JPS5961191A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5961191A JPS5961191A JP57171280A JP17128082A JPS5961191A JP S5961191 A JPS5961191 A JP S5961191A JP 57171280 A JP57171280 A JP 57171280A JP 17128082 A JP17128082 A JP 17128082A JP S5961191 A JPS5961191 A JP S5961191A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 235000014036 Castanea Nutrition 0.000 description 1
- 241001070941 Castanea Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 210000004894 snout Anatomy 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は牛導体装置イニ関する。特に、量子効率の良好
なＰＮ型、Ｐ、ＩＮ 型の受光素子の改良に関する。
なＰＮ型、Ｐ、ＩＮ 型の受光素子の改良に関する。
（２） 技術の背景
受光素子の一つにフォトダイオードがある。これはゲル
マニウム（Ｇｅ）、シリコン（Ｓｉ）等を基材として使
用し、ＰＮ接合に逆・々イアスミ圧を印加すると、キャ
リヤが動いてその境界面付近が空乏層化するという現象
を利用したものである。
マニウム（Ｇｅ）、シリコン（Ｓｉ）等を基材として使
用し、ＰＮ接合に逆・々イアスミ圧を印加すると、キャ
リヤが動いてその境界面付近が空乏層化するという現象
を利用したものである。
第１図はＰＮ型フォトダイオードの基本構造の一例を示
す基板断面図室あり、図において、１は例えばＰ型ゲル
マニウム（Ｐ−Ｇｅ）よりなる基板であ１）、２はＮ型
ゲルマニウム（Ｎ −Ｇｅ ）よりなる層であＩ」、３
は二酸化シリコン（Ｓｉｎ２）よりなる絶縁層であり、
４はアルミニウム（ＡＡ’）よ１）なる正電極、５は金
・ゲルマニウム合金（ＡｕＧｅ）よりなる負電極である
。
す基板断面図室あり、図において、１は例えばＰ型ゲル
マニウム（Ｐ−Ｇｅ）よりなる基板であ１）、２はＮ型
ゲルマニウム（Ｎ −Ｇｅ ）よりなる層であＩ」、３
は二酸化シリコン（Ｓｉｎ２）よりなる絶縁層であり、
４はアルミニウム（ＡＡ’）よ１）なる正電極、５は金
・ゲルマニウム合金（ＡｕＧｅ）よりなる負電極である
。
この様な受光素子にあっては、光は結晶表面で吸収され
るためＰＮ接合はできるだけ浅い位置に形成する必要が
ある。量子効率が良好になるからである。したがって、
浅いＰＮ接合を形成するための開発の努力がなされてい
る。
るためＰＮ接合はできるだけ浅い位置に形成する必要が
ある。量子効率が良好になるからである。したがって、
浅いＰＮ接合を形成するための開発の努力がなされてい
る。
（３） 従来技術と問題点
従来、第１図に示せる如く、Ｐ型ゲルマニウム基板にＮ
型拡散層を形成しいアルミニウム（Ａｅ）をもって電極
を形成していた。その製造方法において、アルミニウム
（Ａｌり電極をＮ型拡散層上に形成し、オーミックコン
タクトを形成するためのアニール工程が含まれるが、こ
のようにして製造さハたＰＮフォトダイオードを動作さ
せると暗電流が増加し、その秤変によってはフォトダイ
オードとして動作し１．ないという現鍮が認められた。
型拡散層を形成しいアルミニウム（Ａｅ）をもって電極
を形成していた。その製造方法において、アルミニウム
（Ａｌり電極をＮ型拡散層上に形成し、オーミックコン
タクトを形成するためのアニール工程が含まれるが、こ
のようにして製造さハたＰＮフォトダイオードを動作さ
せると暗電流が増加し、その秤変によってはフォトダイ
オードとして動作し１．ないという現鍮が認められた。
こ牙１は、アニール温度におけるアルミニウム（／ｌ’
１の挙動に起因するものと考えられる。
１の挙動に起因するものと考えられる。
そこで、量子効率を良好に保ちながらも、この際な暗電
流の増加を防止するために第２図に示す如肖構造となす
手法が用いられてきた。ずなわち、Ｎ型拡散ルｊ以外の
構造は第１図と全＜１〔ｑ様であるが、Ｎ型領域を形成
するためのＮ型不純物拡散工程を２回の工程となし、図
において、１２をもって示さＪ］る受光領域を１回目の
拡散工程によって、又、＋２’をもって示される電極接
続領域を２回目の拡散工程によって夫々形成する。この
とき、受光領域１２は浅く形成されているため量子効率
が良好に保たれ、かつ、電極接続１２′は受光領域Ｉ２
よりも深く形成１され、ＰＮ接合の破壊が防止されると
共に耐圧も同上される。
流の増加を防止するために第２図に示す如肖構造となす
手法が用いられてきた。ずなわち、Ｎ型拡散ルｊ以外の
構造は第１図と全＜１〔ｑ様であるが、Ｎ型領域を形成
するためのＮ型不純物拡散工程を２回の工程となし、図
において、１２をもって示さＪ］る受光領域を１回目の
拡散工程によって、又、＋２’をもって示される電極接
続領域を２回目の拡散工程によって夫々形成する。この
とき、受光領域１２は浅く形成されているため量子効率
が良好に保たれ、かつ、電極接続１２′は受光領域Ｉ２
よりも深く形成１され、ＰＮ接合の破壊が防止されると
共に耐圧も同上される。
しかしながら、このような２回の拡散工程は煩雑である
ため、もし、１回の拡散工程で上記と同様の構造を実現
しうれば、工業的にはなはだ有利である。、 （４）発明の目的 本発明の目的は、この要請に応えることにあり、ＰＮ接
合を有し、このＰＮ接合領摩の一部にアルミニウム（Ａ
ｅ）よりなる電極を有する半導体装置において、ＰＮ接
合の破壊が有効に防止される構造が１回の工程を゛もっ
て実現される″Ｐｍ体装置を提供することにある。
ため、もし、１回の拡散工程で上記と同様の構造を実現
しうれば、工業的にはなはだ有利である。、 （４）発明の目的 本発明の目的は、この要請に応えることにあり、ＰＮ接
合を有し、このＰＮ接合領摩の一部にアルミニウム（Ａ
ｅ）よりなる電極を有する半導体装置において、ＰＮ接
合の破壊が有効に防止される構造が１回の工程を゛もっ
て実現される″Ｐｍ体装置を提供することにある。
（５） 発明の構成
このような本発明の目的は、Ｎ型ゲルマニウム基板と、
該ゲルマニウム基板に選択的に形成されたＰ層領域と、
該Ｐ層領域に接するアルミニウム電極とを備え、該アル
ミニウム電極接触部のＰ層領域が該アルミニウム電極接
触部以外のＰ層領域よ０も深く形成されてなる半導体装
置によって達成される。
該ゲルマニウム基板に選択的に形成されたＰ層領域と、
該Ｐ層領域に接するアルミニウム電極とを備え、該アル
ミニウム電極接触部のＰ層領域が該アルミニウム電極接
触部以外のＰ層領域よ０も深く形成されてなる半導体装
置によって達成される。
そして、前記アルミニウム電極接触部のＰ層領域は、該
アルミニウム電極からのアルミニウムの拡散により形成
されたＰ層領域を含むことを特徴とする。
アルミニウム電極からのアルミニウムの拡散により形成
されたＰ層領域を含むことを特徴とする。
前記従来技術において、暗電流が増加する笠の現象は、
Ｐ型不純物となるアルミニウム（Ａｅ）がアニールによ
０浅いＰＮ接合を突き抜けて融は出し、Ｎ型層の一部領
域の導電型を反転させるとともに、Ｐ型基板中まで進入
し、その結果、電ｈｖ部領域は全てＰ型層となってしま
い、この領域においてＮＰ接合が消滅してしまうことに
あると考えられるＱ 一部、Ｎ型シリコン（Ｎ−８１）／＠上にアルミニラＡ
（Ａｅ）よ（）なる薄膜を形成し、５５０ （°ｏ）
ｐ、）１度の温度をもってアニールすると、この層中の
ドナーａＷ、ｔｉ ５ Ｘ Ｉｎ１８（ｃ、Ｍ＋−”
） 程度以下テアルトキ、アルミニウム（Ａｅ）が融
は込んでＰＮ ′＃合が形成さＡすることか知られてい
る。
Ｐ型不純物となるアルミニウム（Ａｅ）がアニールによ
０浅いＰＮ接合を突き抜けて融は出し、Ｎ型層の一部領
域の導電型を反転させるとともに、Ｐ型基板中まで進入
し、その結果、電ｈｖ部領域は全てＰ型層となってしま
い、この領域においてＮＰ接合が消滅してしまうことに
あると考えられるＱ 一部、Ｎ型シリコン（Ｎ−８１）／＠上にアルミニラＡ
（Ａｅ）よ（）なる薄膜を形成し、５５０ （°ｏ）
ｐ、）１度の温度をもってアニールすると、この層中の
ドナーａＷ、ｔｉ ５ Ｘ Ｉｎ１８（ｃ、Ｍ＋−”
） 程度以下テアルトキ、アルミニウム（Ａｅ）が融
は込んでＰＮ ′＃合が形成さＡすることか知られてい
る。
本発明の発明者らは、Ｎ型ゲルマニウム（Ｎ −Ｇｅ）
基板上に真空蒸着法等を使用してアルミニウム（Ａｅ）
層を形成したのちアニールを行なうと、基板のドナー濃
度がｌＸ Ｉｎ１８（ｃｍ−” ）程度以下、かつ、ア
ニール温度が３００〜４２０（’Ｏ）の範囲のとき、Ｐ
Ｎ接合が形成されることが確認した。
基板上に真空蒸着法等を使用してアルミニウム（Ａｅ）
層を形成したのちアニールを行なうと、基板のドナー濃
度がｌＸ Ｉｎ１８（ｃｍ−” ）程度以下、かつ、ア
ニール温度が３００〜４２０（’Ｏ）の範囲のとき、Ｐ
Ｎ接合が形成されることが確認した。
例えばドナー濃度が１×１０１５〔ｃｒｎ−３〕程度の
Ｎ型ゲルマニウム（Ｎ−Ｇｅ）基板に、イオン注入法等
を使用して浅いＰ層領域を形成したのち、このＰＮ接合
上の所望の領域にアルミニウム（Ａｌｌ電極を真空蒸着
法等を使用して形成し、約３４０Ｃ’Ｏ）〒１０分間程
度アニールを行った結果、所望のＰＮ接合が形成された
。
Ｎ型ゲルマニウム（Ｎ−Ｇｅ）基板に、イオン注入法等
を使用して浅いＰ層領域を形成したのち、このＰＮ接合
上の所望の領域にアルミニウム（Ａｌｌ電極を真空蒸着
法等を使用して形成し、約３４０Ｃ’Ｏ）〒１０分間程
度アニールを行った結果、所望のＰＮ接合が形成された
。
（６）発明の実姉例
以下図面を参照しつつ、本発明の一実施例に係る半導体
装置について説明し、本発明の構成と特有の効果とを明
らかにする。
装置について説明し、本発明の構成と特有の効果とを明
らかにする。
一例として、ゲルマニウム（Ｇｅ）を基材とし７、受光
部径が５ （ｒｒＬ−）程度であるＰＮフォトダイオー
ドの製造方法について述べる。
部径が５ （ｒｒＬ−）程度であるＰＮフォトダイオー
ドの製造方法について述べる。
第３１；ζ目♀照
ドナー１ｔｒｔ ｒｚがＩ Ｘ ＩＱ１５（ｃｎｌ、−
” ）程度（ｆ） Ｎ 型ケ／Ｌ−ｖニウム（Ｎ−（ｉ
ｅ） 基板２１の一部領域にフ釣択的にＰ型不神！吻
と１−で席末（Ｊ３）を導入し、深さ２．ｏｏｏ（Ｘ）
程度のＰ型費光領域２２を形成する。かかる硼素の注入
エネルギーを４０ （ＫｅＶ、）程度、ドーズ惜を３×
１０”’ （ｃｍ−２］程度とｊｒ Ｌ、かがるイオン
注入後温度５５０〔°０〕、時間１時間の熱処理（アニ
ール）を行って所望のＰパリ９を領域２２が倍らノする
。
” ）程度（ｆ） Ｎ 型ケ／Ｌ−ｖニウム（Ｎ−（ｉ
ｅ） 基板２１の一部領域にフ釣択的にＰ型不神！吻
と１−で席末（Ｊ３）を導入し、深さ２．ｏｏｏ（Ｘ）
程度のＰ型費光領域２２を形成する。かかる硼素の注入
エネルギーを４０ （ＫｅＶ、）程度、ドーズ惜を３×
１０”’ （ｃｍ−２］程度とｊｒ Ｌ、かがるイオン
注入後温度５５０〔°０〕、時間１時間の熱処理（アニ
ール）を行って所望のＰパリ９を領域２２が倍らノする
。
第４図餐邪
Ｉ９型Ｘ板２１の全面に化学気相成長法（ｃｖＤ沈）を
使用して二酸化シリコン（Ｓｉ０２１よりなる絶縁層２
３を２．２００ （Ｘ ）程度の厚さに形成したのち、
公知の方７んを用いてＰＮ接合上の所望の領域に、負電
極コンタクト用の、無終端の帯状の開口を形成する。続
いて、真空蒸稲法とフオトエ、ノテング法とを１史用し
てアルミニウム（／／）よりなる負電極２４を形成する
。
使用して二酸化シリコン（Ｓｉ０２１よりなる絶縁層２
３を２．２００ （Ｘ ）程度の厚さに形成したのち、
公知の方７んを用いてＰＮ接合上の所望の領域に、負電
極コンタクト用の、無終端の帯状の開口を形成する。続
いて、真空蒸稲法とフオトエ、ノテング法とを１史用し
てアルミニウム（／／）よりなる負電極２４を形成する
。
第５図参照
上ｖ「）の工程終了後、３４０（’Ｏ）程度の温廂をも
って５分間程度以下のアニールをなすと、電本喫２４と
Ｐ型費光領域２２との界面には良ｐｒなオーミックコン
タクトが形成されるとともにアルミニウム電極２４より
アルミニウム（Ａｅ）が下方へ拡散し、Ｐ型費光領域２
２を突き抜けて、図示せる如くＮ型基板２１の一部領域
にＰ壁領域２２よりも深いＰ型頭載２乏が形成される。
って５分間程度以下のアニールをなすと、電本喫２４と
Ｐ型費光領域２２との界面には良ｐｒなオーミックコン
タクトが形成されるとともにアルミニウム電極２４より
アルミニウム（Ａｅ）が下方へ拡散し、Ｐ型費光領域２
２を突き抜けて、図示せる如くＮ型基板２１の一部領域
にＰ壁領域２２よりも深いＰ型頭載２乏が形成される。
しかるのち、公知の方法を使用して金・ゲルマニウム合
金（ＡｕＧｅ）よりなる正ｑ ＠ ２５を形成し、本実
施例に係るＰ、Ｎフォトダイオードを完成する。
金（ＡｕＧｅ）よりなる正ｑ ＠ ２５を形成し、本実
施例に係るＰ、Ｎフォトダイオードを完成する。
すなわち、本発明にあっては、ゲルマニウム基板２１中
への不純物導入工程（イオン注入）は１回のみであ【）
、アルミニウムｔＷ： ｑ＋ ２４下へのアルミニウム
の拡散はオーミックコンタクト形成用アニール工程にな
されるものであって、工程数の増加はない。
への不純物導入工程（イオン注入）は１回のみであ【）
、アルミニウムｔＷ： ｑ＋ ２４下へのアルミニウム
の拡散はオーミックコンタクト形成用アニール工程にな
されるものであって、工程数の増加はない。
第６図は、上記により完成されたゲルマニウム（Ｇｅ）
を基材とし、受光部径が５（＋＋ｔｍ）程度のｉ）Ｎフ
ォトダイオードと、従来技術により製造され上記と同嘩
ゲルマニウム（Ｇｅ）を基材とし、受光部径が５〔ｍｍ
〕程度のＰＮフォトダイオードとの逆ノ々イアス電圧に
対する暗電流特性を比較した線図である。
を基材とし、受光部径が５（＋＋ｔｍ）程度のｉ）Ｎフ
ォトダイオードと、従来技術により製造され上記と同嘩
ゲルマニウム（Ｇｅ）を基材とし、受光部径が５〔ｍｍ
〕程度のＰＮフォトダイオードとの逆ノ々イアス電圧に
対する暗電流特性を比較した線図である。
図において、横軸は逆・ζイアスミ圧（Ｖ）であり、Ｒ
＠は暗電流〔μＡ〕であり、実線Ａは本発明の実施例に
おいて得られたＰＮフォトダイオードの特性フあ１］、
実線Ｂは従来技術において得られたＰＮフォトダイオー
ドの特性ｆある。かかる特性より明らかな如く、本実施
例により得られたＰＮフォトダイオードの暗電流は３０
〜３５〔μＡ〕であり、従来技術における値、８０〜９
０〔μＡ〕に比してはるかに低減されている。
＠は暗電流〔μＡ〕であり、実線Ａは本発明の実施例に
おいて得られたＰＮフォトダイオードの特性フあ１］、
実線Ｂは従来技術において得られたＰＮフォトダイオー
ドの特性ｆある。かかる特性より明らかな如く、本実施
例により得られたＰＮフォトダイオードの暗電流は３０
〜３５〔μＡ〕であり、従来技術における値、８０〜９
０〔μＡ〕に比してはるかに低減されている。
以上の構造となすことにより、ゲルマニウム（Ｇｅ）を
基材とするＰＮフォトダイオードにて、受光部のＰＮ接
合を非常に浅く形成しながら、暗電流の増加が有効に防
止されうる構造を、より少。
基材とするＰＮフォトダイオードにて、受光部のＰＮ接
合を非常に浅く形成しながら、暗電流の増加が有効に防
止されうる構造を、より少。
い工程により実現することができる０
なお、第５図に示される構造において、電極冴下部のＰ
型領域２２′をＰ型受光領塚２２の縁部に沿って形成す
れば耐圧を更に向上することができる。
型領域２２′をＰ型受光領塚２２の縁部に沿って形成す
れば耐圧を更に向上することができる。
また、前記実施例にあっては、ＰＮフォトダイオードを
掲げて詳１明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなくＰＩＮ型７オトダイオードにも適用し得るもので
ある。
掲げて詳１明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなくＰＩＮ型７オトダイオードにも適用し得るもので
ある。
（力 発明の詳細
な説明せるとおり、本発明によハば、ＰＮ接合を有し、
このＰＮ接合領域の一部に、アルミニウム（ＡＩりより
なる電極を有する半導体装置において、ＰＮ接合の破壊
が有効に防止される構造が１回の工程をもって実現され
てなる、半導体装置を提供することができる。
このＰＮ接合領域の一部に、アルミニウム（ＡＩりより
なる電極を有する半導体装置において、ＰＮ接合の破壊
が有効に防止される構造が１回の工程をもって実現され
てなる、半導体装置を提供することができる。
第１図及び第２図は従来技術におけるＰＮフォトダイオ
ードの基本構造を示す基板断面図であり、第３図乃至第
５図は本発明の一実拘例に係るＰＮフォトダイオ−Ｐの
製造方法における主要工程完了後の基板断面図である。 才６＋ｖＩｓ４４つ叩〆、よる子埠葎裟イ’ｃ、 ’５
１栗１爆舛Ｙ貫の載に一θ贅１←４柄”ｔｉｔ斤づ・Ｗ
ｊ子１層１−ｙ〕る。 １．１１・・・Ｐ型ゲルマニウム（Ｐ−Ｇｅ）基板、２
１・・・Ｎ型ゲルマニウム（Ｎ−Ｇθ〕基板、２．１２
・Ｎ型拡散層（Ｇｅ）、１２′・・・２回目の拡散工程
によって形成されたＮ型拡散層（Ｇｅ）、２２・・・Ｐ
型拡散層（Ｇｅ）、２２′・・・本発明の一実施例に係
１）、アルミニウム（ＡＩり電極より融は出したアルミ
ニウム（ＡＩ）によって形成されたＰ型領域、３．１３
．２３・・・二酸化シリコン（Ｓ１０□）絶Ｒ層、４．
１４．２４・・アルミニウム（ＡＩり電極、５．１５．
２５・・・金・ゲルマニウム合金（ＡｕＧｅ）電極。
ードの基本構造を示す基板断面図であり、第３図乃至第
５図は本発明の一実拘例に係るＰＮフォトダイオ−Ｐの
製造方法における主要工程完了後の基板断面図である。 才６＋ｖＩｓ４４つ叩〆、よる子埠葎裟イ’ｃ、 ’５
１栗１爆舛Ｙ貫の載に一θ贅１←４柄”ｔｉｔ斤づ・Ｗ
ｊ子１層１−ｙ〕る。 １．１１・・・Ｐ型ゲルマニウム（Ｐ−Ｇｅ）基板、２
１・・・Ｎ型ゲルマニウム（Ｎ−Ｇθ〕基板、２．１２
・Ｎ型拡散層（Ｇｅ）、１２′・・・２回目の拡散工程
によって形成されたＮ型拡散層（Ｇｅ）、２２・・・Ｐ
型拡散層（Ｇｅ）、２２′・・・本発明の一実施例に係
１）、アルミニウム（ＡＩり電極より融は出したアルミ
ニウム（ＡＩ）によって形成されたＰ型領域、３．１３
．２３・・・二酸化シリコン（Ｓ１０□）絶Ｒ層、４．
１４．２４・・アルミニウム（ＡＩり電極、５．１５．
２５・・・金・ゲルマニウム合金（ＡｕＧｅ）電極。
Claims (2)
- （１）Ｎ型ゲルマニウム基板と、該ゲルマニウム基板に
選択的に形成されたＰ層領域と、該Ｐ層領域に接するア
ルミニウム電極とを備え、該アルミニウム電極接触部の
Ｐ層領域が該アルミニウム電極接触部以外のＰ型領琥よ
りも深く形成されてなることを特徴とする半導体装置。 - （２）アルミニウム電極接触部のＰ層領域は、該アルミ
ニウム電極からのアルミニウムの拡散により形成された
Ｐ層領域を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記赦の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171280A JPS5961191A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171280A JPS5961191A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961191A true JPS5961191A (ja) | 1984-04-07 |
| JPS6328505B2 JPS6328505B2 (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=15920394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57171280A Granted JPS5961191A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961191A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066877A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Shimadzu Corp | フオトダイオ−ド |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0328901U (ja) * | 1989-08-01 | 1991-03-22 | ||
| ES2715451T3 (es) | 2015-06-03 | 2019-06-04 | Weidplas Gmbh | Componente |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50114187A (ja) * | 1974-02-15 | 1975-09-06 | ||
| JPS50134394A (ja) * | 1974-04-10 | 1975-10-24 |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57171280A patent/JPS5961191A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50114187A (ja) * | 1974-02-15 | 1975-09-06 | ||
| JPS50134394A (ja) * | 1974-04-10 | 1975-10-24 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066877A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Shimadzu Corp | フオトダイオ−ド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6328505B2 (ja) | 1988-06-08 |
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