JPH023218A - Ｘ線マスク及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスク及びその製造方法Info
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- JPH023218A JPH023218A JP63150964A JP15096488A JPH023218A JP H023218 A JPH023218 A JP H023218A JP 63150964 A JP63150964 A JP 63150964A JP 15096488 A JP15096488 A JP 15096488A JP H023218 A JPH023218 A JP H023218A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
Ｘ線マスクのＸ線吸収体パターンの構造の改良及びその
Ｘ線マスクの製造方法に関し、メンブレンに対するＸ線
吸収体の内部応力の影響を小さくすることが可能なＸ線
マスク及びその製造方法の提供を目的とし、 Ｘ線吸収体パターンをメンブレンに具備するＸ線マスク
であって、同一形状のＸ線吸収体パターンをメンブレン
の両面に具備するよう構成する。
Ｘ線マスクの製造方法に関し、メンブレンに対するＸ線
吸収体の内部応力の影響を小さくすることが可能なＸ線
マスク及びその製造方法の提供を目的とし、 Ｘ線吸収体パターンをメンブレンに具備するＸ線マスク
であって、同一形状のＸ線吸収体パターンをメンブレン
の両面に具備するよう構成する。
本発明は、Ｘ線露光に係り、特にＸ線マスクのＸ線吸収
体パターンの構造の改良及びそのＸ線マスクの製造方法
に関するものである。
体パターンの構造の改良及びそのＸ線マスクの製造方法
に関するものである。
Ｘ線マスクにおけるＸ線吸収体パターンは、通常は薄い
メンブレンの一方の面にのみ形成される。
メンブレンの一方の面にのみ形成される。
従って、Ｘ線吸収体の内部応力の影響を受けてメンブレ
ンに変形が生じている。
ンに変形が生じている。
以上のような状況から、Ｘ線マスクのメンブレンに形成
したＸ線吸収体がメンブレンに与える内部応力を、極め
て小さくすることが可能なＸ線マスクが要望されている
。
したＸ線吸収体がメンブレンに与える内部応力を、極め
て小さくすることが可能なＸ線マスクが要望されている
。
従来のＸ線マスクの各種の製造方法を第３図〜第５図に
よりに説明する。
よりに説明する。
従来の製造方法の一つである、スパッタによりＸ線吸収
体パターンを形成する方法を工程順に第３図により説明
する。
体パターンを形成する方法を工程順に第３図により説明
する。
先ず第３図（ａ）に示すように、支持部１８に形成した
メンブレン１１の表面にスパッタ法によりタンタル（Ｔ
ａ）或いはタングステン（Ｗ）からなるＸ線吸収体１６
をメンブレン１１の全面に形成する。
メンブレン１１の表面にスパッタ法によりタンタル（Ｔ
ａ）或いはタングステン（Ｗ）からなるＸ線吸収体１６
をメンブレン１１の全面に形成する。
つぎに第３図（ｂ）に示すように、このＸ線吸収体の表
面にレジストを塗布し、露光、現像を行ってレジストパ
ターン１９を形成する。
面にレジストを塗布し、露光、現像を行ってレジストパ
ターン１９を形成する。
ついでこのレジストパターンをマスクとしてリアクティ
ブ・イオン・エツチングによりＸ線吸収体１６のエツチ
ング処理を行い第３図（Ｃ）に示すように、所望のＸ線
吸収体パターン１６ａを形成する。
ブ・イオン・エツチングによりＸ線吸収体１６のエツチ
ング処理を行い第３図（Ｃ）に示すように、所望のＸ線
吸収体パターン１６ａを形成する。
このようにしてＴａ或いはＷ等の高融点金属をスパッタ
法により形成した場合には、金属膜中にアルゴン（Ａｒ
）等の不純物が取り込まれるため、１０Ｉ０ｄｙｎｅ／
ｃＪ程度の極めて大きな内部応力が発生する。
法により形成した場合には、金属膜中にアルゴン（Ａｒ
）等の不純物が取り込まれるため、１０Ｉ０ｄｙｎｅ／
ｃＪ程度の極めて大きな内部応力が発生する。
スパッタ圧力等の成長条件を変更することにより、ある
程度の内部応力の低減は可能であるが、安定した内部応
力の制御は困難である。
程度の内部応力の低減は可能であるが、安定した内部応
力の制御は困難である。
スパッタ法の替わりにＣＶＤ法でＸ線吸収体を成長した
場合には、メンブレン１１が２５０〜４５０℃に加熱さ
れるため、メンブレン１１とＸ線吸収体１６の熱膨張係
数の差異に起因する残留熱応力が大きくなる。
場合には、メンブレン１１が２５０〜４５０℃に加熱さ
れるため、メンブレン１１とＸ線吸収体１６の熱膨張係
数の差異に起因する残留熱応力が大きくなる。
従来の第２の製造方法のメツキによりＸ線吸収体パター
ンを形成する方法を工程順に第４図により説明する。
ンを形成する方法を工程順に第４図により説明する。
先ず第４図（ａ）に示すように、支持部２８に形成した
メンブレン２１の表面に導電膜２２を成長後、その表面
にリソグラフィー技術により絶縁膜よりなるステンシル
２３を形成する。
メンブレン２１の表面に導電膜２２を成長後、その表面
にリソグラフィー技術により絶縁膜よりなるステンシル
２３を形成する。
つぎに第４図（ｂｌに示すように、露出している導電膜
２２上に電解メツキにより金メツキ膜を形成し、これを
Ｘ線吸収体パターン２６として用いる。
２２上に電解メツキにより金メツキ膜を形成し、これを
Ｘ線吸収体パターン２６として用いる。
この方法では比較的内部応力の小さなＸ線吸収体パター
ン２６が得られるが、メツキ工程においてステンシル２
３のパターンの大小によって電流密度が変化し、安定し
たメツキの成長が困難なため、Ｘ線吸収体パターン２６
となる金のメッキ厚が不均一になり、このＸｖＡマスク
により被露光物の表面に微細なパターンを形成するのが
困難である。
ン２６が得られるが、メツキ工程においてステンシル２
３のパターンの大小によって電流密度が変化し、安定し
たメツキの成長が困難なため、Ｘ線吸収体パターン２６
となる金のメッキ厚が不均一になり、このＸｖＡマスク
により被露光物の表面に微細なパターンを形成するのが
困難である。
従来の第三の製造方法のパターニングされたシリコン酸
化膜により高融点金属のＸ線吸収体パターン３６を形成
する方法を工程順に第５図により説明する。
化膜により高融点金属のＸ線吸収体パターン３６を形成
する方法を工程順に第５図により説明する。
先ず支持部３８に形成したメンブレン３１の全表面にシ
リコン酸化膜を成長した後、第５図（ａ）に示すように
、リソグラフィー技術によりシリコン酸化膜３４をパタ
ーニングして形成する。
リコン酸化膜を成長した後、第５図（ａ）に示すように
、リソグラフィー技術によりシリコン酸化膜３４をパタ
ーニングして形成する。
つぎに第５図中）に示すように、選択ＣＶＤ法によりシ
リコン酸化膜３４が形成されていないメンブレン３１の
表面にのみ選択的にタングステン（Ｗ）を成長シテＸ線
吸収体パターン３６を形成する。
リコン酸化膜３４が形成されていないメンブレン３１の
表面にのみ選択的にタングステン（Ｗ）を成長シテＸ線
吸収体パターン３６を形成する。
しかし、この場合もＣＶＤ法によりＸ線吸収体パターン
３６を形成するので、内部応力の低減が困難である。
３６を形成するので、内部応力の低減が困難である。
以上説明の従来のＸ線マスクにおいては、いずれの方法
によりＸ線マスクを製造してもＸｖＡ吸収体の内部応力
の低減が困難であるため、この応力に起因するＸ線マス
クのメンブレンの歪が生じ、歪の小さなＸ線マスクを得
ることが困難であるという問題点があった。
によりＸ線マスクを製造してもＸｖＡ吸収体の内部応力
の低減が困難であるため、この応力に起因するＸ線マス
クのメンブレンの歪が生じ、歪の小さなＸ線マスクを得
ることが困難であるという問題点があった。
本発明は以上のような状況からメンブレンに対するＸ線
吸収体の内部応力の影響を小さくすることが可能なＸ線
マスク及びその製造方法の提供を目的としたものである
。
吸収体の内部応力の影響を小さくすることが可能なＸ線
マスク及びその製造方法の提供を目的としたものである
。
上記問題点は、Ｘ線吸収体パターンをメンブレンに具備
するＸ線マスクであって、同一形状のＸ線吸収体パター
ンをメンブレンの両面に具備する本発明によるＸｖＡマ
スク及びその製造方法によって解決される。
するＸ線マスクであって、同一形状のＸ線吸収体パター
ンをメンブレンの両面に具備する本発明によるＸｖＡマ
スク及びその製造方法によって解決される。
即ち本発明においては、Ｘ線マスクのメンブレンの両面
に同一形状のＸ線吸収体パターンを形成して具備するか
ら、たとえＸ線吸収体パターンが内部応力を有していて
も、この内部応力が相殺されるため、メンブレンには歪
が生じないので、歪の小さなＸ線マスクを得ることが可
能となり、このＸ線マスクを用いることにより被露光物
の表面に微細なパターンを形成することが可能となる。
に同一形状のＸ線吸収体パターンを形成して具備するか
ら、たとえＸ線吸収体パターンが内部応力を有していて
も、この内部応力が相殺されるため、メンブレンには歪
が生じないので、歪の小さなＸ線マスクを得ることが可
能となり、このＸ線マスクを用いることにより被露光物
の表面に微細なパターンを形成することが可能となる。
以下第１図により本発明による一実施例のＸ線マスクの
構造を、第２図により本発明による一実施例のＸ線マス
クの製造方法を工程順に説明する。
構造を、第２図により本発明による一実施例のＸ線マス
クの製造方法を工程順に説明する。
第１図に示す本発明による一実施例のＸ線マスクは、シ
リコン基板上にβ−炭化珪素（β−５ｉＣ）のメンブレ
ンｌを形成した後、支持部８を残してシリコン基板の裏
面のシリコンをニッパツクし、このメンブレン１の両面
にはポリシリコン膜２及び３を形成し、その表面にはそ
れぞれシリコン酸化膜４及び５を形成したものである。
リコン基板上にβ−炭化珪素（β−５ｉＣ）のメンブレ
ンｌを形成した後、支持部８を残してシリコン基板の裏
面のシリコンをニッパツクし、このメンブレン１の両面
にはポリシリコン膜２及び３を形成し、その表面にはそ
れぞれシリコン酸化膜４及び５を形成したものである。
このシリコン酸化膜４の一部分にはＸ線吸収体パターン
６が設けられており、シリコン酸化膜５にはＸ線吸収体
パターン６と同一形状のＸ線吸収体パターン７が設けら
れている。
６が設けられており、シリコン酸化膜５にはＸ線吸収体
パターン６と同一形状のＸ線吸収体パターン７が設けら
れている。
このようにメンブレン１の両面に同一形状のＸ線吸収体
パターン６及び７を形成した構造を存しているので、た
とえＸｖＡ吸収体パターン６及び７が内部応力を有して
いても、この内部応力が相殺されるため、メンブレン１
には歪が生じないので歪の小さなＸ線マスクを得ること
が可能となる。
パターン６及び７を形成した構造を存しているので、た
とえＸｖＡ吸収体パターン６及び７が内部応力を有して
いても、この内部応力が相殺されるため、メンブレン１
には歪が生じないので歪の小さなＸ線マスクを得ること
が可能となる。
このような構造のＸ線マスクの製造方法を第２図により
工程順に説明する。
工程順に説明する。
まず第２図ｆａｔに示すように、メンブレン１の表裏両
面にＣＶＤ法により膜厚５００〜１ 、０００人のポリ
シリコン膜２及び３を形成し、それぞれの表面に形成す
べきＸ線吸収体と同じ膜厚５．０００〜１０，０００人
のシリコン酸化膜４及び５を形成する。
面にＣＶＤ法により膜厚５００〜１ 、０００人のポリ
シリコン膜２及び３を形成し、それぞれの表面に形成す
べきＸ線吸収体と同じ膜厚５．０００〜１０，０００人
のシリコン酸化膜４及び５を形成する。
つぎに第２図（ｂｌに示すように、シリコン酸化膜４の
表面にレジストを塗布し、電子露光装置を用いて所定の
パターンを描画し、現像した後このレジストのレジスト
パターン９を形成し、シリコン酸化膜４をリアクティブ
・イオン・エツチングによりエツチング処理し、開口部
４ａを形成する。
表面にレジストを塗布し、電子露光装置を用いて所定の
パターンを描画し、現像した後このレジストのレジスト
パターン９を形成し、シリコン酸化膜４をリアクティブ
・イオン・エツチングによりエツチング処理し、開口部
４ａを形成する。
ついでレジストパターン９を除去し、第２図（Ｃ）に示
すように六弗化炭素（ｗ Ｆ ＆）の反応ガスを用いた
選択ＣＶＤ法によりポリシリコン膜２の表面にのみタン
グステンよりなるＸ線吸収体パターン６を成長し、シリ
コン酸化膜４の開口部４ａを埋め込む。
すように六弗化炭素（ｗ Ｆ ＆）の反応ガスを用いた
選択ＣＶＤ法によりポリシリコン膜２の表面にのみタン
グステンよりなるＸ線吸収体パターン６を成長し、シリ
コン酸化膜４の開口部４ａを埋め込む。
その後、第２図（ｄ）に示すように、メンブレン１の裏
面のシリコン酸化膜５の表面にレジストを塗布した後、
メンブレン１の表面に形成したＸｖＡ吸収体パターン６
をマスクとしてメンブレン１の全面にＸ線を照射、現像
してレジストパターン１０を形成する。
面のシリコン酸化膜５の表面にレジストを塗布した後、
メンブレン１の表面に形成したＸｖＡ吸収体パターン６
をマスクとしてメンブレン１の全面にＸ線を照射、現像
してレジストパターン１０を形成する。
このレジストパターン１０をマスクとして裏面のシリコ
ン酸化膜５をリアクティブ・イオン・エツチングにより
エツチング処理し、表面のシリコン酸化膜４のパターン
を裏面のシリコン酸化膜５に転写する。
ン酸化膜５をリアクティブ・イオン・エツチングにより
エツチング処理し、表面のシリコン酸化膜４のパターン
を裏面のシリコン酸化膜５に転写する。
最後に、レジストパターン１０を除去し、第２図（ｅ）
に示すように、再び六弗化炭素（ＷＦ６）の反応ガスを
用いた選択ＣＶＤ法によりポリシリコン膜３の表面にの
みタングステンよりなるＸｖＡ吸収吸収体パターン底長
し、シリコン酸化膜５の開口部５ａを埋め込む。
に示すように、再び六弗化炭素（ＷＦ６）の反応ガスを
用いた選択ＣＶＤ法によりポリシリコン膜３の表面にの
みタングステンよりなるＸｖＡ吸収吸収体パターン底長
し、シリコン酸化膜５の開口部５ａを埋め込む。
このような製造工程を経て、メンブレン１の両面にＸ線
吸収体パターン６及び７を具備するＸ線マスクを製造す
ることが可能となる。
吸収体パターン６及び７を具備するＸ線マスクを製造す
ることが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、メンブ
レンの両面にＸ線吸収体パターンを具備する簡単な構造
のＸ線マスクを製造することにより、Ｘ線吸収体の内部
応力の影響を相殺し、歪のないメンブレンを有するＸ線
マスクとすることが可能となり、このＸ線マスクを用い
るＸｖＡｎ光により被露光物の表面に微細なパターンを
形成することが可能となる等の利点があり、著しい経済
的及び信顛性向上の効果が期待でき工業的には極めて有
用なものである。
レンの両面にＸ線吸収体パターンを具備する簡単な構造
のＸ線マスクを製造することにより、Ｘ線吸収体の内部
応力の影響を相殺し、歪のないメンブレンを有するＸ線
マスクとすることが可能となり、このＸ線マスクを用い
るＸｖＡｎ光により被露光物の表面に微細なパターンを
形成することが可能となる等の利点があり、著しい経済
的及び信顛性向上の効果が期待でき工業的には極めて有
用なものである。
第１図は本発明による一実施例のＸ線マスクの側断面図
、 第２図は本発明による一実施例のＸ線マスクの製造方法
を工程順に示す側断面図、 第３図は従来のＸ線マスクの第１の製造方法を工程順に
示す側断面図、 第４図は従来のＸ線マスクの第２の製造方法を工程順に
示す側断面図、 第５図は従来のＸ線マスクの第３の製造方法を工程順に
示す側断面図、 である。 図において、 ■はメンブレン、 ２はポリシリコン膜、３はポリシ
リコン膜、４はシリコン酸化膜、４ａは開口部、
５はシリコン酸化膜、５ａは開口部、 ６はＸ線吸
収体パターン、７はＸ線吸収体パターン、８は支持部、
９はレジストパターン、 １０はレジストパターン、 を示す。 本発明による一実施例のＸ線マスクの側断面図第１図 ｆｃｌ Ｘ線吸収体パターン（６）の埋め込みｆａ＋
ポリシリコンｍ （２，３）及びシリコン酸化ｉ（
４，５）の形成＋ｄ＋ シリコン酸化１！！ （５）
のパターニング世） シリコン酸化！＋１１ （４）の
パターニング本発明による一実施例のＸ！！マスクの製
造方法を工程順に示す倒断面旧第２図 ＋８１ Ｘ線吸収体パターン（７）の埋め込み本発明
による一実施例のＸ線マスクの製造方法を工程順に示す
側断面図第 ２ 図 Ｔａ＋ Ｘ線吸収体（１６）の形成 ■） レジストパターン（１９）の形成 ｅｌ Ｘ線吸収体パターン（１６ａ）の形成 従来のＸ線マスクの第１の製造方法を工程順に示す側断
面図（ａｌ 導電膜（２２）及びステンシル（２３）の形成（ｂｌ Ｘ線吸収体パターン（２６）の形成 従来のＸ線マスクの第２の製造方法を工程順に示す側断
面図第４図
、 第２図は本発明による一実施例のＸ線マスクの製造方法
を工程順に示す側断面図、 第３図は従来のＸ線マスクの第１の製造方法を工程順に
示す側断面図、 第４図は従来のＸ線マスクの第２の製造方法を工程順に
示す側断面図、 第５図は従来のＸ線マスクの第３の製造方法を工程順に
示す側断面図、 である。 図において、 ■はメンブレン、 ２はポリシリコン膜、３はポリシ
リコン膜、４はシリコン酸化膜、４ａは開口部、
５はシリコン酸化膜、５ａは開口部、 ６はＸ線吸
収体パターン、７はＸ線吸収体パターン、８は支持部、
９はレジストパターン、 １０はレジストパターン、 を示す。 本発明による一実施例のＸ線マスクの側断面図第１図 ｆｃｌ Ｘ線吸収体パターン（６）の埋め込みｆａ＋
ポリシリコンｍ （２，３）及びシリコン酸化ｉ（
４，５）の形成＋ｄ＋ シリコン酸化１！！ （５）
のパターニング世） シリコン酸化！＋１１ （４）の
パターニング本発明による一実施例のＸ！！マスクの製
造方法を工程順に示す倒断面旧第２図 ＋８１ Ｘ線吸収体パターン（７）の埋め込み本発明
による一実施例のＸ線マスクの製造方法を工程順に示す
側断面図第 ２ 図 Ｔａ＋ Ｘ線吸収体（１６）の形成 ■） レジストパターン（１９）の形成 ｅｌ Ｘ線吸収体パターン（１６ａ）の形成 従来のＸ線マスクの第１の製造方法を工程順に示す側断
面図（ａｌ 導電膜（２２）及びステンシル（２３）の形成（ｂｌ Ｘ線吸収体パターン（２６）の形成 従来のＸ線マスクの第２の製造方法を工程順に示す側断
面図第４図
Claims (2)
- （１）Ｘ線吸収体パターンをメンブレンに具備するＸ線
マスクであって、 同一形状のＸ線吸収体パターン（６、７）をメンブレン
（１）の両面に具備することを特徴とするＸ線マスク。 - （２）メンブレン（１）の両面にポリシリコン膜（２、
３）を形成する工程と、 該ポリシリコン膜（２、３）のそれぞれの表面に酸化膜
（４、５）を形成する工程と、 前記メンブレン（１）の一方の面の前記酸化膜（４）を
パターニングして前記酸化膜（４）の開口部（４ａ）を
形成し、該開口部（４ａ）が形成されている前記ポリシ
リコン膜（２）の表面にのみ選択的に前記Ｘ線吸収体パ
ターン（６）を形成する工程と、 前記Ｘ線吸収体パターン（６）をマスクとしてＸ線露光
し、前記メンブレン（１）の前記Ｘ線吸収体パターン（
６）が形成されていない他方の面の前記酸化膜（５）の
開口部（５ａ）を形成する工程と、前記酸化膜（５）の
開口部（５ａ）が形成されている前記ポリシリコン膜（
３）の表面にのみ選択的に前記Ｘ線吸収体パターン（７
）を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１
記載のＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63150964A JPH023218A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63150964A JPH023218A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023218A true JPH023218A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15508287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63150964A Pending JPH023218A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH023218A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251314A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Soltec:Kk | 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法 |
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| JP2007312672A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Star Farm Machinery Mfg Co Ltd | 肥料散布機 |
| JP2020013059A (ja) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 株式会社東芝 | 装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP63150964A patent/JPH023218A/ja active Pending
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