JPH01161718A

JPH01161718A - Ｘ線マスクの製造方法

Info

Publication number: JPH01161718A
Application number: JP62318779A
Authority: JP
Inventors: Masaru Hori; 勝堀
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-12-18
Filing date: 1987-12-18
Publication date: 1989-06-26
Also published as: DE3842481A1; DE3842481C2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、微細なパターンを形成するためのＸ線リソグ
ラフィに係わり、特にＸ線リソグラフィに用いるＸ線マ
スク及びその製造方法に関する。

（従来の技術）近年、光露光によるパターン微細化の限界を打破るもの
として、光に比べて波長の短いＸ線を利用したＸ線リソ
グラフィが注目されている。このＸ線リソグラフィでは
、光を用いた露光法とは異なり、所定のパターンを縮小
させて転写するような技術は現在のところない。そこで
、Ｘ線を選択的に透過するＸ線マスクをＸ線源と露光対
象物との間に配置し、このマスクをＸ線束で一括照射す
ることにより露光対象物表面上に転写パターンを得ると
云う、所謂１：１の等倍転写方式が採られている。この
場合、Ｘ線マスクのパターン精度（位置１寸法）がその
ままデバイス精度になるため、マスクパターンは最小線
幅の数分の工程度の位置精度が要求される。そして、こ
のような高精度のＸ線マスクをいかに実現するかが、Ｘ
線リソグラフィを実用化する上での大きな課題となって
いる。

Ｘ線マスク製造におけるプロセスの中で最も困難である
プロセスの１つとして、Ｘ線吸収体パターンの形成が上
げられる。Ｘ線マスクのパターンは厚さ１μｍに近い膜
厚の重金属を用いて原寸で形成しなければならず、しか
も光露光では達成できない微細パターン寸法０．３μｍ
以下のパターン形成が求められる。このため、今やＸ線
吸収体パターンをいかにして形成するかが最大の技術課
題であると言っても過言ではない。一般に、これらの重
金属膜の加工法としては、電子ビームリソグラフィ若し
くは集束イオンビームリソグラフィで形成したレジスト
パターンをマスクとしてその開口部にＡｕを選択的にメ
ッキする。或いは、ＷやＴａ等の重金属を電子ビームリ
ソグラフィ若しくは反応性イオンエツチングによりパタ
ーニングする方法が用いられる。

しかしながら、上記方法にて形成する場合に大きく問題
となっているのは、形成されたレジストパターンが物理
的、化学的に安定ではなく、機械強度が極めて低いこと
である。例えば、Ａｕのメッキをステンシルマスクとし
て用いた場合は、メッキによるＡｕのストレス制御を行
うため、５０℃前後のメッキ液の中で強固安定なもので
なくてはならない。更に、ＷやＴａ等の重金属を加工す
る場合には、反応性プラズマエツチング耐性の大きい特
性が必要とされる。ところが、高感度なレジスト膜は耐
プラズマエツチング性に乏しく、さらにメッキ液中で強
固安定とは言い難い。

そこで、前述のような重金属膜を加工するためには、多
層レジストプロセスが適用される。多層レジストプロセ
ス、例えば２層レジスト構造のプロセスでは、まず第５
図（ａ）に示す如く、Ｘ線透過薄膜５１上に重金属膜５
２を形成したのち、重金属膜加工のためのプラズマエツ
チングマスクとなる保護膜５３及び高感度レジスト５４
からなる２層レジスト構造を形成する。次いで、第５図
（ｂ）に示す如く、電子ビームリソグラフィによりレジ
スト５４を一部開口する。次いで、第５図（Ｃ）に示す
如く、レジスト５４をマスクとして反応性プラズマエツ
チングにより保護膜５３をパターニングする。次いで、
第５図（ｄ）に示す如く、保護膜５３をマスクとして重
金属膜５２を選択的に反応性プラズマエツチングにより
エツチングし、Ｘ線吸収層パターンを形成する。

しかしながら、上記プロセスにおいては、薄膜の堆積回
数が増加し、堆積手段によっては下地層に荒れやミキシ
ング層の形成等、悪影響を及ぼす可能性が生じる。また
、堆積回数の増加分だけ加工工程が増加する。上層の加
工に生じた位置ずれ、パターン形状の変化は、下層レジ
ストへ転写加工する場合は大きな量となり、得られた重
金属バタ−ン形状等を非常に粗悪なものとする。

また、上記以外にＸ線マスクの製造プロセスには、マス
クパターンの損傷を防ぐ観点から、微細金属パターン形
成後に表面に物理的、化学的に極めて強固安定な保護膜
を形成する必要がある。従来、保護膜として用いられて
いるポリイミド等の有機膜はこの点で十分とは言えず、
強固な膜としてはシリコン酸化膜が考えられる。しかし
、保護膜を設けるべきＸ線マスク上には、既にＸ線吸収
層による微細パターンが形成されているため、スパッタ
リング等の物理衝撃を用いた堆積膜ではパターン形状の
変化や表面の荒れ等の問題を生じ易い。真空蒸着法では
付着力が小さく、パターン段部を十分覆い尽くすことが
難しい。更に、気相成長法では、通常４００℃以上の高
温を堆積に必要とするため、パターンの欠陥や熱膨脹係
数の違いによる界面応力の増加等が問題となる。

これらの問題を回避するために、高分子樹脂からなる保
護膜にイオン照射して硬化せしめる方法が提案されてい
る（特公昭８２−１００１３号）。しかし、Ａｒ等のイ
オン照射を用いたプロセスでは保護膜の全域に均一性良
く硬化反応を生じさせることは困難であり、またイオン
照射ではイオンの原子半径は大きく、欠陥やクラックが
発生する可能性が極めて大きい。欠陥やクラックの発生
は、ゴミ。

ホコリの原因、さらに膜強度の耐久性の低下と直結し、
致命的な欠点である。

（発明が解決しようとする問題点）このように、従来のＸ線マスクでは、Ｘ線吸収体として
のＡｕ、Ｗ或いはＴａ等を用いた重金属の微細パターン
形成が非常に難しく、Ｘ線を用いたりソグラフィの特徴
を十分に生かすことは困難であった。また、Ｘ線吸収層
パターン上に良質の保護膜を形成することも困難であっ
た。

本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、多層レジスト工程を用いることなく、
単一のレジスト膜を用いて、Ｘ線吸収体である重金属の
微細加工を行うことができ、且つＸ線吸収体パターン上
に良質の保護膜を形成することのできるＸ線マスクの製
造方法を提供することにある。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）本発明の骨子は、放射光の照射によりレジストや保護膜
等を強固安定せしめることにある。

即ち第１の発明は、Ｘ線マスクの製造方法において、Ｓ
ｉ基板等の表面に形成された所定の張力を有するＸ線透
過薄膜上に、重金属等からなるＸ線吸収層パターンを形
成したのち、該パターンを覆うように有機物保護膜を形
成し、しかるのちこの保護膜に放射光を照射して該保護
膜を硬化変質せしめるようにした方法である。

また第２の発明は、Ｘ線マスクの製造方法において、Ｓ
ｉ基板等の表面に形成された所定の張力を有するＸ線透
過薄膜上に、重金属等からなるＸ線吸収層を形成したの
ち、このＸ線吸収層上に感光性有機膜からなるレジスト
を形成し、次いでこのレジストを電子ビームリソグラフ
ィにより露光・現像してＸ線吸収層パターン形成用のレ
ジストマスクを形成し、次いでこのレジストマスクに放
射光を照射して該レジストマスクを硬化変質せしめ、し
かるのちレジストマスクを用いて前記Ｘ線吸収層を選択
的にエツチングしＸ線吸収層パターンを形成するように
した方法である。

さらに第３の発明は、Ｘ線マスクの製造方法において、
Ｓｉ基板等の表面に形成された所定の張力を有するＸ線
透過薄膜上に、感光性有機膜からなるレジストを形成し
たのち、このレジストを電子ビームリソグラフィ等によ
り露光拳現像してＸ線吸収層パターン形成用のレジスト
マスクを形成し、次いでこのレジストマスクに放射光を
照射して該レジストマスクを硬化変質せしめ、・しかる
のちレジストマスクで覆われていない前記Ｘ線透過薄膜
の露出した部分にＸ線吸収体を選択的に形成してＸ線吸
収層パターンを形成するようにした方法である。

（作　用）本発明によれば、レジストや保護膜等を形成する有機物
薄膜に放射光を照射するのみで、耐プラズマエツチング
性及び耐Ｘ線性に優れた強固安定な薄膜が形成される。

このため、単層の高分子レジストのみを用いてＸ線吸収
体である重金属膜の微細なパターンエツチング、メッキ
法による微細な重金属膜の堆積が可能となり、さらにＸ
線マスクの機械的損傷を防ぐための保護膜の形成が可能
となる。従って、Ｘ線マスクの製造プロセスの大幅な簡
略化、高精度、高信頼性プロセスが実現可能となる。

（実施例）まず、実施例を説明する前に、本発明の基本原理につい
て説明する。

本発明者等は、感光性有機物からなる高分子レジストに
放射光を長時間照射したところ、次のような事実を見出
だした。即ち、高分子レジストに放射光を超高真空中に
て照射したところ、放射光により高分子レジストは最初
はエツチング除去されるが、次第に高分子レジストは炭
素構造に富む構造に変化しエツチングされなくなる。こ
の放射光によりエツチングされなくなったレジストをプ
ラズマエツチングしたところ、照射していないレジスト
と比較してエツチング速度が格段に低下する。

また、放射光の波長分布による特性を調べたところ、放
射光の全波長０．１〜１００人を全面に照射した場合と
波長成分（１〜２０人）を選択して高分子レジストの炭
素化を分析したところ、短い波長領域では、放射光がレ
ジスト膜を全て透過してしまいレジスト膜中での吸収量
が少なく効率が悪い。

逆に、長波長領域では、レジスト膜での吸収量は多いが
、表面付近での吸収量が多く膜の表面荒れが生じること
が明らかとなった。レジスト膜全域に亙って均一に膜の
炭素化を生じさせるためには数人〜約２０人程度の波長
領域が極めて有効であることが判明した。更に、これら
の現象は上記事実から、放射光照射による高分子膜中で
発生する低速２次電子による化学反応によるものである
。

重金属膜をプラズマエツチングにより加工し、微細パタ
ーンを得る場合、通常の高分子レジストは、耐プラズマ
エツチング性に乏しくエツチングマスクとして使用する
ことはできない。従って、高分子レジストをパターニン
グした後、放射光を照射し高分子レジストを強固安定せ
しめ、耐プラズマエツチング性を高め、プラズマエツチ
ングのための保護膜として用いることにより重金属膜等
の微細パターン形成を行うことが可能となる。なお、放
射光の照射量としては用いるレジストの種類によって異
なるものであるが、放射光によるエツチングが停止する
値を目安として適度に照射量と波長領域とを選択すれば
、プラズマエツチング耐性の大幅な向上が可能であった
。

本発明はこのような点に着目してなされたものであり、
重金属膜の微細なパターン形成及び物理的にも化学的に
も強固安定な高分子保護膜形成が不可欠とされているＸ
線マスクの製造に極めて有効な技術と考えられる。

以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。

第１図は本発明の第１の実施例に係わるＸ線マスクの製
造工程を示す断面図である。まず、第１図（ａ）に示す
如く、面方位（１００）のＳｔ基板１１上にＸ線透過薄
膜となるＳｉＮ膜１２を、ＳｉＣノ２Ｈ２／ＮＨ３の流
量比をコントロールすることにより引張り応力が５　Ｘ
　１０８ｄｙｎ／ｃｍ２にて１．５μｍ堆積する。続い
て、ＤＣスパッタリング法によりＡｒガス流量をコント
ロールすることにより、引張り応力がＩ　Ｘ　１０８ｄ
ｙｎ／ｅｌｆ２のＷ膜（Ｘ線吸収層）１３を０．５ａ　
ｍ堆積した。さらに、電子線レジストであるＰＭＭＡ　
（ポリメチルメタクリレート）レジスト１４を１μｍ形
成した。

次いで、第１図（ｂ）に示す如く、電子線リソグラフィ
技術によりレジスト１４を一部開口してレジトスマスク
を形成し、Ｗ膜１３を一部露出させた。その後、シンク
ロトロン放射光１５をレジスト１４上に全面照射した。

照射条件は、２．５ＧｅＶ　。

電流値２００ｍＡの下で放射光をＳｉＣミラーで曲げて
Ａノフィルタ（５μ７７Ｚ）を透過させて行った。

照射ドーズ量は３００（Ａｓ）である。この放射光照射
により、レジスト１４は膜減りを２０００人生じて膜減
りは停止した。赤外分光により分析の結果、前記放射光
照射によりレジスト１４はカルボニル基に関する分子措
造が分解除去され、炭素原子に富んだ膜構造に変化する
ことが明らかとなった。

次いで、第１図（Ｃ）に示す如く、強固安定せしめたレ
ジストパターンをマスクとしてＷ膜１３のプラズマエツ
チングを行った。エツチング条件は、０．０ＩＴｏｒｒ
ｑ電力１５０Ｗ、エツチングガスＣＦ４（＋０２　）を
用いた。第２図にこのときのエツチング特性を示す。エ
ツチング時間の経過に伴い放射光未照射のＰＭＭＡはエ
ツチングされるが、放射光照射したＰＭＭＡは殆どエツ
チングされない。

エツチングの選択比は約１０であった。約３０分のエツ
チングにて、０．５μｍ膜厚のＷ膜１３を完全にエツチ
ングすることができた。

次いで、第１図（ｄ）に示す如く、Ｗ膜１３上に残留し
た前記ＰＭＭＡレジスト１４は除去せずに、Ｘ線マスク
上のＷ膜１３の機械的損傷或いはＸ線照射時に発生する
２次電子をトラップする保護膜として用いた。Ｗ膜１３
のパターン間の溝部にはポリイミド膜１６等により埋込
みを行い、通常通りＳｉウェハ１１の中央部をバックエ
ッチした。

これにより、微細パターンを有するＷ膜１３をＸ線吸収
体とするＸ線マスクが完成することになる。

かくして作成されたＸ１９マスクは、単一レジストであ
ることからプロセス工程が簡易となり、しかも高感度レ
ジストであるＰＭＭＡの耐エツチング性が高まることか
ら極めて高精度に微細パターン形成を実現することが可
能となる。本発明者等の実験によれば、上記マスクを通
して１μｍのＰＭＭＡレジストをシンクロトロン放射光
にて露光し現像し、０．２μ尻のライン＆スペースが形
成されたのを確認した。また、放射光照射により発生し
た低速２次電子による化学反応であるため、高分子膜中
でも欠陥、クラック等の発生はイオン等の照射に比べて
非常に小さいものであった。

第３図は本発明の第２の実施例を説明するための工程断
面図である。なお、第１図と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。

この実施例は、放射光照射により強固安定せしめたＰＭ
ＭＡレジストをステンシルマスクとじてメッキ法により
Ａｕを成長させたものである。

本実施例では、まず第３図（ａ）に示す如く、Ｓｉウェ
ハ１１上にＳｉＮ膜（Ｘ線透過薄膜）１２を堆積し、Ｓ
ｉＮ膜１膜上２上ツキベース金属であるＡ　ｕ　／　Ｃ
ｒ膜２１を１００人堆積し、さらにその上にＰＭＭＡレ
ジスト１４を堆積した。

次いで、第３図（ｂ）に示す如く、電子ビームリソグラ
フィ技術によりＰＭＭＡレジスト１４のパターニングを
行った。その後、先の実施例と同様に、ＰＭＭＡレジス
ト１４上の全面にシンクロトロン放射光を照射した。

次いで、第３図（Ｃ）に示す如＜、５０℃にてＡｕのメ
ッキ法による選択成長をメッキベースの露出した領域に
行い、Ａｕ膜２２からなるＸ線吸収体パターンを形成し
た。その後、第３図（ｄ）に示す如く、先の実施例と同
様に、全面にポリイミド膜１６を０．５μｍ堆積し、Ｓ
ｉウェハ１１の裏面をバックエッチしてＸ線マスクを完
成した。

上記マスクでは、Ｘ線透過部にも１００人のＡｕ／　Ｃ
ｒを含んでいるが、堆積したＡｕ膜２２の膜厚は０．６
μｍであり、Ｘ線透過部とＸ線遮断部とのコントラスト
は十分であるのでパターン転写には問題ない。従って、
先の第１の実施例と同様の効果が得られる。

第４図は本発明の第３の実施例を説明するための工程断
面図である。なお、第１図と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。

この実施例は、放射光照射により強固安定せしめたＰＭ
ＭＡをＸ線保護膜に用いたものである。

第４図（ａ）は、前記第１図（ａ）〜（ｃ）或いは第３
図（ａ）〜（Ｃ）の工程にてＷ膜１３の微細パターンを
形成したものである。放射光照射により強固されたＰＭ
ＭＡレジスト１４は除去したものであるが、除去されて
なくても差支えない。

次いで、第４図（ｂ）に示す如く、ＰＭＭＡ１６を全面
に１μｍ塗布し、放射光を先の実施例と同様に照射し、
強固安定せしめ、機械的強度に富む保護膜とした。その
後、第４図（Ｃ）に示す如く、先の実施例と同様にＳｉ
ウェハ１１の裏面をバックエッチしてＸ線マスクを完成
した。かくして作成されたＸ線マスクにあっても、先の
実施例と同様の効果が得られる。

なお、本発明は上述した各実施例方法に限定されるもの
ではない。例えば、第４図で述べた方法を用いれば、第
１図、第３図にて示される保護膜としてのポリイミド膜
をＰＭＭＡに置換することも可能である。また、重金属
膜としてＡｕ或いはＷを用いたが、Ｔａ、Ｍｏ等Ｘ線吸
収係数の大きい膜を用いることができる。また、放射光
照射により強固安定させるレジストは、ＰＭＭＡに限定
されるものではなく、ポジ型レジストにも適用できる。

さらに、ポジ型レジストに限らず、ネガ方レジスト及び
ポリイミド膜等、照射により膜質が変化し、強固安定し
耐プラズマエツチングに富むものであれば適用可能であ
る。

また、実施例ではＳｉウェハ上に・重金属のパターンを
形成後、Ｓｉウェハをエツチングする例を述べたが、始
めにバックエッチしたＳｉリングのメンブレムにＷを形
成するようにしてもよい。さらに、放射光の波長１強度
、照射時間等の条件は、仕様に応じて適宜変更可能であ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。

［発明の効果］以上詳述したように本発明によれば、感光性有機膜から
なるレジストに放射光を照射すると言う単純な操作によ
り、レジストを強固安定せしめた保護膜として使用する
ことができる。そして、Ｘ線マスクの製造プロセスに導
入した場合、ＰＭＭＡ等の高解像度レジストをそのまま
、重金属膜のプラズマエツチングマスクとして用いるこ
とができ、更にはそのエツチングマスクとして用いた膜
をそのままマスクの保護膜の一部として用いることがで
きる。

従って、Ｘ線マスク製造プロセスを簡易にすることがで
き、更にＸ線マスクの生産性、信頼性の向上をはかり得
、Ｘ線リソグラフィの特徴を十分に主力？すことが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例に係わるＸ線マスクの製
造工程を示す断面図、第２図はプラズマエツチングにお
けるエツチング時間とエツチング膜厚との関係を示す特
性図、第３図は本発明の第２の実施例を説明するための
工程断面図、第４図は本発明の第３の実施例を説明する
ための工程断面図、第５図は従来方法を説明するための
工程断面図である。１１・・・Ｓｉ基板、１２・・・ＳｉＮ膜（Ｘ線透過薄
膜）、１３・・・Ｗ膜（Ｘ線吸収層）、１４・・・ＰＭ
ＭＡレジスト、１５・・・放射光、１６・・・ポリイミ
ド膜（保護膜）　、２１−・−Ａｕ／Ｃｒ膜（メッキベ
ース）、２２・・・Ａｕ膜（Ｘ線吸収層）。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦第１図＾　　　　　　　　　　　　　　　　　、０Ｕ　　　　
　　　　　　　　″Ｏ ζ−“０

Claims

【特許請求の範囲】

（１）Ｘ線透過薄膜上にＸ線吸収層パターンを形成する
工程と、該パターンを覆うように有機物保護膜を形成す
る工程と、該保護膜に放射光を照射して該保護膜を硬化
変質せしめる工程とを含むことを特徴とするＸ線マスク
の製造方法。
（２）前記保護膜を硬化変質せしめる工程として、該保
護膜中で多量に発生する低速２次電子による化学反応を
利用したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
Ｘ線マスクの製造方法。
（３）前記保護膜を硬化変質せしめる工程として、前記
放射光の照射部分を炭素含有率の高い膜構造に変化させ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線マ
スクの製造方法。
（４）前記放射光として、電子シンクロトロン放射によ
り発生した放射光を用いたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のＸ線マスクの製造方法。
（５）前記放射光の波長領域として、前記保護膜への吸
収量が多く、該保護膜を強固安定せしめるのに効率の良
い長波長領域（４Å以上の波長）を用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のＸ線マスクの製造方法
。
（６）前記放射光の照射雰囲気を、真空中としたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線マスクの製
造方法。
（７）前記放射光の照射量を、該放射光により照射され
た部分に膜減りを生じる膜減り量が一定し飽和領域に達
する範囲に設定したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のＸ線マスクの製造方法。
（８）前記保護膜として、ポリイミドを用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線マスクの製造
方法。
（９）Ｘ線透過薄膜上にＸ線吸収層を形成する工程と、
該Ｘ線吸収層上に感光性有機膜からなるレジストを形成
する工程と、該レジストを露光・現像してＸ線吸収層パ
ターン形成用のレジストマスクを形成する工程と、該レ
ジストマスクに放射光を照射して該レジストマスクを硬
化変質せしめる工程と、次いで前記レジストマスクを用
いて前記Ｘ線吸収層を選択的にエッチングしＸ線吸収層
パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするＸ線
マスクの製造方法。
（１０）前記レジストマスクを前記Ｘ線吸収層パターン
形成後も除去しないで、該Ｘ線吸収層パターンの保護膜
として用いることを特徴とする特許請求の範囲第９項記
載のＸ線マスクの製造方法。
（１１）前記レジストマスクを硬化変質せしめる工程と
して、レジスト中で多量に発生する低速２次電子による
化学反応を利用したことを特徴とする特許請求の範囲第
９項記載のＸ線マスクの製造方法。
（１２）前記レジストマスクを硬化変質せしめる工程と
して、前記放射光の照射部分を炭素含有率の高い膜構造
に変化させることを特徴とする特許請求の範囲第９項記
載のＸ線マスクの製造方法。
（１３）前記放射光として、電子シンクロトロン放射に
より発生した放射光を用いたことを特徴とする特許請求
の範囲第９項記載のＸ線マスクの製造方法。
（１４）前記放射光の波長領域として、前記レジストへ
の吸収量が多く、該レジストを強固安定せしめるのに効
率の良い長波長領域（４Å以上の波長）を用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第９項記載のＸ線マスクの製
造方法。
（１５）前記放射光の照射雰囲気を、真空中としたこと
を特徴とする特許請求の範囲第９項記載のＸ線マスクの
製造方法。
（１６）前記放射光の照射量を、該放射光により照射さ
れた部分に膜減りを生じる膜減り量が一定し飽和領域に
達する範囲に設定したことを特徴とする特許請求の範囲
第９項記載のＸ線マスクの製造方法。
（１７）前記レジストとして、ポリメチルメタクリレー
トを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第９項記載
のＸ線マスクの製造方法。
（１８）Ｘ線透過薄膜上に感光性有機膜からなるレジス
トを形成する工程と、該レジストを露光・現像してＸ線
吸収層パターン形成用のレジストマスクを形成する工程
と、該レジストマスクに放射光を照射して該レジストマ
スクを硬化変質せしめる工程と、前記レジストマスクで
覆われていない前記Ｘ線透過薄膜の露出した部分にＸ線
吸収体を選択的に形成してＸ線吸収層パターンを形成す
る工程とを含むことを特徴とするＸ線マスクの製造方法
。
（１９）前記Ｘ線吸収層パターンを形成する工程として
、前記Ｘ線透過薄膜上に予めメッキベースとなる金属薄
膜を形成しておき、前記レジストマスクを用いて重金属
膜を選択的にメッキすることを特徴とする特許請求の範
囲第１８項記載のＸ線マスクの製造方法。
（２０）前記レジストマスクを前記Ｘ線吸収層パターン
形成後も除去しないで、該Ｘ線吸収層パターンの保護膜
として用いることを特徴とする特許請求の範囲第１８項
記載のＸ線マスクの製造方法。
（２１）前記レジストマスクを硬化変質せしめる工程と
して、レジスト中で多量に発生する低速２次電子による
化学反応を利用したことを特徴とする特許請求の範囲第
１８項記載のＸ線マスクの製造方法。
（２２）前記レジストマスクを硬化変質せしめる工程と
して、前記放射光の照射部分を炭素含有率の高い膜構造
に変化させることを特徴とする特許請求の範囲第１８項
記載のＸ線マスクの製造方法。
（２３）前記放射光として、電子シンクロトロン放射に
より発生した放射光を用いたことを特徴とする特許請求
の範囲第１８項記載のＸ線マスクの製造方法。
（２４）前記放射光の波長領域として、前記レジストへ
の吸収量が多く、該レジストを強固安定せしめるのに効
率の良い長波長領域（４Å以上の波長）を用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第１８項記載のＸ線マスクの
製造方法。
（２５）前記放射光の照射雰囲気を、真空中としたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１８項記載のＸ線マスク
の製造方法。
（２６）前記放射光の照射量を、該放射光により照射さ
れた部分に膜減りを生じる膜減り量が一定し飽和領域に
達する範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第１
８項記載のＸ線マスクの製造方法。
（２７）前記レジストとして、ポリメチルメタクリレー
トを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１８項記
載のＸ線マスクの製造方法。