JPS59129851A - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
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- JPS59129851A JPS59129851A JP58005691A JP569183A JPS59129851A JP S59129851 A JPS59129851 A JP S59129851A JP 58005691 A JP58005691 A JP 58005691A JP 569183 A JP569183 A JP 569183A JP S59129851 A JPS59129851 A JP S59129851A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線露光に於いて用いられるＸ線露光用マスク
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
Ｘ線露光法に於いて用いられるＸ線露光用マスクは、図
形の転写媒体として用いられる１０入前後の軟Ｘ線に対
するコントラストを高める為、一般にＸ線の吸収係数が
大きい重金属、特に加工の容易なＡｕ、Ｐｔ、又はＷ等
を用いてノくターンを形成し、該重金属パターンを、Ｘ
線を良く透過する薄膜で支持している。更に、マスクの
強度を高め、取扱いを容易にする為、該薄膜の周囲を窓
枠状の梁を用いて補強支持するのが一般的である。この
ようなＸ線露光用マスクを用いたＸ線露光法に於いては
、従来の光学露光法に於いて一般に用いられている紫外
線のおよそ数百分の−の波長の軟Ｘｉを図形の転写媒体
として用いる為、光学露光法に於ける図形の転写精度を
１μｍ前後に制限する原因であった光の平折の影響が殆
ど無視でき、０．１μｍ以下の微細′パターンをも高精
度に転写することが可能である。ところが、従来用いら
れている前述のごとき構造のＸ線露光用マスクを用いた
場合には、本来重金属パターンで遮蔽された非露光領域
であるべきところが、Ｘ線の照射を受は兇該重金属パタ
ーンから放出される二次電子の照射を受け、事実上あた
かもＸ線の照射を受けたかのようになる、即ちポジ型レ
ジストの場合には本来レジストを残すべきところが無く
なるかまたは膜厚が薄くなることにカリ、またネガ型レ
ジストの場合には、本来除去されるべきところのレジス
トが残る結果となり、パターン精度の低下を招くという
欠点があった。
形の転写媒体として用いられる１０入前後の軟Ｘ線に対
するコントラストを高める為、一般にＸ線の吸収係数が
大きい重金属、特に加工の容易なＡｕ、Ｐｔ、又はＷ等
を用いてノくターンを形成し、該重金属パターンを、Ｘ
線を良く透過する薄膜で支持している。更に、マスクの
強度を高め、取扱いを容易にする為、該薄膜の周囲を窓
枠状の梁を用いて補強支持するのが一般的である。この
ようなＸ線露光用マスクを用いたＸ線露光法に於いては
、従来の光学露光法に於いて一般に用いられている紫外
線のおよそ数百分の−の波長の軟Ｘｉを図形の転写媒体
として用いる為、光学露光法に於ける図形の転写精度を
１μｍ前後に制限する原因であった光の平折の影響が殆
ど無視でき、０．１μｍ以下の微細′パターンをも高精
度に転写することが可能である。ところが、従来用いら
れている前述のごとき構造のＸ線露光用マスクを用いた
場合には、本来重金属パターンで遮蔽された非露光領域
であるべきところが、Ｘ線の照射を受は兇該重金属パタ
ーンから放出される二次電子の照射を受け、事実上あた
かもＸ線の照射を受けたかのようになる、即ちポジ型レ
ジストの場合には本来レジストを残すべきところが無く
なるかまたは膜厚が薄くなることにカリ、またネガ型レ
ジストの場合には、本来除去されるべきところのレジス
トが残る結果となり、パターン精度の低下を招くという
欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、二次電子の影響を
防ぎ、且つ寸法精度、耐薬品性、Ｘ線透過率１機械的強
度に優れたＸ線露光用マスクの製造方法を提供すること
にある。
防ぎ、且つ寸法精度、耐薬品性、Ｘ線透過率１機械的強
度に優れたＸ線露光用マスクの製造方法を提供すること
にある。
本発明のＸ線露光用マスクの製造方法は、平坦な基板表
面に軟Ｘ線を良く透過する薄膜を形成する工程と、前記
薄膜の上に所望のパターンを有する重金属層を形成する
工程と、前記重金属層を少くとも覆うように前記基板表
面にプラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜を形成する
工程と、前記重金属層のパターンが形成されているマス
ク領域の前記基板を裏面から食刻除去する工程とを含ん
で構成される。
面に軟Ｘ線を良く透過する薄膜を形成する工程と、前記
薄膜の上に所望のパターンを有する重金属層を形成する
工程と、前記重金属層を少くとも覆うように前記基板表
面にプラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜を形成する
工程と、前記重金属層のパターンが形成されているマス
ク領域の前記基板を裏面から食刻除去する工程とを含ん
で構成される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図ｔａ＞〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの製造工程順に示した断面図である。
めの製造工程順に示した断面図である。
まず、第１図（ａｌに示すように、（１００）面を主面
とする厚さ数百μｍないし１ｍｍのシリコン単結晶基板
１の一表面上にＣＶＤ法又はスパッタリング法等の方法
により数百にないし数千にの膜厚の窒化シリコン膜２を
形成し、通常の光学露光技術及びプラズマエツチング技
術を用いて窒化シリコン膜２を所定の形状にバターニン
グする。
とする厚さ数百μｍないし１ｍｍのシリコン単結晶基板
１の一表面上にＣＶＤ法又はスパッタリング法等の方法
により数百にないし数千にの膜厚の窒化シリコン膜２を
形成し、通常の光学露光技術及びプラズマエツチング技
術を用いて窒化シリコン膜２を所定の形状にバターニン
グする。
次に、第１図（ｂｌに示すように、シリコン単結晶基板
１の他方の表面上にプラズマＣＶＤ法又は減圧ＣＶＤ法
尋の方法によシ数千人ないし数μｍの厚さの窒化シリコ
ン膜３を形成する。この時、窒化シリコン膜３はおよそ
Ｉ Ｘ １０８ｄｙｎ／ｃ＋＋Ｉ 〜５ Ｘ １０８ｄ
ｙｎ ／−程度の引張９応力を有するように堆積条件を
選択する。
１の他方の表面上にプラズマＣＶＤ法又は減圧ＣＶＤ法
尋の方法によシ数千人ないし数μｍの厚さの窒化シリコ
ン膜３を形成する。この時、窒化シリコン膜３はおよそ
Ｉ Ｘ １０８ｄｙｎ／ｃ＋＋Ｉ 〜５ Ｘ １０８ｄ
ｙｎ ／−程度の引張９応力を有するように堆積条件を
選択する。
次に、第１図ｆｃｌに示すように、窒化シリコン膜３の
上に所望の転写用パターンを有する重金属層４を形成す
る。
上に所望の転写用パターンを有する重金属層４を形成す
る。
次に、第１図（ｄ）に示すように、重金属層４を少くと
も覆うように基板表面にプラズマＣＶＤ法による窒化シ
リコン膜５を数百＾〜数千大の厚さに形成する。この窒
化シリコン膜５は最終的に得られるＸ線露光用マスクの
機械的強度に影響し々いような引張応力を有することと
、密度がレジスト並に小さいことが重要である。このよ
うな窒化シリコン膜５を形成するために、プラズマＣＶ
Ｄは、５ｉＨａ ｒ ＮＨａ及びＮ２をそれぞれ反応ガ
スとして用い、その圧力が１．０−２．０ Ｔｏｒｒ
ｓ基板温度が１００〜２００℃、電力密度が０．０５〜
０．４５ Ｗ／、ｉ となる条件で行うと良い。この条
件を図示したものが第２図である。第２図で斜線を引い
た部分が条件範囲である。この窒化シリコン膜５は、窒
化シリコン膜３と同様に、Ｉ Ｘ １０８ｄｙｎ／ｃｎ
！ないし５Ｘ１０８ｄｙｎ／ｄの引張り応力を有する為
、最終的に得られるＸ線露光マスクの機械的強度および
平面度に殆ど影響しない。また該窒化シリコン膜５は多
量の水素を成分として含んでおり、密度が約２．０２／
ｃｄと通常のプラズマＣＶＤ条件または高温ＣＶＤで形
成した窒化シリコン膜の約７０％と小さく、数スないし
十数＾程度の波長の軟Ｘ線を極めて良く透過し、高コン
トラストのパターン投影を可能ならしめる。
も覆うように基板表面にプラズマＣＶＤ法による窒化シ
リコン膜５を数百＾〜数千大の厚さに形成する。この窒
化シリコン膜５は最終的に得られるＸ線露光用マスクの
機械的強度に影響し々いような引張応力を有することと
、密度がレジスト並に小さいことが重要である。このよ
うな窒化シリコン膜５を形成するために、プラズマＣＶ
Ｄは、５ｉＨａ ｒ ＮＨａ及びＮ２をそれぞれ反応ガ
スとして用い、その圧力が１．０−２．０ Ｔｏｒｒ
ｓ基板温度が１００〜２００℃、電力密度が０．０５〜
０．４５ Ｗ／、ｉ となる条件で行うと良い。この条
件を図示したものが第２図である。第２図で斜線を引い
た部分が条件範囲である。この窒化シリコン膜５は、窒
化シリコン膜３と同様に、Ｉ Ｘ １０８ｄｙｎ／ｃｎ
！ないし５Ｘ１０８ｄｙｎ／ｄの引張り応力を有する為
、最終的に得られるＸ線露光マスクの機械的強度および
平面度に殆ど影響しない。また該窒化シリコン膜５は多
量の水素を成分として含んでおり、密度が約２．０２／
ｃｄと通常のプラズマＣＶＤ条件または高温ＣＶＤで形
成した窒化シリコン膜の約７０％と小さく、数スないし
十数＾程度の波長の軟Ｘ線を極めて良く透過し、高コン
トラストのパターン投影を可能ならしめる。
次に、第１図（６１に示すように、予め形成しておいた
窒化シリコン膜２をマスクとして、シリコン単結晶基板
１を、例えば水酸化カリウム水溶液等の食刻液を用いて
選択的に除去し、シリコン単結晶基板１の残った部で形
成される窓枠状の補強支持梁ｆを形成する。この結果、
重金属層４のパターンを覆う窒化シリコン膜５は補強支
持梁１′に展張された状態となシ、所望のＸ線露光用マ
スクが得られる。
窒化シリコン膜２をマスクとして、シリコン単結晶基板
１を、例えば水酸化カリウム水溶液等の食刻液を用いて
選択的に除去し、シリコン単結晶基板１の残った部で形
成される窓枠状の補強支持梁ｆを形成する。この結果、
重金属層４のパターンを覆う窒化シリコン膜５は補強支
持梁１′に展張された状態となシ、所望のＸ線露光用マ
スクが得られる。
このようにして本発明により得られるＸ線露光用マスク
に於いては、重金属層４の転写パターンが軽元素から成
る窒化シリコン膜５に被覆されている為、Ｘ線照射に於
いて転写パターンでｂる重金属層４から発生する二次電
子は窒化シリコン膜５に捕獲され、パターン転写に必要
なＸ線のみが所望のパターン形状に応じて透過する為、
極めて高精度なパターン転写が可能となる。更に、本発
明のＸ線露光用マスクは転写パターンが窒化シリコン膜
に被覆されている為、酸、アルカリ、有機溶剤等の薬品
に対しても不溶であり、洗浄が容易でおるばかりでなく
、その製造工程に於けるパターン形成工程やシリコン単
結晶基板の食刻除去工程等の取扱いも非常に容易である
という利点を有する。更に、本発明によるＸ線露光用マ
スクは、温度や湿度による寸法変動が小さい為、極めて
高精度のマスク位置合せが実現でき、超微細パターンの
高精度転写が実現できるという重要な利点をも有してい
る。
に於いては、重金属層４の転写パターンが軽元素から成
る窒化シリコン膜５に被覆されている為、Ｘ線照射に於
いて転写パターンでｂる重金属層４から発生する二次電
子は窒化シリコン膜５に捕獲され、パターン転写に必要
なＸ線のみが所望のパターン形状に応じて透過する為、
極めて高精度なパターン転写が可能となる。更に、本発
明のＸ線露光用マスクは転写パターンが窒化シリコン膜
に被覆されている為、酸、アルカリ、有機溶剤等の薬品
に対しても不溶であり、洗浄が容易でおるばかりでなく
、その製造工程に於けるパターン形成工程やシリコン単
結晶基板の食刻除去工程等の取扱いも非常に容易である
という利点を有する。更に、本発明によるＸ線露光用マ
スクは、温度や湿度による寸法変動が小さい為、極めて
高精度のマスク位置合せが実現でき、超微細パターンの
高精度転写が実現できるという重要な利点をも有してい
る。
第１図（ａ）〜＋ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの製造工程順に示した断面図、第２図はプラズマＣＶ
Ｄ窒化シリコン膜の成長条件を示す条件範囲表示図でお
る。 １・・・・・・シリコン単結晶基板、ｒ・・・・・・補
強支持梁、２．３・・・・・・窒化シリコン膜、４・・
・・・・重金属層、５・・・・・・窒化シリコン膜。
めの製造工程順に示した断面図、第２図はプラズマＣＶ
Ｄ窒化シリコン膜の成長条件を示す条件範囲表示図でお
る。 １・・・・・・シリコン単結晶基板、ｒ・・・・・・補
強支持梁、２．３・・・・・・窒化シリコン膜、４・・
・・・・重金属層、５・・・・・・窒化シリコン膜。
Claims (1)
- 平坦な基板表面に軟Ｘ線を良く透過する薄膜を形成する
工程と、前記薄膜の上に所望のパターンを有する重金属
層を形成する工程と、前記重金属層を少くとも覆うよう
に前記基板表面にプラズマＣＶＤ法による窒化シリコン
膜を形成する工程と、前記重金属層のパターンが形成さ
れているマスク領域の前記基板を裏面から食刻除去する
工程とを含むことを特徴とするＸ線露光用マスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58005691A JPS59129851A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58005691A JPS59129851A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129851A true JPS59129851A (ja) | 1984-07-26 |
Family
ID=11618120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58005691A Pending JPS59129851A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129851A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446927A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of x-ray mask |
| JPH0373950A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-28 | Fujitsu Ltd | 露光用マスクの製造方法 |
| EP0697630A1 (en) * | 1987-09-30 | 1996-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask support |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5775427A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Nec Corp | Manufacture of mask for exposure to x-ray |
| JPS57208138A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-21 | Toshiba Corp | Manufacture of mask for x-ray exposure |
-
1983
- 1983-01-17 JP JP58005691A patent/JPS59129851A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5775427A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Nec Corp | Manufacture of mask for exposure to x-ray |
| JPS57208138A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-21 | Toshiba Corp | Manufacture of mask for x-ray exposure |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446927A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of x-ray mask |
| EP0697630A1 (en) * | 1987-09-30 | 1996-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask support |
| JPH0373950A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-28 | Fujitsu Ltd | 露光用マスクの製造方法 |
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