JP2000292908A - リソグラフィー用ペリクル - Google Patents
リソグラフィー用ペリクルInfo
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 短波長の真空紫外光を長時間照射しても、光
透過率が高く耐久性に優れたペリクル膜からなるリソグ
ラフィー用ペリクルを提供する。 【解決手段】 少なくともペリクル枠にペリクル膜を貼
り付けたリソグラフィー用ペリクルにおいて、１６０ｎ
ｍ以下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率
が、５０％以上であるペリクル膜を用いてなるものであ
ることを特徴とするリソグラフィー用ペリクル。
透過率が高く耐久性に優れたペリクル膜からなるリソグ
ラフィー用ペリクルを提供する。 【解決手段】 少なくともペリクル枠にペリクル膜を貼
り付けたリソグラフィー用ペリクルにおいて、１６０ｎ
ｍ以下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率
が、５０％以上であるペリクル膜を用いてなるものであ
ることを特徴とするリソグラフィー用ペリクル。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィー用
ペリクル、特に真空紫外領域で優れた光透過率と高解像
度を実現するリソグラフィー用ペリクルに関する。
ペリクル、特に真空紫外領域で優れた光透過率と高解像
度を実現するリソグラフィー用ペリクルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体デバ
イスあるいは液晶表示板を製造する際に、半導体ウェー
ハあるいは液晶用基板に光を照射してパターニングをす
るわけであるが、この場合に用いる露光基板にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を反射し
てしまうため、転写したパターンが変形したり、エッジ
が、がさついたりしてしまい、寸法、外観、品質等が損
なわれ、半導体デバイスや液晶表示板等の性能や製造歩
留の低下を来すという問題があった。
イスあるいは液晶表示板を製造する際に、半導体ウェー
ハあるいは液晶用基板に光を照射してパターニングをす
るわけであるが、この場合に用いる露光基板にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を反射し
てしまうため、転写したパターンが変形したり、エッジ
が、がさついたりしてしまい、寸法、外観、品質等が損
なわれ、半導体デバイスや液晶表示板等の性能や製造歩
留の低下を来すという問題があった。
【０００３】このため、これらの作業は通常クリーンル
ームで行われるが、このクリーンルーム内でも露光基板
を常に清浄に保つことが難しいので、露光基板の表面に
ゴミ除けのための露光用の光を良く通過させるペリクル
を貼着する方法が行われている。この場合、ゴミは露光
基板の表面には直接付着せず、ペリクル膜上に付着する
ため、リソグラフィー時に焦点を露光基板のパターン上
に合わせておけば、ペリクル上のゴミは転写に無関係と
なる。
ームで行われるが、このクリーンルーム内でも露光基板
を常に清浄に保つことが難しいので、露光基板の表面に
ゴミ除けのための露光用の光を良く通過させるペリクル
を貼着する方法が行われている。この場合、ゴミは露光
基板の表面には直接付着せず、ペリクル膜上に付着する
ため、リソグラフィー時に焦点を露光基板のパターン上
に合わせておけば、ペリクル上のゴミは転写に無関係と
なる。
【０００４】従来、このペリクルは、光を良く通過させ
るニトロセルロースや酢酸セルロース等のセルロース系
樹脂等の有機系樹脂からなる透明なペリクル膜を、アル
ミニウムやステンレス等からなるペリクル枠の上部にペ
リクル膜の良溶媒を塗布し、風乾して接着するか、アク
リル樹脂やエポキシ樹脂等からなる接着剤で接着すると
いう方法で作られていた。
るニトロセルロースや酢酸セルロース等のセルロース系
樹脂等の有機系樹脂からなる透明なペリクル膜を、アル
ミニウムやステンレス等からなるペリクル枠の上部にペ
リクル膜の良溶媒を塗布し、風乾して接着するか、アク
リル樹脂やエポキシ樹脂等からなる接着剤で接着すると
いう方法で作られていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体デバイス
の一層の微細化により、リソグラフィーで要求される解
像度は次第に高くなってきており、その解像度を実現す
るため、徐々に波長の短い光が光源として用いられるよ
うになってきている。具体的には、紫外光（ｇ線（波長
４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ））から現在は遠
紫外光（ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ））
へと移行しており、近い将来には真空紫外光（ＡｒＦエ
キシマレーザー（波長１９３ｎｍ）およびフッ素エキシ
マレーザー（波長１５８ｎｍ））が実用化されようとし
ている。
の一層の微細化により、リソグラフィーで要求される解
像度は次第に高くなってきており、その解像度を実現す
るため、徐々に波長の短い光が光源として用いられるよ
うになってきている。具体的には、紫外光（ｇ線（波長
４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ））から現在は遠
紫外光（ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ））
へと移行しており、近い将来には真空紫外光（ＡｒＦエ
キシマレーザー（波長１９３ｎｍ）およびフッ素エキシ
マレーザー（波長１５８ｎｍ））が実用化されようとし
ている。
【０００６】ところで、ペリクル膜の材質は、従来から
高い透過率を得るため分子構造にカルボニル基等の官能
基を有する前記有機系樹脂が使用されてきたが、これら
の樹脂は２００ｎｍ以上の光を吸収し、光劣化を引き起
こす。従って、遠紫外光用のペリクルの膜材料には、こ
れらの官能基を含まず、飽和結合のみからなる非晶質フ
ッ素ポリマーが使用されている。しかし、このような非
晶質フッ素ポリマーは、１８０ｎｍ付近までは高い透過
率を示すが、それ以下の波長の光に対して大きな吸収を
示し、非常に小さい透過率しか示さないため、例えばフ
ッ素エキシマレーザー用のペリクルの膜材料として使用
するには困難であった。
高い透過率を得るため分子構造にカルボニル基等の官能
基を有する前記有機系樹脂が使用されてきたが、これら
の樹脂は２００ｎｍ以上の光を吸収し、光劣化を引き起
こす。従って、遠紫外光用のペリクルの膜材料には、こ
れらの官能基を含まず、飽和結合のみからなる非晶質フ
ッ素ポリマーが使用されている。しかし、このような非
晶質フッ素ポリマーは、１８０ｎｍ付近までは高い透過
率を示すが、それ以下の波長の光に対して大きな吸収を
示し、非常に小さい透過率しか示さないため、例えばフ
ッ素エキシマレーザー用のペリクルの膜材料として使用
するには困難であった。
【０００７】一方、無機物の酸化珪素は、紫外光に対し
ても高い透過率を示し、フォトマスクの材料等に使用さ
れている。この酸化珪素をペリクルの膜材料に使用する
ことも提案（特開昭６３−２６２５１号公報、特開平２
−６２５４２号公報参照）されているが、一般の酸化珪
素では１８０ｎｍ以下に大きな吸収があるため、フッ素
エキシマレーザーには、ペリクル膜としては使用できな
かった。
ても高い透過率を示し、フォトマスクの材料等に使用さ
れている。この酸化珪素をペリクルの膜材料に使用する
ことも提案（特開昭６３−２６２５１号公報、特開平２
−６２５４２号公報参照）されているが、一般の酸化珪
素では１８０ｎｍ以下に大きな吸収があるため、フッ素
エキシマレーザーには、ペリクル膜としては使用できな
かった。
【０００８】本発明は、このような問題点に鑑みなされ
たもので、１６０ｎｍ以下の短波長の真空紫外光を照射
しても、光透過率が高く耐久性に優れたペリクル膜から
なるリソグラフィー用ペリクルを提供することを主目的
とするものである。
たもので、１６０ｎｍ以下の短波長の真空紫外光を照射
しても、光透過率が高く耐久性に優れたペリクル膜から
なるリソグラフィー用ペリクルを提供することを主目的
とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたもので、本発明の請求項１に記載
した発明は、少なくともペリクル枠にペリクル膜を貼り
付けたリソグラフィー用ペリクルにおいて、１６０ｎｍ
以下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率が、
５０％以上であるペリクル膜を用いてなるものであるこ
とを特徴とするリソグラフィー用ペリクルである。
決するためになされたもので、本発明の請求項１に記載
した発明は、少なくともペリクル枠にペリクル膜を貼り
付けたリソグラフィー用ペリクルにおいて、１６０ｎｍ
以下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率が、
５０％以上であるペリクル膜を用いてなるものであるこ
とを特徴とするリソグラフィー用ペリクルである。
【００１０】このように、１６０ｎｍ以下のエキシマレ
ーザーを照射したときの光透過率が、５０％以上である
ペリクル膜を用いれば、短波長の真空紫外光を照射して
も高い光透過率と解像度とを維持できるので、長寿命か
つ高性能なペリクルとすることができる。
ーザーを照射したときの光透過率が、５０％以上である
ペリクル膜を用いれば、短波長の真空紫外光を照射して
も高い光透過率と解像度とを維持できるので、長寿命か
つ高性能なペリクルとすることができる。
【００１１】この場合、請求項２に記載したように、ペ
リクル膜の材質を無機フッ化物とすることができる。こ
のように、ペリクル膜の材質を無機フッ化物とすれば、
短波長の真空紫外光を照射しても確実に高い光透過率を
維持でき、また膜質劣化も起こらないので、長寿命かつ
高性能なペリクルとすることができる。
リクル膜の材質を無機フッ化物とすることができる。こ
のように、ペリクル膜の材質を無機フッ化物とすれば、
短波長の真空紫外光を照射しても確実に高い光透過率を
維持でき、また膜質劣化も起こらないので、長寿命かつ
高性能なペリクルとすることができる。
【００１２】また、請求項３に記載したように、無機フ
ッ化物として、フッ化カルシウムまたはフッ化マグネシ
ウムを選択することが好ましい。このように、ペリクル
膜の材質をフッ化カルシウムまたはフッ化マグネシウム
とすれば、これら化合物は本来的に非常に幅広い透過波
長領域を有し、真空紫外光の吸収が殆どないため、この
領域で高い透過率を示すペリクルとすることができる。
ッ化物として、フッ化カルシウムまたはフッ化マグネシ
ウムを選択することが好ましい。このように、ペリクル
膜の材質をフッ化カルシウムまたはフッ化マグネシウム
とすれば、これら化合物は本来的に非常に幅広い透過波
長領域を有し、真空紫外光の吸収が殆どないため、この
領域で高い透過率を示すペリクルとすることができる。
【００１３】さらに、請求項４に記載したように、ペリ
クル膜の材質が、ＯＨ基を１０ｐｐｍ以下含有する酸化
珪素とすることができる。このように、ペリクル膜の材
質として、ＯＨ基の含有量を１０ｐｐｍ以下に抑制した
酸化珪素とすれば、従来の酸化珪素膜では使用不能であ
った１６０ｎｍ以下の短波長のレーザー光に対しても使
用できるようになると共に、劣化も生じないので高い透
過率を維持でき、従って長寿命かつ高性能なペリクルと
することができる。
クル膜の材質が、ＯＨ基を１０ｐｐｍ以下含有する酸化
珪素とすることができる。このように、ペリクル膜の材
質として、ＯＨ基の含有量を１０ｐｐｍ以下に抑制した
酸化珪素とすれば、従来の酸化珪素膜では使用不能であ
った１６０ｎｍ以下の短波長のレーザー光に対しても使
用できるようになると共に、劣化も生じないので高い透
過率を維持でき、従って長寿命かつ高性能なペリクルと
することができる。
【００１４】また、請求項５に記載した発明は、ペリク
ル膜の材質が、フッ素をドープした酸化珪素であるリソ
グラフィー用ペリクルである。このように、ペリクル膜
の材質としてフッ素をドープした酸化珪素とすれば、従
来の酸化珪素膜では使用不能であった１６０ｎｍ以下の
短波長のレーザー光に対しても使用できるようになるの
で、前記同様な効果を奏することができる。
ル膜の材質が、フッ素をドープした酸化珪素であるリソ
グラフィー用ペリクルである。このように、ペリクル膜
の材質としてフッ素をドープした酸化珪素とすれば、従
来の酸化珪素膜では使用不能であった１６０ｎｍ以下の
短波長のレーザー光に対しても使用できるようになるの
で、前記同様な効果を奏することができる。
【００１５】この場合、請求項６に記載したように、フ
ッ素をドープした酸化珪素のＯＨ基含有量が、１０ｐｐ
ｍ以下であることが好ましい。このように、ＯＨ含有量
を１０ｐｐｍ以下に抑制し、かつフッ素をドープした酸
化珪素とすれば、ＯＨ基の含有量の抑制の効果とフッ素
ドープの効果により、上記効果を一層向上させることが
できる。
ッ素をドープした酸化珪素のＯＨ基含有量が、１０ｐｐ
ｍ以下であることが好ましい。このように、ＯＨ含有量
を１０ｐｐｍ以下に抑制し、かつフッ素をドープした酸
化珪素とすれば、ＯＨ基の含有量の抑制の効果とフッ素
ドープの効果により、上記効果を一層向上させることが
できる。
【００１６】また、請求項７に記載した発明は、ペリク
ル枠とペリクル膜との貼り付けを、弾性接着剤で行った
ものであるリソグラフィー用ペリクルである。このよう
に、ペリクル枠とペリクル膜との貼り付けを弾性接着剤
で行えば、一般に剛直である無機系の材質からなるペリ
クル膜を用いた場合に生じやすい、ペリクル枠の歪みや
変形を緩和することができる。
ル枠とペリクル膜との貼り付けを、弾性接着剤で行った
ものであるリソグラフィー用ペリクルである。このよう
に、ペリクル枠とペリクル膜との貼り付けを弾性接着剤
で行えば、一般に剛直である無機系の材質からなるペリ
クル膜を用いた場合に生じやすい、ペリクル枠の歪みや
変形を緩和することができる。
【００１７】この場合、請求項８に記載したように、弾
性接着剤が、シリコーン弾性接着剤とすることができ
る。このように、弾性接着剤として、シリコーン弾性接
着剤を用いれば、ペリクル枠の歪みや変形を緩和する効
果を一層向上させることができる。
性接着剤が、シリコーン弾性接着剤とすることができ
る。このように、弾性接着剤として、シリコーン弾性接
着剤を用いれば、ペリクル枠の歪みや変形を緩和する効
果を一層向上させることができる。
【００１８】そして、請求項９に記載した発明は、リソ
グラフィー用ペリクルが、フッ素エキシマレーザーに用
いるものとすることができる。本発明のリソグラフィー
用ペリクルは、短波長であるフッ素エキシマレーザーに
用いても光透過性を損なうことがないので、これを用い
たリソグラフィーにおいて特に有用である。
グラフィー用ペリクルが、フッ素エキシマレーザーに用
いるものとすることができる。本発明のリソグラフィー
用ペリクルは、短波長であるフッ素エキシマレーザーに
用いても光透過性を損なうことがないので、これを用い
たリソグラフィーにおいて特に有用である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。本発明者らは、前述した問題点を解決すべく鋭意検
討を行った結果、ペリクル膜の材質として１６０ｎｍ以
下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率が、５
０％以上有するものを用いれば、真空紫外光の吸収が非
常に少ない、すなわち、真空紫外域で高い透過率と高解
像度を実現するペリクルを得ることができることを見出
し、諸条件を精査して本発明を完成させた。
て説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。本発明者らは、前述した問題点を解決すべく鋭意検
討を行った結果、ペリクル膜の材質として１６０ｎｍ以
下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率が、５
０％以上有するものを用いれば、真空紫外光の吸収が非
常に少ない、すなわち、真空紫外域で高い透過率と高解
像度を実現するペリクルを得ることができることを見出
し、諸条件を精査して本発明を完成させた。
【００２０】以下、本発明のリソグラフィー用ペリクル
の特徴であるペリクル膜について詳細に説明する。本発
明のリソグラフィー用ペリクルのペリクル膜の材質は、
原則として１６０ｎｍ以下のエキシマレーザーを照射し
たときの光透過率が５０％以上有するものであれば、如
何なるものを使用しても構わない。上述のように波長が
１９３ｎｍであるＡｒＦエキシマレーザーを照射して
も、ある程度高い透過率を示す材質は既に存在している
が、このＡｒＦエキシマレーザーよりも短波長、すなわ
ち１６０ｎｍ以下のエキシマレーザーを照射した場合
に、高い透過率を示すペリクル膜は存在しなかった。
の特徴であるペリクル膜について詳細に説明する。本発
明のリソグラフィー用ペリクルのペリクル膜の材質は、
原則として１６０ｎｍ以下のエキシマレーザーを照射し
たときの光透過率が５０％以上有するものであれば、如
何なるものを使用しても構わない。上述のように波長が
１９３ｎｍであるＡｒＦエキシマレーザーを照射して
も、ある程度高い透過率を示す材質は既に存在している
が、このＡｒＦエキシマレーザーよりも短波長、すなわ
ち１６０ｎｍ以下のエキシマレーザーを照射した場合
に、高い透過率を示すペリクル膜は存在しなかった。
【００２１】ここで、１６０ｎｍ以下のエキシマレーザ
ーとして、フッ素エキシマレーザー（波長１５８ｎ
ｍ）、Ｋｒ2 エキシマレーザー（波長１４６ｎｍ）、Ａ
ｒ2 エキシマレーザー（波長１２６ｎｍ）等が具体的に
例示される。なお、これらエキシマレーザーを照射した
時、透過率が５０％以上、好ましくは７０％以上、より
好ましくは８０％以上であれば解像度を損なうことな
く、ＬＳＩ等の半導体デバイスにおける所望のパターニ
ングが可能となることが経験的に認められている。
ーとして、フッ素エキシマレーザー（波長１５８ｎ
ｍ）、Ｋｒ2 エキシマレーザー（波長１４６ｎｍ）、Ａ
ｒ2 エキシマレーザー（波長１２６ｎｍ）等が具体的に
例示される。なお、これらエキシマレーザーを照射した
時、透過率が５０％以上、好ましくは７０％以上、より
好ましくは８０％以上であれば解像度を損なうことな
く、ＬＳＩ等の半導体デバイスにおける所望のパターニ
ングが可能となることが経験的に認められている。
【００２２】本発明者らは、このような特性を具備した
ペリクル膜の材質として最適な材質を種々検討を行った
結果、無機フッ化物、ＯＨ基含有量を１０ｐｐｍ以下と
した酸化珪素およびフッ素をドープした酸化珪素が、幅
広い透過波長領域を有し、真空紫外域で光吸収が非常に
少ないことを見出した。従って、これらのいずれかを１
６０ｎｍ以下の短波長で使用されるペリクル膜の材質と
して用いれば、高い透過率を示すと共に劣化の少ない耐
久性に優れたペリクルを得ることができることを見出し
上記目的が達成された。
ペリクル膜の材質として最適な材質を種々検討を行った
結果、無機フッ化物、ＯＨ基含有量を１０ｐｐｍ以下と
した酸化珪素およびフッ素をドープした酸化珪素が、幅
広い透過波長領域を有し、真空紫外域で光吸収が非常に
少ないことを見出した。従って、これらのいずれかを１
６０ｎｍ以下の短波長で使用されるペリクル膜の材質と
して用いれば、高い透過率を示すと共に劣化の少ない耐
久性に優れたペリクルを得ることができることを見出し
上記目的が達成された。
【００２３】まず、無機フッ化物をペリクル膜の材質と
する場合について説明する。無機フッ化物として、具体
的にフッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化カルシ
ウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フ
ッ化バリウム、フッ化スカンジウム、フッ化チタン、フ
ッ化銅、フッ化亜鉛等が例示される。これらのうち、特
にフッ化カルシウムやフッ化マグネシウムは、１３０ｎ
ｍ〜１０μｍという極めて幅広い透過波長領域を有し、
真空紫外域で光吸収が非常に少ないことを見出した。従
って、フッ化カルシウムまたはフッ化マグネシウムをペ
リクル膜の材質として用いれば、高い透過率を示し長寿
命かつ高性能なペリクルを安価かつ容易に得ることがで
きる。
する場合について説明する。無機フッ化物として、具体
的にフッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化カルシ
ウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フ
ッ化バリウム、フッ化スカンジウム、フッ化チタン、フ
ッ化銅、フッ化亜鉛等が例示される。これらのうち、特
にフッ化カルシウムやフッ化マグネシウムは、１３０ｎ
ｍ〜１０μｍという極めて幅広い透過波長領域を有し、
真空紫外域で光吸収が非常に少ないことを見出した。従
って、フッ化カルシウムまたはフッ化マグネシウムをペ
リクル膜の材質として用いれば、高い透過率を示し長寿
命かつ高性能なペリクルを安価かつ容易に得ることがで
きる。
【００２４】なお、無機フッ化物をペリクル膜として使
用する場合には、薄膜状とすればよい。薄膜化する方法
は特に制限されず従来公知の方法を用いればよいが、例
えば無機フッ化物の結晶からペリクルサイズの板を切り
出し、光学研磨を施すことにより得ることができる。ま
た、シリコンウェーハや石英板のような平滑な基板上に
スパッタ法を用いて成膜した後、基板を除去して薄膜を
得ることもできる。
用する場合には、薄膜状とすればよい。薄膜化する方法
は特に制限されず従来公知の方法を用いればよいが、例
えば無機フッ化物の結晶からペリクルサイズの板を切り
出し、光学研磨を施すことにより得ることができる。ま
た、シリコンウェーハや石英板のような平滑な基板上に
スパッタ法を用いて成膜した後、基板を除去して薄膜を
得ることもできる。
【００２５】この場合、ペリクル膜の厚さは、０．５μ
ｍよりも薄いとメンブレン化したときの膜強度が不足
し、一方２０ｍｍより厚くなると光の透過率が低下する
ことがあるので、０．５μｍ〜２０ｍｍの範囲とするこ
とが望ましいが、１０μｍ〜１０ｍｍの範囲とすれば上
記不具合を確実に解消できる。
ｍよりも薄いとメンブレン化したときの膜強度が不足
し、一方２０ｍｍより厚くなると光の透過率が低下する
ことがあるので、０．５μｍ〜２０ｍｍの範囲とするこ
とが望ましいが、１０μｍ〜１０ｍｍの範囲とすれば上
記不具合を確実に解消できる。
【００２６】次に、ＯＨ基含有量を１０ｐｐｍ以下とし
た酸化珪素およびフッ素をドープした酸化珪素について
説明する。本発明者等は、従来から提案されている酸化
珪素も非晶質フッ素ポリマーと同様に、１６０ｎｍ以下
の波長で光透過率が低下することから、これを回避すべ
く鋭意検討した結果、ＯＨ基含有量を１０ｐｐｍ以下と
した酸化珪素またはフッ素をドープした酸化珪素を用い
ればよいことに想到した。すなわち、酸化珪素にフッ素
をドープするか、酸化珪素のＯＨ基含有量を１０ｐｐｍ
以下とすれば１６０ｎｍ以下の真空紫外域において透過
波長領域を有し、高い透過率を示すことを見出し上記目
的を達成するに至った。
た酸化珪素およびフッ素をドープした酸化珪素について
説明する。本発明者等は、従来から提案されている酸化
珪素も非晶質フッ素ポリマーと同様に、１６０ｎｍ以下
の波長で光透過率が低下することから、これを回避すべ
く鋭意検討した結果、ＯＨ基含有量を１０ｐｐｍ以下と
した酸化珪素またはフッ素をドープした酸化珪素を用い
ればよいことに想到した。すなわち、酸化珪素にフッ素
をドープするか、酸化珪素のＯＨ基含有量を１０ｐｐｍ
以下とすれば１６０ｎｍ以下の真空紫外域において透過
波長領域を有し、高い透過率を示すことを見出し上記目
的を達成するに至った。
【００２７】ここで、ＯＨ基含有量を１０ｐｐｍ以下に
低減化した酸化珪素を得る方法は、特に限定されない
が、例えばＳｉＣｌ4 と酸素と水素との混合ガスを７０
０℃で連続して反応させ、堆積物（スート）を得た後、
この堆積物を塩素で処理し、その後溶融させることによ
り得ることができる。得られた酸化珪素のＯＨ基含有量
は、例えば赤外分光（ＩＲ）分析や固体プロトンＮＭＲ
測定により定量することができる。そして、このように
して得られた酸化珪素をペリクルサイズに成形、薄膜化
した後、光学研磨を施すと所望のペリクル膜が得られ
る。
低減化した酸化珪素を得る方法は、特に限定されない
が、例えばＳｉＣｌ4 と酸素と水素との混合ガスを７０
０℃で連続して反応させ、堆積物（スート）を得た後、
この堆積物を塩素で処理し、その後溶融させることによ
り得ることができる。得られた酸化珪素のＯＨ基含有量
は、例えば赤外分光（ＩＲ）分析や固体プロトンＮＭＲ
測定により定量することができる。そして、このように
して得られた酸化珪素をペリクルサイズに成形、薄膜化
した後、光学研磨を施すと所望のペリクル膜が得られ
る。
【００２８】フッ素をドープした酸化珪素を得る方法
も、特に限定されないが、例えばＳｉＨ4 と酸素とＳｉ
Ｆ4 との混合ガスに高周波を印加し、基板上にフッ素を
ドープしたガラス状の酸化珪素の薄膜を形成させて得る
ことができる。この場合、得られたフッ素をドープした
酸化珪素によって、上記目的を確実に達成するために
は、ＯＨ基含有量を１０ｐｐｍ以下とすることが望まし
い。
も、特に限定されないが、例えばＳｉＨ4 と酸素とＳｉ
Ｆ4 との混合ガスに高周波を印加し、基板上にフッ素を
ドープしたガラス状の酸化珪素の薄膜を形成させて得る
ことができる。この場合、得られたフッ素をドープした
酸化珪素によって、上記目的を確実に達成するために
は、ＯＨ基含有量を１０ｐｐｍ以下とすることが望まし
い。
【００２９】このようにＯＨ基を低減化し、かつフッ素
をドープした酸化珪素を得るには、ＳｉＣｌ4 と酸素と
水素との混合ガスを７００℃にて連続して反応させ、堆
積物（スート）を得た後、この堆積物を１２００℃で塩
素で処理し、次いで１２００℃にてＳｉＦ4 ガス雰囲気
下で燒結させてもよい。なお、ＯＨ基の含有量は、上記
同様に赤外分光分析等によって確認することができる。
次いで、これをペリクルサイズに成形加工した後、光学
研磨を施すと所望のペリクル膜が得られる。
をドープした酸化珪素を得るには、ＳｉＣｌ4 と酸素と
水素との混合ガスを７００℃にて連続して反応させ、堆
積物（スート）を得た後、この堆積物を１２００℃で塩
素で処理し、次いで１２００℃にてＳｉＦ4 ガス雰囲気
下で燒結させてもよい。なお、ＯＨ基の含有量は、上記
同様に赤外分光分析等によって確認することができる。
次いで、これをペリクルサイズに成形加工した後、光学
研磨を施すと所望のペリクル膜が得られる。
【００３０】このようにして得られたペリクル膜の厚さ
は、１μｍよりも薄いとメンブレン化したときの膜強度
が不足する場合があり、２０ｍｍより厚いと光透過率が
低下することがあるので、１μｍ〜２０ｍｍの範囲とす
ることが望ましいが、上記不具合を回避するため１０μ
ｍ〜１０ｍｍとするのが特に望ましい。
は、１μｍよりも薄いとメンブレン化したときの膜強度
が不足する場合があり、２０ｍｍより厚いと光透過率が
低下することがあるので、１μｍ〜２０ｍｍの範囲とす
ることが望ましいが、上記不具合を回避するため１０μ
ｍ〜１０ｍｍとするのが特に望ましい。
【００３１】以上のように、本発明のリソグラフィー用
ペリクルは、真空紫外域で優れた透過率と高解像度の実
現を可能とするペリクル膜を具備していることを特徴と
する。すなわち、上記いずれかの物質をペリクル膜の材
質としたことを特徴とするリソグラフィー用ペリクルで
ある。なお、上記いずれかの材質からなるペリクル膜を
ペリクル枠に貼り付けてリソグラフィー用ペリクルとす
るには、弾性接着剤を用いることが好ましい。
ペリクルは、真空紫外域で優れた透過率と高解像度の実
現を可能とするペリクル膜を具備していることを特徴と
する。すなわち、上記いずれかの物質をペリクル膜の材
質としたことを特徴とするリソグラフィー用ペリクルで
ある。なお、上記いずれかの材質からなるペリクル膜を
ペリクル枠に貼り付けてリソグラフィー用ペリクルとす
るには、弾性接着剤を用いることが好ましい。
【００３２】すなわち、ペリクル枠の材質としてアルミ
ニウムを用い、ペリクル膜として上記いずれかの材質を
用いた場合には、双方とも剛直であるため弾性接着剤で
双方を接着すればペリクル枠の歪みや変形を吸収するこ
とができるからである。この場合、弾性接着剤として好
適な硬度は、ＪＩＳ−Ｋ−６２５３（Ａ型デュロメータ
法）における硬度に則して具体的に例示すれば、硬度が
１０より小さいとペリクル枠が変形し易く、９０より大
きいと変形吸収性が低下することがあるので、１０〜９
０の範囲にあることが望ましく、より望ましくは２０〜
８０の範囲である。
ニウムを用い、ペリクル膜として上記いずれかの材質を
用いた場合には、双方とも剛直であるため弾性接着剤で
双方を接着すればペリクル枠の歪みや変形を吸収するこ
とができるからである。この場合、弾性接着剤として好
適な硬度は、ＪＩＳ−Ｋ−６２５３（Ａ型デュロメータ
法）における硬度に則して具体的に例示すれば、硬度が
１０より小さいとペリクル枠が変形し易く、９０より大
きいと変形吸収性が低下することがあるので、１０〜９
０の範囲にあることが望ましく、より望ましくは２０〜
８０の範囲である。
【００３３】このような弾性接着剤として、湿気による
硬化が可能な加水分解性基や紫外線等による光硬化が可
能なビニル基、アクリル基、（メタ）アクリル基等のラ
ジカル重合性基を有するエラストマーを用いることがで
きる。さらに、このエラストマーとして、シリコーン
系、ポリサルファイド系、ポリウレタン系、アクリルウ
レタン系、ポリ塩化ビニル系、クロロプレン系、クロロ
スルホン化ポリエチレン系、エチレンプロピレン系、ア
スファルト含有ポリウレタン系等が例示される。なお、
上記樹脂の二種以上を適宜混合して使用しても構わな
い。
硬化が可能な加水分解性基や紫外線等による光硬化が可
能なビニル基、アクリル基、（メタ）アクリル基等のラ
ジカル重合性基を有するエラストマーを用いることがで
きる。さらに、このエラストマーとして、シリコーン
系、ポリサルファイド系、ポリウレタン系、アクリルウ
レタン系、ポリ塩化ビニル系、クロロプレン系、クロロ
スルホン化ポリエチレン系、エチレンプロピレン系、ア
スファルト含有ポリウレタン系等が例示される。なお、
上記樹脂の二種以上を適宜混合して使用しても構わな
い。
【００３４】これらのうち、取扱性や耐光性等を考慮す
るとシリコーン系、特に室温硬化型シリコーンゴムを用
いることが好ましく、具体的に室温硬化に供する反応性
基として、メチルエチルケトオキシム基、アセトキシ
基、アルコキシ基、イソプロペノキシ基、アミノ基また
はアミド基等を有する室温硬化型シリコーンゴムを用い
ることが望ましい。これら例示したものの中で、電気・
電子用に適したアシロキシ基、アルコキシ基またはイソ
プロペノキシ基を有する室温硬化型シリコーンゴムを選
択することが更に望ましい。この場合、いわゆる１液型
と２液型の何れも使用することができるが、作業性の良
好な１液型室温硬化性シリコーンゴムを用いることが好
ましい。
るとシリコーン系、特に室温硬化型シリコーンゴムを用
いることが好ましく、具体的に室温硬化に供する反応性
基として、メチルエチルケトオキシム基、アセトキシ
基、アルコキシ基、イソプロペノキシ基、アミノ基また
はアミド基等を有する室温硬化型シリコーンゴムを用い
ることが望ましい。これら例示したものの中で、電気・
電子用に適したアシロキシ基、アルコキシ基またはイソ
プロペノキシ基を有する室温硬化型シリコーンゴムを選
択することが更に望ましい。この場合、いわゆる１液型
と２液型の何れも使用することができるが、作業性の良
好な１液型室温硬化性シリコーンゴムを用いることが好
ましい。
【００３５】このようにして得られた本発明のリソグラ
フィー用ペリクルは、上述のように１６０ｎｍ以下の波
長で光吸収を持たず、しかも、幅広い波長領域で高い透
過率を示すことができる。従って、露光時に基板、例え
ばシリコンウエーハに与えられるエネルギーが多くなる
という有利性が得られる。また、透過率が高いというこ
とは、それだけ吸収される光が少ないということであ
り、耐光性の面でも有利になる。
フィー用ペリクルは、上述のように１６０ｎｍ以下の波
長で光吸収を持たず、しかも、幅広い波長領域で高い透
過率を示すことができる。従って、露光時に基板、例え
ばシリコンウエーハに与えられるエネルギーが多くなる
という有利性が得られる。また、透過率が高いというこ
とは、それだけ吸収される光が少ないということであ
り、耐光性の面でも有利になる。
【００３６】さらに、本発明のペリクルは、従来不可能
であった１６０ｎｍ以下のエキシマレーザーを照射して
も高い透過率を示すと共に、その透過率を損なうことが
ない。特に、従来使用することが困難であったフッ素エ
キシマレーザーを照射しても、高い透過率を発揮し、ペ
リクル膜の特性を損なうことがない。従って、フッ素エ
キシマレーザーを用いたリソグラフィー用ペリクルとし
て、特に有用である。
であった１６０ｎｍ以下のエキシマレーザーを照射して
も高い透過率を示すと共に、その透過率を損なうことが
ない。特に、従来使用することが困難であったフッ素エ
キシマレーザーを照射しても、高い透過率を発揮し、ペ
リクル膜の特性を損なうことがない。従って、フッ素エ
キシマレーザーを用いたリソグラフィー用ペリクルとし
て、特に有用である。
【００３７】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例を挙げて
説明する。 （実施例１）ペリクルサイズ１４９ｍｍ×１２２ｍｍに
切り出し、厚みを１ｍｍの板状に加工した後、結晶板の
両面に光学研磨を行なったフッ化カルシウムの結晶を用
意した。次いで、この結晶板を界面活性剤水溶液により
超音波洗浄後、純水ですすぎ洗浄を行い、異物のない清
浄な結晶板とした。
説明する。 （実施例１）ペリクルサイズ１４９ｍｍ×１２２ｍｍに
切り出し、厚みを１ｍｍの板状に加工した後、結晶板の
両面に光学研磨を行なったフッ化カルシウムの結晶を用
意した。次いで、この結晶板を界面活性剤水溶液により
超音波洗浄後、純水ですすぎ洗浄を行い、異物のない清
浄な結晶板とした。
【００３８】アルミ製ペリクルフレームの片端面にＪＩ
Ｓ−Ｋ−６２５３（Ａ型デュロメータ法）における硬度
が３０である一液型シリコーン弾性接着剤（ＫＥ４２、
信越化学工業（株）製）を塗布し、上記で得られたフッ
化カルシウム結晶板をペリクルフレームに接着した。次
に、フッ素エキシマレーザー光（１５８ｎｍ）を照射し
て、このペリクルの透過率を調べたところ８５％の透過
率を示した。この測定結果を表１に示した。
Ｓ−Ｋ−６２５３（Ａ型デュロメータ法）における硬度
が３０である一液型シリコーン弾性接着剤（ＫＥ４２、
信越化学工業（株）製）を塗布し、上記で得られたフッ
化カルシウム結晶板をペリクルフレームに接着した。次
に、フッ素エキシマレーザー光（１５８ｎｍ）を照射し
て、このペリクルの透過率を調べたところ８５％の透過
率を示した。この測定結果を表１に示した。
【００３９】（実施例２）ペリクルサイズ１４９ｍｍ×
１２２ｍｍに切り出し、厚みを１ｍｍの板状に加工した
後、結晶板の両面に光学研磨を行なったフッ化マグネシ
ウムの結晶を用意した。次いで、この結晶板を界面活性
剤水溶液により超音波洗浄後、さらに純水ですすぎ洗浄
を行い、異物のない清浄な結晶板とした。実施例１と同
様にして、上記で得られたフッ化マグネシウム結晶板を
ペリクルフレームに接着した。次に、フッ素エキシマレ
ーザー光を照射して、このペリクルの透過率を調べたと
ころ８３％の透過率を示した。この測定結果を表１に示
した。
１２２ｍｍに切り出し、厚みを１ｍｍの板状に加工した
後、結晶板の両面に光学研磨を行なったフッ化マグネシ
ウムの結晶を用意した。次いで、この結晶板を界面活性
剤水溶液により超音波洗浄後、さらに純水ですすぎ洗浄
を行い、異物のない清浄な結晶板とした。実施例１と同
様にして、上記で得られたフッ化マグネシウム結晶板を
ペリクルフレームに接着した。次に、フッ素エキシマレ
ーザー光を照射して、このペリクルの透過率を調べたと
ころ８３％の透過率を示した。この測定結果を表１に示
した。
【００４０】（実施例３）ＳｉＣｌ4 が２００ｃｃ／ｍ
ｉｎ、酸素が４００ｃｃ／ｍｉｎ、水素が８００ｃｃ／
ｍｉｎからなる混合ガスを、７００℃で連続して反応さ
せ堆積物（スート）を得た。この堆積物を２００ｃｃ／
ｍｉｎの塩素ガス流通下で５００℃にて処理し、次いで
１２００℃で溶融させることで、ＯＨ基の含有量を抑制
した酸化珪素を得た。ＩＲ（赤外分光）で分析したとこ
ろ、ＯＨ基の含有量は１ｐｐｍであった。
ｉｎ、酸素が４００ｃｃ／ｍｉｎ、水素が８００ｃｃ／
ｍｉｎからなる混合ガスを、７００℃で連続して反応さ
せ堆積物（スート）を得た。この堆積物を２００ｃｃ／
ｍｉｎの塩素ガス流通下で５００℃にて処理し、次いで
１２００℃で溶融させることで、ＯＨ基の含有量を抑制
した酸化珪素を得た。ＩＲ（赤外分光）で分析したとこ
ろ、ＯＨ基の含有量は１ｐｐｍであった。
【００４１】これを、１４９ｍｍ×１２２ｍｍのペリク
ルサイズに成形、薄膜化した後、光学研磨を施すことに
より、厚さ４００μｍのＯＨ基の含有量を抑制した酸化
珪素膜を得た。次いで、実施例１と同様にしてアルミ製
のペリクル枠に貼り付けてペリクルを得た。次に、フッ
素エキシマレーザー光を照射して、このペリクルの透過
率を調べたところ８１％の透過率を示した。この測定結
果を表１に示した。
ルサイズに成形、薄膜化した後、光学研磨を施すことに
より、厚さ４００μｍのＯＨ基の含有量を抑制した酸化
珪素膜を得た。次いで、実施例１と同様にしてアルミ製
のペリクル枠に貼り付けてペリクルを得た。次に、フッ
素エキシマレーザー光を照射して、このペリクルの透過
率を調べたところ８１％の透過率を示した。この測定結
果を表１に示した。
【００４２】（実施例４）厚さが４００μｍのシリコン
基板上に、ＳｉＨ4 が２０ｃｃ／ｍｉｎ、ＳｉＦ 4 が５
０ｃｃ／ｍｉｎ、酸素が５０ｃｃ／ｍｉｎからなる混合
ガスを流し、ここに１３．５６ＭＨｚの高周波を印加
し、高周波マグネトロンスパッタ法で該基板上に厚さ５
０μｍのフッ素ドープした酸化珪素膜を形成させた。Ｘ
線マイクロアナライザーで分析したところ、それぞれの
原子のモル存在比は、珪素が３２％、酸素が６２％、フ
ッ素が６％であった。また、ＩＲ（赤外分光）で分析し
たところ、ＯＨ基含有量は２００ｐｐｍであった。
基板上に、ＳｉＨ4 が２０ｃｃ／ｍｉｎ、ＳｉＦ 4 が５
０ｃｃ／ｍｉｎ、酸素が５０ｃｃ／ｍｉｎからなる混合
ガスを流し、ここに１３．５６ＭＨｚの高周波を印加
し、高周波マグネトロンスパッタ法で該基板上に厚さ５
０μｍのフッ素ドープした酸化珪素膜を形成させた。Ｘ
線マイクロアナライザーで分析したところ、それぞれの
原子のモル存在比は、珪素が３２％、酸素が６２％、フ
ッ素が６％であった。また、ＩＲ（赤外分光）で分析し
たところ、ＯＨ基含有量は２００ｐｐｍであった。
【００４３】これを９５ｍｌの６５％ＨＮＯ3 水溶液、
５ｍｌの４０％ＨＦ水溶液と１ｇのＮａＮＯ3 の混合液
に浸してシリコン基板をエッチングし、フッ素ドープ酸
化珪素膜を得た。この膜を１４９ｍｍ×１２２ｍｍに切
り出し、次いで実施例１と同様にしてアルミ製のペリク
ル枠に貼り付けてペリクルを得た。次に、フッ素エキシ
マレーザー光を照射して、このペリクルの透過率を調べ
たところ８５％の透過率を示した。この測定結果を表１
に示した。
５ｍｌの４０％ＨＦ水溶液と１ｇのＮａＮＯ3 の混合液
に浸してシリコン基板をエッチングし、フッ素ドープ酸
化珪素膜を得た。この膜を１４９ｍｍ×１２２ｍｍに切
り出し、次いで実施例１と同様にしてアルミ製のペリク
ル枠に貼り付けてペリクルを得た。次に、フッ素エキシ
マレーザー光を照射して、このペリクルの透過率を調べ
たところ８５％の透過率を示した。この測定結果を表１
に示した。
【００４４】（実施例５）ＳｉＨ4 が１００ｃｃ／ｍｉ
ｎ、ＳｉＦ4 が２００ｃｃ／ｍｉｎ、酸素が５００ｃｃ
／ｍｉｎからなる混合ガスを、７００℃で連続して反応
させ堆積物（スート）を得た。この堆積物を１２００℃
でＳｉＦ4 ガス雰囲気下で燒結して、フッ素ドープ酸化
珪素ガラスを得た。Ｘ線マイクロアナライザーで分析し
たところ、それぞれの原子のモル存在比は、珪素が３２
％、酸素が６４％、フッ素が４％であった。また、ＩＲ
（赤外分光）で分析したところ、ＯＨ含有量は２５０ｐ
ｐｍであった。
ｎ、ＳｉＦ4 が２００ｃｃ／ｍｉｎ、酸素が５００ｃｃ
／ｍｉｎからなる混合ガスを、７００℃で連続して反応
させ堆積物（スート）を得た。この堆積物を１２００℃
でＳｉＦ4 ガス雰囲気下で燒結して、フッ素ドープ酸化
珪素ガラスを得た。Ｘ線マイクロアナライザーで分析し
たところ、それぞれの原子のモル存在比は、珪素が３２
％、酸素が６４％、フッ素が４％であった。また、ＩＲ
（赤外分光）で分析したところ、ＯＨ含有量は２５０ｐ
ｐｍであった。
【００４５】これを厚み１ｍｍの板に切り出し、光学研
磨を行うことにより、厚み４００μｍのフッ素ドープ酸
化珪素膜を得た。この膜を１４９ｍｍ×１２２ｍｍに切
り出し、次いで実施例１と同様にしてアルミ製のペリク
ル枠に貼り付けてペリクルを得た。次に、フッ素エキシ
マレーザー光を照射して、このペリクルの透過率を調べ
たところ８３％の透過率を示した。この測定結果を表１
に示した。
磨を行うことにより、厚み４００μｍのフッ素ドープ酸
化珪素膜を得た。この膜を１４９ｍｍ×１２２ｍｍに切
り出し、次いで実施例１と同様にしてアルミ製のペリク
ル枠に貼り付けてペリクルを得た。次に、フッ素エキシ
マレーザー光を照射して、このペリクルの透過率を調べ
たところ８３％の透過率を示した。この測定結果を表１
に示した。
【００４６】（実施例６）ＳｉＣｌ4 が２００ｃｃ／ｍ
ｉｎ、酸素が４００ｃｃ／ｍｉｎ、水素が８００ｃｃ／
ｍｉｎからなる混合ガスを、７００℃で連続して反応さ
せ堆積物（スート）を得た。この堆積物を２００ｃｃ／
ｍｉｎの塩素ガス流通下で５００℃にて処理し、次いで
１２００℃でＳｉＦ4 ガス雰囲気下で燒結して、ＯＨ基
の含有量を抑制し、かつフッ素をドープした酸化珪素ガ
ラスを得た。Ｘ線マイクロアナライザーで分析したとこ
ろ、それぞれの原子のモル存在比は、珪素が３２％、酸
素が６４％、フッ素が４％であった。ＩＲ（赤外分光）
で分析したところ、ＯＨ基の含有量は０．８ｐｐｍであ
った。
ｉｎ、酸素が４００ｃｃ／ｍｉｎ、水素が８００ｃｃ／
ｍｉｎからなる混合ガスを、７００℃で連続して反応さ
せ堆積物（スート）を得た。この堆積物を２００ｃｃ／
ｍｉｎの塩素ガス流通下で５００℃にて処理し、次いで
１２００℃でＳｉＦ4 ガス雰囲気下で燒結して、ＯＨ基
の含有量を抑制し、かつフッ素をドープした酸化珪素ガ
ラスを得た。Ｘ線マイクロアナライザーで分析したとこ
ろ、それぞれの原子のモル存在比は、珪素が３２％、酸
素が６４％、フッ素が４％であった。ＩＲ（赤外分光）
で分析したところ、ＯＨ基の含有量は０．８ｐｐｍであ
った。
【００４７】これを、厚み１ｍｍの板に切り出し、光学
研磨を行うことにより、厚み４００μｍのＯＨ基の含有
量を抑制し、かつフッ素をドープした酸化珪素膜を得
た。この膜を１４９ｍｍ×１２２ｍｍに切り出し、次い
で、実施例１と同様にしてアルミ製のペリクル枠に貼り
付けてペリクルを得た。次に、フッ素エキシマレーザー
光を照射して、このペリクルの透過率を調べたところ８
８％の透過率を示した。この測定結果を表１に示した。
研磨を行うことにより、厚み４００μｍのＯＨ基の含有
量を抑制し、かつフッ素をドープした酸化珪素膜を得
た。この膜を１４９ｍｍ×１２２ｍｍに切り出し、次い
で、実施例１と同様にしてアルミ製のペリクル枠に貼り
付けてペリクルを得た。次に、フッ素エキシマレーザー
光を照射して、このペリクルの透過率を調べたところ８
８％の透過率を示した。この測定結果を表１に示した。
【００４８】（比較例１）膜材料としてサイトップ［旭
硝子（株）製商品名］を、その溶剤・ＣＴｓｏｌｖ．１
８０［旭硝子（株）製商品名］に溶解して５％溶液とし
た。次いで、この溶液を表面研磨したシリコン基板に、
スピンコーターを用いて膜厚１μｍの透明膜として形成
した。その後シリコン基板から薄膜を剥離し、実施例１
と同様にしてアルミ製のペリクル枠に貼り付けることで
ペリクルを得た。このペリクルの透過率を測定すると、
表１に示すようにフッ素エキシマレーザー光に対する透
過率は２％と、非常に低い値を示した。
硝子（株）製商品名］を、その溶剤・ＣＴｓｏｌｖ．１
８０［旭硝子（株）製商品名］に溶解して５％溶液とし
た。次いで、この溶液を表面研磨したシリコン基板に、
スピンコーターを用いて膜厚１μｍの透明膜として形成
した。その後シリコン基板から薄膜を剥離し、実施例１
と同様にしてアルミ製のペリクル枠に貼り付けることで
ペリクルを得た。このペリクルの透過率を測定すると、
表１に示すようにフッ素エキシマレーザー光に対する透
過率は２％と、非常に低い値を示した。
【００４９】（比較例２）膜材料としての合成石英ＶＯ
ＳＩＬ［信越化学工業（株）製］に光学研磨を行い、厚
さ５００μｍの酸化珪素膜を得た。ＩＲ（赤外分光）に
より、ＯＨ基含有量を分析したところ４５０ｐｐｍであ
った。この膜を実施例１と同様にして、アルミ製のペリ
クル枠に取り付けることでペリクルを得た。次に、フッ
素エキシマレーザー光を照射して、このペリクルの透過
率を調べたところ１％と非常に低い値を示した。この測
定結果を表１に示した。
ＳＩＬ［信越化学工業（株）製］に光学研磨を行い、厚
さ５００μｍの酸化珪素膜を得た。ＩＲ（赤外分光）に
より、ＯＨ基含有量を分析したところ４５０ｐｐｍであ
った。この膜を実施例１と同様にして、アルミ製のペリ
クル枠に取り付けることでペリクルを得た。次に、フッ
素エキシマレーザー光を照射して、このペリクルの透過
率を調べたところ１％と非常に低い値を示した。この測
定結果を表１に示した。
【００５０】
【表１】
【００５１】表１に示す結果から明らかなように、従来
から使用されていたサイトップ等のフッ素系樹脂からな
るペリクル膜を有するペリクルは、フッ素エキシマレー
ザーの波長である１５８ｎｍにおいて非常に低い透過率
しか有しないので、実際のペリクルとしての機能は限定
される。しかし、本発明のフッ化カルシウムやフッ化マ
グネシウム等の無機フッ化物、ＯＨ含有量が１０ｐｐｍ
以下である酸化珪素あるいはフッ素をドープした酸化珪
素からなるペリクル膜を有するペリクルは、１６０ｎｍ
以下の波長でも大きな吸収を持たず、１５８ｎｍにおい
ても非常に高い透過率を示す。従って、これらの無機フ
ッ化物をペリクル膜材料に使用すれば、フッ素エキシマ
レーザーリソグラフィーに対しても光透過率が高い高性
能なペリクルを提供することができる。
から使用されていたサイトップ等のフッ素系樹脂からな
るペリクル膜を有するペリクルは、フッ素エキシマレー
ザーの波長である１５８ｎｍにおいて非常に低い透過率
しか有しないので、実際のペリクルとしての機能は限定
される。しかし、本発明のフッ化カルシウムやフッ化マ
グネシウム等の無機フッ化物、ＯＨ含有量が１０ｐｐｍ
以下である酸化珪素あるいはフッ素をドープした酸化珪
素からなるペリクル膜を有するペリクルは、１６０ｎｍ
以下の波長でも大きな吸収を持たず、１５８ｎｍにおい
ても非常に高い透過率を示す。従って、これらの無機フ
ッ化物をペリクル膜材料に使用すれば、フッ素エキシマ
レーザーリソグラフィーに対しても光透過率が高い高性
能なペリクルを提供することができる。
【００５２】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５３】例えば、本発明において、１６０ｎｍ以下
のエキシマレーザーのうち、フッ素エキシマレーザーに
ついて具体的に説明したが、Ｋｒ2 エキシマレーザーを
はじめとするその他のエキシマレーザーについても同様
な効果を奏することができる。
のエキシマレーザーのうち、フッ素エキシマレーザーに
ついて具体的に説明したが、Ｋｒ2 エキシマレーザーを
はじめとするその他のエキシマレーザーについても同様
な効果を奏することができる。
【００５４】
【発明の効果】本発明のように、ペリクル膜の材質とし
て無機フッ化物、ＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下の酸化珪
素またはフッ素をドープした酸化珪素のいずれかを用い
れば、幅広い透過波長領域を有し、１６０ｎｍ以下の真
空紫外域で光吸収が非常に少ないため、高い透過率と高
解像度を実現できるリソグラフィー用ペリクルとするこ
とができる。
て無機フッ化物、ＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下の酸化珪
素またはフッ素をドープした酸化珪素のいずれかを用い
れば、幅広い透過波長領域を有し、１６０ｎｍ以下の真
空紫外域で光吸収が非常に少ないため、高い透過率と高
解像度を実現できるリソグラフィー用ペリクルとするこ
とができる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年３月２７日（２０００．３．２
７）
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】この場合、ペリクル膜の厚さは、１μｍよ
りも薄いとメンブレン化したときの膜強度が不足し、一
方２０ｍｍより厚くなると光の透過率が低下することが
あるので、１μｍ〜２０ｍｍの範囲とすることが望まし
いが、１０μｍ〜１０ｍｍの範囲とすれば上記不具合を
確実に解消できる。
りも薄いとメンブレン化したときの膜強度が不足し、一
方２０ｍｍより厚くなると光の透過率が低下することが
あるので、１μｍ〜２０ｍｍの範囲とすることが望まし
いが、１０μｍ〜１０ｍｍの範囲とすれば上記不具合を
確実に解消できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４９】（比較例２）膜材料としての合成石英ＶＩ
ＯＳＩＬ［信越化学工業（株）製］に光学研磨を行い、
厚さ５００μｍの酸化珪素膜を得た。ＩＲ（赤外分光）
により、ＯＨ基含有量を分析したところ４５０ｐｐｍで
あった。この膜を実施例１と同様にして、アルミ製のペ
リクル枠に取り付けることでペリクルを得た。次に、フ
ッ素エキシマレーザー光を照射して、このペリクルの透
過率を調べたところ１％と非常に低い値を示した。この
測定結果を表１に示した。
ＯＳＩＬ［信越化学工業（株）製］に光学研磨を行い、
厚さ５００μｍの酸化珪素膜を得た。ＩＲ（赤外分光）
により、ＯＨ基含有量を分析したところ４５０ｐｐｍで
あった。この膜を実施例１と同様にして、アルミ製のペ
リクル枠に取り付けることでペリクルを得た。次に、フ
ッ素エキシマレーザー光を照射して、このペリクルの透
過率を調べたところ１％と非常に低い値を示した。この
測定結果を表１に示した。
Claims (9)
- 【請求項１】 少なくともペリクル枠にペリクル膜を貼
り付けたリソグラフィー用ペリクルにおいて、１６０ｎ
ｍ以下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率
が、５０％以上であるペリクル膜を用いてなるものであ
ることを特徴とするリソグラフィー用ペリクル。 - 【請求項２】 前記ペリクル膜の材質が、無機フッ化物
であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ
ー用ペリクル。 - 【請求項３】 前記無機フッ化物が、フッ化カルシウム
またはフッ化マグネシウムであることを特徴とする請求
項２に記載のリソグラフィー用ペリクル。 - 【請求項４】 前記ペリクル膜の材質が、ＯＨ基を１０
ｐｐｍ以下含有する酸化珪素であることを特徴とする請
求項１に記載のリソグラフィー用ペリクル。 - 【請求項５】 前記ペリクル膜の材質が、フッ素をドー
プした酸化珪素であることを特徴とする請求項１に記載
のリソグラフィー用ペリクル。 - 【請求項６】 前記フッ素をドープした酸化珪素のＯＨ
基含有量が、１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請
求項５に記載のリソグラフィー用ペリクル。 - 【請求項７】 前記ペリクル枠とペリクル膜との貼り付
けを、弾性接着剤で行ったものであることを特徴とする
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のリソグラ
フィー用ペリクル。 - 【請求項８】 前記弾性接着剤が、シリコーン弾性接着
剤であることを特徴とする請求項７に記載のリソグラフ
ィー用ペリクル。 - 【請求項９】 前記リソグラフィー用ペリクルが、フッ
素エキシマレーザーに用いるものであることを特徴とす
る請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のリソグ
ラフィー用ペリクル。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9625399A JP2000292908A (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | リソグラフィー用ペリクル |
| US09/534,526 US6368683B1 (en) | 1999-04-02 | 2000-03-27 | Pellicle for photolithography |
| KR1020000015725A KR100698602B1 (ko) | 1999-04-02 | 2000-03-28 | 포토리쏘그라피용 펠리클 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9625399A JP2000292908A (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | リソグラフィー用ペリクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000292908A true JP2000292908A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14160056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9625399A Pending JP2000292908A (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | リソグラフィー用ペリクル |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6368683B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000292908A (ja) |
| KR (1) | KR100698602B1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6946199B2 (en) | 2000-07-27 | 2005-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical, additional films and optical elements |
| US7351503B2 (en) | 2001-01-22 | 2008-04-01 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle in intimate contact with the surface of a photomask |
| JP2009116284A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
| JP2009151335A (ja) * | 2009-04-02 | 2009-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィ用ペリクル |
| US7604904B2 (en) | 2003-08-27 | 2009-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithography |
| JP2009271262A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
| JP2011095586A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルおよびその製造方法 |
| JP2013228582A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7138640B1 (en) | 2002-10-17 | 2006-11-21 | Kla-Tencor Technologies, Corporation | Method and apparatus for protecting surfaces of optical components |
| US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
| KR20060091303A (ko) * | 2003-09-23 | 2006-08-18 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 칩 생산에 사용된 레티클을 오염으로부터 보호하기 위한방법과 장치 |
| KR100819638B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2008-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 펠리클 장치 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| WO2012092617A2 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Improved silicone membrane for lamination process |
| US9880462B2 (en) | 2014-11-28 | 2018-01-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pellicle and exposure mask including the same |
| US9759997B2 (en) * | 2015-12-17 | 2017-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle assembly and method for advanced lithography |
| KR102574161B1 (ko) | 2018-02-06 | 2023-09-06 | 삼성전자주식회사 | 펠리클 및 이를 포함하는 레티클 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326251A (ja) | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Sintokogio Ltd | 低圧鋳造装置 |
| JPH0262542A (ja) | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル |
| JP3089153B2 (ja) * | 1993-12-13 | 2000-09-18 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィー用ペリクル |
| JPH0867530A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-03-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 紫外光用光学ガラス |
| JP3529062B2 (ja) * | 1994-10-07 | 2004-05-24 | 株式会社渡辺商行 | ペリクル及びレチクル |
| CA2251638A1 (en) * | 1997-02-13 | 1998-08-20 | Mitsui Chemicals, Incorporated | Pellicle membrane for ultraviolet rays and pellicle |
| ATE324619T1 (de) * | 2000-06-01 | 2006-05-15 | Asahi Glass Co Ltd | Membranabdeckung und verfahren zu deren verwendung |
-
1999
- 1999-04-02 JP JP9625399A patent/JP2000292908A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-27 US US09/534,526 patent/US6368683B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-28 KR KR1020000015725A patent/KR100698602B1/ko not_active IP Right Cessation
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| JP2011095586A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルおよびその製造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000076976A (ko) | 2000-12-26 |
| KR100698602B1 (ko) | 2007-03-21 |
| US6368683B1 (en) | 2002-04-09 |
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Legal Events
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| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040308 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040406 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041005 |