタ上に
、エミッタと同一の導電型の前記第一の半導体よりなる
膜を堆積する工程と、前記膜が形成されたエミッタのコ
ンタクトホール形成および配線を前記第一の半導体のコ
ンタクトホール形成および配線と同時に行う工程とを備
えてなることを特徴とするヘテロバイポーラトランジス
タの製造方法である。
上に前記第一の半導体よりバンドギャップの広いｎ型ま
たはｐ型の第二の半導体よりなるエミッタが形成され、
前記エミッタ上には、エミッタと同一の導電型の前記第
一の半導体よりなる膜が形成されてなることを特徴仁す
るヘテロバイポーラトランジスタ、および第一の半導体
基板上のコレクタおよびベース上に前記第一の半導体よ
りバンドギャップの広いｎ型またはｐ型の第二の半導体
よりなるエミッタを形成する工程と、前記エミッタ上に
、エミッタと同一の導電型の前記第一の半導体よりなる
膜を堆積する工程と、前記膜が形成されたエミッタのコ
ンタクトホール形成および配線を前記第一の半導体のコ
ンタクトホール形成および配線と同時に行う工程とを備
えてなることを特徴とするヘテロバイポーラトランジス
タの製造方法である。
［作用］
エミッタを構成する第二半導体上には基板と同じ第一半
導体よりなる膜を形成する。このことにより、第二半導
体は露出することがないので、第一半導体のプロセスラ
インを使用しても第二半導体によって不純物汚染が生じ
ることがない。膜形成後は、第二半導体の配線を第一半
導体の配線と一括して行い、プロセスを簡略化する。
導体よりなる膜を形成する。このことにより、第二半導
体は露出することがないので、第一半導体のプロセスラ
インを使用しても第二半導体によって不純物汚染が生じ
ることがない。膜形成後は、第二半導体の配線を第一半
導体の配線と一括して行い、プロセスを簡略化する。
また、第一半導体は第二半導体よりバンドギャップが狭
いので、オーミックコンタクトをとりやすく、コンタク
ト抵抗が低減化される。
いので、オーミックコンタクトをとりやすく、コンタク
ト抵抗が低減化される。
［実施例］
次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図は、本発明によ、るヘテロバイポーラトランジス
タの製造工程を示す断面図である。比抵抗１０Ω・ｃｍ
のｐ型シリコン基板５上に、イオン注入により、リンお
よびボロンをそれぞれ１Ｘ１０１２／ｃｍ２ 、１５０
ｋｅＶおよび１ Ｘ１０１４／Ｃｍ２ 、３０ｋｅＶ注
入しアニールして、ｎ型コレクタ４およびｐ型ベース３
を形成した後、エネルギーギャップの広いエミッタ材料
であるｎ型のガリウムリンを気相エピタキシャル成長さ
せてエミッタ１を形成する（第１図（ａ））。次にガリ
ウムリンとシリコン間のエレクトロンのバリアをエレク
トロンがトンネルできるように、エミッタ１の表面に１
Ｘ１０”／Ｃｍ２シリコンのイオン注入を行い、ラピッ
ドサーマルアニールを９００℃で５秒間、窒素中で行っ
てイオン注入層７を形成する。次いで表面の１竺酸化膜
をフッ化水素水溶液と塩化水素水溶液で除去した後、シ
リコン分子線エピタキシーを用いて、７５０℃テアンチ
モンヲ１×１０１９／Ｃ１３トーフシタシリコンエピ膜
６を５００人成長させる（第１図（ｂ））。その後、ベ
ース３、コレクタ４およびエミッタ１のコンタクトホー
ル形成および配線８を同時に行う（第１図（Ｃ））。
タの製造工程を示す断面図である。比抵抗１０Ω・ｃｍ
のｐ型シリコン基板５上に、イオン注入により、リンお
よびボロンをそれぞれ１Ｘ１０１２／ｃｍ２ 、１５０
ｋｅＶおよび１ Ｘ１０１４／Ｃｍ２ 、３０ｋｅＶ注
入しアニールして、ｎ型コレクタ４およびｐ型ベース３
を形成した後、エネルギーギャップの広いエミッタ材料
であるｎ型のガリウムリンを気相エピタキシャル成長さ
せてエミッタ１を形成する（第１図（ａ））。次にガリ
ウムリンとシリコン間のエレクトロンのバリアをエレク
トロンがトンネルできるように、エミッタ１の表面に１
Ｘ１０”／Ｃｍ２シリコンのイオン注入を行い、ラピッ
ドサーマルアニールを９００℃で５秒間、窒素中で行っ
てイオン注入層７を形成する。次いで表面の１竺酸化膜
をフッ化水素水溶液と塩化水素水溶液で除去した後、シ
リコン分子線エピタキシーを用いて、７５０℃テアンチ
モンヲ１×１０１９／Ｃ１３トーフシタシリコンエピ膜
６を５００人成長させる（第１図（ｂ））。その後、ベ
ース３、コレクタ４およびエミッタ１のコンタクトホー
ル形成および配線８を同時に行う（第１図（Ｃ））。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明によれば、シリコン以外のエ
ミッタ材料を用いても不純物汚染が生じることがなく、
従って従来のシリコンプロセスを使用することができる
と共に、プロセスの簡易化を達成することのできるヘテ
ロバイポーラトランジスタおよびそのＴＩＡ造方決方法
供される。
ミッタ材料を用いても不純物汚染が生じることがなく、
従って従来のシリコンプロセスを使用することができる
と共に、プロセスの簡易化を達成することのできるヘテ
ロバイポーラトランジスタおよびそのＴＩＡ造方決方法
供される。
第１図は本発明の一実施例の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
Claims (2)
- （１）第一の半導体基板上のコレクタおよびベース上に
前記第一の半導体よりバンドギャップの広いｎ型または
ｐ型の第二の半導体よりなるエミッタが形成され、前記
エミッタ上には、エミッタと同一の導電型の前記第一の
半導体よりなる膜が形成されてなることを特徴とするヘ
テロバイポーラトランジスタ。 - （２）第一の半導体基板上のコレクタおよびベース上に
前記第一の半導体よりバンドギャップの広いｎ型または
ｐ型の第二の半導体よりなるエミッタを形成する工程と
、前記エミッタ上に、エミッタと同一の導電型の前記第
一の半導体よりなる膜を堆積する工程と、前記膜が形成
されたエミッタのコンタクトホール形成および配線を前
記第一の半導体のコンタクトホール形成および配線と同
時に行う工程とを備えてなることを特徴とするヘテロバ
イポーラトランジスタの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP385088A JPH01184870A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | ヘテロバイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
| US07/555,678 US4983534A (en) | 1988-01-05 | 1990-07-20 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP385088A JPH01184870A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | ヘテロバイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01184870A true JPH01184870A (ja) | 1989-07-24 |
Family
ID=11568660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP385088A Pending JPH01184870A (ja) | 1988-01-05 | 1988-01-13 | ヘテロバイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01184870A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60120560A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS62112370A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Nec Corp | 半導体接合 |
| JPS62274660A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-01-13 JP JP385088A patent/JPH01184870A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60120560A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS62112370A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Nec Corp | 半導体接合 |
| JPS62274660A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
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