JPH04287978A - バラクタダイオード - Google Patents
バラクタダイオードInfo
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- JPH04287978A JPH04287978A JP138691A JP138691A JPH04287978A JP H04287978 A JPH04287978 A JP H04287978A JP 138691 A JP138691 A JP 138691A JP 138691 A JP138691 A JP 138691A JP H04287978 A JPH04287978 A JP H04287978A
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- diffusion layer
- varactor diode
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバラクタダイオードに関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術によるバラクタダイオードにつ
いて、図３（ａ）の断面図を参照して説明する。
いて、図３（ａ）の断面図を参照して説明する。
【０００３】Ｎ型半導体基板１にＮ型エピタキシャル層
２が形成され、酸化膜６および窒化膜７に開口が形成さ
れている。
２が形成され、酸化膜６および窒化膜７に開口が形成さ
れている。
【０００４】さらにＮ型拡散層３およびＰ＋ 型拡散層
４が形成されて、Ｐ−Ｎ接合を構成している。
４が形成されて、Ｐ−Ｎ接合を構成している。
【０００５】その上にアルミニウムからなる金属電極８
を形成されている。
を形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来技術によるバラク
タダイオード図３（ａ）のＡ−Ｂのキャリア濃度の深さ
分布を図３（ｂ）に示す。
タダイオード図３（ａ）のＡ−Ｂのキャリア濃度の深さ
分布を図３（ｂ）に示す。
【０００７】図３（ｂ）に示すように、Ｐ＋ 型拡散層
４のイオン注入直後の表面濃度は１０２０ｃｍ−３を越
えているが、容量値を合せ込んだあとは２〜３×１０１
９ｃｍ−３に下ってしまう。
４のイオン注入直後の表面濃度は１０２０ｃｍ−３を越
えているが、容量値を合せ込んだあとは２〜３×１０１
９ｃｍ−３に下ってしまう。
【０００８】そのためコンタクト抵抗がイオン注入直後
に電極形成を行なうことができれば約１×１０−４Ω・
ｃｍ−２なのに、合わせ込んでから電極形成しなければ
ならないので約１×１０−４Ωｃｍ−２に上ってしまう
という問題があった。
に電極形成を行なうことができれば約１×１０−４Ω・
ｃｍ−２なのに、合わせ込んでから電極形成しなければ
ならないので約１×１０−４Ωｃｍ−２に上ってしまう
という問題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のバラクタダイオ
ードは、Ｎ型半導体層表面にＮ型拡散層が形成され、該
Ｎ型拡散層の内側にＰ型拡散層が形成され、さらに前記
Ｐ型拡散層の内側に浅い高濃度Ｐ型層が形成されている
ものである。
ードは、Ｎ型半導体層表面にＮ型拡散層が形成され、該
Ｎ型拡散層の内側にＰ型拡散層が形成され、さらに前記
Ｐ型拡散層の内側に浅い高濃度Ｐ型層が形成されている
ものである。
【００１０】
【実施例】本発明の第１の実施例について、図１（ａ）
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１１】本実施例においては、電極金属８の直下に
浅いＰ＋＋型層５が形成されている。
浅いＰ＋＋型層５が形成されている。
【００１２】つぎに本実施例の製造方法について、工程
順に説明する。
順に説明する。
【００１３】はじめに比抵抗１／１０００〜１８／１０
００Ω・ｃｍのＮ型半導体基板１にキャリア濃度３×１
０１５ｃｍ−３、厚さ５μｍのＮ型エピタキシャル層２
を成長させる。
００Ω・ｃｍのＮ型半導体基板１にキャリア濃度３×１
０１５ｃｍ−３、厚さ５μｍのＮ型エピタキシャル層２
を成長させる。
【００１４】つぎに加圧酸化などにより厚さ１．２μｍ
の酸化膜６を形成してから選択的にエッチングして、Ｐ
−Ｎ接合形成予定領域に開口を設ける。
の酸化膜６を形成してから選択的にエッチングして、Ｐ
−Ｎ接合形成予定領域に開口を設ける。
【００１５】つぎに厚さ２００〜６００Ａの薄い酸化膜
を成長させる。
を成長させる。
【００１６】つぎにこの薄い酸化膜を通してＮ型不純物
である燐を加速エネルギー８０ｋｅＶ、注入量（ドース
）１．８×１０１４ｃｍ−２イオン注入してから、１１
００℃の熱処理により押し込み拡散してＮ型拡散層３を
形成する。
である燐を加速エネルギー８０ｋｅＶ、注入量（ドース
）１．８×１０１４ｃｍ−２イオン注入してから、１１
００℃の熱処理により押し込み拡散してＮ型拡散層３を
形成する。
【００１７】つぎにＰ型不純物である硼素を加速エネル
ギー５０ｋｅＶ、注入量７×１０１５ｃｍ−２イオン注
入してから、所定の電圧・容量特性が得られるまで１０
００℃で押し込み拡散してＰ＋ 型拡散層４を形成する
。
ギー５０ｋｅＶ、注入量７×１０１５ｃｍ−２イオン注
入してから、所定の電圧・容量特性が得られるまで１０
００℃で押し込み拡散してＰ＋ 型拡散層４を形成する
。
【００１８】つぎにＰ型不純物であるＢＦ２ を加速エ
ネルギー７０ｋｅＶ、注入量（ドース）８×１０１４ｃ
ｍ−２イオン注入して、深さ０．２μｍ、表面濃度１×
１０２０ｃｍ−３のＰ＋＋型層５を形成する。
ネルギー７０ｋｅＶ、注入量（ドース）８×１０１４ｃ
ｍ−２イオン注入して、深さ０．２μｍ、表面濃度１×
１０２０ｃｍ−３のＰ＋＋型層５を形成する。
【００１９】最後にＬＰＣＶＤ法により厚さ１０００Ａ
の窒化膜７を形成し、窒化膜７および酸化膜６を選択エ
ッチングしてから、アルミニウムからなる金属電極８を
形成して素子部が完成する。
の窒化膜７を形成し、窒化膜７および酸化膜６を選択エ
ッチングしてから、アルミニウムからなる金属電極８を
形成して素子部が完成する。
【００２０】図１（ａ）のＡ−Ｂ断面のキャリア濃度分
布を図１（ｂ）に示す。
布を図１（ｂ）に示す。
【００２１】つぎに本発明の第２の実施例について、図
２を参照して説明する。
２を参照して説明する。
【００２２】本実施例においては、窒化膜７を選択エッ
チングしてからＢＦ２ をイオン注入してＰ＋＋型層５
を形成し、窒化膜７をマスクとして酸化膜６をエッチン
グしてから、金属電極８を形成しているところが、図１
（ａ）との相違点である。
チングしてからＢＦ２ をイオン注入してＰ＋＋型層５
を形成し、窒化膜７をマスクとして酸化膜６をエッチン
グしてから、金属電極８を形成しているところが、図１
（ａ）との相違点である。
【００２３】図２のＡ−Ｂ断面のキャリア濃度分布は図
１（ｂ）と同様である。
１（ｂ）と同様である。
【００２４】
【発明の効果】Ｐ＋ 型拡散層を形成したのち、表面に
Ｐ＋＋型層を形成するので、金属電極直下の表面濃度が
上ってコンタクト抵抗を下げることができた。
Ｐ＋＋型層を形成するので、金属電極直下の表面濃度が
上ってコンタクト抵抗を下げることができた。
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図およびキャ
リア濃度の深さ方向分布を示すグラフである。
リア濃度の深さ方向分布を示すグラフである。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図３】従来技術によるバラクタダイオードを示す断面
図とキャリア濃度の深さ方向分布を示すグラフである。
図とキャリア濃度の深さ方向分布を示すグラフである。
１ Ｎ型半導体基板
２ Ｎ型エピタキシャル層
３ Ｎ型拡散層
４ Ｐ＋ 型拡散層
５ Ｐ＋＋型層
６ 酸化膜
７ 窒化膜
８ 金属電極
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｎ型半導体層表面にＮ型拡散層が形成
され、該Ｎ型拡散層の内側にＰ型拡散層が形成され、さ
らに前記Ｐ型拡散層の内側に浅い高濃度Ｐ型層が形成さ
れていることを特徴とするバラクタダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP138691A JPH04287978A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | バラクタダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP138691A JPH04287978A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | バラクタダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287978A true JPH04287978A (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=11500049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP138691A Pending JPH04287978A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | バラクタダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04287978A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07221330A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Toko Inc | 可変容量ダイオード |
| US6995068B1 (en) * | 2000-06-09 | 2006-02-07 | Newport Fab, Llc | Double-implant high performance varactor and method for manufacturing same |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP138691A patent/JPH04287978A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07221330A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Toko Inc | 可変容量ダイオード |
| US6995068B1 (en) * | 2000-06-09 | 2006-02-07 | Newport Fab, Llc | Double-implant high performance varactor and method for manufacturing same |
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