JPH0656838B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0656838B2 JPH0656838B2 JP18700285A JP18700285A JPH0656838B2 JP H0656838 B2 JPH0656838 B2 JP H0656838B2 JP 18700285 A JP18700285 A JP 18700285A JP 18700285 A JP18700285 A JP 18700285A JP H0656838 B2 JPH0656838 B2 JP H0656838B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ion
- type
- group
- gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はＧａＡｓ等のIII−Ｖ族化合物半導体を用いた
半導体装置の製造方法に係り、特に高濃度ｐ型層を形成
する工程の改良に関する。
半導体装置の製造方法に係り、特に高濃度ｐ型層を形成
する工程の改良に関する。
ＧａＡｓ等のIII−Ｖ族化合物半導体は電子の移動度が
大きいことから、高速動作をする電子デバイスへの応用
が進められている。最近は、 ＪＦＥＴやＡｌＧａＡｓとＧａＡｓのヘテロ接合を用い
たヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などの
素子製造において、選択的にｐ型層を形成する技術の向
上が望まれている。これらの素子においては特に高い制
御性を必要とすることから、従来多用されてきた亜鉛
（Ｚｎ）拡散法に代わってイオン注入法が専ら用いられ
ている。例えばＨＢＴの製造においては、ベース電極取
りだしのために高濃度外部ベース層を形成する工程でｐ
型不純物のイオン注入が行われている。この場合ｐ型不
純物としては、比較的大きい射影飛程が得られるベリリ
ウム（Ｂｅ）やマグネシウム（Ｍｇ）がイオン種として
用いられる。
大きいことから、高速動作をする電子デバイスへの応用
が進められている。最近は、 ＪＦＥＴやＡｌＧａＡｓとＧａＡｓのヘテロ接合を用い
たヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などの
素子製造において、選択的にｐ型層を形成する技術の向
上が望まれている。これらの素子においては特に高い制
御性を必要とすることから、従来多用されてきた亜鉛
（Ｚｎ）拡散法に代わってイオン注入法が専ら用いられ
ている。例えばＨＢＴの製造においては、ベース電極取
りだしのために高濃度外部ベース層を形成する工程でｐ
型不純物のイオン注入が行われている。この場合ｐ型不
純物としては、比較的大きい射影飛程が得られるベリリ
ウム（Ｂｅ）やマグネシウム（Ｍｇ）がイオン種として
用いられる。
ところでこの種の従来技術の問題として、イオン注入法
によっては高濃度ｐ型層を形成することが困難である、
ということが明らかになってきた。このことを図面を用
いて以下に説明する。
によっては高濃度ｐ型層を形成することが困難である、
ということが明らかになってきた。このことを図面を用
いて以下に説明する。
第４図は、半絶縁性ＧａＡｓ基板にＭｇ＋を１８０Ｋｅ
Ｖの加速エネルギーで注入し、表面をＣＶＤＳｉＯ２膜
により覆ってＡｓの解離を防ぎつつ、ハロゲンランプ照
射により熱処理して得られたｐ型層のシートキャリア濃
度とイオン注入量の関係を示している。注入量が２×１
０１４／cm2を越える辺りからシートキャリア濃度と注
入量の比例関係が崩れ、注入量２×１０１５／cm2では
シートキャリア濃度は３×１０１４／cm2となる。これ
は、注入したＭｇのうち僅か１５％しかアクセプタとし
て作用しないことになる。
Ｖの加速エネルギーで注入し、表面をＣＶＤＳｉＯ２膜
により覆ってＡｓの解離を防ぎつつ、ハロゲンランプ照
射により熱処理して得られたｐ型層のシートキャリア濃
度とイオン注入量の関係を示している。注入量が２×１
０１４／cm2を越える辺りからシートキャリア濃度と注
入量の比例関係が崩れ、注入量２×１０１５／cm2では
シートキャリア濃度は３×１０１４／cm2となる。これ
は、注入したＭｇのうち僅か１５％しかアクセプタとし
て作用しないことになる。
第５図はこのＭｇの注入量が２×１０１５／cm2の時の
キャリア濃度分布（実線）を示している。図中、破線で
示したＬＳＳ理論曲線によれば、ピークキャリア濃度は
１×１０２０／cm３に及ぶはずであるが、実測されたキ
ャリア濃度は５×１０１８／cm３に止まっている。これ
は、注入されたＭｇのうちアクセプタとして活性化され
る量が少ないのと、熱処理による拡散のためである。
キャリア濃度分布（実線）を示している。図中、破線で
示したＬＳＳ理論曲線によれば、ピークキャリア濃度は
１×１０２０／cm３に及ぶはずであるが、実測されたキ
ャリア濃度は５×１０１８／cm３に止まっている。これ
は、注入されたＭｇのうちアクセプタとして活性化され
る量が少ないのと、熱処理による拡散のためである。
このようにＭｇの活性化率が小さくなる原因として、Ｇ
ａＡｓの化学量論的組成からのずれを考える必要があ
る。ＭｇがＧａＡｓの中でアクセプタとして作用するた
めには、ＭｇがＧａ格子位置に入りＡｓと結合する必要
がある。ＧａＡｓ結晶においては、Ｇａ原子の密度は
２．２×１０２２／cm３であるから、第５図に示したよ
うにＭｇが１×１０２０／cm３程度注入されると、全て
のＭｇがアクセプタとして活性化するためには、Ｇａ原
子のうち約１％が格子間位置に移動するか、表面に形成
したＳｉＯ２膜中に拡散してＧａ空格子点が供給されな
ければならない。しかし通常０．５％にも及ぶ大きいII
I族とＶ族の原子比のずれは生じないので、Ｍｇの活性
化が妨げられることになる。
ａＡｓの化学量論的組成からのずれを考える必要があ
る。ＭｇがＧａＡｓの中でアクセプタとして作用するた
めには、ＭｇがＧａ格子位置に入りＡｓと結合する必要
がある。ＧａＡｓ結晶においては、Ｇａ原子の密度は
２．２×１０２２／cm３であるから、第５図に示したよ
うにＭｇが１×１０２０／cm３程度注入されると、全て
のＭｇがアクセプタとして活性化するためには、Ｇａ原
子のうち約１％が格子間位置に移動するか、表面に形成
したＳｉＯ２膜中に拡散してＧａ空格子点が供給されな
ければならない。しかし通常０．５％にも及ぶ大きいII
I族とＶ族の原子比のずれは生じないので、Ｍｇの活性
化が妨げられることになる。
この様な点に鑑み、ＢｅやＭｇなどのII族不純物の活性
化率を高めるため、Ｖ族のAsをイオン注入して補うこと
が考えられる。実際同じII族元素であるＺｎやＣｄのイ
オン注入においてＡｓのイオン注入が活性化率向上に効
果があることが知られている。しかし、Ａｓの原子番号
は３３であり、Ｂｅの４、Ｍｇの１２に比べて大きく重
い元素であるため、ＢｅやＭｇと同じ射影飛程を得よう
とすると、Ａｓの注入エネルギーは莫大なものとなる。
このため、基板の注入損傷が増加し、かえってキャリア
濃度が低下する、という実験結果が得られている。
化率を高めるため、Ｖ族のAsをイオン注入して補うこと
が考えられる。実際同じII族元素であるＺｎやＣｄのイ
オン注入においてＡｓのイオン注入が活性化率向上に効
果があることが知られている。しかし、Ａｓの原子番号
は３３であり、Ｂｅの４、Ｍｇの１２に比べて大きく重
い元素であるため、ＢｅやＭｇと同じ射影飛程を得よう
とすると、Ａｓの注入エネルギーは莫大なものとなる。
このため、基板の注入損傷が増加し、かえってキャリア
濃度が低下する、という実験結果が得られている。
このようにＧａＡｓ結晶にＢｅやＭｇなどII族の軽元素
をイオン注入して高濃度ｐ型層を得ることは、未解決の
技術的課題であった。
をイオン注入して高濃度ｐ型層を得ることは、未解決の
技術的課題であった。
本発明は上述の技術的課題を解決して、III−Ｖ族化合
物半導体層にＢｅやＭｇ等のII族元素のイオン注入によ
り高濃度ｐ型層を形成するようにした半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
物半導体層にＢｅやＭｇ等のII族元素のイオン注入によ
り高濃度ｐ型層を形成するようにした半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
本発明においては、III−Ｖ族化合物半導体層にＢｅや
Ｍｇをイオン注入する工程と前後して、半導体層の構成
元素としては含まれないリン（Ｐ）をイオン注入し、こ
れらのイオン注入工程の後熱処理して高濃度ｐ型層を形
成する。
Ｍｇをイオン注入する工程と前後して、半導体層の構成
元素としては含まれないリン（Ｐ）をイオン注入し、こ
れらのイオン注入工程の後熱処理して高濃度ｐ型層を形
成する。
前述したようにＢｅやＭｇのイオン注入で高濃度ｐ型Ｇ
ａＡｓ層が得られない理由は、Ｇａ格子点に入る元素で
あるＧａとＢｅまたはＭｇの量と、Ａｓ格子点に入るＡ
ｓの量のずれが大きいことである。本発明においては、
Ａｓ格子点に入るＡｓ量の不足を補うために、同じＶ族
元素であるＰをイオン注入し、ＢｅやＭｇのＧａ格子位
置への置換を促進し、ＢｅやＭｇのアクセプタ不純物と
しての活性化率を向上することができる。Ｐは原子番号
が１５であり、Ａｓに比べて小さく軽い元素であるた
め、比較的小さい注入損傷でＢｅやＭｇに匹敵する射影
飛程を得ることができる。更に、ＧａＰとＧａＡｓが全
率固溶体をつくることから予想されるように、Ｐの導入
によってＧａＡｓ結晶中に新たな結晶欠陥が誘起される
ことはない。
ａＡｓ層が得られない理由は、Ｇａ格子点に入る元素で
あるＧａとＢｅまたはＭｇの量と、Ａｓ格子点に入るＡ
ｓの量のずれが大きいことである。本発明においては、
Ａｓ格子点に入るＡｓ量の不足を補うために、同じＶ族
元素であるＰをイオン注入し、ＢｅやＭｇのＧａ格子位
置への置換を促進し、ＢｅやＭｇのアクセプタ不純物と
しての活性化率を向上することができる。Ｐは原子番号
が１５であり、Ａｓに比べて小さく軽い元素であるた
め、比較的小さい注入損傷でＢｅやＭｇに匹敵する射影
飛程を得ることができる。更に、ＧａＰとＧａＡｓが全
率固溶体をつくることから予想されるように、Ｐの導入
によってＧａＡｓ結晶中に新たな結晶欠陥が誘起される
ことはない。
本発明によれば、例えばＭｇのイオン注入により従来実
現できなかったような７×１０１９／cm３という高いキ
ャリア濃度のｐ型層を得ることが可能となった。本発明
を例えばＨＢＴの製造に適用すれば、高濃度外部ベース
層の形成が可能であり、ベース抵抗の低減により動作周
波数の向上を計ったＨＢＴを得ることができる。
現できなかったような７×１０１９／cm３という高いキ
ャリア濃度のｐ型層を得ることが可能となった。本発明
を例えばＨＢＴの製造に適用すれば、高濃度外部ベース
層の形成が可能であり、ベース抵抗の低減により動作周
波数の向上を計ったＨＢＴを得ることができる。
具体的な素子構造に適用した実施例の説明に先だち、半
絶縁性ＧａＡｓ基板にＭｇとＰのイオン注入により高濃
度ｐ型層を形成した実験結果を説明する。
絶縁性ＧａＡｓ基板にＭｇとＰのイオン注入により高濃
度ｐ型層を形成した実験結果を説明する。
第１図は、半絶縁性ＧａＡｓ基板にＭｇとＰをそれぞれ
１８０ＫｅＶの注入エネギーで同じ量イオン注入した時
のＭｇ注入量と得られたｐ型層のシートキャリア濃度の
関係（実線）を示したものである。図には、Ｐイオン注
入を行なわない従来例（破線）を併せて示している。こ
れらのイオン注入後の熱処理は、ＣＶＤＳｉＯ２膜によ
り表面を覆い、ハロゲンランプにより８５０℃に加熱す
ることで行なった。従来法では、Ｍｇ注入量が２×１０
１４／cm2を越すとキャリア濃度が飽和傾向を示すのに
対して、本発明の方法では、２×１０１５／cm2という
高い注入量においても不純物活性化率が７０％という大
きい値を示し、従来法による場合に比べて約５倍のシー
トキャリア濃度が得られている。更にこのときのキャリ
ア濃度分布を第２図に実線で示す。Ｐイオン注入の併用
によりＶ族元素の不足による異常なＭｇの拡散が抑制さ
れる結果、従来法に比べて急峻なキャリア濃度分布が得
られ、ピークキャリア濃度は７×１０１９／cm３に達し
た。第２図には、１８０ＫｅＶにおけるＭｇとＰのＬＳ
Ｓ理論曲線をそれぞれ破線で示したが、特に注入エネル
ギーを増加しなくてもＰの飛程がＭｇのそれに匹敵する
ことが理解される。
１８０ＫｅＶの注入エネギーで同じ量イオン注入した時
のＭｇ注入量と得られたｐ型層のシートキャリア濃度の
関係（実線）を示したものである。図には、Ｐイオン注
入を行なわない従来例（破線）を併せて示している。こ
れらのイオン注入後の熱処理は、ＣＶＤＳｉＯ２膜によ
り表面を覆い、ハロゲンランプにより８５０℃に加熱す
ることで行なった。従来法では、Ｍｇ注入量が２×１０
１４／cm2を越すとキャリア濃度が飽和傾向を示すのに
対して、本発明の方法では、２×１０１５／cm2という
高い注入量においても不純物活性化率が７０％という大
きい値を示し、従来法による場合に比べて約５倍のシー
トキャリア濃度が得られている。更にこのときのキャリ
ア濃度分布を第２図に実線で示す。Ｐイオン注入の併用
によりＶ族元素の不足による異常なＭｇの拡散が抑制さ
れる結果、従来法に比べて急峻なキャリア濃度分布が得
られ、ピークキャリア濃度は７×１０１９／cm３に達し
た。第２図には、１８０ＫｅＶにおけるＭｇとＰのＬＳ
Ｓ理論曲線をそれぞれ破線で示したが、特に注入エネル
ギーを増加しなくてもＰの飛程がＭｇのそれに匹敵する
ことが理解される。
第３図は本発明を適用したＨＢＴの断面構造を示す。図
において、１はｎ＋型ＧａＡｓ基板、２はコレクタとな
るｎ型ＧａＡｓ層、３はベースとなるｐ型ＧａＡｓ層、
４はエミッタとなるｎ型ＡｌＧａＡｓ層、５はｎ＋型Ｇ
ａＡｓ層である。このようにエミッタ接合にＡｌＧａＡ
ｓ−ＧａＡｓヘテロ接合を用いたｎｐｎウェーハをエピ
タキシャル成長法やイオン注入法を利用して形成した
後、本発明の方法によりＭｇとＰをイオン注入して高濃
度ｐ＋型外部ベース層６を形成する。７はベース電極、
８はＳｉＯ２膜、９はエミッタ電極、１０はボロン
（Ｂ）をイオン注入して形成した高抵抗層である。
において、１はｎ＋型ＧａＡｓ基板、２はコレクタとな
るｎ型ＧａＡｓ層、３はベースとなるｐ型ＧａＡｓ層、
４はエミッタとなるｎ型ＡｌＧａＡｓ層、５はｎ＋型Ｇ
ａＡｓ層である。このようにエミッタ接合にＡｌＧａＡ
ｓ−ＧａＡｓヘテロ接合を用いたｎｐｎウェーハをエピ
タキシャル成長法やイオン注入法を利用して形成した
後、本発明の方法によりＭｇとＰをイオン注入して高濃
度ｐ＋型外部ベース層６を形成する。７はベース電極、
８はＳｉＯ２膜、９はエミッタ電極、１０はボロン
（Ｂ）をイオン注入して形成した高抵抗層である。
この実施例によるＨＢＴは、外部ベース層の抵抗が充分
小さく、従って高速動作が可能であった。
小さく、従って高速動作が可能であった。
なお本発明において、Ｐの注入量および注入の加速電圧
をＭｇやＢｅのそれと等しくすることは必ずしも必要で
はない。例えば、Ｐの注入量をＭｇ注入量の１／１０か
ら１０倍程度の範囲で選択して不純物活性化率向上の効
果が得られる。またｐ型層を形成するための元素として
Ｍｇ，Ｂｅの他Ｚｎ，Ｃｄなど他のII族元素を用いる場
合にも同様にＰイオン注入を併用することは有効であ
る。更に本発明はＧａＡｓの他、ＩｎＡｓやＡｌＧａＡ
ｓ等他のIII−Ｖ族半導体にｐ型層を形成する場合に適
用することができる。
をＭｇやＢｅのそれと等しくすることは必ずしも必要で
はない。例えば、Ｐの注入量をＭｇ注入量の１／１０か
ら１０倍程度の範囲で選択して不純物活性化率向上の効
果が得られる。またｐ型層を形成するための元素として
Ｍｇ，Ｂｅの他Ｚｎ，Ｃｄなど他のII族元素を用いる場
合にも同様にＰイオン注入を併用することは有効であ
る。更に本発明はＧａＡｓの他、ＩｎＡｓやＡｌＧａＡ
ｓ等他のIII−Ｖ族半導体にｐ型層を形成する場合に適
用することができる。
第１図は本発明による半絶縁性ＧａＡｓ基板へのＭｇイ
オン注入量とシートキャリア濃度の関係を示す図、第２
図は同じくキャリア濃度分布を示す図、第３図は本発明
を適用したＨＢＴを示す図、第４図は従来法による半絶
縁性ＧａＡｓ基板に対するＭｇ注入量とシートキヤリア
濃度の関係を示す図、第５図は同じくキャリア濃度分布
を示す図である。 １……ｎ＋型ＧａＡｓ基板、２……ｎ型ＧａＡｓ層（コ
レクタ）、３……ｐ型ＧａＡｓ層（ベース）、４……ｎ
型ＡｌＧａＡｓ層（エミッタ）、５……ｎ＋型ＧａＡｓ
層、６……ｐ＋型外部ベース層、７……ベース電極、８
……ＳｉＯ２膜、９……エミッタ電極、１０……高抵抗
層。
オン注入量とシートキャリア濃度の関係を示す図、第２
図は同じくキャリア濃度分布を示す図、第３図は本発明
を適用したＨＢＴを示す図、第４図は従来法による半絶
縁性ＧａＡｓ基板に対するＭｇ注入量とシートキヤリア
濃度の関係を示す図、第５図は同じくキャリア濃度分布
を示す図である。 １……ｎ＋型ＧａＡｓ基板、２……ｎ型ＧａＡｓ層（コ
レクタ）、３……ｐ型ＧａＡｓ層（ベース）、４……ｎ
型ＡｌＧａＡｓ層（エミッタ）、５……ｎ＋型ＧａＡｓ
層、６……ｐ＋型外部ベース層、７……ベース電極、８
……ＳｉＯ２膜、９……エミッタ電極、１０……高抵抗
層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/73
Claims (3)
- 【請求項１】III−Ｖ族化合物半導体層にII族元素をイ
オン注入する工程と、この工程と前後して前記半導体層
の同じ領域に半導体層の構成元素としては含まれないリ
ンをイオン注入する工程と、これらのイオン注入工程の
後熱処理を行なって高濃度ｐ型層を形成する工程とを備
えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記III−Ｖ族化合物半導体はＧａＡｓで
あり、前記II族元素はマグネシウムまたはベリリウムで
ある特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】前記高濃度ｐ型層はヘテロ接合バイポーラ
トランジスタの外部ベース層である特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18700285A JPH0656838B2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 半導体装置の製造方法 |
| DE8686306578T DE3679947D1 (de) | 1985-08-26 | 1986-08-26 | Halbleiteranordnungen und verfahren zur herstellung mittels ionenimplantation. |
| EP86306578A EP0213919B1 (en) | 1985-08-26 | 1986-08-26 | Semiconductor devices and method of manufacturing same by ion implantation |
| US07/559,410 US5053846A (en) | 1985-08-26 | 1990-07-26 | Semiconductor bipolar device with phosphorus doping |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18700285A JPH0656838B2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247120A JPS6247120A (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0656838B2 true JPH0656838B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=16198486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18700285A Expired - Fee Related JPH0656838B2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656838B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01143261A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-05 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2599807B2 (ja) * | 1990-03-30 | 1997-04-16 | 株式会社神戸製鋼所 | 炭酸ガスアーク溶接用低スパッタソリッドワイヤ |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP18700285A patent/JPH0656838B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6247120A (ja) | 1987-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5656514A (en) | Method for making heterojunction bipolar transistor with self-aligned retrograde emitter profile | |
| JPS58154267A (ja) | バイポ−ラ・トランジスタの製造方法 | |
| JP2764966B2 (ja) | ヘテロ構造バイポーラ・トランジスタと分子線エピタキシャル成長法 | |
| EP0168325B1 (en) | Ion implantation to increase emitter energy gap in bipolar transistors | |
| JP2533541B2 (ja) | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ | |
| US5053846A (en) | Semiconductor bipolar device with phosphorus doping | |
| JPS62232122A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0656838B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06101450B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Vook et al. | Double-diffused graded SiGe-base bipolar transistors | |
| JP3001601B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61276261A (ja) | 高速バイポ−ラトランジスタの製造方法 | |
| GB1401276A (en) | Methods of manufacturing semiconductor devices | |
| JPS63248168A (ja) | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2943280B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Krautle et al. | Lateral PNP GaAs bipolar transistor with minimized substrate current | |
| JPS646537B2 (ja) | ||
| JP2600969B2 (ja) | ゲルマニウム・砒化ガリウム接合とヘテロ構造バイポーラ・トランジスタ | |
| JP3001599B2 (ja) | 半導体装置 | |
| EP1610371A1 (en) | SiGe heterojunction bipolar transistors | |
| JP2566558B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05335326A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよび製造方法 | |
| JP2568680B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPS61123175A (ja) | ヘテロ接合パイポ−ラトランジスタの製造方法 | |
| JPS54126478A (en) | Transistor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |