JP2568680B2 - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents

化合物半導体装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、化合物半導体装置の製造方法に関するもの
である。
従来の技術 近年、化合物半導体装置は、社会の情報量の増大、処
理速度向上の要求のもと、より高速な動作が求められて
きている。
中でもヘテロ接合バイポーラトランジスタは、しきい
値電圧の安定性、高電流利得から超高速デバイスとして
本命視されている。
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性向上のために
は、外部ベース抵抗の低減が必要となる。従来まではMo
Zn等の合金をベース電極としてp-GaAsベース層に蒸着
し、熱処理によってZnを前記ベース層に拡散し高濃度ｐ
型領域を形成することでオーミックコンタクトを形成し
ていた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上述のような構成では、GaAs層上に存在
する自然酸化膜を介してZnを拡散させるために、表面濃
度の制御性が低いために不純物濃度の再現性が悪くまた
深さ方向の制御が非常に困難であるという欠点を有して
いた。
本発明は上記欠点に鑑み、Znイオン注入を用いて再現
性よく濃度や深さの制御が可能な化合物半導体装置の製
造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段 本発明の化合物半導体装置の製造方法は、ヘテロ接合
バイポーラトランジスタ装置において、ベース領域上に
設けられた半導体層中にZnイオンを注入した後、前記半
導体層上に高融点金属膜を形成し、前記高融点金属膜を
保護膜として前記半導体層中に注入されたZnイオンを熱
拡散することにより、前記半導体層中に、前記ベース領
域と前記高融点金属膜とのオーミックコンタクトを形成
することを特徴としている。
作用 この構成によると、Znイオン注入することにより、Ga
As自然酸化膜の影響はなくなり、また低濃度から高濃度
にわたって濃度制御が可能で、アニール条件により拡散
の深さも良好に制御できる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。
第１図は本発明の一実施例における化合物半導体装置
の製造方法の各製造工程の断面図を示すものである。
第１図（ａ）に示すように、（100）面を有するS,I,G
aAs基板１上にn-GaAsコレクタ層２を5000Å,p-GaAsベー
ス層３を1000Å,n-Al0.25Ga0.75Asエミッタ層４を3000
Åの各厚さにMBE法により順次成長させたのち、n-Al
0.25Ga0.75Asエミッタ層の一部の領域以外を2500Åだけ
エッチングした。この基板１にフォトレジストを塗布し
フォトリソグラフィによりベース領域をn-Al0.25Ga0.75
Asエミッタ層４のエッチングされた領域にパターニング
した後、Znイオンを加速電圧70KeV、ドーズ量1015/cm2
で注入した。この時Znイオンのプロジェクションレンジ
Rpは約300Åである。次にフォトレジストをつけたまま
自己整合的に、モリブデンを1000Å蒸着し、リフトオフ
により、第１図（ｂ）に示すようにベース電極７を形成
した。このベース電極７を保護膜としてつけたままアニ
ールによりZnをベース層３に達するまで拡散した（第１
図（ｃ））。この製造方法により外部ベースコンタクト
抵抗は５×10-7Ω・cm-2と再現性良く良好な値が得られ
た。
発明の効果 以上のように本発明の化合物半導体装置の製造方法は
再現性、制御性良く外部ベース抵抗値を下げることがで
き、その実用的効果は大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の一実施例にお
ける化合物半導体の製造方法の工程断面図である。 １……S,I,-GaAs基板、２……n-GaAsコレクタ層、３…
…p-GaAsベース層、４……n-Al0.25Ga0.75エミッタ層、
５……Znイオン注入領域、６……Zn拡散層、７……ベー
ス電極、８……フォトレジスト。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ヘテロ接合バイポーラトランジスタ装置に
    おいて、ベース領域上に設けられた半導体層中にZnイオ
    ンを注入した後、前記半導体層上に高融点金属膜を形成
    し、前記高融点金属膜を保護膜として前記半導体層中に
    注入されたZnイオンを熱拡散することにより、前記半導
    体層中に、前記ベース領域と前記高融点金属膜とのオー
    ミックコンタクトを形成することを特徴とする化合物半
    導体装置の製造方法。
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JPS5972765A (ja) * 1982-10-19 1984-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPS61123175A (ja) * 1984-11-20 1986-06-11 Toshiba Corp ヘテロ接合パイポ−ラトランジスタの製造方法

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