WO2023067957A1 - Ｅｕｖ透過膜 - Google Patents

Ｅｕｖ透過膜 Download PDF

Info

Publication number
WO2023067957A1
WO2023067957A1 PCT/JP2022/034590 JP2022034590W WO2023067957A1 WO 2023067957 A1 WO2023067957 A1 WO 2023067957A1 JP 2022034590 W JP2022034590 W JP 2022034590W WO 2023067957 A1 WO2023067957 A1 WO 2023067957A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
euv
film
layer
main layer
main
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/034590
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
俊克 柏屋
厚男 近藤
弘基 茶園
昴 谷村
尚紀 強力
Original Assignee
日本碍子株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本碍子株式会社 filed Critical 日本碍子株式会社
Priority to JP2023515782A priority Critical patent/JPWO2023067957A1/ja
Priority to EP22883267.1A priority patent/EP4227736A1/en
Priority to KR1020237006160A priority patent/KR20230058055A/ko
Publication of WO2023067957A1 publication Critical patent/WO2023067957A1/ja
Priority to US18/310,609 priority patent/US20230305192A1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings

Definitions

  • the present invention relates to an EUV permeable film.
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2018-194840
  • Patent Document 3 Japanese National Publication of International Patent Application No. 2017-522590 discloses a film transparent to EUV radiation, which has a high doping region and a low doping region, and the temperature characteristics of the film are improved. expected to be
  • the EUV light By the way, of the EUV light, light that does not pass through the pellicle film is reflected or absorbed by the pellicle film, and heat is generated when the pellicle film absorbs the EUV light. If the amount of heat generated increases, the pellicle film may wrinkle due to thermal expansion, resulting in a distribution of EUV transmittance, which may cause variations in circuit formation during exposure, leading to circuit defects. Moreover, depending on the material of the pellicle film, the heat resistance limit temperature may be exceeded and the pellicle film may be damaged.
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 68588157 discloses a pellicle film for a lithographic apparatus comprising a main layer and a protective layer for improving IR emissivity, especially when the main layer is Si. A metal such as Pd or Ag is described as a protective layer for .
  • a pellicle film has been proposed in which heat is dissipated not by the main layer but by IR radiation from the protective layer.
  • metals such as Pd and Ag, which are used as protective layers with high IR emissivity, have low EUV transmittance, and do not provide pellicle films that achieve both practical EUV transmittance and high IR emissivity.
  • IR light is mainly emitted among light rays of various wavelengths. This is because the wavelength of light emitted from an object is determined by its temperature. In fact, the temperature of the pellicle film rises to about 500 to 800° C. during exposure, and rays with a wavelength of 1 to 2 ⁇ m are most frequently emitted in this temperature range. Therefore, a pellicle film that not only has a high EUV transmittance but also has a high emissivity for IR light with a wavelength of about 2 ⁇ m is desired.
  • the present inventors have recently found that by combining a main layer with a high IR emissivity and a protective layer with a high IR transmittance to form an EUV transmissive film with an EUV transmittance of 80.0% or more, if only the EUV transmittance It has been found that an EUV transmissive film having a high IR emissivity can be provided.
  • an object of the present invention is to provide an EUV transmissive film with high IR emissivity as well as EUV transmittance.
  • An EUV transmissive film having an EUV transmittance of 80.0% or more at a wavelength of 13.5 nm, a main layer having an IR emissivity of 2.0% or more at a wavelength of 2 ⁇ m; a protective layer covering at least one surface of the main layer and having an IR transmittance of 70% or more at a wavelength of 2 ⁇ m;
  • An EUV transparent membrane comprising: [Aspect 2] The EUV transmissive membrane according to aspect 1, wherein both sides of said main layer are covered with a pair of said protective layers.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one form of an EUV transmissive film according to the present invention
  • FIG. FIG. 3 is a process flow chart showing the first half of the manufacturing procedure of EUV transmissive films in Examples 1 to 4.
  • FIG. FIG. 4 is a process flow chart showing the second half of the manufacturing procedure of EUV transmissive films in Examples 1 to 4.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing one form of an EUV transmissive film according to the present invention
  • FIG. FIG. 3 is a process flow chart showing the first half of the manufacturing procedure of EUV transmissive films in Examples 1 to 4.
  • FIG. FIG. 4 is a process flow chart showing the second half of the manufacturing procedure of EUV transmissive films in Examples 1 to 4.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an EUV transmissive film 10 according to one embodiment of the present invention.
  • the EUV transmissive film 10 has an EUV transmittance of 80.0% or more at a wavelength of 13.5 nm.
  • This EUV transmissive film 10 comprises a main layer 12 and a protective layer 14 covering at least one surface of the main layer.
  • the main layer 12 has an IR emissivity of 2.0% or more at a wavelength of 2 ⁇ m, while the protective layer 14 has an IR transmittance of 70% or more at a wavelength of 2 ⁇ m.
  • an EUV transmissive film having an EUV transmittance of 80.0% or more is formed by combining a main layer with a high IR emissivity and a protective layer with a high IR transmittance. It is possible to provide an EUV transmissive film with high IR emissivity as well as transmittance.
  • the pellicle film has a high transmittance for EUV light, it slightly absorbs EUV light. Although the amount of EUV light absorbed is small, the pellicle film generates heat because it is continuously irradiated with high-energy EUV light during exposure. At this time, even if the temperature of the pellicle film rises, the temperature rise of the pellicle frame due to heat conduction is slight. Therefore, although the pellicle film expands, the pellicle frame does not expand so much, and the pellicle wrinkles.
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 68588157 discloses a pellicle film for a lithographic apparatus comprising a main layer and a protective layer for improving IR emissivity, especially when the main layer is Si.
  • a metal such as Pd or Ag is described as a protective layer for .
  • a pellicle film has been proposed in which heat is dissipated not by the main layer but by IR radiation from the protective layer.
  • Pd and Ag which are considered to be protective layers with high IR emissivity, have low EUV transmittance, and are not pellicle films that achieve both practical EUV transmittance and high IR emissivity.
  • the main layer for example, a layer made of metal
  • the EUV transmittance of the EUV transmissive film 10 can be increased, and heat generated by absorption of EUV light can be dissipated by IR radiation from the main layer.
  • the EUV transmissive film 10 Since the IR light is radiated to the outside and heat is radiated, the temperature rise of the EUV transmissive film 10 is suppressed.
  • absorptance emissivity (emissivity), and a material having a high absorptance for a certain light beam also has a high emissivity for that light beam.
  • the EUV transmissive film 10 has an EUV transmittance of 80.0% or more, preferably 85.0% or more, more preferably 90.0% or more, and still more preferably 93.0% or more at a wavelength of 13.5 nm. . Since a higher EUV transmittance is more desirable, the upper limit is not particularly limited and is ideally 100%. can be 98% or less, more typically 95% or less.
  • the main layer 12 has an IR emissivity of 2.0% or more at a wavelength of 2 ⁇ m, preferably 2.5% or more, more preferably 5.0% or more, even more preferably 8.0% or more, and particularly preferably 13 0% or more, most preferably 15.0% or more. Since a higher IR emissivity is more desirable, the upper limit is not particularly limited, but the IR emissivity of the main layer 12 is typically 30.0% or less, more Typically it can be 25.0% or less.
  • the main layer 12 preferably contains at least one selected from the group consisting of Be, Si and B 4 C as a main component, more preferably contains Be or Si as a main component, and more preferably contains Be as a main component.
  • the main layer 12 may include a metal material such as Be or Si, which has a particularly high EUV transmittance, or a ceramic material such as B 4 C, which has a low electric resistance equivalent to that of metal.
  • the “main component” in the main layer 12 means a component that accounts for 98.0% by weight or more, preferably 99.0% by weight or more, and more preferably 99.5% by weight or more of the main layer 12 .
  • the main layer 12 may consist of only at least one selected from the group consisting of Be, Si and B4C . By doing so, the main layer can be more effectively provided with high EUV transmittance and high IR emissivity while ensuring the basic functions of the pellicle film (particle adhesion prevention function, etc.).
  • the thickness of the main layer 12 is preferably 10-70 nm, more preferably 15-50 nm, and still more preferably 20-35 nm.
  • the thickness of the main layer 12 is preferably 5 nm or more.
  • considering how to increase the EUV transmittance it is preferable to make the main layer 12 as thin as possible.
  • the protective layer 14 is a layer for protecting the main layer 12 . Therefore, although the protective layer 14 covers at least one side of the main layer 12 , it is preferable to cover both sides of the main layer 12 with a pair of protective layers 14 .
  • the protective layer 14 has an IR transmittance of 70% or higher, preferably 75% or higher, more preferably 78% or higher, and even more preferably 80% or higher, at a wavelength of 2 ⁇ m. Since a higher IR transmittance is more desirable, the upper limit is not particularly limited. It can be 85% or less.
  • the protective layer 14 is a layer for protecting the main layer 12 in the production process of the EUV transmissive film 10 as described above, and prevents oxidation of the main layer 12 and reaction (for example, oxidation and corrosion) with chemicals in the process. Formed for purpose. On the other hand, it is desirable for the protective layer 14 to have a high transmittance to IR light so as not to block IR radiation from the main layer 12 . Furthermore, it is desirable that the protective layer 14 also have a high EUV transmittance. From this point of view, the protective layer 14 is preferably composed of at least one selected from the group consisting of calcium fluoride, silicon dioxide, and beryllium nitride, more preferably silicon dioxide or beryllium nitride, and still more preferably.
  • the protective layer 14 consists of beryllium nitride. However, it is not necessary for the protective layer 14 to consist only of these compounds, and 99% by weight or more, preferably 99.5% by weight or more, more preferably 99.8% by weight or more of the protective layer 14 is composed of these compounds. All you have to do is In this specification, the term "beryllium nitride" includes not only stoichiometric compositions such as Be 3 N 2 but also non-stoichiometric compositions such as Be 3 N 2-x (where 0 ⁇ x ⁇ 2). It is intended to mean a generic composition that also allows stoichiometric compositions. Similar considerations apply to other compound names such as calcium fluoride, silicon dioxide, and the like.
  • the thickness of the protective layer 14 is preferably 5 nm or less, more preferably 3 nm or less. Although the lower limit of the thickness of the protective layer 14 is not particularly limited, it is typically 0.3 nm or more, more typically 0.5 nm or more. When the thickness of the protective layer 14 is 5 nm or less, the EUV transmittance can be increased. can be maintained.
  • the main layer 12 preferably contains at least one selected from the group consisting of Be, Si and B 4 C as a main component, while the protective layer 14 contains calcium fluoride, silicon dioxide and nitride. It is preferably composed of at least one selected from the group consisting of beryllium. That is, the main layer 12 is preferably composed of a metal or a semi-metal (especially a metal), and the protective layer 14 is preferably composed of a non-metal.
  • the IR emissivity of a dielectric decreases as its thickness decreases, whereas the IR emissivity of a non-dielectric increases sharply as its thickness decreases. Therefore, preferably, the main layer 12 made of a non-dielectric material having a high EUV transmittance is combined with the protective layer 14 made of a non-metallic material having a high EUV transmittance, so that the main layer 12 and the protective layer Although both 14 exhibit high EUV transmittance, the main layer 12 has a high IR emissivity and the protective layer 14 has a low IR emissivity, so the IR radiation emitted from the main layer 12 passes through the protective layer 14. The light is emitted from the EUV transmissive film 10 without being absorbed. In this way, an EUV transmissive film having not only a high EUV transmittance but also a high IR emissivity can be obtained more effectively.
  • the main layer 12 contains Be as a main component. Since beryllium is a metal, the thinner the beryllium, the higher the IR emissivity.
  • the IR emissivity of Be at various thicknesses was calculated using optical theory to be 2.1% at 100 nm thickness, 2.9% at 50 nm, 4.4% at 30 nm, and 6 at 20 nm. .2%. Note that this calculation assumes that the Be layer has an ideal mirror surface, and the IR reflectance in that case is assumed to be higher than the actual IR reflectance of the Be layer. Therefore, the IR emissivity of the Be layer on optical theoretical calculation is calculated to be lower than the actual IR emissivity of the Be layer.
  • the actual Be layer will have a higher IR emissivity than the above calculated results.
  • the Be layer has an EUV transmittance of 86.7% with a thickness of 100 nm, 93.1% with a thickness of 50 nm, 95.8% with a thickness of 30 nm, and 97.2% with a thickness of 20 nm. That is, it can be seen that the thinner the main layer 12 mainly composed of Be, the higher the EUV transmittance and the IR emissivity.
  • the main layer 12 preferably contains additives. Thereby, the IR emissivity of the main layer 12 can be further increased.
  • the additive serves as a scattering source for conduction electrons, and thus the IR emissivity of the main layer 12 is considered to increase.
  • the constituent element of the additive preferably has an electronegativity that is 0.3 or more higher or 0.3 or more lower than the electronegativity of the main constituent element of the main layer 12, more preferably 0.33.
  • the upper limit of the difference between the electronegativity of the constituent element of the additive and the electronegativity of the main constituent element of the main layer 12 is not particularly limited, the difference is typically 1.2 or less, more typically 1.0 or less.
  • the greater the difference between the electronegativity of the main component (for example, Be) of the main layer 12 and the electronegativity of the additive the greater the scattering power of conduction electrons.
  • the “main constituent element” of the main layer 12 means the element contained in the main layer 12 in the largest amount. For example, when the main layer 12 contains Be as the main constituent, the main constituent element is Be. be.
  • the additives are rubidium (Rb), strontium (Sr), yttrium (Y), niobium (Nb), molybdenum (Mo), silicon It preferably contains at least one element selected from the group consisting of (Si), potassium (K), calcium (Ca), boron (B) and carbon (C).
  • the content of the additive is preferably 5 to 40 at%, more preferably 10 to 35 at%, more preferably 10 to 35 at%, and further It is preferably 15 to 30 at %. Also, although the effect differs depending on the component of the additive, when the main layer 12 contains Si as a main component, the content of the additive is 5 to 40 at % with respect to the Si content in the main layer 12. is preferred. When the content of the additive is more than 5 at %, the above-mentioned advantages of the additive can be effectively realized.
  • the content of the additive is less than 40 at %, the mechanical strength of the EUV transmissive film 10 can be maintained to make it difficult to break, and the EUV transmittance of the main layer 12 can be increased.
  • the content of these additives can be determined, for example, by cutting out a cross-section of the EUV transmissive film by focused ion beam (FIB) processing, preparing a sample, and examining it with a transmission electron microscope (TEM) (manufactured by JEOL Ltd., JEM- 2100F) under conditions of 200 kV, and an EDS analyzer (manufactured by JEOL Ltd., JED-2300T) under conditions of an acceleration voltage of 5 keV, elemental mapping or point analysis mode.
  • TEM transmission electron microscope
  • EDS analyzer manufactured by JEOL Ltd., JED-2300T
  • protective layer 14 When protective layer 14 is composed of beryllium nitride, it preferably has a nitrogen concentration gradient region in which the nitrogen concentration decreases as it approaches main layer 12 . That is, as described above, the composition of beryllium nitride includes stoichiometric compositions such as Be 3 N 2 and non-stoichiometric compositions such as Be 3 N 2-x (where 0 ⁇ x ⁇ 2). As much as possible, the beryllium nitride constituting the protective layer 14 preferably has a graded composition that approaches a beryllium-rich composition as it approaches the main layer 12 .
  • the adhesion between the protective layer 14 (that is, the beryllium nitride layer) and the main layer 12 (for example, the metal beryllium layer) can be improved, and the generation of stress due to the difference in thermal expansion between the layers can be alleviated. can. That is, it is possible to improve the adhesion between both layers to suppress peeling, or to make it difficult to peel off as a thermal expansion relaxation layer between both layers when the EUV light is absorbed and the temperature rises.
  • the thickness of the nitrogen concentration gradient region is preferably smaller than the thickness of the protective layer 14 . That is, the entire thickness of the protective layer 14 need not be the nitrogen concentration gradient region. For example, only part of the thickness of the protective layer 14, for example, preferably 10 to 70% of the thickness of the protective layer 14, more preferably 15 to 50%, is the nitrogen concentration gradient region. preferable.
  • the EUV transmissive film 10 is preferably in the form of a self-supporting film in a main area for transmitting EUV. That is, it is preferable that the substrate (e.g., Si substrate) used for film formation remains as a border only at the outer edge of the EUV transmissive film 10. In other words, the substrate (e.g., Si substrate) does not remain, that is, the main region preferably consists of the main layer 12 and the protective layer 14 only.
  • the substrate e.g., Si substrate
  • the EUV-transmitting film according to the present invention can be manufactured by forming a laminated film to be an EUV-transmitting film on a Si substrate and then removing unnecessary portions of the Si substrate by etching to form a self-supporting film. Therefore, as described above, the main part of the EUV transmissive film is in the form of a self-supporting film in which the Si substrate does not remain.
  • Preparation of Si substrate First, prepare a Si substrate for forming a laminated film thereon. After the laminated film consisting of the main layer 12 and the protective layer 14 is formed on the Si substrate, the main region (that is, the region to be a self-supporting film) other than the outer edge is removed by etching. Therefore, in order to perform etching efficiently in a short time, it is desirable to reduce the thickness of the Si substrate in the region to be the self-supporting film in advance. Therefore, using a normal semiconductor process, a mask corresponding to the EUV transmission shape is formed on the Si substrate, and the Si substrate is etched by wet etching to reduce the thickness of the main region of the Si substrate to a predetermined thickness. desired.
  • a Si substrate having a cavity formed by wet etching is prepared.
  • the wet etching mask any material having corrosion resistance to the wet etching solution for Si may be used.
  • SiO 2 is preferably used.
  • the wet etching liquid is not particularly limited as long as it can etch Si.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • (2) Formation of laminated film Formation of the laminated film may be performed by any film forming method.
  • Sputtering method is mentioned as an example of the preferable film-forming method.
  • the beryllium film as the main layer 12 is fabricated by sputtering using a pure Be target, and the beryllium nitride film as the protective layer 14 is fabricated by reactive sputtering. preferably done.
  • This reactive sputtering can be carried out, for example, by introducing nitrogen gas into the chamber during sputtering using a pure Be target, so that beryllium reacts with nitrogen to produce beryllium nitride.
  • beryllium nitride can be produced by forming a beryllium film and then irradiating nitrogen plasma to cause a nitridation reaction of beryllium to produce beryllium nitride.
  • the method for synthesizing beryllium nitride is not limited to these.
  • it is preferable to use different beryllium targets for forming the beryllium nitride film and beryllium targets for forming the beryllium film it is also possible to use the same target for forming the beryllium nitride film and for forming the beryllium film. .
  • beryllium nitride film and the beryllium film may be formed in a single-chamber sputtering apparatus as in the examples described later, or a two-chamber sputtering apparatus may be used to form the beryllium nitride film and the beryllium film in separate chambers. may be formed.
  • the nitrogen concentration gradient region in the beryllium nitride film as the protective layer 14
  • the introduction of the nitrogen gas is stopped halfway while the sputtering is continued. It suffices to switch to the film formation of metallic beryllium. By doing so, a region is formed in which the nitrogen concentration in the film to be formed decreases in the thickness direction as the nitrogen gas concentration decreases.
  • the nitrogen concentration gradient region can be formed by starting the introduction of nitrogen gas halfway while continuing the sputtering, contrary to the above.
  • the thickness of the nitrogen concentration gradient region can be controlled by adjusting the time for changing the nitrogen gas concentration.
  • a laminated film having a three-layer structure of protective layer/main layer/protective layer can be produced. It is not particularly limited as long as it is mixed at a uniform concentration.
  • methods for adding additives to the main layer include: (i) A method of forming a film by sputtering using a target in which a predetermined amount of additive is uniformly dispersed in the main layer material in advance, (ii) Based on the sputtering rate and additive amount of each of the main layer material and additive, two types of targets are used in the sputtering apparatus, the target areas of which are corrected so that the main layer material and additive are deposited at the target ratio at the same time.
  • a method of arranging inside and forming a film by sputtering at the same time (iii) A method of alternately depositing the main layer material and the additive as ultra-thin films (for example, having a thickness of sub-nm order).
  • the alternate film formation method (iii) above although it may seem that a laminated structure in which a thin additive layer is sandwiched between the main layer materials, the conditions are such that the sputtering energy is large. By setting, the deposited material penetrates to a certain depth, so that the additive Si reaches the inside of the beryllium layer.
  • the main layer is not in a multi-layer state but in a uniform mixed state.
  • the composite film is formed into a self-supporting film by removing unnecessary portions of the Si substrate other than the outer edge portion left as a border of the Si substrate on which the composite film is formed by etching.
  • Etching of Si may be performed by any method, but etching using XeF 2 is preferably performed.
  • Example 1 According to the procedure shown in FIGS. 2A and 2B, a composite self-supporting film (EUV transmissive film) having a three-layer structure of beryllium nitride/beryllium/beryllium nitride was produced as follows.
  • EUV transmissive film EUV transmissive film
  • the resist mask 24 for SiO2 etching was removed by an ashing device (FIG. 2A(e)).
  • Si was etched with a TMAH solution.
  • the etching rate was measured in advance, and the etching was performed for the etching time required to obtain the target Si substrate thickness of 50 ⁇ m (FIG. 2A(f)).
  • the SiO 2 film 22 formed on the non-Si-etched surface was removed and washed with hydrofluoric acid to prepare a Si substrate 28 (FIG. 2B(g)).
  • the outer shape of the Si substrate may be diced with a laser 30 as necessary (FIG. 2B(h)) to obtain a desired shape (FIG. 2B(i)).
  • a cavity 26 of 110 mm ⁇ 145 mm was provided in the center of the 8-inch (20.32 cm) Si wafer 20, and a Si substrate 28 having a Si thickness of 50 ⁇ m at the cavity 26 portion was prepared.
  • a composite film having a three-layer structure of beryllium nitride/beryllium/beryllium nitride was formed as follows on the Si substrate 28 provided with the cavity 26 obtained in (1) above (Fig. 2B (i)). First, the Si substrate 28 was set in a sputtering apparatus, and a pure Be target was attached. The inside of the chamber was evacuated, the internal pressure was 0.5 Pa, and reactive sputtering was performed by adjusting the flow rate ratio of argon gas and nitrogen gas to 1:1. finished.
  • sputtering was performed using only argon gas without introducing nitrogen gas, and the sputtering was terminated after the time was taken to form a beryllium film with a thickness of 30 nm.
  • the reactive sputtering was performed while introducing nitrogen gas again in the same manner as the first time, and the reactive sputtering was terminated after the time for forming a film of beryllium nitride having a thickness of 2 nm was observed.
  • a composite film of 2 nm beryllium nitride/30 nm beryllium/2 nm beryllium nitride was formed as the EUV transmissive film 10 .
  • the Si substrate 28 with the composite film prepared in (2) above was set in a chamber of a XeF 2 etcher capable of processing an 8-inch (20.32 cm) substrate.
  • the inside of the chamber was sufficiently evacuated. At this time, if moisture remains in the chamber, it reacts with the XeF 2 gas to produce hydrofluoric acid, which corrodes the etcher and causes unexpected etching. If necessary, the inside of the chamber was repeatedly evacuated and introduced with nitrogen gas to reduce residual moisture. When the vacuum was sufficiently drawn, the valve between the XeF 2 raw material cylinder and the preliminary chamber was opened. As a result, XeF 2 was sublimated and XeF 2 gas was accumulated in the preliminary chamber.
  • the IR characteristics of the protective layer material were obtained by forming a film of only the protective layer material on a calcium fluoride substrate with known IR characteristics using the same process as in (2) above, and then measuring.
  • EUV Transmittance The obtained EUV transmissive film was irradiated with EUV light having a wavelength of 13.5 nm, and the amount of transmitted EUV light was measured with a sensor.
  • the EUV transmittance was obtained from a comparison between the obtained measured value and the value obtained by directly measuring the amount of EUV light with a sensor without the EUV transmissive film. The results were as shown in Table 1.
  • Example 2 A composite self-supporting film was produced and evaluated in the same manner as in Example 1, except that the main layer contained Si as an additive by forming the composite film as follows. The results were as shown in Table 1.
  • a composite film having a three-layer structure of beryllium nitride/Si-containing beryllium/beryllium nitride was formed on the Si substrate 28 having the cavity 26 obtained in (1) above (FIG. 2B(i)).
  • the Si substrate 28 was set in a multi-target sputtering apparatus, and a pure Be target and a Si target were attached.
  • the inside of the chamber was evacuated, the internal pressure was 0.5 Pa, the flow rate ratio of argon gas and nitrogen gas was adjusted to 1:1, reactive sputtering was performed using a Be target, and the time for forming a beryllium nitride film of 2 nm was determined. to terminate the reactive sputtering.
  • sputtering is performed using only argon gas at an internal pressure of 0.5 Pa, using alternately a Be target and a Si target, to alternately form beryllium and Si films with a thickness on the order of sub-nm.
  • a main layer Si-containing beryllium film
  • Be sputtering and Si sputtering were switched by opening and closing the shutters of the pure Be target and the Si target in the sputtering apparatus.
  • the film formation time ratio of beryllium and Si is calculated from the film formation density and sputtering rate of beryllium and Si so that the amount of Si added is 10 at % with respect to the Be content in the main layer. and Si were alternately deposited in such a time that each of them had a thickness of sub-nm order. Specifically, a 0.16 nm-thick Be film and a 0.04 nm-thick Si film were alternately formed to form a main layer having a thickness of 30 nm. In this manner, a main layer containing beryllium as the main component and the additive Si was formed.
  • the conditions are set so that the sputtering energy is large, and the deposited material penetrates to a certain depth, so that the additive Si reaches the beryllium layer. .
  • the main layer is not in a multi-layer state but in a uniform mixed state.
  • Example 3 A main layer having a thickness of 30 nm was formed by alternately depositing Be with a thickness of 0.12 nm and Si with a thickness of 0.08 nm so that the Si content was 20 at % with respect to the Be content in the main layer.
  • a composite self-supporting membrane was produced and evaluated in the same manner as in Example 2, except for the above. The results were as shown in Table 1.
  • Example 4 A 0.08 nm-thick Be film and a 0.12 nm-thick Si film were alternately formed to form a main layer having a thickness of 30 nm so that the Si content was 40 at % with respect to the Be content in the main layer.
  • a composite self-supporting membrane was produced and evaluated in the same manner as in Example 2, except for the above. The results were as shown in Table 1.
  • Example 5 For comparison, reference is made to the pellicle disclosed in Patent Document 3 (Japanese Patent Publication No. 2017-522590).
  • This pellicle has a 22 nm thick Si 3 N 4 layer as the main layer and a 2 nm thick Ru layer as the protective layer.
  • the theoretical value of the EUV transmittance of this pellicle was calculated to be 78.8%. The results are shown in Table 1.
  • the EUV transmissive films in Examples 1 to 4 had high EUV transmittance and IR emissivity.
  • the IR emissivity of the EUV transmissive film (Example 1) containing no Si in the main layer was 17.5%, whereas the Si content in the main layer was 10, 20%.
  • 40 at % EUV transmissive films (Examples 2, 3 and 4) had high IR emissivities of 21.8%, 20.8% and 19.7%, respectively.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

ＥＵＶ透過率のみならずＩＲ放射率も高いＥＵＶ透過膜が提供される。このＥＵＶ透過膜は、波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ透過率が８０．０％以上のＥＵＶ透過膜であって、波長２μｍにおけるＩＲ放射率が２．０％以上の主層と、主層の少なくとも片面を覆う、波長２μｍにおけるＩＲ透過率が７０％以上の保護層とを備える。

Description

ＥＵＶ透過膜
　本発明は、ＥＵＶ透過膜に関するものである。
　半導体製造プロセスにおける微細化が年々進行しており、各工程で様々な改良がなされている。特に、フォトリソグラフィ工程においては、従来のＡｒＦ露光の波長１９３ｎｍに代えて、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（極端紫外線）光が使用され始めた。その結果、波長が一気に１／１０以下になり、その光学的特性は全く異なるものとなった。しかし、ＥＵＶ光に対して高透過率を有する物質が無いため、例えばフォトマスク（レチクル（ｒｅｔｉｃｌｅ））のパーティクル付着防止膜であるペリクル（ｐｅｌｌｉｃｌｅ）にはまだ実用的な物が存在しない。このため、デバイスメーカーはペリクルを使うことができずに半導体デバイスの製造を行っているのが現状である。
　そこで、ポリＳｉベースのペリクル膜が提案されている。例えば、特許文献１（特許第６８５８８１７号公報）には、コア層が（ポリ）Ｓｉ等のＥＵＶ放射に実質的に透明な材料を含むコア層と、ＩＲ放射を吸収する材料を含むキャップ層とを備えたペリクル膜が開示されている。
　また、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）ベースのペリクル膜も開発されており（特許文献２（特開２０１８－１９４８４０号公報））、より高いＥＵＶ透過率が期待される。
　さらに、例えば特許文献３（特表２０１７－５２２５９０号公報）には、高ドーピング領域と低ドーピング領域を備えた、ＥＵＶ放射に対して透過性の膜が開示されており、膜の温度特性が改善されることが期待される。
特許第６８５８８１７号公報 特開２０１８－１９４８４０号公報 特表２０１７－５２２５９０号公報
　ところで、ＥＵＶ光のうちペリクル膜を透過しない光線はペリクル膜に反射されるか吸収されることになるが、ペリクル膜がＥＵＶ光を吸収すると発熱する。発熱量が大きくなるとペリクル膜に熱膨張による皺が発生してＥＵＶ透過率に分布ができてしまい、露光時の回路形成にばらつきが生じて回路不良に繋がることがある。また、ペリクル膜の材質によっては、耐熱限界温度を越えてしまい、ペリクル膜が破損する恐れもある。そのため、何らかの手段でペリクル膜から放熱しなければならないものの、ペリクル膜の厚さが１００ｎｍ未満と薄すぎるため、熱伝導では十分に放熱できない。また、ＥＵＶ露光装置内は水素を導入しているとはいえ、真空下のため対流による放熱もほとんど生じない。そのため、ペリクル膜の放熱は、放射（輻射）による放熱が一般的である。特許文献１（特許第６８５８８１７号公報）には、主層とＩＲ放射率向上のための保護層とを備えた、リソグラフィ装置のためのペリクル膜が開示されており、特に主層がＳｉの場合の保護層として、Ｐｄ、Ａｇ等の金属が記載されている。すなわち、主層ではなく、保護層からのＩＲ放射により放熱させるペリクル膜が提案されている。しかしながら、ＩＲ放射率が高い保護層とされるＰｄ、Ａｇ等の金属はＥＵＶ透過率が低く、実用的なＥＵＶ透過率と高いＩＲ放射率を両立させたペリクル膜にはなっていない。
　ここで、放射による放熱の場合には、種々の波長の光線の中でも、ＩＲ光が主に放射される。これは、物体にはその温度によって放射する光線の波長が決まっていることによる。事実、露光時においてペリクル膜は５００～８００℃程度の温度に昇温するところ、この温度域では波長１～２μｍの光線が最もよく放射される。したがって、ＥＵＶ透過率が高いだけでなく、波長２μｍ程度のＩＲ光の放射率が高いペリクル膜が望まれる。
　本発明者らは、今般、ＩＲ放射率が高い主層とＩＲ透過率が高い保護層とを組み合わせてＥＵＶ透過率８０．０％以上のＥＵＶ透過膜を構成することで、ＥＵＶ透過率のみならずＩＲ放射率も高いＥＵＶ透過膜を提供できるとの知見を得た。
　したがって、本発明の目的は、ＥＵＶ透過率のみならずＩＲ放射率も高いＥＵＶ透過膜を提供することにある。
　本発明によれば、以下の態様が提供される。
［態様１］
　波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ透過率が８０．０％以上のＥＵＶ透過膜であって、
　波長２μｍにおけるＩＲ放射率が２．０％以上の主層と、
　前記主層の少なくとも片面を覆う、波長２μｍにおけるＩＲ透過率が７０％以上の保護層と、
を備えた、ＥＵＶ透過膜。
［態様２］
　前記主層の両面が１対の前記保護層で覆われている、態様１に記載のＥＵＶ透過膜。
［態様３］
　前記主層が、Ｂｅ、Ｓｉ及びＢ４Ｃからなる群から選択される少なくとも一種を主成分として含む、態様１又は２に記載のＥＵＶ透過膜。
［態様４］
　前記保護層が、フッ化カルシウム、二酸化ケイ素、及び窒化ベリリウムからなる群から選択される少なくとも一種で構成される、態様１～３のいずれか一つに記載のＥＵＶ透過膜。
［態様５］
　前記主層が添加物を含む、態様１～４のいずれか一つに記載のＥＵＶ透過膜。
［態様６］
　前記添加物の構成元素が、前記主層の主要構成元素の電気陰性度よりも０．３以上高い又は０．３以上低い電気陰性度を有する、態様５に記載のＥＵＶ透過膜。
［態様７］
　前記添加物が、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｂ及びＣからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む、態様５又は６に記載のＥＵＶ透過膜。
［態様８］
　前記主層がＢｅを主成分として含み、前記添加物の含有量が、前記主層におけるＢｅの含有量に対して、５～４０ａｔ％である、態様５～７のいずれか一つに記載のＥＵＶ透過膜。
［態様９］
　前記主層の厚さが１０～７０ｎｍである、態様１～８のいずれか一つに記載のＥＵＶ透過膜。
［態様１０］
　前記保護層の厚さが５ｎｍ以下である、態様１～９のいずれか一つに記載のＥＵＶ透過膜。
本発明によるＥＵＶ透過膜の一形態を示す模式断面図である。 例１～４におけるＥＵＶ透過膜の製造手順の前半部分を示す工程流れ図である。 例１～４におけるＥＵＶ透過膜の製造手順の後半部分を示す工程流れ図である。
　ＥＵＶ透過膜
　図１に本発明の一形態によるＥＵＶ透過膜１０の模式断面図を示す。ＥＵＶ透過膜１０は、波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ透過率が８０．０％以上である。このＥＵＶ透過膜１０は、主層１２と、主層の少なくとも片面を覆う保護層１４とを備える。主層１２は波長２μｍにおけるＩＲ放射率が２．０％以上である一方、保護層１４は波長２μｍにおけるＩＲ透過率が７０％以上である。このように、波長２μｍにおけるＩＲ光に対して、ＩＲ放射率が高い主層とＩＲ透過率が高い保護層とを組み合わせＥＵＶ透過率８０．０％以上のＥＵＶ透過膜を構成することで、ＥＵＶ透過率のみならずＩＲ放射率も高いＥＵＶ透過膜を提供することができる。
　すなわち、ペリクル膜はＥＵＶ光に対して高い透過率を有するものの、ＥＵＶ光を若干吸収する。ＥＵＶ光の吸収量が少ないとはいえ、露光時には高エネルギーのＥＵＶ光が連続で照射されるため、ペリクル膜は発熱する。このとき、ペリクル膜の温度が上がっても、熱伝導によるペリクル枠の昇温は僅かであるため、ペリクル膜は膨張するもののペリクル枠はあまり膨張せず、ペリクルに皺が発生する。これにより、ペリクル膜面内のＥＵＶ透過率分布が大きくなったり、ペリクル膜の強度が低下するため、露光プロセス中のレチクルの急加速及び急停止で生じる力でペリクル膜が破損してしまうことがある。ここで、ペリクル膜の放熱は、放射（輻射）による放熱が一般的である。特許文献１（特許第６８５８８１７号公報）には、主層とＩＲ放射率向上のための保護層とを備えた、リソグラフィ装置のためのペリクル膜が開示されており、特に主層がＳｉの場合の保護層として、Ｐｄ、Ａｇ等の金属が記載されている。すなわち、主層ではなく、保護層からのＩＲ放射により放熱させるペリクル膜が提案されている。しかしながら、ＩＲ放射率が高い保護層とされるＰｄ及びＡｇはＥＵＶ透過率が低く、実用的なＥＵＶ透過率と高いＩＲ放射率を両立させたペリクル膜にはなっていない。これらの問題が、本発明のＥＵＶ透過膜１０によれば首尾よく解決される。すなわち、本発明のＥＵＶ透過膜１０によれば、ＥＵＶ透過率とＩＲ放射率のいずれもが高い主層（例えば金属で構成される層）と、ＥＵＶ透過率とＩＲ透過率のいずれもが高い保護層（例えば非金属で構成される層）を組み合わせることにより、ＥＵＶ透過膜１０のＥＵＶ透過率を高くしながらも、ＥＵＶ光の吸収による発熱を主層からのＩＲ放射で放熱することができる。したがって、ＥＵＶ光の吸収によりＥＵＶ透過膜１０が発熱したとしても、主層１２からＩＲ光が放射され、保護層１４は主層１２から放射されたＩＲ光を透過することで、ＥＵＶ透過膜１０外にＩＲ光が放射され放熱されるため、ＥＵＶ透過膜１０の温度上昇が抑えられる。
　なお、物質に光線が照射されたときの物理的現象としては、透過、反射及び吸収がある。そして、透過率＋反射率＋吸収率＝１の関係式が成り立ち、光線は上記３つのうちいずれかの現象を示し、光線の透過量、反射量及び吸収量の合計は光線の照射量と一致する。また、吸収率＝放射率（輻射率）であり、ある光線の吸収率が高い材料は、その光線の放射率も高いことになる。しかし、透過率＋反射率＋吸収率＝１であるため、透過率及び吸収率（＝放射率）が０．５超という物質は有り得ない。ただし、上記関係式は特定の波長に関して満たすものであり、波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ透過率が０．９５以上で、かつ放射による放熱の主な光線（波長２μｍにおけるＩＲ光線）の放射率が０．１といったことは成り立ち得る。
　ＥＵＶ透過膜１０は、波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ透過率が８０．０％以上であり、好ましくは８５．０％以上、より好ましくは９０．０％以上、さらに好ましくは９３．０％以上である。ＥＵＶ透過率は高ければ高いほど望ましいため、上限値は特に限定されず理想的には１００％であるが、ＥＵＶ透過膜１０のＥＵＶ透過率は、典型的には９９％以下、より典型的には９８％以下、さらに典型的には９５％以下でありうる。
　主層１２は、波長２μｍにおけるＩＲ放射率が２．０％以上であり、好ましくは２．５％以上、より好ましくは５．０％以上、さらに好ましくは８．０％以上、特に好ましくは１３．０％以上、最も好ましくは１５．０％以上である。ＩＲ放射率は高ければ高いほど望ましいため、上限値は特に限定されないが、主層１２のＩＲ放射率は、典型的には３０．０％以下、より典型的には２７．５％以下、さらに典型的には２５．０％以下でありうる。
　主層１２は、Ｂｅ、Ｓｉ及びＢ４Ｃからなる群から選択される少なくとも一種を主成分として含むのが好ましく、より好ましくはＢｅ又はＳｉを主成分として含み、さらに好ましくはＢｅを主成分として含む。すなわち、主層１２は、特にＥＵＶ透過率が高いＢｅやＳｉといった金属材料の他、Ｂ４Ｃのような金属と同等の低電気抵抗を有するセラミック材料を含んでもよい。ここで、主層１２における「主成分」とは、主層１２の９８．０重量％以上、好ましくは９９．０重量％以上、より好ましくは９９．５重量％以上を占める成分を意味する。もっとも、主層１２がＢｅ、Ｓｉ及びＢ４Ｃからなる群から選択される少なくとも一種のみからなるものであってもよい。こうすることで、ペリクル膜としての基本的機能（パーティクル付着防止機能等）を確保しながら、より効果的にＥＵＶ透過率及びＩＲ放射率が高い主層とすることができる。かかる観点から、主層１２の厚さは、１０～７０ｎｍであるのが好ましく、より好ましくは１５～５０ｎｍ、さらに好ましくは２０～３５ｎｍである。また、実用に耐えうる機械的強度を維持することを考えた場合、主層１２の厚さは５ｎｍ以上が好ましい。一方、ＥＵＶ透過率を高くすることを考えた場合、なるべく薄くするのが良いため、主層１２の厚さは５０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下である。
　保護層１４は、主層１２を保護するための層である。したがって、保護層１４は、主層１２の少なくとも片面を覆っているが、主層１２の両面を１対の保護層１４で覆うのが好ましい。保護層１４は、波長２μｍにおけるＩＲ透過率が７０％以上であり、好ましくは７５％以上、より好ましくは７８％以上、さらに好ましくは８０％以上である。ＩＲ透過率は高ければ高いほど望ましいため、上限値は特に限定されないが、保護層１４のＩＲ透過率は、典型的には９０％以下、より典型的には８７％以下、さらに典型的には８５％以下でありうる。
　保護層１４は、上述したとおりＥＵＶ透過膜１０作製プロセスにおいて主層１２を保護するための層であり、主層１２の酸化防止や、プロセスにおける薬品との反応（例えば酸化や腐食）の防止を目的として形成される。一方で、主層１２からのＩＲ放射を妨げないようにするため、保護層１４はＩＲ光に対して高い透過率を有するのが望ましい。さらに、保護層１４はＥＵＶ透過率も高いことが望ましい。かかる観点から、保護層１４は、フッ化カルシウム、二酸化ケイ素、及び窒化ベリリウムからなる群から選択される少なくとも一種で構成されるのが好ましく、より好ましくは二酸化ケイ素又は窒化ベリリウムで構成され、さらに好ましくは窒化ベリリウムで構成される。もっとも、保護層１４がこれら化合物でのみからなる必要はなく、保護層１４の９９重量％以上、好ましくは９９．５重量％以上、さらに好ましくは９９．８重量％以上がこれら化合物で構成されていればよい。なお、本明細書において「窒化ベリリウム」なる用語は、Ｂｅ３Ｎ２のような化学量論組成のみならず、Ｂｅ３Ｎ２－ｘ（式中０＜ｘ＜２である）のような非化学量論組成も許容する包括的な組成を意味するものとする。同様のことは、フッ化カルシウム、二酸化ケイ素等の他の化合物名にも当てはまる。
　保護層１４の厚さは、５ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは３ｎｍ以下である。保護層１４の厚さの下限値は特に限定されないが、典型的には０．３ｎｍ以上、より典型的には０．５ｎｍ以上である。保護層１４の厚さが５ｎｍ以下であることでＥＵＶ透過率を高くすることができ、保護層１４の厚さが０．３ｎｍ以上であることで酸化防止機能等の保護層としての基本的機能を維持することができる。
　上述したとおり、主層１２は、Ｂｅ、Ｓｉ及びＢ４Ｃからなる群から選択される少なくとも一種を主成分として含むのが好ましい一方で、保護層１４は、フッ化カルシウム、二酸化ケイ素、及び窒化ベリリウムからなる群から選択される少なくとも一種で構成されるのが好ましい。すなわち、主層１２は金属又は半金属（特に金属）で構成されるのが好ましく、保護層１４は、非金属で構成されるのが好ましい。ここで、物質は非金属である誘電体（絶縁体）と、金属である非誘電体（＝導電体）に分かれるが、どちらも厚さが変化するとＩＲ放射率が変化する。とりわけ、１００ｎｍよりも薄い膜になると、その変化が顕著に表れる。具体的には、誘電体はその厚さの低減に伴いＩＲ放射率も低減するが、非誘電体はその厚さの低減に伴い急激にＩＲ放射率が増大する特徴がある。そこで、好ましくは、ＥＵＶ透過率が高い金属である非誘電体からなる主層１２と、ＥＵＶ透過率が高い非金属である誘電体からなる保護層１４を組み合わせることで、主層１２と保護層１４のいずれもが高いＥＵＶ透過率を呈しながらも、主層１２はＩＲ放射率が高く、保護層１４はＩＲ放射率が低いため、主層１２から放射されたＩＲ放射光は保護層１４で吸収されることなく透過してＥＵＶ透過膜１０から放射される。このようにして、より効果的にＥＵＶ透過率のみならずＩＲ放射率も高いＥＵＶ透過膜とすることができる。
　ここで、主層１２がＢｅを主成分として含む場合を考える。ベリリウムは金属であるため、薄ければ薄いほどＩＲ放射率が高くなる。これに関し、様々な厚さにおけるＢｅのＩＲ放射率を光学理論を用いて計算したところ、１００ｎｍの厚さで２．１％、５０ｎｍで２．９％、３０ｎｍで４．４％、２０ｎｍで６．２％になることが分かった。なお、この計算はＢｅ層が理想的な鏡面状態の場合を想定しており、その場合のＩＲ反射率は実際のＢｅ層のＩＲ反射率よりも高く仮定している。そのため、光学理論計算上のＢｅ層のＩＲ放射率は実際のＢｅ層のＩＲ放射率よりも低く計算されている。すなわち、実際のＢｅ層は、上記計算結果よりもより高いＩＲ放射率になる。一方で、理論計算によるとＢｅ層のＥＵＶ透過率は１００ｎｍの厚さで８６．７％、５０ｎｍで９３．１％、３０ｎｍで９５．８％、２０ｎｍで９７．２％となる。すなわち、Ｂｅを主成分とする主層１２は薄いほどＥＵＶ透過率が高く、ＩＲ放射率も高くなることが分かる。
　主層１２は添加物を含むのが好ましい。これにより、主層１２のＩＲ放射率を更に高くさせることができる。ＥＵＶ光をＥＵＶ透過膜１０に照射した場合、添加物は伝導電子の散乱源となるため主層１２のＩＲ放射率が高くなると考えられる。但し、添加物自体のＥＵＶ透過率が低ければ、主層１２のＥＵＶ透過率も低下することになるため、ＥＵＶ透過率が高い添加物を選定することが好ましい。かかる観点から、添加物の構成元素は、主層１２の主要構成元素の電気陰性度よりも０．３以上高い又は０．３以上低い電気陰性度を有するのが好ましく、より好ましくは０．３３以上高い又は０．３３以上低く、さらに好ましくは０．３５以上高い又は０．３５以上低い。添加物の構成元素の電気陰性度と主層１２の主要構成元素の電気陰性度との差の上限値は特に限定されないが、典型的にはその差が１．２以下、より典型的には１．０以下である。このように、主層１２の主成分（例えばＢｅ）の電気陰性度と添加物の電気陰性度の差が大きいほど伝導電子の散乱能が大きくなる。ここで、主層１２の「主要構成元素」とは、主層１２に最も多く含まれる元素のことを意味し、例えば、主層１２がＢｅを主成分として含む場合は主要構成元素はＢｅである。また、上述したようにＥＵＶ透過率と電気陰性度との組合せを考えると、添加物は、ルビジウム（Ｒｂ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、カリウム（Ｋ）、カルシウム（Ｃａ）、ホウ素（Ｂ）及び炭素（Ｃ）からなる群から選択される少なくとも一種の元素を含むのが好ましい。
　主層１２がＢｅを主成分として含む場合、添加物の含有量が、主層１２におけるＢｅの含有量に対して、５～４０ａｔ％であるのが好ましく、より好ましくは１０～３５ａｔ％、さらに好ましくは１５～３０ａｔ％である。また、添加物の成分により効果は異なるが、主層１２がＳｉを主成分として含む場合も同様に、添加物の含有量が、主層１２におけるＳｉの含有量に対して、５～４０ａｔ％であるのが好ましい。添加物の含有量が５ａｔ％より多いことで添加物による上述した利点を効果的に実現できる。添加物の含有量が４０ａｔ％より少ないことでＥＵＶ透過膜１０の機械的強度を維持して破損しにくくさせることができ、主層１２のＥＵＶ透過率を高くすることができる。これらの添加物の含有量は、例えば、集束イオンビーム（ＦＩＢ）による加工でＥＵＶ透過膜の断面を切り出して試料を調製し、それを透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）（日本電子株式会社製、ＪＥＭ－２１００Ｆ）により２００ｋＶの条件で観察し、ＥＤＳ分析装置（日本電子株式会社製、ＪＥＤ－２３００Ｔ）により加速電圧５ｋｅＶの条件で、元素マッピングや点分析モードで元素分析することにより求めることができる。
　保護層１４が窒化ベリリウムで構成される場合は、主層１２に近づくにつれて窒素濃度が減少する窒素濃度傾斜領域を有するのが好ましい。すなわち、上述したとおり窒化ベリリウムの組成にはＢｅ３Ｎ２のような化学量論組成からＢｅ３Ｎ２－ｘ（式中０＜ｘ＜２である）のような非化学量論組成まで包含しうるところ、保護層１４を構成する窒化ベリリウムが、主層１２に近づくにつれてベリリウムリッチの組成に近づく傾斜組成とするのが好ましい。こうすることで、保護層１４（すなわち窒化ベリリウム層）と主層１２（例えば金属ベリリウム層）との密着性を向上できるとともに、両層間の熱膨張差に起因する応力の発生を緩和することができる。すなわち、両層間の密着性を向上させて剥離を抑制したり、ＥＵＶ光を吸収して高温になった場合の両層間の熱膨張緩和層として剥離しにくくしたりすることができる。窒素濃度傾斜領域の厚さは、保護層１４の厚さよりも小さいのが好ましい。すなわち、保護層１４の厚さの全域が窒素濃度傾斜領域である必要はない。例えば、保護層１４の厚さの一部のみ、例えば、保護層１４の厚さのうち好ましくは１０～７０％の領域、より好ましくは１５～５０％の領域が窒素濃度傾斜領域であるのが好ましい。
　ＥＵＶ透過膜１０は、ＥＵＶを透過するための主要領域が自立膜の形態であるのが好ましい。すなわち、ＥＵＶ透過膜１０の外縁部にのみ、成膜時に用いた基板（例えばＳｉ基板）がボーダー（ｂｏｒｄｅｒ）として残存しているのが好ましい、つまり、外縁部以外の主要領域には基板（例えばＳｉ基板）が残存していない、すなわち主要領域は主層１２及び保護層１４のみで構成されるのが好ましい。
　製造方法
　本発明によるＥＵＶ透過膜は、Ｓｉ基板上にＥＵＶ透過膜とすべき積層膜を形成した後、Ｓｉ基板の不要部分をエッチングで除去して自立膜化することにより作製することができる。したがって、前述のとおり、ＥＵＶ透過膜の主要部分はＳｉ基板が残存していない自立膜の形態となっている。
（１）Ｓｉ基板の準備
　まず、その上に積層膜を形成するためのＳｉ基板を準備する。Ｓｉ基板は、その上に主層１２と保護層１４からなる積層膜を形成した後に、その外縁部以外の主要領域（すなわち自立膜とすべき領域）がエッチングにより除去されることになる。したがって、エッチングを効率良く短時間で行うため、予め自立膜とすべき領域のＳｉ基板の厚さを薄くしておくことが望ましい。そのため、通常の半導体プロセスを用いて、Ｓｉ基板にＥＵＶ透過形状に対応したマスクを形成し、ウェットエッチングによりＳｉ基板をエッチングして、Ｓｉ基板の主要領域の厚さを所定厚さまで薄くすることが望まれる。ウェットエッチングを経たＳｉ基板を洗浄及び乾燥することで、ウェットエッチングにより形成したキャビティを有するＳｉ基板を準備する。なお、ウェットエッチングマスクとしては、Ｓｉのウェットエッチング液に対して耐食性を有する材質であればよく、例えばＳｉＯ２が好適に使用される。また、ウェットエッチング液としては、Ｓｉをエッチング可能なものであれば特に限定されない。例えば、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を適切な条件で使用すれば、Ｓｉに対する異方性エッチングで非常に良好なエッチングができるため好ましい。
（２）積層膜の形成
　積層膜の形成は、いかなる成膜手法により行われてもよい。好ましい成膜手法の一例としては、スパッタリング法が挙げられる。窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造を作製する場合、主層１２としてのベリリウム膜は、純Ｂｅターゲットを用いたスパッタリングにより作製し、保護層１４としての窒化ベリリウム膜は、反応性スパッタリングにより行うのが好ましい。この反応性スパッタリングは、例えば、純Ｂｅターゲットを用いたスパッタリング中に、チャンバー内に窒素ガスを入れることで、ベリリウムと窒素が反応して窒化ベリリウムを生成することにより行うことができる。また、別の手法として、窒化ベリリウムの作製は、ベリリウム膜を形成した後、窒素プラズマを照射することでベリリウムを窒化反応させて窒化ベリリウムを生成させることにより行うこともできる。いずれにしても、窒化ベリリウムの合成手法はこれらに限定されるものではない。なお、窒化ベリリウム膜形成用のベリリウムターゲットと、ベリリウム膜形成用のベリリウムターゲットは、別々のものを用いるのが好ましいが、窒化ベリリウム膜形成とベリリウム膜形成で同一のターゲットを用いることも可能である。なお、窒化ベリリウム膜とベリリウム膜は後述する実施例のように１つのチャンバーのスパッタリング装置で形成してもよいし、２チャンバーのスパッタリング装置を用いて窒化ベリリウム膜とベリリウム膜を別々のチャンバー内で形成してもよい。
　保護層１４としての窒化ベリリウム膜に窒素濃度傾斜領域を形成する場合、窒化ベリリウムの成膜から金属ベリリウムの成膜を行うに際して、スパッタリングを継続して行いながら、途中から窒素ガスの導入を止めて金属ベリリウムの成膜に切り替えればよい。こうすることで、窒素ガスの濃度の低下に伴い、成膜される膜中の窒素濃度が厚さ方向に減少する領域が形成される。一方、金属ベリリウムから窒化ベリリウムに切り替える場合は、上記とは逆に、スパッタリングを継続して行いながら、途中から窒素ガスの導入を始めれば、窒素濃度傾斜領域を形成することができる。窒素濃度傾斜領域の厚さは、窒素ガス濃度を変化させる時間を調整することにより制御することができる。
　このようにして保護層／主層／保護層の３層構造の積層膜を作製することができるところ、主層に添加物を含有させる場合は、その添加方法は、添加物が主層中に均一な濃度で混合される限り特に限定されない。主層への添加物の添加方法の例としては、
（ｉ）予め主層材料に所定量の添加物を均一に分散させたターゲットを用いてスパッタリングにより成膜する方法、
（ｉｉ）主層材料及び添加物のそれぞれのスパッタ率と添加量に基づき、主層材料と添加物が狙いの割合で同時に成膜されるようにターゲット面積を補正した２種類のターゲットをスパッタリング装置内に並べ、同時にスパッタリングにより成膜する方法、
（ｉｉｉ）主層材料と添加物をそれぞれ（例えばサブｎｍオーダーの厚さの）極薄膜として交互に成膜する方法
等が挙げられる。なお、上記（ｉｉｉ）の交互成膜法の場合、主層材料の間に薄い添加物層が挟まれた積層構造となるように思われるかもしれないが、スパッタリングのエネルギーが大きくなるように条件設定をすることで、成膜した材料はある程度の深さまで侵入するため、添加物Ｓｉがベリリウム層の中にまで到達した状態となる。特に、成膜時の各層の厚さを薄く制御することで、主層は多層状態ではなく均一な混合状態となる。
（３）自立膜化
　複合膜を形成したＳｉ基板の、ボーダー（ｂｏｒｄｅｒ）として残す外縁部以外のＳｉ基板の不要部分をエッチングで除去して、複合膜の自立膜化を行う。Ｓｉのエッチングは、いかなる手法により行われてもよいが、ＸｅＦ２を用いたエッチングにより好ましく行うことができる。
　本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。
　例１
　図２Ａ及び２Ｂに示される手順に従い、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合自立膜（ＥＵＶ透過膜）を以下のようにして作製した。
（１）Ｓｉ基板の準備
　直径８インチ（２０．３２ｃｍ）のＳｉウェハ２０を用意した（図２Ａ（ａ））。このＳｉウェハ２０の両面に、熱酸化によりＳｉＯ２膜２２を５０ｎｍ厚さで形成した（図２Ａ（ｂ））。Ｓｉウェハ２０の両面にレジストを塗布し、片面に１１０ｍｍ×１４５ｍｍのレジストの穴ができるように、露光及び現像を行いＳｉＯ２エッチング用のレジストマスク２４を形成した（図２Ａ（ｃ））。この基板の一方の面をフッ酸でウェットエッチングすることにより、ＳｉＯ２膜２２の露出部分をエッチング除去してＳｉＯ２マスク２２ａを作製した（図２Ａ（ｄ））。ＳｉＯ２エッチングのためのレジストマスク２４をアッシング装置で除去した（図２Ａ（ｅ））。その後、ＴＭＡＨ液によりＳｉをエッチングした。このエッチングは、事前にエッチングレートを測定しておき、狙いとするＳｉ基板厚５０μｍとするためのエッチング時間だけ実施した（図２Ａ（ｆ））。最後にＳｉエッチングしていない面に形成してあるＳｉＯ２膜２２をフッ酸により除去及び洗浄して、Ｓｉ基板２８を準備した（図２Ｂ（ｇ））。Ｓｉ基板外形は必要に応じてレーザー３０でダイシングして（図２Ｂ（ｈ））、所望の形状としてもよい（図２Ｂ（ｉ））。こうして、８インチ（２０．３２ｃｍ）Ｓｉウェハ２０の中央に１１０ｍｍ×１４５ｍｍのキャビティ２６を設け、キャビティ２６部分のＳｉ厚さが５０μｍであるＳｉ基板２８を準備した。
（２）複合膜の形成
　上記（１）で得られたキャビティ２６を備えたＳｉ基板２８に、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合膜を以下のようにして形成した（図２Ｂ（ｉ））。まず、スパッタリング装置にＳｉ基板２８をセットし、純Ｂｅターゲットを取り付けた。チャンバー内を真空引きし、内圧０．５Ｐａで、アルゴンガスと窒素ガス流量比が１：１となるよう調整し反応性スパッタリングを行い、窒化ベリリウムが２ｎｍ成膜する時間を見計らって反応性スパッタリングを終了した。次いで、窒素ガスを導入しないで、アルゴンガスのみでスパッタリングを行い、ベリリウムが３０ｎｍ成膜する時間を見計らってスパッタリングを終了した。その後、最初と同様に再度窒素ガスを導入しつつ、反応性スパッタリングを行い、窒化ベリリウムが２ｎｍ成膜する時間を見計らって反応性スパッタリングを終了した。このようにして、窒化ベリリウム２ｎｍ／ベリリウム３０ｎｍ／窒化ベリリウム２ｎｍの複合膜をＥＵＶ透過膜１０として形成した。
（３）自立膜化
　８インチ（２０．３２ｃｍ）基板を処理可能なＸｅＦ２エッチャーのチャンバー内に、上記（２）で準備した複合膜付きのＳｉ基板２８をセットした。チャンバー内を十分真空引きした。このとき、チャンバー内に水分が残留していると、ＸｅＦ２ガスと反応してフッ酸を生じ、エッチャーの腐食や想定外のエッチングが起きてしまうため、十分な真空引きを行った。必要に応じて、チャンバー内を、真空引きと窒素ガス導入を繰り返し、残留水分を減らした。十分に真空引きが出来たところで、ＸｅＦ２原料ボンベと予備室の間のバルブを開いた。その結果、ＸｅＦ２が昇華して予備室内にもＸｅＦ２ガスが蓄積された。十分に予備室内にＸｅＦ２ガスが蓄積されたところで、予備室とチャンバーの間のバルブを開き、ＸｅＦ２ガスをチャンバー内に導入した。ＸｅＦ２ガスはＸｅとＦに分解し、ＦはＳｉと反応してＳｉＦ４を生成した。ＳｉＦ４の沸点は－９５℃であるため、生成したＳｉＦ４は速やかに蒸発し、新たに露出したＳｉ基板とＦの反応が引き起こされた。Ｓｉエッチングが進行し、チャンバー内のＦが減少したところで、チャンバー内を真空引きし、再度ＸｅＦ２ガスをチャンバー内に導入しエッチングを行った。このようにして、真空引き、ＸｅＦ２ガス導入、及びエッチングを繰り返して、自立膜化させる部分に対応するＳｉ基板２８が消失するまでエッチングを続けた。不要部分のＳｉ基板が無くなったところでエッチングを終了した。こうして、Ｓｉ製ボーダー（ｂｏｒｄｅｒ）を有する複合自立膜をＥＵＶ透過膜１０として得た（図２Ｂ（ｊ））。
（４）ＩＲ特性
　得られたＥＵＶ透過膜に対して、ＦＴ－ＩＲ分光光度計を用いて波長２μｍにおけるＩＲ透過率及びＩＲ反射率を測定し、透過率＋反射率＋吸収率＝１の関係式から波長２μｍにおけるＩＲ吸収率を求めた。吸収率＝放射率であることから波長２μｍにおけるＩＲ放射率を求めた。また、保護層材料のＩＲ特性については、ＩＲ特性が既知のフッ化カルシウム基板上に、保護層材料だけを上記（２）と同じプロセスを用いて成膜してから測定を行い、得られたデータからフッ化カルシウム基板の影響（ＩＲ特性）を差し引くことで求めた。主層材料のＩＲ特性についても、保護層材料のＩＲ特性を求めた方法と同様にして求めた。こうして、主層における波長２μｍにおけるＩＲ放射率、及び保護層における波長２μｍにおけるＩＲ透過率を求めた。結果は表１に示されるとおりであった。
（５）ＥＵＶ透過率
　得られたＥＵＶ透過膜に波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を照射して、透過したＥＵＶ光量をセンサーで測定した。得られた測定値と、ＥＵＶ透過膜無しで直接のＥＵＶ光量をセンサーで測定した値との比較から、ＥＵＶ透過率を求めた。結果は表１に示されるとおりであった。
　例２
　複合膜の形成を以下のとおり行うことで、主層に添加物としてＳｉを含有させたこと以外は、例１と同様にして複合自立膜を作製及び評価した。結果は表１に示されるとおりであった。
（複合膜の形成）
　上記（１）で得られたキャビティ２６を備えたＳｉ基板２８に、窒化ベリリウム／Ｓｉ含有ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合膜を以下のようにして形成した（図２Ｂ（ｉ））。まず、マルチターゲットスパッタリング装置にＳｉ基板２８をセットし、純Ｂｅターゲット及びＳｉターゲットを取り付けた。チャンバー内を真空引きし、内圧０．５Ｐａで、アルゴンガスと窒素ガス流量比が１：１となるよう調整しＢｅターゲットを用いた反応性スパッタリングを行い、窒化ベリリウムが２ｎｍ成膜する時間を見計らって反応性スパッタリングを終了した。
　次いで、窒素ガスを導入しないで、内圧０．５Ｐａ、アルゴンガスのみでＢｅターゲットとＳｉターゲットを交互に用いてスパッタリングを行い、サブｎｍオーダーの厚さでベリリウムとＳｉを交互に成膜することで、窒化ベリリウム膜上に主層（Ｓｉ含有ベリリウム膜）を形成した。ＢｅスパッタリングとＳｉスパッタリングの切り替えは、スパッタリング装置内での純ＢｅターゲットとＳｉターゲットのシャッターの開閉により行った。このとき、Ｓｉ添加量が主層におけるＢｅの含有量に対して１０ａｔ％となるように、ベリリウムとＳｉそれぞれの成膜密度とスパッタ率から、ベリリウムとＳｉの成膜時間比を計算し、ベリリウムとＳｉそれぞれがサブｎｍオーダーの厚さとなるような時間で交互に成膜した。具体的には、Ｂｅを厚さ０．１６ｎｍ、Ｓｉを厚さ０．０４ｎｍで交互に成膜して、厚さ３０ｎｍの主層を形成した。このようにして、ベリリウムを主成分とし、添加物Ｓｉを含む主層を形成した。なお、本例においては、スパッタのエネルギーが大きくなるように条件設定をしており、成膜した材料はある程度の深さまで侵入するため、添加物Ｓｉがベリリウム層の中にまで到達した状態となる。特に、成膜時の各層の厚さを薄く制御することで、主層は多層状態ではなく均一な混合状態となる。
　その後、スパッタリング装置内で純Ｂｅターゲットを用いて、最初と同様に再度窒素ガスを導入しつつ、反応性スパッタリングを行い、窒化ベリリウムが２ｎｍ成膜する時間を見計らって反応性スパッタリングを終了した。このようにして、窒化ベリリウム２ｎｍ／Ｓｉ含有ベリリウム３０ｎｍ／窒化ベリリウム２ｎｍの複合膜をＥＵＶ透過膜１０として形成した。
　例３
　Ｓｉ含有量が主層におけるＢｅ含有量に対して２０ａｔ％となるように、Ｂｅを厚さ０．１２ｎｍ、Ｓｉを厚さ０．０８ｎｍで交互に成膜して厚さ３０ｎｍの主層としたこと以外は例２と同様にして、複合自立膜を作製及び評価した。結果は表１に示されるとおりであった。
　例４
　Ｓｉ含有量が主層におけるＢｅ含有量に対して４０ａｔ％となるように、Ｂｅを厚さ０．０８ｎｍ、Ｓｉを厚さ０．１２ｎｍで交互に成膜して厚さ３０ｎｍの主層としたこと以外は例２と同様にして、複合自立膜を作製及び評価した。結果は表１に示されるとおりであった。
　例５（比較）
　比較のため、特許文献３（特表２０１７－５２２５９０号公報）に開示されるペリクルが参照される。このペリクルは、主層が厚さ２２ｎｍのＳｉ３Ｎ４層であり、保護層が厚さ２ｎｍのＲｕ層である。このペリクルにおいて、同文献の図１２（ＩＲ光の波長を横軸、ペリクルのＩＲ吸収度を縦軸としたグラフ）から、波長２μｍにおけるＩＲ吸収度（＝吸収率＝放射率）が３５％（理論値は２０％）であることが読み取れた。このペリクルのＥＵＶ透過率の理論値を計算したところ、７８．８％であった。この結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　例１～４におけるＥＵＶ透過膜は、ＥＵＶ透過率及びＩＲ放射率が高くなった。特に、波長２μｍのＩＲ光に関して、主層にＳｉを含まないＥＵＶ透過膜（例１）のＩＲ放射率は１７．５％であったのに対し、主層中のＳｉ含有量が１０、２０及び４０ａｔ％のＥＵＶ透過膜（例２、３及び４）ではＩＲ放射率はそれぞれ２１．８％、２０．８％及び１９．７％といずれも高くなった。

Claims (10)

  1. 　波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ透過率が８０．０％以上のＥＵＶ透過膜であって、
    　波長２μｍにおけるＩＲ放射率が２．０％以上の主層と、
    　前記主層の少なくとも片面を覆う、波長２μｍにおけるＩＲ透過率が７０％以上の保護層と、
    を備えた、ＥＵＶ透過膜。
  2. 　前記主層の両面が１対の前記保護層で覆われている、請求項１に記載のＥＵＶ透過膜。
  3. 　前記主層が、Ｂｅ、Ｓｉ及びＢ４Ｃからなる群から選択される少なくとも一種を主成分として含む、請求項１に記載のＥＵＶ透過膜。
  4. 　前記保護層が、フッ化カルシウム、二酸化ケイ素、及び窒化ベリリウムからなる群から選択される少なくとも一種で構成される、請求項１又は２に記載のＥＵＶ透過膜。
  5. 　前記主層が添加物を含む、請求項１又は２に記載のＥＵＶ透過膜。
  6. 　前記添加物の構成元素が、前記主層の主要構成元素の電気陰性度よりも０．３以上高い又は０．３以上低い電気陰性度を有する、請求項５に記載のＥＵＶ透過膜。
  7. 　前記添加物が、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｂ及びＣからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む、請求項５に記載のＥＵＶ透過膜。
  8. 　前記主層がＢｅを主成分として含み、前記添加物の含有量が、前記主層におけるＢｅの含有量に対して、５～４０ａｔ％である、請求項５に記載のＥＵＶ透過膜。
  9. 　前記主層の厚さが１０～７０ｎｍである、請求項１又は２に記載のＥＵＶ透過膜。
  10. 　前記保護層の厚さが５ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載のＥＵＶ透過膜。
PCT/JP2022/034590 2021-10-20 2022-09-15 Ｅｕｖ透過膜 WO2023067957A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023515782A JPWO2023067957A1 (ja) 2021-10-20 2022-09-15
EP22883267.1A EP4227736A1 (en) 2021-10-20 2022-09-15 Euv transmissive film
KR1020237006160A KR20230058055A (ko) 2021-10-20 2022-09-15 Euv 투과막
US18/310,609 US20230305192A1 (en) 2021-10-20 2023-05-02 Euv transmissive film

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPPCT/JP2021/038811 2021-10-20
PCT/JP2021/038811 WO2023067739A1 (ja) 2021-10-20 2021-10-20 Ｅｕｖ透過膜

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/310,609 Continuation US20230305192A1 (en) 2021-10-20 2023-05-02 Euv transmissive film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023067957A1 true WO2023067957A1 (ja) 2023-04-27

Family

ID=86058073

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/038811 WO2023067739A1 (ja) 2021-10-20 2021-10-20 Ｅｕｖ透過膜
PCT/JP2022/034590 WO2023067957A1 (ja) 2021-10-20 2022-09-15 Ｅｕｖ透過膜

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/038811 WO2023067739A1 (ja) 2021-10-20 2021-10-20 Ｅｕｖ透過膜

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20230213848A1 (ja)
EP (2) EP4194948A4 (ja)
JP (2) JP7492649B2 (ja)
KR (2) KR20230058044A (ja)
CN (1) CN118076920A (ja)
TW (1) TW202328806A (ja)
WO (2) WO2023067739A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0558817B2 (ja) 1985-11-14 1993-08-27 Toshikazu Okuno
JP2001221689A (ja) * 2000-02-08 2001-08-17 Yokogawa Electric Corp 赤外線光源及び赤外線ガス分析計
JP2009271262A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルおよびペリクルの製造方法
JP2017522590A (ja) 2014-07-04 2017-08-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置内で用いられる膜及びそのような膜を含むリソグラフィ装置
JP2018194840A (ja) 2017-05-15 2018-12-06 アイメック・ヴェーゼットウェーＩｍｅｃ Ｖｚｗ カーボンナノチューブペリクル膜の形成方法
WO2020078721A1 (en) * 2018-10-15 2020-04-23 Asml Netherlands B.V. Method of manufacturing a membrane assembly

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01162332A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Sharp Corp Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン
JPH10340843A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Nikon Corp 照明装置および露光装置
JP2000338299A (ja) * 1999-05-28 2000-12-08 Mitsubishi Electric Corp Ｘ線露光装置、ｘ線露光方法、ｘ線マスク、ｘ線ミラー、シンクロトロン放射装置、シンクロトロン放射方法および半導体装置
KR102186010B1 (ko) * 2016-01-26 2020-12-04 한양대학교 산학협력단 Euv 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법
JP6518801B2 (ja) * 2017-03-10 2019-05-22 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 極紫外線リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0558817B2 (ja) 1985-11-14 1993-08-27 Toshikazu Okuno
JP2001221689A (ja) * 2000-02-08 2001-08-17 Yokogawa Electric Corp 赤外線光源及び赤外線ガス分析計
JP2009271262A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルおよびペリクルの製造方法
JP2017522590A (ja) 2014-07-04 2017-08-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置内で用いられる膜及びそのような膜を含むリソグラフィ装置
JP2018194840A (ja) 2017-05-15 2018-12-06 アイメック・ヴェーゼットウェーＩｍｅｃ Ｖｚｗ カーボンナノチューブペリクル膜の形成方法
WO2020078721A1 (en) * 2018-10-15 2020-04-23 Asml Netherlands B.V. Method of manufacturing a membrane assembly

Also Published As

Publication number Publication date
EP4227736A1 (en) 2023-08-16
JP7492649B2 (ja) 2024-05-29
US20230305192A1 (en) 2023-09-28
KR20230058044A (ko) 2023-05-02
CN118076920A (zh) 2024-05-24
TW202328806A (zh) 2023-07-16
EP4194948A1 (en) 2023-06-14
EP4194948A4 (en) 2024-05-01
KR20230058055A (ko) 2023-05-02
WO2023067739A1 (ja) 2023-04-27
JPWO2023067957A1 (ja) 2023-04-27
US20230213848A1 (en) 2023-07-06
JPWO2023067739A1 (ja) 2023-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7478778B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用のメンブレン
JP5348140B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
KR101993929B1 (ko) 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반사형 마스크의 제조 방법
JP5348141B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
KR20130007534A (ko) Ｅｕｖ 리소그래피용 광학 부재 및 ｅｕｖ 리소그래피용 반사층 부착 기판의 제조 방법
KR102665789B1 (ko) 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 및 반도체 디바이스의 제조 방법
WO2023067957A1 (ja) Ｅｕｖ透過膜
KR20210056343A (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP6542497B1 (ja) マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法
CN118140177A (zh) Euv透过膜
JP7372501B1 (ja) Ｅｕｖ透過膜
JP2019191603A (ja) マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法
US20240094620A1 (en) Euv transmissive membrane, method of use thereof, and exposure method
WO2023112330A1 (ja) ペリクルの製造に用いられるためのＳｉメンブレン構造体、及びペリクルの製造方法
TWI835473B (zh) 用於ｅｕｖ微影之膜、護膜總成、圖案化器件總成及動態氣鎖總成
TW202414068A (zh) Euv透明膜及其使用方法，和曝光方法
TW202417982A (zh) Euv透過膜
KR20230072331A (ko) 반사형 블랭크 마스크 및 그 제조방법
KR20220160762A (ko) 리소그래피 마스크용 반사층의 제조 방법
KR20240067993A (ko) 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 및 반도체 디바이스의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2023515782

Country of ref document: JP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2022883267

Country of ref document: EP

Effective date: 20230512

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22883267

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1