JPS6084818A - Ｓｏｒ光露光用マスク - Google Patents
Ｓｏｒ光露光用マスクInfo
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- JPS6084818A JPS6084818A JP58192731A JP19273183A JPS6084818A JP S6084818 A JPS6084818 A JP S6084818A JP 58192731 A JP58192731 A JP 58192731A JP 19273183 A JP19273183 A JP 19273183A JP S6084818 A JPS6084818 A JP S6084818A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の製造工程において用いられるＳ
ＯＲ（Ｓ １ｎｃｒｏｔｒｏｎ ０ｒｂｉｔａｌ Ｒ
ａｄｉａｔｉｏｎ）光露光用マスクに関するものである
。
ＯＲ（Ｓ １ｎｃｒｏｔｒｏｎ ０ｒｂｉｔａｌ Ｒ
ａｄｉａｔｉｏｎ）光露光用マスクに関するものである
。
最近、例えば１μｍ前後のパターンを形成するためにＸ
線露光技術が注目されている。従来用いられてきたＸＩ
ＪＩＮ光装置のＸ線発生部は一般的に金属ターゲット及
び電子線嶺生装置から成っており、電子線を金属ターゲ
ットに照射することによってＸ線を発生している。とこ
ろでこのようなＸ線源の欠点として、 （１） 強度が弱く、そのために露光時間が長くなる （２）点光源からの発散光であるために、Ｘ線マスクと
ウェハとの間隙によりパターンぼけが生じる 等の問題がある。
線露光技術が注目されている。従来用いられてきたＸＩ
ＪＩＮ光装置のＸ線発生部は一般的に金属ターゲット及
び電子線嶺生装置から成っており、電子線を金属ターゲ
ットに照射することによってＸ線を発生している。とこ
ろでこのようなＸ線源の欠点として、 （１） 強度が弱く、そのために露光時間が長くなる （２）点光源からの発散光であるために、Ｘ線マスクと
ウェハとの間隙によりパターンぼけが生じる 等の問題がある。
最近従来のＸ線露光用線源の欠点を補う新しい線源とし
てＳＯＲ光が注目されている。このＳＯＲ光は、 （１１強度が強い （２） 線束が平行に近い （３） 連続光である 等の特長を備え、Ｘ線露光用線源として理想的であり、
今後のサブミクロンパターン形成に極めて有効である。
てＳＯＲ光が注目されている。このＳＯＲ光は、 （１１強度が強い （２） 線束が平行に近い （３） 連続光である 等の特長を備え、Ｘ線露光用線源として理想的であり、
今後のサブミクロンパターン形成に極めて有効である。
このＳＯＲ光を用いたｘｍ露光用マスク（以下ＳＯＲ用
マスクと称す）は通常第１図に示すように、ＳＯＲ光透
過基板２およびＳＯＲ光吸収層ｌから成っている。そし
て通常ＳＯＲ光透過基板２の材料としてはＳｉＮ 、
ＳｉＣ、ＢＮ等の無機材料やポリイミド等の有機材料が
用いられ、またＳＯＲ光吸収層１の材料としては軟Ｘ線
に対して高い吸収係数をもつ金が一般的である。
マスクと称す）は通常第１図に示すように、ＳＯＲ光透
過基板２およびＳＯＲ光吸収層ｌから成っている。そし
て通常ＳＯＲ光透過基板２の材料としてはＳｉＮ 、
ＳｉＣ、ＢＮ等の無機材料やポリイミド等の有機材料が
用いられ、またＳＯＲ光吸収層１の材料としては軟Ｘ線
に対して高い吸収係数をもつ金が一般的である。
ところが、この吸収層となる金のパターン形成は金が化
学的に安定であるが故に、通常リソグラフィ一工程で用
いられるガスプラズマエツチングや反応性イオンエツチ
ング等の反応性ガスを用いたドライエツチング技術を適
用することができない。さらに金は各種薬品に対しても
安定であるために、ウェットエツチングを適用すること
は困難である。
学的に安定であるが故に、通常リソグラフィ一工程で用
いられるガスプラズマエツチングや反応性イオンエツチ
ング等の反応性ガスを用いたドライエツチング技術を適
用することができない。さらに金は各種薬品に対しても
安定であるために、ウェットエツチングを適用すること
は困難である。
このために金のパターン形成にはリフトオフプロセスを
用いるのが一般的であるが、この方法は工程が複雑なた
めに安定したパターン形成が不可能であり、またパター
ン欠陥が発生し易い等の問題があり、微細パターンの形
成方法としては不適当である。
用いるのが一般的であるが、この方法は工程が複雑なた
めに安定したパターン形成が不可能であり、またパター
ン欠陥が発生し易い等の問題があり、微細パターンの形
成方法としては不適当である。
またイオンミリング（Ｊｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ）法はア
ルゴン等の不活性イオンを試料に照射し、物理反応のみ
によってエツチングを行なうドライエツチング技術の・
）ちの１方法であるが、この方法は金のエッチレイトが
比較的高いということで、金のバターニングに通用され
ている。しかしながら、イオンミリング法によってエツ
チングされた試料のれ難い。
ルゴン等の不活性イオンを試料に照射し、物理反応のみ
によってエツチングを行なうドライエツチング技術の・
）ちの１方法であるが、この方法は金のエッチレイトが
比較的高いということで、金のバターニングに通用され
ている。しかしながら、イオンミリング法によってエツ
チングされた試料のれ難い。
さらに金は基板との接着性が悪いために、基板との間に
タンタルやクロム等の接着性に優れた材料をはさみ込ん
だ多層構造をとる必要があり、マスクの製造プロセスを
複雑にしている。また金は〔発明の概要〕 本発明は上記のような従来のものの問題点に鑑みてなさ
れたもので、ＳＯＲ光透過基板上にパターン形成される
ＳＯＲ光吸収層材料としてクロムセスの簡略化、耐久性
の向上、および製造コストの低減化を図ることできるＳ
ＯＲ光露光用マスクを提供することを目的としている。
タンタルやクロム等の接着性に優れた材料をはさみ込ん
だ多層構造をとる必要があり、マスクの製造プロセスを
複雑にしている。また金は〔発明の概要〕 本発明は上記のような従来のものの問題点に鑑みてなさ
れたもので、ＳＯＲ光透過基板上にパターン形成される
ＳＯＲ光吸収層材料としてクロムセスの簡略化、耐久性
の向上、および製造コストの低減化を図ることできるＳ
ＯＲ光露光用マスクを提供することを目的としている。
以下、この発嬰の一実施例を図について説明すりの一例
を製造工程順に示したものである。図において、４は露
光用のＳＯＲ光が照射されるｓ。
を製造工程順に示したものである。図において、４は露
光用のＳＯＲ光が照射されるｓ。
Ｒ光透過基板となるＳｉＮ膜、５はＳｉＮ膜４上にパタ
ーン形成されＳＯＲ光吸収層となるＣｒ膜、６はレジス
トパターン、３はＳｉ基板である。
ーン形成されＳＯＲ光吸収層となるＣｒ膜、６はレジス
トパターン、３はＳｉ基板である。
次にその製造工程について説明する。
まずＳｉ基板３上にＳＯＲ光透過基板４となるＳｉＮ膜
をＣＶＤ法により４μｍ厚に形成する（第２図（ａ））
。次にＳｉＮ ｌ臭４上にクロム膜５を蒸着法により３
０００人厚に形成しく第２図（ｂ））、このクロム膜５
上に所望のレジストパターン６を形成する（第２図（Ｃ
１）。そして更にこのレジストパターン６をマスクにし
てクロム膜５をエツチング除去する。
をＣＶＤ法により４μｍ厚に形成する（第２図（ａ））
。次にＳｉＮ ｌ臭４上にクロム膜５を蒸着法により３
０００人厚に形成しく第２図（ｂ））、このクロム膜５
上に所望のレジストパターン６を形成する（第２図（Ｃ
１）。そして更にこのレジストパターン６をマスクにし
てクロム膜５をエツチング除去する。
この時装置は反応性イオンエツチング装置を用い、ガス
はＣＣＺ、を用いた（第２図（ｄ））。この後酸素プラ
ズマによりレジスト６の剥離を行ない、さらにＳｉ基板
３の図示中央部をＫＯＨ液でエツチング除去したく第２
図（ｅ））。
はＣＣＺ、を用いた（第２図（ｄ））。この後酸素プラ
ズマによりレジスト６の剥離を行ない、さらにＳｉ基板
３の図示中央部をＫＯＨ液でエツチング除去したく第２
図（ｅ））。
以上のようにして形成された本実施例によるＳＯＲ用マ
スクにおいて、クロムは軟Ｘ線に対し大きな吸収係数を
もっているので、クロム膜５は吸収層としての役割を十
分果たしうる。さらにクロムは塩素系ガスに対して反応
性が大きいので、一般に用いられるプラズマエツチング
や反応性イオンエツチングによってパターン形成を行な
うことができる。またクロムは基板との接着性が大きい
ので、透過基板４とクロムＩＩＪ５との関に他の材料を
はさみ込む必要がない、また硬度も金に比べて大きいの
でマスクの耐久性も向上する。さらにクロムは金と比べ
て廉価であるので、製造コストも低減される。
スクにおいて、クロムは軟Ｘ線に対し大きな吸収係数を
もっているので、クロム膜５は吸収層としての役割を十
分果たしうる。さらにクロムは塩素系ガスに対して反応
性が大きいので、一般に用いられるプラズマエツチング
や反応性イオンエツチングによってパターン形成を行な
うことができる。またクロムは基板との接着性が大きい
ので、透過基板４とクロムＩＩＪ５との関に他の材料を
はさみ込む必要がない、また硬度も金に比べて大きいの
でマスクの耐久性も向上する。さらにクロムは金と比べ
て廉価であるので、製造コストも低減される。
なお、上記実施例においてクロム膜厚は３０００人にし
たが、これは用いるＳＯＲ光の特性によって変化させる
べきものである。
たが、これは用いるＳＯＲ光の特性によって変化させる
べきものである。
また上記実施例での基板材料はいずれもその一例を示す
ものであり、他の無機、有機材料あるいはそれらの複合
膜を用いてもよい。またクロムのパターン形成は他のい
かなる方法で行なってもよい。
ものであり、他の無機、有機材料あるいはそれらの複合
膜を用いてもよい。またクロムのパターン形成は他のい
かなる方法で行なってもよい。
以上のように、本発明によれば、ＳＯＲ光透過マスクの
製造プロセスの簡略化、耐久性の向上および製造コスト
の低減化を図ることができる効果がある。
製造プロセスの簡略化、耐久性の向上および製造コスト
の低減化を図ることができる効果がある。
第１図は従来のＳＯＲ光露光用マスクの構成を示す断面
図、第２図は本発明の一実施例によるＳＯＲ光露光用マ
スクの製造プロセスの一例を示す断面図である。 ４−３ｉＮ膜（ＳＯＲ光透過基板） 、５ ・＝（：ｒ
ｌｌ （ＳＯＲ光吸収層）。 代理人 大岩増雄 第１図 −〜 第２図 一一一寥二 −−４
図、第２図は本発明の一実施例によるＳＯＲ光露光用マ
スクの製造プロセスの一例を示す断面図である。 ４−３ｉＮ膜（ＳＯＲ光透過基板） 、５ ・＝（：ｒ
ｌｌ （ＳＯＲ光吸収層）。 代理人 大岩増雄 第１図 −〜 第２図 一一一寥二 −−４
Claims (1)
- ＋１１ 露光用のＳＯＲ光を透過させるＳＯＲ光透過基
板と、該ＳＯＲ光透過基板上にパターン形成されたクロ
ムからなるＳＯＲ光吸収層とを備えたことを特徴とする
ＳＯＲ光露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192731A JPS6084818A (ja) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | Ｓｏｒ光露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192731A JPS6084818A (ja) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | Ｓｏｒ光露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084818A true JPS6084818A (ja) | 1985-05-14 |
Family
ID=16296125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58192731A Pending JPS6084818A (ja) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | Ｓｏｒ光露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084818A (ja) |
-
1983
- 1983-10-15 JP JP58192731A patent/JPS6084818A/ja active Pending
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