JP2000292908A - リソグラフィー用ペリクル - Google Patents
リソグラフィー用ペリクルInfo
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 短波長の真空紫外光を長時間照射しても、光
透過率が高く耐久性に優れたペリクル膜からなるリソグ
ラフィー用ペリクルを提供する。 【解決手段】 少なくともペリクル枠にペリクル膜を貼
り付けたリソグラフィー用ペリクルにおいて、160n
m以下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率
が、50%以上であるペリクル膜を用いてなるものであ
ることを特徴とするリソグラフィー用ペリクル。
透過率が高く耐久性に優れたペリクル膜からなるリソグ
ラフィー用ペリクルを提供する。 【解決手段】 少なくともペリクル枠にペリクル膜を貼
り付けたリソグラフィー用ペリクルにおいて、160n
m以下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率
が、50%以上であるペリクル膜を用いてなるものであ
ることを特徴とするリソグラフィー用ペリクル。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィー用
ペリクル、特に真空紫外領域で優れた光透過率と高解像
度を実現するリソグラフィー用ペリクルに関する。
ペリクル、特に真空紫外領域で優れた光透過率と高解像
度を実現するリソグラフィー用ペリクルに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、LSI、超LSI等の半導体デバ
イスあるいは液晶表示板を製造する際に、半導体ウェー
ハあるいは液晶用基板に光を照射してパターニングをす
るわけであるが、この場合に用いる露光基板にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を反射し
てしまうため、転写したパターンが変形したり、エッジ
が、がさついたりしてしまい、寸法、外観、品質等が損
なわれ、半導体デバイスや液晶表示板等の性能や製造歩
留の低下を来すという問題があった。
イスあるいは液晶表示板を製造する際に、半導体ウェー
ハあるいは液晶用基板に光を照射してパターニングをす
るわけであるが、この場合に用いる露光基板にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を反射し
てしまうため、転写したパターンが変形したり、エッジ
が、がさついたりしてしまい、寸法、外観、品質等が損
なわれ、半導体デバイスや液晶表示板等の性能や製造歩
留の低下を来すという問題があった。
【0003】このため、これらの作業は通常クリーンル
ームで行われるが、このクリーンルーム内でも露光基板
を常に清浄に保つことが難しいので、露光基板の表面に
ゴミ除けのための露光用の光を良く通過させるペリクル
を貼着する方法が行われている。この場合、ゴミは露光
基板の表面には直接付着せず、ペリクル膜上に付着する
ため、リソグラフィー時に焦点を露光基板のパターン上
に合わせておけば、ペリクル上のゴミは転写に無関係と
なる。
ームで行われるが、このクリーンルーム内でも露光基板
を常に清浄に保つことが難しいので、露光基板の表面に
ゴミ除けのための露光用の光を良く通過させるペリクル
を貼着する方法が行われている。この場合、ゴミは露光
基板の表面には直接付着せず、ペリクル膜上に付着する
ため、リソグラフィー時に焦点を露光基板のパターン上
に合わせておけば、ペリクル上のゴミは転写に無関係と
なる。
【0004】従来、このペリクルは、光を良く通過させ
るニトロセルロースや酢酸セルロース等のセルロース系
樹脂等の有機系樹脂からなる透明なペリクル膜を、アル
ミニウムやステンレス等からなるペリクル枠の上部にペ
リクル膜の良溶媒を塗布し、風乾して接着するか、アク
リル樹脂やエポキシ樹脂等からなる接着剤で接着すると
いう方法で作られていた。
るニトロセルロースや酢酸セルロース等のセルロース系
樹脂等の有機系樹脂からなる透明なペリクル膜を、アル
ミニウムやステンレス等からなるペリクル枠の上部にペ
リクル膜の良溶媒を塗布し、風乾して接着するか、アク
リル樹脂やエポキシ樹脂等からなる接着剤で接着すると
いう方法で作られていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体デバイス
の一層の微細化により、リソグラフィーで要求される解
像度は次第に高くなってきており、その解像度を実現す
るため、徐々に波長の短い光が光源として用いられるよ
うになってきている。具体的には、紫外光(g線(波長
436nm)、i線(波長365nm))から現在は遠
紫外光(KrFエキシマレーザー(波長248nm))
へと移行しており、近い将来には真空紫外光(ArFエ
キシマレーザー(波長193nm)およびフッ素エキシ
マレーザー(波長158nm))が実用化されようとし
ている。
の一層の微細化により、リソグラフィーで要求される解
像度は次第に高くなってきており、その解像度を実現す
るため、徐々に波長の短い光が光源として用いられるよ
うになってきている。具体的には、紫外光(g線(波長
436nm)、i線(波長365nm))から現在は遠
紫外光(KrFエキシマレーザー(波長248nm))
へと移行しており、近い将来には真空紫外光(ArFエ
キシマレーザー(波長193nm)およびフッ素エキシ
マレーザー(波長158nm))が実用化されようとし
ている。
【0006】ところで、ペリクル膜の材質は、従来から
高い透過率を得るため分子構造にカルボニル基等の官能
基を有する前記有機系樹脂が使用されてきたが、これら
の樹脂は200nm以上の光を吸収し、光劣化を引き起
こす。従って、遠紫外光用のペリクルの膜材料には、こ
れらの官能基を含まず、飽和結合のみからなる非晶質フ
ッ素ポリマーが使用されている。しかし、このような非
晶質フッ素ポリマーは、180nm付近までは高い透過
率を示すが、それ以下の波長の光に対して大きな吸収を
示し、非常に小さい透過率しか示さないため、例えばフ
ッ素エキシマレーザー用のペリクルの膜材料として使用
するには困難であった。
高い透過率を得るため分子構造にカルボニル基等の官能
基を有する前記有機系樹脂が使用されてきたが、これら
の樹脂は200nm以上の光を吸収し、光劣化を引き起
こす。従って、遠紫外光用のペリクルの膜材料には、こ
れらの官能基を含まず、飽和結合のみからなる非晶質フ
ッ素ポリマーが使用されている。しかし、このような非
晶質フッ素ポリマーは、180nm付近までは高い透過
率を示すが、それ以下の波長の光に対して大きな吸収を
示し、非常に小さい透過率しか示さないため、例えばフ
ッ素エキシマレーザー用のペリクルの膜材料として使用
するには困難であった。
【0007】一方、無機物の酸化珪素は、紫外光に対し
ても高い透過率を示し、フォトマスクの材料等に使用さ
れている。この酸化珪素をペリクルの膜材料に使用する
ことも提案(特開昭63−26251号公報、特開平2
−62542号公報参照)されているが、一般の酸化珪
素では180nm以下に大きな吸収があるため、フッ素
エキシマレーザーには、ペリクル膜としては使用できな
かった。
ても高い透過率を示し、フォトマスクの材料等に使用さ
れている。この酸化珪素をペリクルの膜材料に使用する
ことも提案(特開昭63−26251号公報、特開平2
−62542号公報参照)されているが、一般の酸化珪
素では180nm以下に大きな吸収があるため、フッ素
エキシマレーザーには、ペリクル膜としては使用できな
かった。
【0008】本発明は、このような問題点に鑑みなされ
たもので、160nm以下の短波長の真空紫外光を照射
しても、光透過率が高く耐久性に優れたペリクル膜から
なるリソグラフィー用ペリクルを提供することを主目的
とするものである。
たもので、160nm以下の短波長の真空紫外光を照射
しても、光透過率が高く耐久性に優れたペリクル膜から
なるリソグラフィー用ペリクルを提供することを主目的
とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたもので、本発明の請求項1に記載
した発明は、少なくともペリクル枠にペリクル膜を貼り
付けたリソグラフィー用ペリクルにおいて、160nm
以下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率が、
50%以上であるペリクル膜を用いてなるものであるこ
とを特徴とするリソグラフィー用ペリクルである。
決するためになされたもので、本発明の請求項1に記載
した発明は、少なくともペリクル枠にペリクル膜を貼り
付けたリソグラフィー用ペリクルにおいて、160nm
以下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率が、
50%以上であるペリクル膜を用いてなるものであるこ
とを特徴とするリソグラフィー用ペリクルである。
【0010】このように、160nm以下のエキシマレ
ーザーを照射したときの光透過率が、50%以上である
ペリクル膜を用いれば、短波長の真空紫外光を照射して
も高い光透過率と解像度とを維持できるので、長寿命か
つ高性能なペリクルとすることができる。
ーザーを照射したときの光透過率が、50%以上である
ペリクル膜を用いれば、短波長の真空紫外光を照射して
も高い光透過率と解像度とを維持できるので、長寿命か
つ高性能なペリクルとすることができる。
【0011】この場合、請求項2に記載したように、ペ
リクル膜の材質を無機フッ化物とすることができる。こ
のように、ペリクル膜の材質を無機フッ化物とすれば、
短波長の真空紫外光を照射しても確実に高い光透過率を
維持でき、また膜質劣化も起こらないので、長寿命かつ
高性能なペリクルとすることができる。
リクル膜の材質を無機フッ化物とすることができる。こ
のように、ペリクル膜の材質を無機フッ化物とすれば、
短波長の真空紫外光を照射しても確実に高い光透過率を
維持でき、また膜質劣化も起こらないので、長寿命かつ
高性能なペリクルとすることができる。
【0012】また、請求項3に記載したように、無機フ
ッ化物として、フッ化カルシウムまたはフッ化マグネシ
ウムを選択することが好ましい。このように、ペリクル
膜の材質をフッ化カルシウムまたはフッ化マグネシウム
とすれば、これら化合物は本来的に非常に幅広い透過波
長領域を有し、真空紫外光の吸収が殆どないため、この
領域で高い透過率を示すペリクルとすることができる。
ッ化物として、フッ化カルシウムまたはフッ化マグネシ
ウムを選択することが好ましい。このように、ペリクル
膜の材質をフッ化カルシウムまたはフッ化マグネシウム
とすれば、これら化合物は本来的に非常に幅広い透過波
長領域を有し、真空紫外光の吸収が殆どないため、この
領域で高い透過率を示すペリクルとすることができる。
【0013】さらに、請求項4に記載したように、ペリ
クル膜の材質が、OH基を10ppm以下含有する酸化
珪素とすることができる。このように、ペリクル膜の材
質として、OH基の含有量を10ppm以下に抑制した
酸化珪素とすれば、従来の酸化珪素膜では使用不能であ
った160nm以下の短波長のレーザー光に対しても使
用できるようになると共に、劣化も生じないので高い透
過率を維持でき、従って長寿命かつ高性能なペリクルと
することができる。
クル膜の材質が、OH基を10ppm以下含有する酸化
珪素とすることができる。このように、ペリクル膜の材
質として、OH基の含有量を10ppm以下に抑制した
酸化珪素とすれば、従来の酸化珪素膜では使用不能であ
った160nm以下の短波長のレーザー光に対しても使
用できるようになると共に、劣化も生じないので高い透
過率を維持でき、従って長寿命かつ高性能なペリクルと
することができる。
【0014】また、請求項5に記載した発明は、ペリク
ル膜の材質が、フッ素をドープした酸化珪素であるリソ
グラフィー用ペリクルである。このように、ペリクル膜
の材質としてフッ素をドープした酸化珪素とすれば、従
来の酸化珪素膜では使用不能であった160nm以下の
短波長のレーザー光に対しても使用できるようになるの
で、前記同様な効果を奏することができる。
ル膜の材質が、フッ素をドープした酸化珪素であるリソ
グラフィー用ペリクルである。このように、ペリクル膜
の材質としてフッ素をドープした酸化珪素とすれば、従
来の酸化珪素膜では使用不能であった160nm以下の
短波長のレーザー光に対しても使用できるようになるの
で、前記同様な効果を奏することができる。
【0015】この場合、請求項6に記載したように、フ
ッ素をドープした酸化珪素のOH基含有量が、10pp
m以下であることが好ましい。このように、OH含有量
を10ppm以下に抑制し、かつフッ素をドープした酸
化珪素とすれば、OH基の含有量の抑制の効果とフッ素
ドープの効果により、上記効果を一層向上させることが
できる。
ッ素をドープした酸化珪素のOH基含有量が、10pp
m以下であることが好ましい。このように、OH含有量
を10ppm以下に抑制し、かつフッ素をドープした酸
化珪素とすれば、OH基の含有量の抑制の効果とフッ素
ドープの効果により、上記効果を一層向上させることが
できる。
【0016】また、請求項7に記載した発明は、ペリク
ル枠とペリクル膜との貼り付けを、弾性接着剤で行った
ものであるリソグラフィー用ペリクルである。このよう
に、ペリクル枠とペリクル膜との貼り付けを弾性接着剤
で行えば、一般に剛直である無機系の材質からなるペリ
クル膜を用いた場合に生じやすい、ペリクル枠の歪みや
変形を緩和することができる。
ル枠とペリクル膜との貼り付けを、弾性接着剤で行った
ものであるリソグラフィー用ペリクルである。このよう
に、ペリクル枠とペリクル膜との貼り付けを弾性接着剤
で行えば、一般に剛直である無機系の材質からなるペリ
クル膜を用いた場合に生じやすい、ペリクル枠の歪みや
変形を緩和することができる。
【0017】この場合、請求項8に記載したように、弾
性接着剤が、シリコーン弾性接着剤とすることができ
る。このように、弾性接着剤として、シリコーン弾性接
着剤を用いれば、ペリクル枠の歪みや変形を緩和する効
果を一層向上させることができる。
性接着剤が、シリコーン弾性接着剤とすることができ
る。このように、弾性接着剤として、シリコーン弾性接
着剤を用いれば、ペリクル枠の歪みや変形を緩和する効
果を一層向上させることができる。
【0018】そして、請求項9に記載した発明は、リソ
グラフィー用ペリクルが、フッ素エキシマレーザーに用
いるものとすることができる。本発明のリソグラフィー
用ペリクルは、短波長であるフッ素エキシマレーザーに
用いても光透過性を損なうことがないので、これを用い
たリソグラフィーにおいて特に有用である。
グラフィー用ペリクルが、フッ素エキシマレーザーに用
いるものとすることができる。本発明のリソグラフィー
用ペリクルは、短波長であるフッ素エキシマレーザーに
用いても光透過性を損なうことがないので、これを用い
たリソグラフィーにおいて特に有用である。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。本発明者らは、前述した問題点を解決すべく鋭意検
討を行った結果、ペリクル膜の材質として160nm以
下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率が、5
0%以上有するものを用いれば、真空紫外光の吸収が非
常に少ない、すなわち、真空紫外域で高い透過率と高解
像度を実現するペリクルを得ることができることを見出
し、諸条件を精査して本発明を完成させた。
て説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。本発明者らは、前述した問題点を解決すべく鋭意検
討を行った結果、ペリクル膜の材質として160nm以
下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率が、5
0%以上有するものを用いれば、真空紫外光の吸収が非
常に少ない、すなわち、真空紫外域で高い透過率と高解
像度を実現するペリクルを得ることができることを見出
し、諸条件を精査して本発明を完成させた。
【0020】以下、本発明のリソグラフィー用ペリクル
の特徴であるペリクル膜について詳細に説明する。本発
明のリソグラフィー用ペリクルのペリクル膜の材質は、
原則として160nm以下のエキシマレーザーを照射し
たときの光透過率が50%以上有するものであれば、如
何なるものを使用しても構わない。上述のように波長が
193nmであるArFエキシマレーザーを照射して
も、ある程度高い透過率を示す材質は既に存在している
が、このArFエキシマレーザーよりも短波長、すなわ
ち160nm以下のエキシマレーザーを照射した場合
に、高い透過率を示すペリクル膜は存在しなかった。
の特徴であるペリクル膜について詳細に説明する。本発
明のリソグラフィー用ペリクルのペリクル膜の材質は、
原則として160nm以下のエキシマレーザーを照射し
たときの光透過率が50%以上有するものであれば、如
何なるものを使用しても構わない。上述のように波長が
193nmであるArFエキシマレーザーを照射して
も、ある程度高い透過率を示す材質は既に存在している
が、このArFエキシマレーザーよりも短波長、すなわ
ち160nm以下のエキシマレーザーを照射した場合
に、高い透過率を示すペリクル膜は存在しなかった。
【0021】ここで、160nm以下のエキシマレーザ
ーとして、フッ素エキシマレーザー(波長158n
m)、Kr2 エキシマレーザー(波長146nm)、A
r2 エキシマレーザー(波長126nm)等が具体的に
例示される。なお、これらエキシマレーザーを照射した
時、透過率が50%以上、好ましくは70%以上、より
好ましくは80%以上であれば解像度を損なうことな
く、LSI等の半導体デバイスにおける所望のパターニ
ングが可能となることが経験的に認められている。
ーとして、フッ素エキシマレーザー(波長158n
m)、Kr2 エキシマレーザー(波長146nm)、A
r2 エキシマレーザー(波長126nm)等が具体的に
例示される。なお、これらエキシマレーザーを照射した
時、透過率が50%以上、好ましくは70%以上、より
好ましくは80%以上であれば解像度を損なうことな
く、LSI等の半導体デバイスにおける所望のパターニ
ングが可能となることが経験的に認められている。
【0022】本発明者らは、このような特性を具備した
ペリクル膜の材質として最適な材質を種々検討を行った
結果、無機フッ化物、OH基含有量を10ppm以下と
した酸化珪素およびフッ素をドープした酸化珪素が、幅
広い透過波長領域を有し、真空紫外域で光吸収が非常に
少ないことを見出した。従って、これらのいずれかを1
60nm以下の短波長で使用されるペリクル膜の材質と
して用いれば、高い透過率を示すと共に劣化の少ない耐
久性に優れたペリクルを得ることができることを見出し
上記目的が達成された。
ペリクル膜の材質として最適な材質を種々検討を行った
結果、無機フッ化物、OH基含有量を10ppm以下と
した酸化珪素およびフッ素をドープした酸化珪素が、幅
広い透過波長領域を有し、真空紫外域で光吸収が非常に
少ないことを見出した。従って、これらのいずれかを1
60nm以下の短波長で使用されるペリクル膜の材質と
して用いれば、高い透過率を示すと共に劣化の少ない耐
久性に優れたペリクルを得ることができることを見出し
上記目的が達成された。
【0023】まず、無機フッ化物をペリクル膜の材質と
する場合について説明する。無機フッ化物として、具体
的にフッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化カルシ
ウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フ
ッ化バリウム、フッ化スカンジウム、フッ化チタン、フ
ッ化銅、フッ化亜鉛等が例示される。これらのうち、特
にフッ化カルシウムやフッ化マグネシウムは、130n
m〜10μmという極めて幅広い透過波長領域を有し、
真空紫外域で光吸収が非常に少ないことを見出した。従
って、フッ化カルシウムまたはフッ化マグネシウムをペ
リクル膜の材質として用いれば、高い透過率を示し長寿
命かつ高性能なペリクルを安価かつ容易に得ることがで
きる。
する場合について説明する。無機フッ化物として、具体
的にフッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化カルシ
ウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フ
ッ化バリウム、フッ化スカンジウム、フッ化チタン、フ
ッ化銅、フッ化亜鉛等が例示される。これらのうち、特
にフッ化カルシウムやフッ化マグネシウムは、130n
m〜10μmという極めて幅広い透過波長領域を有し、
真空紫外域で光吸収が非常に少ないことを見出した。従
って、フッ化カルシウムまたはフッ化マグネシウムをペ
リクル膜の材質として用いれば、高い透過率を示し長寿
命かつ高性能なペリクルを安価かつ容易に得ることがで
きる。
【0024】なお、無機フッ化物をペリクル膜として使
用する場合には、薄膜状とすればよい。薄膜化する方法
は特に制限されず従来公知の方法を用いればよいが、例
えば無機フッ化物の結晶からペリクルサイズの板を切り
出し、光学研磨を施すことにより得ることができる。ま
た、シリコンウェーハや石英板のような平滑な基板上に
スパッタ法を用いて成膜した後、基板を除去して薄膜を
得ることもできる。
用する場合には、薄膜状とすればよい。薄膜化する方法
は特に制限されず従来公知の方法を用いればよいが、例
えば無機フッ化物の結晶からペリクルサイズの板を切り
出し、光学研磨を施すことにより得ることができる。ま
た、シリコンウェーハや石英板のような平滑な基板上に
スパッタ法を用いて成膜した後、基板を除去して薄膜を
得ることもできる。
【0025】この場合、ペリクル膜の厚さは、0.5μ
mよりも薄いとメンブレン化したときの膜強度が不足
し、一方20mmより厚くなると光の透過率が低下する
ことがあるので、0.5μm〜20mmの範囲とするこ
とが望ましいが、10μm〜10mmの範囲とすれば上
記不具合を確実に解消できる。
mよりも薄いとメンブレン化したときの膜強度が不足
し、一方20mmより厚くなると光の透過率が低下する
ことがあるので、0.5μm〜20mmの範囲とするこ
とが望ましいが、10μm〜10mmの範囲とすれば上
記不具合を確実に解消できる。
【0026】次に、OH基含有量を10ppm以下とし
た酸化珪素およびフッ素をドープした酸化珪素について
説明する。本発明者等は、従来から提案されている酸化
珪素も非晶質フッ素ポリマーと同様に、160nm以下
の波長で光透過率が低下することから、これを回避すべ
く鋭意検討した結果、OH基含有量を10ppm以下と
した酸化珪素またはフッ素をドープした酸化珪素を用い
ればよいことに想到した。すなわち、酸化珪素にフッ素
をドープするか、酸化珪素のOH基含有量を10ppm
以下とすれば160nm以下の真空紫外域において透過
波長領域を有し、高い透過率を示すことを見出し上記目
的を達成するに至った。
た酸化珪素およびフッ素をドープした酸化珪素について
説明する。本発明者等は、従来から提案されている酸化
珪素も非晶質フッ素ポリマーと同様に、160nm以下
の波長で光透過率が低下することから、これを回避すべ
く鋭意検討した結果、OH基含有量を10ppm以下と
した酸化珪素またはフッ素をドープした酸化珪素を用い
ればよいことに想到した。すなわち、酸化珪素にフッ素
をドープするか、酸化珪素のOH基含有量を10ppm
以下とすれば160nm以下の真空紫外域において透過
波長領域を有し、高い透過率を示すことを見出し上記目
的を達成するに至った。
【0027】ここで、OH基含有量を10ppm以下に
低減化した酸化珪素を得る方法は、特に限定されない
が、例えばSiCl4 と酸素と水素との混合ガスを70
0℃で連続して反応させ、堆積物(スート)を得た後、
この堆積物を塩素で処理し、その後溶融させることによ
り得ることができる。得られた酸化珪素のOH基含有量
は、例えば赤外分光(IR)分析や固体プロトンNMR
測定により定量することができる。そして、このように
して得られた酸化珪素をペリクルサイズに成形、薄膜化
した後、光学研磨を施すと所望のペリクル膜が得られ
る。
低減化した酸化珪素を得る方法は、特に限定されない
が、例えばSiCl4 と酸素と水素との混合ガスを70
0℃で連続して反応させ、堆積物(スート)を得た後、
この堆積物を塩素で処理し、その後溶融させることによ
り得ることができる。得られた酸化珪素のOH基含有量
は、例えば赤外分光(IR)分析や固体プロトンNMR
測定により定量することができる。そして、このように
して得られた酸化珪素をペリクルサイズに成形、薄膜化
した後、光学研磨を施すと所望のペリクル膜が得られ
る。
【0028】フッ素をドープした酸化珪素を得る方法
も、特に限定されないが、例えばSiH4 と酸素とSi
F4 との混合ガスに高周波を印加し、基板上にフッ素を
ドープしたガラス状の酸化珪素の薄膜を形成させて得る
ことができる。この場合、得られたフッ素をドープした
酸化珪素によって、上記目的を確実に達成するために
は、OH基含有量を10ppm以下とすることが望まし
い。
も、特に限定されないが、例えばSiH4 と酸素とSi
F4 との混合ガスに高周波を印加し、基板上にフッ素を
ドープしたガラス状の酸化珪素の薄膜を形成させて得る
ことができる。この場合、得られたフッ素をドープした
酸化珪素によって、上記目的を確実に達成するために
は、OH基含有量を10ppm以下とすることが望まし
い。
【0029】このようにOH基を低減化し、かつフッ素
をドープした酸化珪素を得るには、SiCl4 と酸素と
水素との混合ガスを700℃にて連続して反応させ、堆
積物(スート)を得た後、この堆積物を1200℃で塩
素で処理し、次いで1200℃にてSiF4 ガス雰囲気
下で燒結させてもよい。なお、OH基の含有量は、上記
同様に赤外分光分析等によって確認することができる。
次いで、これをペリクルサイズに成形加工した後、光学
研磨を施すと所望のペリクル膜が得られる。
をドープした酸化珪素を得るには、SiCl4 と酸素と
水素との混合ガスを700℃にて連続して反応させ、堆
積物(スート)を得た後、この堆積物を1200℃で塩
素で処理し、次いで1200℃にてSiF4 ガス雰囲気
下で燒結させてもよい。なお、OH基の含有量は、上記
同様に赤外分光分析等によって確認することができる。
次いで、これをペリクルサイズに成形加工した後、光学
研磨を施すと所望のペリクル膜が得られる。
【0030】このようにして得られたペリクル膜の厚さ
は、1μmよりも薄いとメンブレン化したときの膜強度
が不足する場合があり、20mmより厚いと光透過率が
低下することがあるので、1μm〜20mmの範囲とす
ることが望ましいが、上記不具合を回避するため10μ
m〜10mmとするのが特に望ましい。
は、1μmよりも薄いとメンブレン化したときの膜強度
が不足する場合があり、20mmより厚いと光透過率が
低下することがあるので、1μm〜20mmの範囲とす
ることが望ましいが、上記不具合を回避するため10μ
m〜10mmとするのが特に望ましい。
【0031】以上のように、本発明のリソグラフィー用
ペリクルは、真空紫外域で優れた透過率と高解像度の実
現を可能とするペリクル膜を具備していることを特徴と
する。すなわち、上記いずれかの物質をペリクル膜の材
質としたことを特徴とするリソグラフィー用ペリクルで
ある。なお、上記いずれかの材質からなるペリクル膜を
ペリクル枠に貼り付けてリソグラフィー用ペリクルとす
るには、弾性接着剤を用いることが好ましい。
ペリクルは、真空紫外域で優れた透過率と高解像度の実
現を可能とするペリクル膜を具備していることを特徴と
する。すなわち、上記いずれかの物質をペリクル膜の材
質としたことを特徴とするリソグラフィー用ペリクルで
ある。なお、上記いずれかの材質からなるペリクル膜を
ペリクル枠に貼り付けてリソグラフィー用ペリクルとす
るには、弾性接着剤を用いることが好ましい。
【0032】すなわち、ペリクル枠の材質としてアルミ
ニウムを用い、ペリクル膜として上記いずれかの材質を
用いた場合には、双方とも剛直であるため弾性接着剤で
双方を接着すればペリクル枠の歪みや変形を吸収するこ
とができるからである。この場合、弾性接着剤として好
適な硬度は、JIS−K−6253(A型デュロメータ
法)における硬度に則して具体的に例示すれば、硬度が
10より小さいとペリクル枠が変形し易く、90より大
きいと変形吸収性が低下することがあるので、10〜9
0の範囲にあることが望ましく、より望ましくは20〜
80の範囲である。
ニウムを用い、ペリクル膜として上記いずれかの材質を
用いた場合には、双方とも剛直であるため弾性接着剤で
双方を接着すればペリクル枠の歪みや変形を吸収するこ
とができるからである。この場合、弾性接着剤として好
適な硬度は、JIS−K−6253(A型デュロメータ
法)における硬度に則して具体的に例示すれば、硬度が
10より小さいとペリクル枠が変形し易く、90より大
きいと変形吸収性が低下することがあるので、10〜9
0の範囲にあることが望ましく、より望ましくは20〜
80の範囲である。
【0033】このような弾性接着剤として、湿気による
硬化が可能な加水分解性基や紫外線等による光硬化が可
能なビニル基、アクリル基、(メタ)アクリル基等のラ
ジカル重合性基を有するエラストマーを用いることがで
きる。さらに、このエラストマーとして、シリコーン
系、ポリサルファイド系、ポリウレタン系、アクリルウ
レタン系、ポリ塩化ビニル系、クロロプレン系、クロロ
スルホン化ポリエチレン系、エチレンプロピレン系、ア
スファルト含有ポリウレタン系等が例示される。なお、
上記樹脂の二種以上を適宜混合して使用しても構わな
い。
硬化が可能な加水分解性基や紫外線等による光硬化が可
能なビニル基、アクリル基、(メタ)アクリル基等のラ
ジカル重合性基を有するエラストマーを用いることがで
きる。さらに、このエラストマーとして、シリコーン
系、ポリサルファイド系、ポリウレタン系、アクリルウ
レタン系、ポリ塩化ビニル系、クロロプレン系、クロロ
スルホン化ポリエチレン系、エチレンプロピレン系、ア
スファルト含有ポリウレタン系等が例示される。なお、
上記樹脂の二種以上を適宜混合して使用しても構わな
い。
【0034】これらのうち、取扱性や耐光性等を考慮す
るとシリコーン系、特に室温硬化型シリコーンゴムを用
いることが好ましく、具体的に室温硬化に供する反応性
基として、メチルエチルケトオキシム基、アセトキシ
基、アルコキシ基、イソプロペノキシ基、アミノ基また
はアミド基等を有する室温硬化型シリコーンゴムを用い
ることが望ましい。これら例示したものの中で、電気・
電子用に適したアシロキシ基、アルコキシ基またはイソ
プロペノキシ基を有する室温硬化型シリコーンゴムを選
択することが更に望ましい。この場合、いわゆる1液型
と2液型の何れも使用することができるが、作業性の良
好な1液型室温硬化性シリコーンゴムを用いることが好
ましい。
るとシリコーン系、特に室温硬化型シリコーンゴムを用
いることが好ましく、具体的に室温硬化に供する反応性
基として、メチルエチルケトオキシム基、アセトキシ
基、アルコキシ基、イソプロペノキシ基、アミノ基また
はアミド基等を有する室温硬化型シリコーンゴムを用い
ることが望ましい。これら例示したものの中で、電気・
電子用に適したアシロキシ基、アルコキシ基またはイソ
プロペノキシ基を有する室温硬化型シリコーンゴムを選
択することが更に望ましい。この場合、いわゆる1液型
と2液型の何れも使用することができるが、作業性の良
好な1液型室温硬化性シリコーンゴムを用いることが好
ましい。
【0035】このようにして得られた本発明のリソグラ
フィー用ペリクルは、上述のように160nm以下の波
長で光吸収を持たず、しかも、幅広い波長領域で高い透
過率を示すことができる。従って、露光時に基板、例え
ばシリコンウエーハに与えられるエネルギーが多くなる
という有利性が得られる。また、透過率が高いというこ
とは、それだけ吸収される光が少ないということであ
り、耐光性の面でも有利になる。
フィー用ペリクルは、上述のように160nm以下の波
長で光吸収を持たず、しかも、幅広い波長領域で高い透
過率を示すことができる。従って、露光時に基板、例え
ばシリコンウエーハに与えられるエネルギーが多くなる
という有利性が得られる。また、透過率が高いというこ
とは、それだけ吸収される光が少ないということであ
り、耐光性の面でも有利になる。
【0036】さらに、本発明のペリクルは、従来不可能
であった160nm以下のエキシマレーザーを照射して
も高い透過率を示すと共に、その透過率を損なうことが
ない。特に、従来使用することが困難であったフッ素エ
キシマレーザーを照射しても、高い透過率を発揮し、ペ
リクル膜の特性を損なうことがない。従って、フッ素エ
キシマレーザーを用いたリソグラフィー用ペリクルとし
て、特に有用である。
であった160nm以下のエキシマレーザーを照射して
も高い透過率を示すと共に、その透過率を損なうことが
ない。特に、従来使用することが困難であったフッ素エ
キシマレーザーを照射しても、高い透過率を発揮し、ペ
リクル膜の特性を損なうことがない。従って、フッ素エ
キシマレーザーを用いたリソグラフィー用ペリクルとし
て、特に有用である。
【0037】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例を挙げて
説明する。 (実施例1)ペリクルサイズ149mm×122mmに
切り出し、厚みを1mmの板状に加工した後、結晶板の
両面に光学研磨を行なったフッ化カルシウムの結晶を用
意した。次いで、この結晶板を界面活性剤水溶液により
超音波洗浄後、純水ですすぎ洗浄を行い、異物のない清
浄な結晶板とした。
説明する。 (実施例1)ペリクルサイズ149mm×122mmに
切り出し、厚みを1mmの板状に加工した後、結晶板の
両面に光学研磨を行なったフッ化カルシウムの結晶を用
意した。次いで、この結晶板を界面活性剤水溶液により
超音波洗浄後、純水ですすぎ洗浄を行い、異物のない清
浄な結晶板とした。
【0038】アルミ製ペリクルフレームの片端面にJI
S−K−6253(A型デュロメータ法)における硬度
が30である一液型シリコーン弾性接着剤(KE42、
信越化学工業(株)製)を塗布し、上記で得られたフッ
化カルシウム結晶板をペリクルフレームに接着した。次
に、フッ素エキシマレーザー光(158nm)を照射し
て、このペリクルの透過率を調べたところ85%の透過
率を示した。この測定結果を表1に示した。
S−K−6253(A型デュロメータ法)における硬度
が30である一液型シリコーン弾性接着剤(KE42、
信越化学工業(株)製)を塗布し、上記で得られたフッ
化カルシウム結晶板をペリクルフレームに接着した。次
に、フッ素エキシマレーザー光(158nm)を照射し
て、このペリクルの透過率を調べたところ85%の透過
率を示した。この測定結果を表1に示した。
【0039】(実施例2)ペリクルサイズ149mm×
122mmに切り出し、厚みを1mmの板状に加工した
後、結晶板の両面に光学研磨を行なったフッ化マグネシ
ウムの結晶を用意した。次いで、この結晶板を界面活性
剤水溶液により超音波洗浄後、さらに純水ですすぎ洗浄
を行い、異物のない清浄な結晶板とした。実施例1と同
様にして、上記で得られたフッ化マグネシウム結晶板を
ペリクルフレームに接着した。次に、フッ素エキシマレ
ーザー光を照射して、このペリクルの透過率を調べたと
ころ83%の透過率を示した。この測定結果を表1に示
した。
122mmに切り出し、厚みを1mmの板状に加工した
後、結晶板の両面に光学研磨を行なったフッ化マグネシ
ウムの結晶を用意した。次いで、この結晶板を界面活性
剤水溶液により超音波洗浄後、さらに純水ですすぎ洗浄
を行い、異物のない清浄な結晶板とした。実施例1と同
様にして、上記で得られたフッ化マグネシウム結晶板を
ペリクルフレームに接着した。次に、フッ素エキシマレ
ーザー光を照射して、このペリクルの透過率を調べたと
ころ83%の透過率を示した。この測定結果を表1に示
した。
【0040】(実施例3)SiCl4 が200cc/m
in、酸素が400cc/min、水素が800cc/
minからなる混合ガスを、700℃で連続して反応さ
せ堆積物(スート)を得た。この堆積物を200cc/
minの塩素ガス流通下で500℃にて処理し、次いで
1200℃で溶融させることで、OH基の含有量を抑制
した酸化珪素を得た。IR(赤外分光)で分析したとこ
ろ、OH基の含有量は1ppmであった。
in、酸素が400cc/min、水素が800cc/
minからなる混合ガスを、700℃で連続して反応さ
せ堆積物(スート)を得た。この堆積物を200cc/
minの塩素ガス流通下で500℃にて処理し、次いで
1200℃で溶融させることで、OH基の含有量を抑制
した酸化珪素を得た。IR(赤外分光)で分析したとこ
ろ、OH基の含有量は1ppmであった。
【0041】これを、149mm×122mmのペリク
ルサイズに成形、薄膜化した後、光学研磨を施すことに
より、厚さ400μmのOH基の含有量を抑制した酸化
珪素膜を得た。次いで、実施例1と同様にしてアルミ製
のペリクル枠に貼り付けてペリクルを得た。次に、フッ
素エキシマレーザー光を照射して、このペリクルの透過
率を調べたところ81%の透過率を示した。この測定結
果を表1に示した。
ルサイズに成形、薄膜化した後、光学研磨を施すことに
より、厚さ400μmのOH基の含有量を抑制した酸化
珪素膜を得た。次いで、実施例1と同様にしてアルミ製
のペリクル枠に貼り付けてペリクルを得た。次に、フッ
素エキシマレーザー光を照射して、このペリクルの透過
率を調べたところ81%の透過率を示した。この測定結
果を表1に示した。
【0042】(実施例4)厚さが400μmのシリコン
基板上に、SiH4 が20cc/min、SiF 4 が5
0cc/min、酸素が50cc/minからなる混合
ガスを流し、ここに13.56MHzの高周波を印加
し、高周波マグネトロンスパッタ法で該基板上に厚さ5
0μmのフッ素ドープした酸化珪素膜を形成させた。X
線マイクロアナライザーで分析したところ、それぞれの
原子のモル存在比は、珪素が32%、酸素が62%、フ
ッ素が6%であった。また、IR(赤外分光)で分析し
たところ、OH基含有量は200ppmであった。
基板上に、SiH4 が20cc/min、SiF 4 が5
0cc/min、酸素が50cc/minからなる混合
ガスを流し、ここに13.56MHzの高周波を印加
し、高周波マグネトロンスパッタ法で該基板上に厚さ5
0μmのフッ素ドープした酸化珪素膜を形成させた。X
線マイクロアナライザーで分析したところ、それぞれの
原子のモル存在比は、珪素が32%、酸素が62%、フ
ッ素が6%であった。また、IR(赤外分光)で分析し
たところ、OH基含有量は200ppmであった。
【0043】これを95mlの65%HNO3 水溶液、
5mlの40%HF水溶液と1gのNaNO3 の混合液
に浸してシリコン基板をエッチングし、フッ素ドープ酸
化珪素膜を得た。この膜を149mm×122mmに切
り出し、次いで実施例1と同様にしてアルミ製のペリク
ル枠に貼り付けてペリクルを得た。次に、フッ素エキシ
マレーザー光を照射して、このペリクルの透過率を調べ
たところ85%の透過率を示した。この測定結果を表1
に示した。
5mlの40%HF水溶液と1gのNaNO3 の混合液
に浸してシリコン基板をエッチングし、フッ素ドープ酸
化珪素膜を得た。この膜を149mm×122mmに切
り出し、次いで実施例1と同様にしてアルミ製のペリク
ル枠に貼り付けてペリクルを得た。次に、フッ素エキシ
マレーザー光を照射して、このペリクルの透過率を調べ
たところ85%の透過率を示した。この測定結果を表1
に示した。
【0044】(実施例5)SiH4 が100cc/mi
n、SiF4 が200cc/min、酸素が500cc
/minからなる混合ガスを、700℃で連続して反応
させ堆積物(スート)を得た。この堆積物を1200℃
でSiF4 ガス雰囲気下で燒結して、フッ素ドープ酸化
珪素ガラスを得た。X線マイクロアナライザーで分析し
たところ、それぞれの原子のモル存在比は、珪素が32
%、酸素が64%、フッ素が4%であった。また、IR
(赤外分光)で分析したところ、OH含有量は250p
pmであった。
n、SiF4 が200cc/min、酸素が500cc
/minからなる混合ガスを、700℃で連続して反応
させ堆積物(スート)を得た。この堆積物を1200℃
でSiF4 ガス雰囲気下で燒結して、フッ素ドープ酸化
珪素ガラスを得た。X線マイクロアナライザーで分析し
たところ、それぞれの原子のモル存在比は、珪素が32
%、酸素が64%、フッ素が4%であった。また、IR
(赤外分光)で分析したところ、OH含有量は250p
pmであった。
【0045】これを厚み1mmの板に切り出し、光学研
磨を行うことにより、厚み400μmのフッ素ドープ酸
化珪素膜を得た。この膜を149mm×122mmに切
り出し、次いで実施例1と同様にしてアルミ製のペリク
ル枠に貼り付けてペリクルを得た。次に、フッ素エキシ
マレーザー光を照射して、このペリクルの透過率を調べ
たところ83%の透過率を示した。この測定結果を表1
に示した。
磨を行うことにより、厚み400μmのフッ素ドープ酸
化珪素膜を得た。この膜を149mm×122mmに切
り出し、次いで実施例1と同様にしてアルミ製のペリク
ル枠に貼り付けてペリクルを得た。次に、フッ素エキシ
マレーザー光を照射して、このペリクルの透過率を調べ
たところ83%の透過率を示した。この測定結果を表1
に示した。
【0046】(実施例6)SiCl4 が200cc/m
in、酸素が400cc/min、水素が800cc/
minからなる混合ガスを、700℃で連続して反応さ
せ堆積物(スート)を得た。この堆積物を200cc/
minの塩素ガス流通下で500℃にて処理し、次いで
1200℃でSiF4 ガス雰囲気下で燒結して、OH基
の含有量を抑制し、かつフッ素をドープした酸化珪素ガ
ラスを得た。X線マイクロアナライザーで分析したとこ
ろ、それぞれの原子のモル存在比は、珪素が32%、酸
素が64%、フッ素が4%であった。IR(赤外分光)
で分析したところ、OH基の含有量は0.8ppmであ
った。
in、酸素が400cc/min、水素が800cc/
minからなる混合ガスを、700℃で連続して反応さ
せ堆積物(スート)を得た。この堆積物を200cc/
minの塩素ガス流通下で500℃にて処理し、次いで
1200℃でSiF4 ガス雰囲気下で燒結して、OH基
の含有量を抑制し、かつフッ素をドープした酸化珪素ガ
ラスを得た。X線マイクロアナライザーで分析したとこ
ろ、それぞれの原子のモル存在比は、珪素が32%、酸
素が64%、フッ素が4%であった。IR(赤外分光)
で分析したところ、OH基の含有量は0.8ppmであ
った。
【0047】これを、厚み1mmの板に切り出し、光学
研磨を行うことにより、厚み400μmのOH基の含有
量を抑制し、かつフッ素をドープした酸化珪素膜を得
た。この膜を149mm×122mmに切り出し、次い
で、実施例1と同様にしてアルミ製のペリクル枠に貼り
付けてペリクルを得た。次に、フッ素エキシマレーザー
光を照射して、このペリクルの透過率を調べたところ8
8%の透過率を示した。この測定結果を表1に示した。
研磨を行うことにより、厚み400μmのOH基の含有
量を抑制し、かつフッ素をドープした酸化珪素膜を得
た。この膜を149mm×122mmに切り出し、次い
で、実施例1と同様にしてアルミ製のペリクル枠に貼り
付けてペリクルを得た。次に、フッ素エキシマレーザー
光を照射して、このペリクルの透過率を調べたところ8
8%の透過率を示した。この測定結果を表1に示した。
【0048】(比較例1)膜材料としてサイトップ[旭
硝子(株)製商品名]を、その溶剤・CTsolv.1
80[旭硝子(株)製商品名]に溶解して5%溶液とし
た。次いで、この溶液を表面研磨したシリコン基板に、
スピンコーターを用いて膜厚1μmの透明膜として形成
した。その後シリコン基板から薄膜を剥離し、実施例1
と同様にしてアルミ製のペリクル枠に貼り付けることで
ペリクルを得た。このペリクルの透過率を測定すると、
表1に示すようにフッ素エキシマレーザー光に対する透
過率は2%と、非常に低い値を示した。
硝子(株)製商品名]を、その溶剤・CTsolv.1
80[旭硝子(株)製商品名]に溶解して5%溶液とし
た。次いで、この溶液を表面研磨したシリコン基板に、
スピンコーターを用いて膜厚1μmの透明膜として形成
した。その後シリコン基板から薄膜を剥離し、実施例1
と同様にしてアルミ製のペリクル枠に貼り付けることで
ペリクルを得た。このペリクルの透過率を測定すると、
表1に示すようにフッ素エキシマレーザー光に対する透
過率は2%と、非常に低い値を示した。
【0049】(比較例2)膜材料としての合成石英VO
SIL[信越化学工業(株)製]に光学研磨を行い、厚
さ500μmの酸化珪素膜を得た。IR(赤外分光)に
より、OH基含有量を分析したところ450ppmであ
った。この膜を実施例1と同様にして、アルミ製のペリ
クル枠に取り付けることでペリクルを得た。次に、フッ
素エキシマレーザー光を照射して、このペリクルの透過
率を調べたところ1%と非常に低い値を示した。この測
定結果を表1に示した。
SIL[信越化学工業(株)製]に光学研磨を行い、厚
さ500μmの酸化珪素膜を得た。IR(赤外分光)に
より、OH基含有量を分析したところ450ppmであ
った。この膜を実施例1と同様にして、アルミ製のペリ
クル枠に取り付けることでペリクルを得た。次に、フッ
素エキシマレーザー光を照射して、このペリクルの透過
率を調べたところ1%と非常に低い値を示した。この測
定結果を表1に示した。
【0050】
【表1】
【0051】表1に示す結果から明らかなように、従来
から使用されていたサイトップ等のフッ素系樹脂からな
るペリクル膜を有するペリクルは、フッ素エキシマレー
ザーの波長である158nmにおいて非常に低い透過率
しか有しないので、実際のペリクルとしての機能は限定
される。しかし、本発明のフッ化カルシウムやフッ化マ
グネシウム等の無機フッ化物、OH含有量が10ppm
以下である酸化珪素あるいはフッ素をドープした酸化珪
素からなるペリクル膜を有するペリクルは、160nm
以下の波長でも大きな吸収を持たず、158nmにおい
ても非常に高い透過率を示す。従って、これらの無機フ
ッ化物をペリクル膜材料に使用すれば、フッ素エキシマ
レーザーリソグラフィーに対しても光透過率が高い高性
能なペリクルを提供することができる。
から使用されていたサイトップ等のフッ素系樹脂からな
るペリクル膜を有するペリクルは、フッ素エキシマレー
ザーの波長である158nmにおいて非常に低い透過率
しか有しないので、実際のペリクルとしての機能は限定
される。しかし、本発明のフッ化カルシウムやフッ化マ
グネシウム等の無機フッ化物、OH含有量が10ppm
以下である酸化珪素あるいはフッ素をドープした酸化珪
素からなるペリクル膜を有するペリクルは、160nm
以下の波長でも大きな吸収を持たず、158nmにおい
ても非常に高い透過率を示す。従って、これらの無機フ
ッ化物をペリクル膜材料に使用すれば、フッ素エキシマ
レーザーリソグラフィーに対しても光透過率が高い高性
能なペリクルを提供することができる。
【0052】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【0053】例えば、本発明において、160nm以下
のエキシマレーザーのうち、フッ素エキシマレーザーに
ついて具体的に説明したが、Kr2 エキシマレーザーを
はじめとするその他のエキシマレーザーについても同様
な効果を奏することができる。
のエキシマレーザーのうち、フッ素エキシマレーザーに
ついて具体的に説明したが、Kr2 エキシマレーザーを
はじめとするその他のエキシマレーザーについても同様
な効果を奏することができる。
【0054】
【発明の効果】本発明のように、ペリクル膜の材質とし
て無機フッ化物、OH含有量が10ppm以下の酸化珪
素またはフッ素をドープした酸化珪素のいずれかを用い
れば、幅広い透過波長領域を有し、160nm以下の真
空紫外域で光吸収が非常に少ないため、高い透過率と高
解像度を実現できるリソグラフィー用ペリクルとするこ
とができる。
て無機フッ化物、OH含有量が10ppm以下の酸化珪
素またはフッ素をドープした酸化珪素のいずれかを用い
れば、幅広い透過波長領域を有し、160nm以下の真
空紫外域で光吸収が非常に少ないため、高い透過率と高
解像度を実現できるリソグラフィー用ペリクルとするこ
とができる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成12年3月27日(2000.3.2
7)
7)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0025
【補正方法】変更
【補正内容】
【0025】この場合、ペリクル膜の厚さは、1μmよ
りも薄いとメンブレン化したときの膜強度が不足し、一
方20mmより厚くなると光の透過率が低下することが
あるので、1μm〜20mmの範囲とすることが望まし
いが、10μm〜10mmの範囲とすれば上記不具合を
確実に解消できる。
りも薄いとメンブレン化したときの膜強度が不足し、一
方20mmより厚くなると光の透過率が低下することが
あるので、1μm〜20mmの範囲とすることが望まし
いが、10μm〜10mmの範囲とすれば上記不具合を
確実に解消できる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0049
【補正方法】変更
【補正内容】
【0049】(比較例2)膜材料としての合成石英VI
OSIL[信越化学工業(株)製]に光学研磨を行い、
厚さ500μmの酸化珪素膜を得た。IR(赤外分光)
により、OH基含有量を分析したところ450ppmで
あった。この膜を実施例1と同様にして、アルミ製のペ
リクル枠に取り付けることでペリクルを得た。次に、フ
ッ素エキシマレーザー光を照射して、このペリクルの透
過率を調べたところ1%と非常に低い値を示した。この
測定結果を表1に示した。
OSIL[信越化学工業(株)製]に光学研磨を行い、
厚さ500μmの酸化珪素膜を得た。IR(赤外分光)
により、OH基含有量を分析したところ450ppmで
あった。この膜を実施例1と同様にして、アルミ製のペ
リクル枠に取り付けることでペリクルを得た。次に、フ
ッ素エキシマレーザー光を照射して、このペリクルの透
過率を調べたところ1%と非常に低い値を示した。この
測定結果を表1に示した。
Claims (9)
- 【請求項1】 少なくともペリクル枠にペリクル膜を貼
り付けたリソグラフィー用ペリクルにおいて、160n
m以下のエキシマレーザーを照射したときの光透過率
が、50%以上であるペリクル膜を用いてなるものであ
ることを特徴とするリソグラフィー用ペリクル。 - 【請求項2】 前記ペリクル膜の材質が、無機フッ化物
であることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ
ー用ペリクル。 - 【請求項3】 前記無機フッ化物が、フッ化カルシウム
またはフッ化マグネシウムであることを特徴とする請求
項2に記載のリソグラフィー用ペリクル。 - 【請求項4】 前記ペリクル膜の材質が、OH基を10
ppm以下含有する酸化珪素であることを特徴とする請
求項1に記載のリソグラフィー用ペリクル。 - 【請求項5】 前記ペリクル膜の材質が、フッ素をドー
プした酸化珪素であることを特徴とする請求項1に記載
のリソグラフィー用ペリクル。 - 【請求項6】 前記フッ素をドープした酸化珪素のOH
基含有量が、10ppm以下であることを特徴とする請
求項5に記載のリソグラフィー用ペリクル。 - 【請求項7】 前記ペリクル枠とペリクル膜との貼り付
けを、弾性接着剤で行ったものであることを特徴とする
請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のリソグラ
フィー用ペリクル。 - 【請求項8】 前記弾性接着剤が、シリコーン弾性接着
剤であることを特徴とする請求項7に記載のリソグラフ
ィー用ペリクル。 - 【請求項9】 前記リソグラフィー用ペリクルが、フッ
素エキシマレーザーに用いるものであることを特徴とす
る請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のリソグ
ラフィー用ペリクル。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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---|---|---|---|
JP9625399A JP2000292908A (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | リソグラフィー用ペリクル |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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ID=14160056
Family Applications (1)
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7351503B2 (en) | 2001-01-22 | 2008-04-01 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle in intimate contact with the surface of a photomask |
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JP2009271262A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
JP2011095586A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルおよびその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20060091303A (ko) * | 2003-09-23 | 2006-08-18 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 칩 생산에 사용된 레티클을 오염으로부터 보호하기 위한방법과 장치 |
KR100819638B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2008-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 펠리클 장치 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
WO2012092617A2 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Improved silicone membrane for lamination process |
US9880462B2 (en) | 2014-11-28 | 2018-01-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pellicle and exposure mask including the same |
US9759997B2 (en) * | 2015-12-17 | 2017-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle assembly and method for advanced lithography |
KR102574161B1 (ko) | 2018-02-06 | 2023-09-06 | 삼성전자주식회사 | 펠리클 및 이를 포함하는 레티클 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6326251A (ja) | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Sintokogio Ltd | 低圧鋳造装置 |
JPH0262542A (ja) | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル |
JP3089153B2 (ja) * | 1993-12-13 | 2000-09-18 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィー用ペリクル |
JPH0867530A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-03-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 紫外光用光学ガラス |
JP3529062B2 (ja) * | 1994-10-07 | 2004-05-24 | 株式会社渡辺商行 | ペリクル及びレチクル |
CA2251638A1 (en) * | 1997-02-13 | 1998-08-20 | Mitsui Chemicals, Incorporated | Pellicle membrane for ultraviolet rays and pellicle |
ATE324619T1 (de) * | 2000-06-01 | 2006-05-15 | Asahi Glass Co Ltd | Membranabdeckung und verfahren zu deren verwendung |
-
1999
- 1999-04-02 JP JP9625399A patent/JP2000292908A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-27 US US09/534,526 patent/US6368683B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-28 KR KR1020000015725A patent/KR100698602B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6946199B2 (en) | 2000-07-27 | 2005-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical, additional films and optical elements |
US7351503B2 (en) | 2001-01-22 | 2008-04-01 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle in intimate contact with the surface of a photomask |
US7604904B2 (en) | 2003-08-27 | 2009-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithography |
JP2009116284A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
JP2009271262A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
JP2009151335A (ja) * | 2009-04-02 | 2009-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィ用ペリクル |
JP2011095586A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルおよびその製造方法 |
JP2013228582A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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KR100698602B1 (ko) | 2007-03-21 |
US6368683B1 (en) | 2002-04-09 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040406 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041005 |