JP2009271262A - ペリクルおよびペリクルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】{100}面群および{111}面群に属する何れかの格子面から3〜5°傾斜した結晶面を主面とするシリコン単結晶膜をペリクル膜として利用する。このような結晶面を主面とするシリコン単結晶は、<100>方位のシリコン単結晶よりも、有効ボンド密度やヤング率が40〜50%程度高いため、劈開が起こり難く亀裂が発生しづらい。また、耐フッ酸性などの化学的耐性が高くエッチピットやボイドが発生し難い。その結果、高透過性と機械的、化学的安定性に優れ、また歩留まりが高く、コスト的にも実用的なEUV用ペリクル膜を備えたペリクルを提供することが可能となる。
【選択図】図1
Description
1a シリコン基板
1b 酸化膜
2 シリコン単結晶膜
10 ペリクル
11 ペリクル膜
12 ペリクルフレーム
13 保護膜
Claims (12)
- シリコン単結晶膜をペリクル膜として備えたペリクルであって、
前記シリコン単結晶膜の主面は、{100}面群および{111}面群に属する何れかの格子面から3〜5°傾斜した結晶面であることを特徴とするペリクル。 - 前記格子面は{100}面群に属し、前記結晶面は<111>方向に3〜5°傾斜していることを特徴とする請求項1に記載のペリクル。
- 前記格子面は{111}面群に属し、前記結晶面は<110>方向に3〜5°傾斜していることを特徴とする請求項1に記載のペリクル。
- 前記シリコン単結晶膜は、SOI基板を薄膜化して得られたものである請求項1乃至3の何れか1項に記載のペリクル。
- 前記シリコン単結晶膜は、13.5nmの波長の光に対する吸収係数が0.005/nm以下である請求項1乃至4の何れか1項に記載のペリクル。
- 前記シリコン単結晶膜の少なくとも一方の主面に保護膜を備えている請求項1乃至5の何れか1項に記載のペリクル。
- 前記保護膜は、13.5nmの波長の光に対する吸収係数が0.05/nm以下である請求項6に記載のペリクル。
- 前記保護膜は、SiC、SiO2、Si3N4、SiON、Y2O3、YN、Mo、Ru、及びRhからなる群のうちの少なくとも1つの材料からなるものである請求項6又は7に記載のペリクル。
- {100}面群および{111}面群に属する何れかの格子面から3〜5°傾斜した結晶面を主面とするシリコン単結晶膜を一方主面に有するSOI基板にペリクル膜保持部を設ける工程と、前記SOI基板の他方主面側から支持基板を除去して前記シリコン単結晶膜をペリクル膜とする工程とを備えていることを特徴とするペリクルの製造方法。
- 前記シリコン単結晶膜の少なくとも一方の面に保護膜を形成する工程を更に備えている請求項9に記載のペリクルの製造方法。
- 前記保護膜の形成が、SiC、SiO2、Si3N4、SiON、Y2O3、YN、Mo、Ru、及びRhからなる群のうちの少なくとも1つの材料からなる膜を被膜することにより実行される請求項10に記載のペリクルの製造方法。
- 前記保護膜の被膜方法がガスクラスタ・イオンビーム蒸着法である請求項11に記載のペリクルの製造方法。
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