JPH01162332A - Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン - Google Patents
Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレンInfo
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- JPH01162332A JPH01162332A JP62322602A JP32260287A JPH01162332A JP H01162332 A JPH01162332 A JP H01162332A JP 62322602 A JP62322602 A JP 62322602A JP 32260287 A JP32260287 A JP 32260287A JP H01162332 A JPH01162332 A JP H01162332A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
- Y02T10/60—Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体製造技術におけるリソグラフィ技術、特
にＸ線を利用するＸ線リソグラフィ用マスクメンブレン
の改良に関するものである。
にＸ線を利用するＸ線リソグラフィ用マスクメンブレン
の改良に関するものである。
〈従来の技術〉
最小線幅が１７４μｍのパターンヲ有スる６４ＭｂＤＲ
ＡＭ クラスのＬＳＩを量産するためのリソグラフィ技
術として最も有望視されているのがＸ線リソグラフィ技
術である。Ｘ線リソグラフィではＸ線レンズがないため
に、グロキシミリティ方式によってウェハ上にマスクパ
ターンが１：１で投影される。この時、マスクとウェハ
間の位置合わせに可視光を使うため、メンブレンは可視
光透過性が必要である。また、メンブレンの平坦性と強
度を保つために、１０８ｄｙｎ／ｃｍ２ 台の低引っ
張シ応力をもつことが必要である。
ＡＭ クラスのＬＳＩを量産するためのリソグラフィ技
術として最も有望視されているのがＸ線リソグラフィ技
術である。Ｘ線リソグラフィではＸ線レンズがないため
に、グロキシミリティ方式によってウェハ上にマスクパ
ターンが１：１で投影される。この時、マスクとウェハ
間の位置合わせに可視光を使うため、メンブレンは可視
光透過性が必要である。また、メンブレンの平坦性と強
度を保つために、１０８ｄｙｎ／ｃｍ２ 台の低引っ
張シ応力をもつことが必要である。
第２図は従来のＸ線リソグラフィ用マスクメンブレンの
構造を示す断面図である。第２図において１１はＸ線透
過膜（メンブレン）であシ、このＸ線透過膜１１は、外
枠１２によって保持されている。具体的にはメンブレン
１１は単結晶シリコン（Ｓｉ）、水素化窒化珪素（Ｓ
ｉＮ Ｈ）、水素化窒化硼素（ＢＮＨ）、ポリイミド等
の軽元素からなっている。これらの軽元素はＸ線を吸収
しに＜＜、メンブレン１１の膜厚はおよそ２μｍ前後と
薄いため、メンブレンのＸ線に対する透過率は十分高い
。
構造を示す断面図である。第２図において１１はＸ線透
過膜（メンブレン）であシ、このＸ線透過膜１１は、外
枠１２によって保持されている。具体的にはメンブレン
１１は単結晶シリコン（Ｓｉ）、水素化窒化珪素（Ｓ
ｉＮ Ｈ）、水素化窒化硼素（ＢＮＨ）、ポリイミド等
の軽元素からなっている。これらの軽元素はＸ線を吸収
しに＜＜、メンブレン１１の膜厚はおよそ２μｍ前後と
薄いため、メンブレンのＸ線に対する透過率は十分高い
。
〈発明が解決しようとする問題点〉
Ｘ線透過膜はＸ線露光の度に放射線に晒されるため、そ
の放射線耐性が問題となる。その点において水素化窒化
珪素（ＳｉＮＨ）、水素化窒化硼素（ＢＮＨ）、ポリイ
ミド等は不適である。例えば水素化窒化硼素膜ではＩ
Ｋ Ｊ ／ｃｄ１程度の軟Ｘ線の照射によシ水素の離脱
が起き、可視光透過率が減少するとともに内部応力が圧
縮応力側に変化することが知られている。
の放射線耐性が問題となる。その点において水素化窒化
珪素（ＳｉＮＨ）、水素化窒化硼素（ＢＮＨ）、ポリイ
ミド等は不適である。例えば水素化窒化硼素膜ではＩ
Ｋ Ｊ ／ｃｄ１程度の軟Ｘ線の照射によシ水素の離脱
が起き、可視光透過率が減少するとともに内部応力が圧
縮応力側に変化することが知られている。
単結晶シリコン（Ｓｉ）は放射線耐性が高いが特殊なマ
スク作製プロセスが必要である。すなわちマスク作製工
程で所定領域の基板シリコンを腐食液によシ、裏面から
溶解してメンブレン化する際にメンブレン部を耐腐食化
するために硼素（Ｂ）を添加する必要がある。一方、硼
素添加を行なうと、内部応力が引っ張シ応力となシ、こ
れを緩和するためにゲルマニウム（Ｇｅ）の添加を行な
い、圧縮応力を与えて応力制御をする必要がある。従っ
て上述の硼素及びゲルマニウムドープ単結晶シリコンの
形成には専用ＣＶＤ装置が必要である上、エピタキシー
プロセスの精密な制御が必要であった。
スク作製プロセスが必要である。すなわちマスク作製工
程で所定領域の基板シリコンを腐食液によシ、裏面から
溶解してメンブレン化する際にメンブレン部を耐腐食化
するために硼素（Ｂ）を添加する必要がある。一方、硼
素添加を行なうと、内部応力が引っ張シ応力となシ、こ
れを緩和するためにゲルマニウム（Ｇｅ）の添加を行な
い、圧縮応力を与えて応力制御をする必要がある。従っ
て上述の硼素及びゲルマニウムドープ単結晶シリコンの
形成には専用ＣＶＤ装置が必要である上、エピタキシー
プロセスの精密な制御が必要であった。
本発明は上記の点に鑑みて創案されたものであシ、上記
した従来の問題点を除去し、比較的汎用性の高い設備で
、容易に作製可能な、放射線耐性が高く、低応力で可視
光を透過しシリコン腐食剤に対する耐性の高いＸ線リソ
グラフィ用マスクメンブレンを提供することを目的とし
ている。
した従来の問題点を除去し、比較的汎用性の高い設備で
、容易に作製可能な、放射線耐性が高く、低応力で可視
光を透過しシリコン腐食剤に対する耐性の高いＸ線リソ
グラフィ用マスクメンブレンを提供することを目的とし
ている。
く問題点を解決するだめの手段及び作用〉上記の目的を
達成するため、本発明はＸ線に対して高い透過率を有す
るＸ線透過膜（メンブレン）と、このＸ線透過膜を保持
する支持枠とを備えたＸ線リソグラフィ用マスクメンブ
レンにおいて、上記のＸ線透過膜を多結晶シリコン膜を
含んで構成するようになしておシ、マた本発明の好まし
い実施例にあっては上記の多結晶シリコン膜の表裏両面
に可視光に対して反射防止膜になるとともに、シリコン
腐食剤に対し高い耐性を有する保護膜を備えるように構
成しており、更にこの保護膜を窒化シリコン膜か炭化シ
リコン膜のいずれかで構成するようになしている。
達成するため、本発明はＸ線に対して高い透過率を有す
るＸ線透過膜（メンブレン）と、このＸ線透過膜を保持
する支持枠とを備えたＸ線リソグラフィ用マスクメンブ
レンにおいて、上記のＸ線透過膜を多結晶シリコン膜を
含んで構成するようになしておシ、マた本発明の好まし
い実施例にあっては上記の多結晶シリコン膜の表裏両面
に可視光に対して反射防止膜になるとともに、シリコン
腐食剤に対し高い耐性を有する保護膜を備えるように構
成しており、更にこの保護膜を窒化シリコン膜か炭化シ
リコン膜のいずれかで構成するようになしている。
即ち、本発明にあっては、Ｘ線透過膜を形成するに際し
て多結晶シリコン膜を用い、その表裏両面に窒化シリコ
ン膜もしくは炭化シリコン膜を形成することによって、
可視光に対する反射を防止し、可視光透過性を高めると
ともにシリコン腐食剤に対し高い耐性を持たせることが
できる。また、多結晶シリコン膜は圧縮応力をもち、熱
処理で容易に応力を制御することができるため、窒化シ
リコン膜等の引っ張シ応力と合わせて、制御性よくメン
ブレンに弱い引つ張シ応力を持たせることができる。
て多結晶シリコン膜を用い、その表裏両面に窒化シリコ
ン膜もしくは炭化シリコン膜を形成することによって、
可視光に対する反射を防止し、可視光透過性を高めると
ともにシリコン腐食剤に対し高い耐性を持たせることが
できる。また、多結晶シリコン膜は圧縮応力をもち、熱
処理で容易に応力を制御することができるため、窒化シ
リコン膜等の引っ張シ応力と合わせて、制御性よくメン
ブレンに弱い引つ張シ応力を持たせることができる。
さらに本発明に係る構造のメンブレンを作成するに際し
ては従来の半導体製造装置によって行なうことができる
ため、新たな設備の導入が不必要であシ、また均一性に
優れた、ピンホール等の欠陥の少ないメンブレンを容易
に得ることができる。
ては従来の半導体製造装置によって行なうことができる
ため、新たな設備の導入が不必要であシ、また均一性に
優れた、ピンホール等の欠陥の少ないメンブレンを容易
に得ることができる。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例として、多結晶
シリコンの表裏両面に窒化シリコンを形成したＸ線リソ
グラフィ用マスクメンブレンについて説明する。
シリコンの表裏両面に窒化シリコンを形成したＸ線リソ
グラフィ用マスクメンブレンについて説明する。
第３図は本発明に係る構造のメンブレンにおいて、膜厚
２μｍの多結晶シリコンの表裏両面に同じ膜厚の窒化シ
リコン膜を減圧ＣＶＤ法で形成した場合の膜厚とヘリウ
ムネオンレーザの波長（６８３ｎｍ）での反射率の理論
値を示すグラフである。この第３図かられかる様に膜厚
２μｍの多結晶シリコンの表裏両面に７５ＯＡの窒化シ
リコン膜を形成した時に反射率が最も低く、マスターウ
ェハ間の位置合わせに適している。
２μｍの多結晶シリコンの表裏両面に同じ膜厚の窒化シ
リコン膜を減圧ＣＶＤ法で形成した場合の膜厚とヘリウ
ムネオンレーザの波長（６８３ｎｍ）での反射率の理論
値を示すグラフである。この第３図かられかる様に膜厚
２μｍの多結晶シリコンの表裏両面に７５ＯＡの窒化シ
リコン膜を形成した時に反射率が最も低く、マスターウ
ェハ間の位置合わせに適している。
次に第１図（ａ）から第１図（ｄ）に従って本発明によ
るＸ線リソグラフィ用マスクメンブレンの製造工程につ
いて説明する。
るＸ線リソグラフィ用マスクメンブレンの製造工程につ
いて説明する。
まず第１図（ａ）を参照してＸ線透過膜（メンブレン）
の支持体となるシリコン基板２の両面に減圧ＣＶＤ法に
よって膜厚約７５ＯＡの窒化珪素膜（５ｉ３Ｎ４） Ｉ
ａ及び１ｂを形成する。
の支持体となるシリコン基板２の両面に減圧ＣＶＤ法に
よって膜厚約７５ＯＡの窒化珪素膜（５ｉ３Ｎ４） Ｉ
ａ及び１ｂを形成する。
次に第１図（ｂ）を参照して、シリコン基板２の表面側
に位置する一方の窒化珪素膜ｌａ上に減圧ＣＶＤ法によ
って膜厚約２μｍの多結晶シリコン膜３を形成する。こ
の多結晶シリコン膜３はＸ線リソグラフィ用マスクにお
けるＸ線透過膜となる。
に位置する一方の窒化珪素膜ｌａ上に減圧ＣＶＤ法によ
って膜厚約２μｍの多結晶シリコン膜３を形成する。こ
の多結晶シリコン膜３はＸ線リソグラフィ用マスクにお
けるＸ線透過膜となる。
次に第１図（ｃ）を参照して多結晶シリコン膜３上に減
圧ＣＶＤ法によって膜厚８４０Ａの窒化珪素膜（Ｓｉ３
Ｎ４）Ｉｃを形成する。これは後工程において水酸化ナ
トリウム水溶液で基板シリコンを溶解させる時の膜減シ
分を加算したもので、全工程終了後に多結晶シリコン膜
３上の窒化珪素膜（Ｓｉ３Ｎ４）１ｃの膜厚は７５０Ａ
となる。第１図（ｃ）まで完成した３層構造のメンブレ
ンは多結晶シリコン膜３の影響で三層平均で２ Ｘ Ｉ
０９ｄｙｎ／ｃｍ２程度の圧縮応力をもつが、９５０
℃、６０分間の熱処理で２×＋ ０８ｄｙｎ／ｃｍ２程
度の引っ張シ応力となシ、これはＸ線リソグラフィ用マ
スクメンブレンとして十分な値である。
圧ＣＶＤ法によって膜厚８４０Ａの窒化珪素膜（Ｓｉ３
Ｎ４）Ｉｃを形成する。これは後工程において水酸化ナ
トリウム水溶液で基板シリコンを溶解させる時の膜減シ
分を加算したもので、全工程終了後に多結晶シリコン膜
３上の窒化珪素膜（Ｓｉ３Ｎ４）１ｃの膜厚は７５０Ａ
となる。第１図（ｃ）まで完成した３層構造のメンブレ
ンは多結晶シリコン膜３の影響で三層平均で２ Ｘ Ｉ
０９ｄｙｎ／ｃｍ２程度の圧縮応力をもつが、９５０
℃、６０分間の熱処理で２×＋ ０８ｄｙｎ／ｃｍ２程
度の引っ張シ応力となシ、これはＸ線リソグラフィ用マ
スクメンブレンとして十分な値である。
次に第１図（ｄ）を参照してシリコン基板２の裏面側に
形成された他方の窒化珪素膜１ｂの所定領域を反応性イ
オンエツチングによって除去し、さらに８０°Ｃの２５
％水酸化ナトリウム溶液によってシリコン基板２を溶解
する。こうして窓４を形成し、Ｘ線マスクメンブレンを
完成する。
形成された他方の窒化珪素膜１ｂの所定領域を反応性イ
オンエツチングによって除去し、さらに８０°Ｃの２５
％水酸化ナトリウム溶液によってシリコン基板２を溶解
する。こうして窓４を形成し、Ｘ線マスクメンブレンを
完成する。
上記のようにして製造したＸ線リソグラフィ用マスクメ
ンブレンを用いてＸ線耐性の加速試験を電子ビームを用
いて行なった。照射条件は電流密度３．５μＡ／ｃＡ電
子エネルギーが］０ＫｅＶで温度は１００°Ｃ以下に保
った。第４図に示すように水素化窒化珪素（ＳｉＮＨ）
はＩＭＪ／ｃｍ３ で応力が２．７Ｘ Ｉ ０８ｄｙｎ
／ ｃｍ２変化してしまうのに対し、多結晶シリコンで
はｌ ＯＯＭＪ／ｃｍ３の照射でも応力はほとんど変化
しない。Ｘ線露光に用いるレジストの感度を］００ｍＪ
／ｃｍ２とするとＩＭＪ／ｃｍ３はおよそ１０３回の露
光によってメンブレンが吸収するＸ線量に対応すること
から、従来のメンブレンが１０３回の露光で応力変化を
生じ、パターン位置歪みをおこすことに対し、本発明に
よる多結晶シリコンメンブレンでは１０５回以上のＸ線
露光でもメンブレンの応力変化によるパターン位置歪み
は生じないといえる。
ンブレンを用いてＸ線耐性の加速試験を電子ビームを用
いて行なった。照射条件は電流密度３．５μＡ／ｃＡ電
子エネルギーが］０ＫｅＶで温度は１００°Ｃ以下に保
った。第４図に示すように水素化窒化珪素（ＳｉＮＨ）
はＩＭＪ／ｃｍ３ で応力が２．７Ｘ Ｉ ０８ｄｙｎ
／ ｃｍ２変化してしまうのに対し、多結晶シリコンで
はｌ ＯＯＭＪ／ｃｍ３の照射でも応力はほとんど変化
しない。Ｘ線露光に用いるレジストの感度を］００ｍＪ
／ｃｍ２とするとＩＭＪ／ｃｍ３はおよそ１０３回の露
光によってメンブレンが吸収するＸ線量に対応すること
から、従来のメンブレンが１０３回の露光で応力変化を
生じ、パターン位置歪みをおこすことに対し、本発明に
よる多結晶シリコンメンブレンでは１０５回以上のＸ線
露光でもメンブレンの応力変化によるパターン位置歪み
は生じないといえる。
また、ヘリウムネオンガスレーザの波長（Ｈ３ｎｍ）で
の透過率は本実施例のメンブレンで２３％でろシ、多結
晶シリコン１μｍの表裏両面に７５ＯＡの窒化珪素膜を
もつメンブレンでは４８％であった。
の透過率は本実施例のメンブレンで２３％でろシ、多結
晶シリコン１μｍの表裏両面に７５ＯＡの窒化珪素膜を
もつメンブレンでは４８％であった。
これらの値はウェハーマスク間の位置合わせを行なうの
に十分な値である。
に十分な値である。
なお、本実施例では耐腐食性の反射防止膜としてＳｉ３
Ｎ４を用いたが、まったく同様に炭化シリコン膜（Ｓｉ
Ｃ）を用いることもできる。又本発明は耐腐食性反射防
止膜の製造方法及び条件の詳細によるものではない。
Ｎ４を用いたが、まったく同様に炭化シリコン膜（Ｓｉ
Ｃ）を用いることもできる。又本発明は耐腐食性反射防
止膜の製造方法及び条件の詳細によるものではない。
〈発明の効果〉
以上のように本発明では、従来半導体プロセスで用いら
れている多結晶シリコンをメンブレン材料とすることで
、汎用性の高い設備で容易にＸ線耐性の高いＸ線リソグ
ラフィ用マスクメンブレンを得ることができる。また多
結晶シリコンの表裏両面に窒化シリコン膜や炭化シリコ
ン膜の保護膜を形成することによシ、可視光の反射を防
止し、シリコン腐食剤に対する耐性が向上する。
れている多結晶シリコンをメンブレン材料とすることで
、汎用性の高い設備で容易にＸ線耐性の高いＸ線リソグ
ラフィ用マスクメンブレンを得ることができる。また多
結晶シリコンの表裏両面に窒化シリコン膜や炭化シリコ
ン膜の保護膜を形成することによシ、可視光の反射を防
止し、シリコン腐食剤に対する耐性が向上する。
以上のことから明らかな↓うに、この発明は、Ｘ線マス
クの開発および生産において不可欠なものでｉ、Ｘ＃リ
ソグラフィの実用化を通じて社会に及ぼす面接的効果が
大でロシ、結果として本発明の工業的価値は非常に高い
ものである。
クの開発および生産において不可欠なものでｉ、Ｘ＃リ
ソグラフィの実用化を通じて社会に及ぼす面接的効果が
大でロシ、結果として本発明の工業的価値は非常に高い
ものである。
第１図（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ本発明の一実施例と
してのリソグラフィ用マスクメンブレンを製造するだめ
の工程を示す図、第２図は従来のＸ線リソグラフィ用マ
スクメンブレンを示す断面図、第３を示す図、第４図は
電子線照射量と応力変化との関係を示す図である。 ＋ａ、Ｉｂ、Ｉｃ・・・窒化珪素膜、２・・・シリコン
基板、３・・多結晶シリコン膜、４・・・窓。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図
してのリソグラフィ用マスクメンブレンを製造するだめ
の工程を示す図、第２図は従来のＸ線リソグラフィ用マ
スクメンブレンを示す断面図、第３を示す図、第４図は
電子線照射量と応力変化との関係を示す図である。 ＋ａ、Ｉｂ、Ｉｃ・・・窒化珪素膜、２・・・シリコン
基板、３・・多結晶シリコン膜、４・・・窓。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線に対して高い透過率を有するＸ線透過膜と該Ｘ
線透過膜を保持する支持枠とを備えたＸ線リソグラフィ
用マスクメンブレンにおいて、上記Ｘ線透過膜を多結晶
シリコン膜を含んで構成してなることを特徴とするＸ線
リソグラフィ用マスクメンブレン。 ２、前記Ｘ線透過膜は多結晶シリコン膜の表裏両面に可
視光に対して反射防止膜になるとともにシリコン腐食剤
に対し高い耐性を有する保護膜を有してなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線リソグラフィ用
マスクメンブレン。 ３、前記保護膜は窒化シリコン膜か炭化シリコン膜のい
ずれかで構成されてなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のＸ線リソグラフィ用マスクメンブレン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62322602A JPH01162332A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62322602A JPH01162332A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01162332A true JPH01162332A (ja) | 1989-06-26 |
| JPH0583171B2 JPH0583171B2 (ja) | 1993-11-25 |
Family
ID=18145539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62322602A Granted JPH01162332A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01162332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023067739A1 (ja) * | 2021-10-20 | 2023-04-27 | 日本碍子株式会社 | Ｅｕｖ透過膜 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5792830A (en) * | 1980-12-01 | 1982-06-09 | Hitachi Ltd | Manufacture of mask for x-ray exposure |
| JPS585743A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Toshiba Corp | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPS595628A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-12 | Seiko Epson Corp | メンブラン・マスク |
| JPS5918635A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | Hitachi Ltd | Ｘ線リソグラフイ用マスク |
| JPS59116750A (ja) * | 1982-12-11 | 1984-07-05 | ユ−ロジル・エレクトロニツク・ゲ−エムベ−ハ− | Ｘ線リトグラフイ用放射線マスク基層およびその製法 |
| JPS6020514A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-01 | Matsushita Electronics Corp | Ｘ線露光用マスク |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62322602A patent/JPH01162332A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5792830A (en) * | 1980-12-01 | 1982-06-09 | Hitachi Ltd | Manufacture of mask for x-ray exposure |
| JPS585743A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Toshiba Corp | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPS595628A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-12 | Seiko Epson Corp | メンブラン・マスク |
| JPS5918635A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | Hitachi Ltd | Ｘ線リソグラフイ用マスク |
| JPS59116750A (ja) * | 1982-12-11 | 1984-07-05 | ユ−ロジル・エレクトロニツク・ゲ−エムベ−ハ− | Ｘ線リトグラフイ用放射線マスク基層およびその製法 |
| JPS6020514A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-01 | Matsushita Electronics Corp | Ｘ線露光用マスク |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023067739A1 (ja) * | 2021-10-20 | 2023-04-27 | 日本碍子株式会社 | Ｅｕｖ透過膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0583171B2 (ja) | 1993-11-25 |
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