JPS60220933A - Ｘ線露光マスク及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光マスク及びその製造方法Info
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- JPS60220933A JPS60220933A JP59077745A JP7774584A JPS60220933A JP S60220933 A JPS60220933 A JP S60220933A JP 59077745 A JP59077745 A JP 59077745A JP 7774584 A JP7774584 A JP 7774584A JP S60220933 A JPS60220933 A JP S60220933A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は微細パターンの高精度転写技術として（従来技
術とその問題点） 従来、ｘａ’ｔｔｇ光マスクに光マークに波長数＾ない
し／’ｆ７Ａ程度の軟Ｘ線を良く透過する薄膜上に前記
軟Ｘ線を良く吸収するＡｕ又はＰｔ 等の重金属パター
ンを形成し、前記薄膜の周囲をＳｉ 単結晶若しくは石
英ガラス等から成る支持枠に固定したものが用いられる
。
術とその問題点） 従来、ｘａ’ｔｔｇ光マスクに光マークに波長数＾ない
し／’ｆ７Ａ程度の軟Ｘ線を良く透過する薄膜上に前記
軟Ｘ線を良く吸収するＡｕ又はＰｔ 等の重金属パター
ンを形成し、前記薄膜の周囲をＳｉ 単結晶若しくは石
英ガラス等から成る支持枠に固定したものが用いられる
。
このような従来のＸ線露光マスクに於いては、Ｘ＃ｉ！
露光用光源として最も高効率であると考えられているＭ
ｏＬ 線（λ＝５．４Ａ ）やＳｉＫ線（λ＝７゜ＩＡ
）あるいはＰｄＬ 線（λ＝４４λ ）に対して十分
なマスクコントラストを得る為に必要なＡｕ（若しくは
Ｐｔ）パターンの膜厚が少なくとも約０．８μｍ以上必
要であｐ１約０．５μｍ若しくはそれ以下の微細パター
ンを転写する為には、１以上のアスペクト比（縦横比）
を有するマスクパターンが必要となる。ところがＸ線露
光用光源として最も有力視されている電子ビーム励起型
Ｘ線源やプラズマ励起Ｘ線源は、点光源である為イ及り
パターンは放射状に発散するＸ線束によって半導体基板
上に転写される為、従来のＸ線露ブＣマスクに於ける上
記のような高アスペクト比のパターンの場合には、半影
ボケが大きくなり、パターンの転写精度が低下するとい
う欠点があった。また、ＡｕやＰｔは化学的に不活性で
ある為、厚さ１μ藏い膜厚を有するパターンを、電子ビ
ーム露光等で形成した薄膜のレジストパターンをマスク
にした通常のドライエツチングで形成することは殆んど
不可能である。この為従来上記のような厚膜パターンは
、旦 一部リフトオフ法によって形成したＴｉ 等の金属パタ
ーンをマスクにして下層の厚膜の有機膜を酸素カスを用
いた反応性イオンエツチングによってパターニングし、
この有機膜パターンの開口部に選択的にＡｕやＰｔ ｆ
メッキするか、又は予め該有機膜パターンの下層に形成
しておいた厚膜のＡｕ（又はＰｔ’）ｆ前記厚膜有機膜
パターンをマスクにしてエツチングするかして形成して
いた。このような従来のＸ線露光マスクの製造プロセス
は、通常のフォトマスクの製造プロセスと比較すると複
雑であり、しかもリフトオフやメッキ等のプロセスを含
む為、欠陥が発生し易い上、線幅の制御性が悪い、生産
性が低い等の欠点があった。
露光用光源として最も高効率であると考えられているＭ
ｏＬ 線（λ＝５．４Ａ ）やＳｉＫ線（λ＝７゜ＩＡ
）あるいはＰｄＬ 線（λ＝４４λ ）に対して十分
なマスクコントラストを得る為に必要なＡｕ（若しくは
Ｐｔ）パターンの膜厚が少なくとも約０．８μｍ以上必
要であｐ１約０．５μｍ若しくはそれ以下の微細パター
ンを転写する為には、１以上のアスペクト比（縦横比）
を有するマスクパターンが必要となる。ところがＸ線露
光用光源として最も有力視されている電子ビーム励起型
Ｘ線源やプラズマ励起Ｘ線源は、点光源である為イ及り
パターンは放射状に発散するＸ線束によって半導体基板
上に転写される為、従来のＸ線露ブＣマスクに於ける上
記のような高アスペクト比のパターンの場合には、半影
ボケが大きくなり、パターンの転写精度が低下するとい
う欠点があった。また、ＡｕやＰｔは化学的に不活性で
ある為、厚さ１μ藏い膜厚を有するパターンを、電子ビ
ーム露光等で形成した薄膜のレジストパターンをマスク
にした通常のドライエツチングで形成することは殆んど
不可能である。この為従来上記のような厚膜パターンは
、旦 一部リフトオフ法によって形成したＴｉ 等の金属パタ
ーンをマスクにして下層の厚膜の有機膜を酸素カスを用
いた反応性イオンエツチングによってパターニングし、
この有機膜パターンの開口部に選択的にＡｕやＰｔ ｆ
メッキするか、又は予め該有機膜パターンの下層に形成
しておいた厚膜のＡｕ（又はＰｔ’）ｆ前記厚膜有機膜
パターンをマスクにしてエツチングするかして形成して
いた。このような従来のＸ線露光マスクの製造プロセス
は、通常のフォトマスクの製造プロセスと比較すると複
雑であり、しかもリフトオフやメッキ等のプロセスを含
む為、欠陥が発生し易い上、線幅の制御性が悪い、生産
性が低い等の欠点があった。
一方、上記のようなＡｕ（又はＰｔ）パターンＸ線露光
マスクの欠点を改良する為、Ｔａのパターン材料とした
Ｘ線露光マスクが小環等によって開発された（小環、大
久保、渡辺、吉原、第４４回応用物理学会術講演会講演
予稿集２３７頁）。上記Ｘ線露光マスクは、マスク基板
上に所定の膜厚のＴａ膜と８ｉ０２膜を順次ＥＣＲプラ
ズマ付着法によって形成し、この８ｉ０２膜上に所望の
レジストパターンを形成した後、このレジストパターン
をマスクに前記５ｉ０２膜をＣ２Ｆ６ガスを用いた反応
性イオンエツチングによりパターニングし、次にこのＳ
ｉＯ２ハターンをマスクにＣＢｒＦ３ガスを用いた反応
性イオンエツチングによりＴａ膜をエツチングして所望
のＴａパターンを形成するものである。
マスクの欠点を改良する為、Ｔａのパターン材料とした
Ｘ線露光マスクが小環等によって開発された（小環、大
久保、渡辺、吉原、第４４回応用物理学会術講演会講演
予稿集２３７頁）。上記Ｘ線露光マスクは、マスク基板
上に所定の膜厚のＴａ膜と８ｉ０２膜を順次ＥＣＲプラ
ズマ付着法によって形成し、この８ｉ０２膜上に所望の
レジストパターンを形成した後、このレジストパターン
をマスクに前記５ｉ０２膜をＣ２Ｆ６ガスを用いた反応
性イオンエツチングによりパターニングし、次にこのＳ
ｉＯ２ハターンをマスクにＣＢｒＦ３ガスを用いた反応
性イオンエツチングによりＴａ膜をエツチングして所望
のＴａパターンを形成するものである。
このＴａパターンＸ線露光マスクに於いては、リフトオ
フやメッキ工程を含まない為、欠陥を多少減少させる効
果はあったが、依然として工程が複雑であり、線幅の制
御性もグ十分ではなかった。
フやメッキ工程を含まない為、欠陥を多少減少させる効
果はあったが、依然として工程が複雑であり、線幅の制
御性もグ十分ではなかった。
（発明の目的）
本発明は、上記のような従来技術の欠点を除去し、高精
度且つ蔦品質のＸ線露光マスクとその製造方法を提供す
るものである。
度且つ蔦品質のＸ線露光マスクとその製造方法を提供す
るものである。
（発明の構成）
本発明では先ずＸ線吸収体パターンを支持するＸ線透過
性薄膜を表面に形成したマスク基板上に数十人ないし数
百八属のＴｉ あるいはＮ１、あるいはＴｉ とＮ１７
及び数千λ厚のＷを順次連続して堆積し、このＷ膜上に
レジストを塗布し、電子ビーム露光法若しくはイオンビ
ーム露光法等の方法により所望のレジストパターンを形
成し、このレジストパターンをマスクにしてＳＦ６ガス
又はＳＦａとｃ１２の混合ガスあるいはＮＦ３ ガスを
用いた反応性イオンエツチングによって、前記Ｗをエツ
チングし、マスク基板の裏面からこの基板の一部を除去
してＸ線透過性薄Ｒを露出させれば所望のＸ線露光マス
クが得られる。
性薄膜を表面に形成したマスク基板上に数十人ないし数
百八属のＴｉ あるいはＮ１、あるいはＴｉ とＮ１７
及び数千λ厚のＷを順次連続して堆積し、このＷ膜上に
レジストを塗布し、電子ビーム露光法若しくはイオンビ
ーム露光法等の方法により所望のレジストパターンを形
成し、このレジストパターンをマスクにしてＳＦ６ガス
又はＳＦａとｃ１２の混合ガスあるいはＮＦ３ ガスを
用いた反応性イオンエツチングによって、前記Ｗをエツ
チングし、マスク基板の裏面からこの基板の一部を除去
してＸ線透過性薄Ｒを露出させれば所望のＸ線露光マス
クが得られる。
上記製造プロセスに於いて、マスク基板とＷの間に形成
したＴ ｉ−？Ｎｉ 薄膜は、Ｗのエソチング工程に於
いて、マスク基板を保持する為のエツチングストッパー
としての役割と、マスク基板とＷパターンの接着力を高
める接着層としての役割を果たしている。
したＴ ｉ−？Ｎｉ 薄膜は、Ｗのエソチング工程に於
いて、マスク基板を保持する為のエツチングストッパー
としての役割と、マスク基板とＷパターンの接着力を高
める接着層としての役割を果たしている。
本発明によれば、現在量も実用的なＸｆ１露光用光源で
ある電子ビーム励起型Ｘ線源の中に於いても最も高いＸ
線出力が得られるＭｏＬ 線に対して約０．５μｍ の
膜厚でｌ］ｄＢ以上の高いコントラストが得られるＷを
パターン材料とした高精度Ｘ線露光マスクが従来に比べ
て大幅に簡略化されたプロセスで製造できる。
ある電子ビーム励起型Ｘ線源の中に於いても最も高いＸ
線出力が得られるＭｏＬ 線に対して約０．５μｍ の
膜厚でｌ］ｄＢ以上の高いコントラストが得られるＷを
パターン材料とした高精度Ｘ線露光マスクが従来に比べ
て大幅に簡略化されたプロセスで製造できる。
（第１の実施例）
次に本発明の一実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図（ａｌから第１図（ｂｌに至る各図は、本発明の
一実施例によるＸ線露光マスクの製造工程を説明する為
に各製造工程に於ける模式断面をハロに示したものであ
り、第１図（ｄ）は本発明が提供するＸ線露光マスクの
模式断面図を示す。
一実施例によるＸ線露光マスクの製造工程を説明する為
に各製造工程に於ける模式断面をハロに示したものであ
り、第１図（ｄ）は本発明が提供するＸ線露光マスクの
模式断面図を示す。
先ず数百μｍないし数ｍｍ程度の厚みを有する（１００
）Ｓｉ単結晶基板１１のいずれか一方の表面上にＣＶＤ
法又はプラズマＣＶＤ 法等の方法により数百穴ない
し数千＾厚のＳｉ３Ｎ４ 膜を堆積し、通常のフォトリ
ソグラフィー技術を用いてこのＳｉ３Ｎ４の一部をエツ
チングし、所望のＳｉ３Ｎ＋膜ノ（ターン１２を形成す
る（第１図（ａ））。
）Ｓｉ単結晶基板１１のいずれか一方の表面上にＣＶＤ
法又はプラズマＣＶＤ 法等の方法により数百穴ない
し数千＾厚のＳｉ３Ｎ４ 膜を堆積し、通常のフォトリ
ソグラフィー技術を用いてこのＳｉ３Ｎ４の一部をエツ
チングし、所望のＳｉ３Ｎ＋膜ノ（ターン１２を形成す
る（第１図（ａ））。
次に該Ｓｉ 単結晶基板１１の他方の表面上にプラズマ
ＣＶＤ 法若しくは減圧ＣＶ’Ｄ法等の方法により、数
千λ乃至数μｍ厚のＳｉＮｘ膜１３を形成す〜１９４に
記載されている方法とほぼ同じて゛ある。
ＣＶＤ 法若しくは減圧ＣＶ’Ｄ法等の方法により、数
千λ乃至数μｍ厚のＳｉＮｘ膜１３を形成す〜１９４に
記載されている方法とほぼ同じて゛ある。
つづいて数十穴ないし数百八属のＴｉ 膜１４及び数千
Ａ厚のタングステン膜１５をスパッタリング法により順
次堆積した後前記Ｗ膜１５上にレジストを塗布し阻子ビ
ーみ露光若しくはイオンビーム露光等の方法により所定
のレジストパターン１６を形成する値１図（ｂ孤 次にこのレジストパターン１６をマスクにしてＳＦ６ガ
ス又は８Ｆ６とｃ１２ の混合ガス等を用いた反応性イ
オンエツチングにより該Ｗ膜１５をエツチングし、所望
のＷパターン１５′ を形成した後図 前記レジストパターン１６を除去する（第１ｄ（ｃ））
。
Ａ厚のタングステン膜１５をスパッタリング法により順
次堆積した後前記Ｗ膜１５上にレジストを塗布し阻子ビ
ーみ露光若しくはイオンビーム露光等の方法により所定
のレジストパターン１６を形成する値１図（ｂ孤 次にこのレジストパターン１６をマスクにしてＳＦ６ガ
ス又は８Ｆ６とｃ１２ の混合ガス等を用いた反応性イ
オンエツチングにより該Ｗ膜１５をエツチングし、所望
のＷパターン１５′ を形成した後図 前記レジストパターン１６を除去する（第１ｄ（ｃ））
。
この時前記Ｗパターン１５′の開口部に露出せしめられ
たＴｉ膜１４は、必ずしもエツチングする必要はなく、
Ｗ膜１５の所定の領域のエツチングが完了した時点でチ
ェラング工程は終了して良い。
たＴｉ膜１４は、必ずしもエツチングする必要はなく、
Ｗ膜１５の所定の領域のエツチングが完了した時点でチ
ェラング工程は終了して良い。
−二 、・１
最後に、前記Ｗパターン１５′ を任意の治具を用いて
保護しつつ８ｉ単結晶基板１１の所定の領域金、先に形
成したＳ ｉ ３Ｎ ４膜パターン１′２：をマスクに
して例えば３０％ＫＯＨ水溶液等を用いてエツチングす
れば、第１図（ｄ）に示すような所望のＷパターンＸ線
露光マスクが得られる。
保護しつつ８ｉ単結晶基板１１の所定の領域金、先に形
成したＳ ｉ ３Ｎ ４膜パターン１′２：をマスクに
して例えば３０％ＫＯＨ水溶液等を用いてエツチングす
れば、第１図（ｄ）に示すような所望のＷパターンＸ線
露光マスクが得られる。
（第２の実施例）
第２図（ａ）から第２図（ｄ）に至る各図は本発明の第
２の実施例によるＸ線露光マスクの製造工程を、工程順
に説明する為の模式的断面図である。
２の実施例によるＸ線露光マスクの製造工程を、工程順
に説明する為の模式的断面図である。
先ず前記第１の実施例として同様にして（１００ＪＳｉ
単結晶基板２１のいずれか一方の表面上に所定の８ｉ３
〜４膜パターン２２を形成する（第２図（ａ））。
単結晶基板２１のいずれか一方の表面上に所定の８ｉ３
〜４膜パターン２２を形成する（第２図（ａ））。
次に前記Ｓｉ 単結晶基板２１の他方の表面上に７”ラ
ズマＣＶＤ 等の方法によりＳｉＮｘ膜２３を形成した
後、例えは３０％ＫＯＨ水溶液中に於いて、前記Ｓｉ
単結晶基板２１のうちＳｉ３Ｎ４膜パターン２２の開口
領域に相当する部分をエツチングして除去する（第２図
（ｂ））。
ズマＣＶＤ 等の方法によりＳｉＮｘ膜２３を形成した
後、例えは３０％ＫＯＨ水溶液中に於いて、前記Ｓｉ
単結晶基板２１のうちＳｉ３Ｎ４膜パターン２２の開口
領域に相当する部分をエツチングして除去する（第２図
（ｂ））。
しかる後、前記８ｉＮｘ膜２３の表面上に、スバＴｉ２
４と数千Ａ厚のＷ２５を連続して堆積し、第１の実施例
と同様にしてレジストパターン２６を形成する（第２図
（Ｃ））。
４と数千Ａ厚のＷ２５を連続して堆積し、第１の実施例
と同様にしてレジストパターン２６を形成する（第２図
（Ｃ））。
最後に前記レジストパターン２６をマスクにして第１の
実施例と同様な方法により前記Ｗ膜２５をバターニング
して２５′ とすれは第２図（ｄｌに示すような所望の
Ｘ線露光マスクが得られる。
実施例と同様な方法により前記Ｗ膜２５をバターニング
して２５′ とすれは第２図（ｄｌに示すような所望の
Ｘ線露光マスクが得られる。
第１の実施例及び第２の実施例に於いてＳｉ３Ｎ４険（
ターン１２及び２２は、ＳｉＣ又はＡｌ２Ｏ３゜若しく
はＳ ｉ３Ｎ ４ と８４０２の複合膜等で形成しても
良い。また、ＳｉＮｘ膜１３及び２３は、８ｉＣ又はＳ
ｉ３Ｎ＋ と５ｉ０２の複合膜等で形成することも可能
である。また薄膜１４．２４はＴｉ でな（Ｎｉあるい
はＴｉ とＮｉを積層したものでもよい。更にＷ膜１５
及び２５はプラズマＣＶＤ 法又は減圧ＣＶＤ 法のい
ずれかを用いても形成できる。
ターン１２及び２２は、ＳｉＣ又はＡｌ２Ｏ３゜若しく
はＳ ｉ３Ｎ ４ と８４０２の複合膜等で形成しても
良い。また、ＳｉＮｘ膜１３及び２３は、８ｉＣ又はＳ
ｉ３Ｎ＋ と５ｉ０２の複合膜等で形成することも可能
である。また薄膜１４．２４はＴｉ でな（Ｎｉあるい
はＴｉ とＮｉを積層したものでもよい。更にＷ膜１５
及び２５はプラズマＣＶＤ 法又は減圧ＣＶＤ 法のい
ずれかを用いても形成できる。
（発明の効果）
従来所望のＸ線マスクパターンを形成する為に−ンを少
なくとも一担他の金属パターンや５ｊ０２パターンに変
換した後、このパターンをマスクに再度Ｘ線吸収体パタ
ーンに変換する必侠があったが、本発明によればドライ
エツチングによってレジストパターンから直接Ｗパター
ンに変換できる為、プロセスが簡単であり、しかも線幅
制御性に収係数を有する為、約０．５−μｍの膜厚で十
分なマスクコントラストが得られ、パターン精度の低層
下につながる半影ボケを大幅に低減できる。という利点
をも有する。
なくとも一担他の金属パターンや５ｊ０２パターンに変
換した後、このパターンをマスクに再度Ｘ線吸収体パタ
ーンに変換する必侠があったが、本発明によればドライ
エツチングによってレジストパターンから直接Ｗパター
ンに変換できる為、プロセスが簡単であり、しかも線幅
制御性に収係数を有する為、約０．５−μｍの膜厚で十
分なマスクコントラストが得られ、パターン精度の低層
下につながる半影ボケを大幅に低減できる。という利点
をも有する。
第１図（ａ）から第１図（ｄ）に至る各図は本発明の第
１の実施例によるＸ線露光マスクの製造工程を説明する
為の模式的断面図であり、第１図（ｄ）は本発明が提供
するＸ線露光マスクの模式的断面図である。 第２図（ａ）から第２図（ｄ）までの各図は本発明の第
２の実施例によるＸ線露光マスクの製造工程を示す模式
的断面図である。 図に於いて １１．２１．・・・・・・ Ｓｉ単結晶基板、１２．２
２・・・・・・ Ｓ ｉ ３Ｎ ４膜、 １３．２３−
＝−Ｓ、ｉＮｘ膜、 １４．２４−・・−Ｔｉ薄膜、
１５．２５・・・・・・ Ｗ膜、１５．’ ２５’・・
・・・・Ｗパターン◇ 案 Ｉ 図 窮 ２ 図
１の実施例によるＸ線露光マスクの製造工程を説明する
為の模式的断面図であり、第１図（ｄ）は本発明が提供
するＸ線露光マスクの模式的断面図である。 第２図（ａ）から第２図（ｄ）までの各図は本発明の第
２の実施例によるＸ線露光マスクの製造工程を示す模式
的断面図である。 図に於いて １１．２１．・・・・・・ Ｓｉ単結晶基板、１２．２
２・・・・・・ Ｓ ｉ ３Ｎ ４膜、 １３．２３−
＝−Ｓ、ｉＮｘ膜、 １４．２４−・・−Ｔｉ薄膜、
１５．２５・・・・・・ Ｗ膜、１５．’ ２５’・・
・・・・Ｗパターン◇ 案 Ｉ 図 窮 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線吸収体パターンと、このＸ線吸収体パターンを
支持するＸ線透過性薄膜と、この薄膜を周囲から補強支
枠とを少なくとも備えたＸ線露光マスクにおいて、前記
Ｘ線吸収体パターンがＷとＴｉあるいはＷとＮｉＳある
いはＷとＴｉ とＮｉの複数層構造を成すことを特徴と
するＸ線露光マスク。 ２、半導体単結晶基板上にＸ線透過性薄膜を設ける工程
と、この薄膜上にＴｉ あるいはＮｉ あるいはＴｉ
とＮｉと、Ｗをこの順に形成する工程と、このＷ膜上に
レジストパターンを形成し、該レジストパターンをマス
クに前記Ｗ膜を選択的にエツチングする工程と、前記半
導体単結晶基板の一部をＷ膜のない側からエツチング除
去する工程とを含むことを特徴とするＸ線露光マスクの
製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077745A JPS60220933A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | Ｘ線露光マスク及びその製造方法 |
| US06/723,052 US4634643A (en) | 1984-04-18 | 1985-04-15 | X-ray mask and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077745A JPS60220933A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | Ｘ線露光マスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60220933A true JPS60220933A (ja) | 1985-11-05 |
Family
ID=13642443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59077745A Pending JPS60220933A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | Ｘ線露光マスク及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4634643A (ja) |
| JP (1) | JPS60220933A (ja) |
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- 1984-04-18 JP JP59077745A patent/JPS60220933A/ja active Pending
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- 1985-04-15 US US06/723,052 patent/US4634643A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4634643A (en) | 1987-01-06 |
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