JPH08111369A - Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH08111369A JPH08111369A JP24420694A JP24420694A JPH08111369A JP H08111369 A JPH08111369 A JP H08111369A JP 24420694 A JP24420694 A JP 24420694A JP 24420694 A JP24420694 A JP 24420694A JP H08111369 A JPH08111369 A JP H08111369A
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- ray
- ray exposure
- mask
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細な径の開孔パターンを容易に形成し、位
相シフト効果を利用してＸ線露光の解像力を向上させ
る。 【構成】 回路パターンを被加工物に転写するＸ線露光
用マスクにおいて、Ｘ線透過膜１上に形成されたＸ線吸
収体２に開孔部を形成した後に、開孔部の側壁に重元素
４またはＸ線の位相をシフトさせる物質５を付着させ
る。
相シフト効果を利用してＸ線露光の解像力を向上させ
る。 【構成】 回路パターンを被加工物に転写するＸ線露光
用マスクにおいて、Ｘ線透過膜１上に形成されたＸ線吸
収体２に開孔部を形成した後に、開孔部の側壁に重元素
４またはＸ線の位相をシフトさせる物質５を付着させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大面積の微細な回路パ
ターンを半導体基板などの被加工物上に転写するＸ線露
光に使用するＸ線露光用マスクおよびその製造方法に関
する。
ターンを半導体基板などの被加工物上に転写するＸ線露
光に使用するＸ線露光用マスクおよびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線露光の原理は、図６に示すように、
Ｘ線６１を、Ｘ線吸収体によりマスクパターンの描かれ
たＸ線マスク６７を通して、被加工物６上のＸ線レジス
ト６５にマスクパターンを転写するものである。Ｘ線露
光は、２５６メガビットダイナミックＲＡＭ以降の露光
技術、即ち、０．２μｍ以下の線幅の回路パターンを半
導体基板に焼き付ける露光技術として、研究開発が進め
られている。
Ｘ線６１を、Ｘ線吸収体によりマスクパターンの描かれ
たＸ線マスク６７を通して、被加工物６上のＸ線レジス
ト６５にマスクパターンを転写するものである。Ｘ線露
光は、２５６メガビットダイナミックＲＡＭ以降の露光
技術、即ち、０．２μｍ以下の線幅の回路パターンを半
導体基板に焼き付ける露光技術として、研究開発が進め
られている。
【０００３】Ｘ線マスク６７は、Ｘ線が透過し易い窒化
ケイ素、炭化ケイ素、ケイ素などの材料からなるＸ線透
過膜１上に、Ｘ線を吸収し易い重金属からなるＸ線吸収
体２のパターンを形成した構造となっている。従来、Ｘ
線吸収体の材料としては、金、タングステン、タンタル
などが用いられてきた。また、Ｘ線露光に使用する７〜
１５オングストロームの波長のＸ線に対して十分な遮蔽
効果を得るため、０．３〜０．８μｍの吸収体膜厚が必
要である。
ケイ素、炭化ケイ素、ケイ素などの材料からなるＸ線透
過膜１上に、Ｘ線を吸収し易い重金属からなるＸ線吸収
体２のパターンを形成した構造となっている。従来、Ｘ
線吸収体の材料としては、金、タングステン、タンタル
などが用いられてきた。また、Ｘ線露光に使用する７〜
１５オングストロームの波長のＸ線に対して十分な遮蔽
効果を得るため、０．３〜０．８μｍの吸収体膜厚が必
要である。
【０００４】Ｘ線露光は、等倍の露光技術であるため、
微細な吸収体パターンを形成しなければならない。Ｘ線
マスクのパターンは、通常、電子ビーム露光で形成され
るが、パターンサイズが小さくなればなるほど、パター
ン形成は難しくなる。
微細な吸収体パターンを形成しなければならない。Ｘ線
マスクのパターンは、通常、電子ビーム露光で形成され
るが、パターンサイズが小さくなればなるほど、パター
ン形成は難しくなる。
【０００５】現在、ＬＳＩの製造には、可視光または紫
外線を用いる縮小投影露光法が用いられている。縮小投
影露光法は、ガラス基板にクロム等の遮光体で回路パタ
ーンを描いたマスクを用い、投影レンズによって、マス
クパターンを縮小して半導体基板上に投影する方法であ
る。縮小投影露光法では、光の回折作用によって、パタ
ーンのぼけが起こり、現在、一般にＬＳＩ製造に用いら
れている露光装置では、０．３μｍが解像できる限界で
ある。回折作用の影響は、パターン形状によって異なる
が、一般にホール（開孔）パターンにおいてもっとも影
響が出やすいため、配線同志の接続孔などに、Ｘ線露光
技術の適用が期待されている。
外線を用いる縮小投影露光法が用いられている。縮小投
影露光法は、ガラス基板にクロム等の遮光体で回路パタ
ーンを描いたマスクを用い、投影レンズによって、マス
クパターンを縮小して半導体基板上に投影する方法であ
る。縮小投影露光法では、光の回折作用によって、パタ
ーンのぼけが起こり、現在、一般にＬＳＩ製造に用いら
れている露光装置では、０．３μｍが解像できる限界で
ある。回折作用の影響は、パターン形状によって異なる
が、一般にホール（開孔）パターンにおいてもっとも影
響が出やすいため、配線同志の接続孔などに、Ｘ線露光
技術の適用が期待されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線マスクの製
造方法は、図５に示すように、Ｘ線透過膜１上にＸ線吸
収体２の膜を堆積し（ａ）、その上にレジスト２７を塗
布し、電子ビーム露光によってレジスト２７に回路パタ
ーンを形成し（ｂ）、レジスト２７をマスクとしてＸ線
吸収体２をエッチングし、吸収体パターンを形成する。
この方法でＸ線吸収体に微細な開孔部を形成するには、
電子ビーム露光で微細な開孔部をレジストに形成する必
要がある。しかし、重金属であるＸ線吸収体上での正確
な電子ビーム露光は、電子の後方散乱の影響を受けやす
いため難しい。
造方法は、図５に示すように、Ｘ線透過膜１上にＸ線吸
収体２の膜を堆積し（ａ）、その上にレジスト２７を塗
布し、電子ビーム露光によってレジスト２７に回路パタ
ーンを形成し（ｂ）、レジスト２７をマスクとしてＸ線
吸収体２をエッチングし、吸収体パターンを形成する。
この方法でＸ線吸収体に微細な開孔部を形成するには、
電子ビーム露光で微細な開孔部をレジストに形成する必
要がある。しかし、重金属であるＸ線吸収体上での正確
な電子ビーム露光は、電子の後方散乱の影響を受けやす
いため難しい。
【０００７】本発明の目的は、このような従来の欠点を
除去し、微細な開孔パターンの転写が可能なＸ線マスク
およびその製造方法を提供することにある。
除去し、微細な開孔パターンの転写が可能なＸ線マスク
およびその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｘ線露光によ
り回路パターンを被加工物に転写するためのＸ線露光用
マスクにおいて、Ｘ線吸収体パターンの開孔部の側壁に
重元素またはＸ線の位相をシフトさせる物質を付着させ
た構造を有することを特徴としている。
り回路パターンを被加工物に転写するためのＸ線露光用
マスクにおいて、Ｘ線吸収体パターンの開孔部の側壁に
重元素またはＸ線の位相をシフトさせる物質を付着させ
た構造を有することを特徴としている。
【０００９】また、本発明は、Ｘ線露光により回路パタ
ーンを被加工物に転写するためのＸ線露光用マスクの製
造方法において、シリコン基板上にＸ線透過膜、Ｘ線吸
収体を順次形成し、Ｘ線吸収体に開孔部を形成した後に
重元素またはＸ線の位相をシフトさせる物質を開孔部の
側壁に付着させ、エッチングによって側壁以外に付着し
た重元素またはＸ線の位相をシフトさせる物質を取り去
ることを特徴としている。
ーンを被加工物に転写するためのＸ線露光用マスクの製
造方法において、シリコン基板上にＸ線透過膜、Ｘ線吸
収体を順次形成し、Ｘ線吸収体に開孔部を形成した後に
重元素またはＸ線の位相をシフトさせる物質を開孔部の
側壁に付着させ、エッチングによって側壁以外に付着し
た重元素またはＸ線の位相をシフトさせる物質を取り去
ることを特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明では、Ｘ線マスクパターン形成時に、回
路設計寸法より大きい開孔部を形成し、その後に孔径を
狭めるため、微細開孔パターンを容易に形成することが
できる。また、吸収体パターン形成には光露光も利用で
きるため、短時間で安価にＸ線露光用マスクを製造する
ことができる。
路設計寸法より大きい開孔部を形成し、その後に孔径を
狭めるため、微細開孔パターンを容易に形成することが
できる。また、吸収体パターン形成には光露光も利用で
きるため、短時間で安価にＸ線露光用マスクを製造する
ことができる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１２】図１は、本発明のＸ線露光用マスクの一実
施例を示す断面図である。重金属からなるＸ線吸収体２
のパターン開孔部の側壁に重元素４を付着させた構造と
なっている他は、従来のＸ線露光用マスクと同様であ
る。側壁に付着させる材料は、金、白金、タングステ
ン、タンタルなど、Ｘ線吸収能の大きい材料が適してい
る。この材料は、Ｘ線吸収体２と同一でも、異なってい
てもよい。
施例を示す断面図である。重金属からなるＸ線吸収体２
のパターン開孔部の側壁に重元素４を付着させた構造と
なっている他は、従来のＸ線露光用マスクと同様であ
る。側壁に付着させる材料は、金、白金、タングステ
ン、タンタルなど、Ｘ線吸収能の大きい材料が適してい
る。この材料は、Ｘ線吸収体２と同一でも、異なってい
てもよい。
【００１３】また、図２に示すように、重元素４の代わ
りに、Ｘ線の吸収が小さく、Ｘ線の位相をシフトさせる
物質５を側壁部に付着させた構造にすると、位相シフト
効果によってパターン端部におけるＸ線強度の変化が急
激になり、Ｘ線露光において、より急峻な側壁角度を持
ったレジストパターンを形成することができる。さら
に、重元素４とＸ線の位相をシフトさせる物質５の両方
を側壁部に付着させた図３に示す構造にすると、より微
細な孔を形成できるＸ線露光用マスクを得ることができ
る。
りに、Ｘ線の吸収が小さく、Ｘ線の位相をシフトさせる
物質５を側壁部に付着させた構造にすると、位相シフト
効果によってパターン端部におけるＸ線強度の変化が急
激になり、Ｘ線露光において、より急峻な側壁角度を持
ったレジストパターンを形成することができる。さら
に、重元素４とＸ線の位相をシフトさせる物質５の両方
を側壁部に付着させた図３に示す構造にすると、より微
細な孔を形成できるＸ線露光用マスクを得ることができ
る。
【００１４】図４は、本発明のＸ線露光用マスクの製造
方法を示す工程図である。図４に従って工程を説明す
る。最初に、図４（ａ）に示すように、シリコン基板３
上に窒化ケイ素、炭化ケイ素などの材料からなるＸ線透
過膜１を形成し、その上にＸ線吸収体膜を形成する。そ
の上にレジスト２７を塗布し、直径０．４μｍの開孔部
を電子ビーム露光で形成する。パターンは、Ｘ線露光、
光露光、イオンビーム露光などで転写あるいは描画する
ことも可能である。次に、図４（ｂ）に示すように、レ
ジスト２７を現像後、Ｘ線吸収体膜をエッチングし、レ
ジスト２７を剥離する。その上に、図４（ｃ）に示すよ
うに、厚さ０．１μｍの重元素膜を形成する。重元素膜
の形成には、側壁部まで回り込むように、化学的気相成
長法などの方法を用いる。更に、図４（ｄ）に示すよう
に、重元素膜を均一に異方性エッチングし、側壁部のみ
を残す。その結果、孔径０．２μｍの開孔パターンを持
つＸ線露光用マスクを得ることができる。最後に、裏面
よりシリコン基板３をエッチングし、完成する。シリコ
ン基板のエッチングは、パターン形成の前に行ってもか
まわない。
方法を示す工程図である。図４に従って工程を説明す
る。最初に、図４（ａ）に示すように、シリコン基板３
上に窒化ケイ素、炭化ケイ素などの材料からなるＸ線透
過膜１を形成し、その上にＸ線吸収体膜を形成する。そ
の上にレジスト２７を塗布し、直径０．４μｍの開孔部
を電子ビーム露光で形成する。パターンは、Ｘ線露光、
光露光、イオンビーム露光などで転写あるいは描画する
ことも可能である。次に、図４（ｂ）に示すように、レ
ジスト２７を現像後、Ｘ線吸収体膜をエッチングし、レ
ジスト２７を剥離する。その上に、図４（ｃ）に示すよ
うに、厚さ０．１μｍの重元素膜を形成する。重元素膜
の形成には、側壁部まで回り込むように、化学的気相成
長法などの方法を用いる。更に、図４（ｄ）に示すよう
に、重元素膜を均一に異方性エッチングし、側壁部のみ
を残す。その結果、孔径０．２μｍの開孔パターンを持
つＸ線露光用マスクを得ることができる。最後に、裏面
よりシリコン基板３をエッチングし、完成する。シリコ
ン基板のエッチングは、パターン形成の前に行ってもか
まわない。
【００１５】また、図４において、重元素４の代わりに
Ｘ線の吸収が小さく、Ｘ線の位相をシフトさせる物質５
を用いると、側壁部にＸ線の位相をシフトさせる物質を
付着させたＸ線露光用マスクを得ることができる。
Ｘ線の吸収が小さく、Ｘ線の位相をシフトさせる物質５
を用いると、側壁部にＸ線の位相をシフトさせる物質を
付着させたＸ線露光用マスクを得ることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＸ線露光
用マスクによれば、微細な径の開孔パターンを形成する
ことができる。また、位相シフト効果を利用することが
でき、Ｘ線露光の解像力を高めることができる。
用マスクによれば、微細な径の開孔パターンを形成する
ことができる。また、位相シフト効果を利用することが
でき、Ｘ線露光の解像力を高めることができる。
【００１７】また、本発明の製造方法によれば、設計寸
法より大きいパターンを形成すればよいため、パターン
形成工程に余裕ができ、より正確なパターン形成が可能
となる。また、実施例で示したように、光露光でパター
ンを形成することが可能であり、この方法を用いると、
微細な開孔パターンを有するＸ線露光用マスクを非常に
短時間に、しかも安価に製造することができる。さら
に、堆積した重金属膜は、滑らかな表面形状を持つた
め、滑らかな側壁形状を持ったＸ線露光用マスクを得る
ことができる。
法より大きいパターンを形成すればよいため、パターン
形成工程に余裕ができ、より正確なパターン形成が可能
となる。また、実施例で示したように、光露光でパター
ンを形成することが可能であり、この方法を用いると、
微細な開孔パターンを有するＸ線露光用マスクを非常に
短時間に、しかも安価に製造することができる。さら
に、堆積した重金属膜は、滑らかな表面形状を持つた
め、滑らかな側壁形状を持ったＸ線露光用マスクを得る
ことができる。
【図１】本発明のＸ線露光用マスクの一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明のＸ線露光用マスクの一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図３】本発明のＸ線露光用マスクの一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図４】本発明のＸ線露光用マスクの製造方法を示す工
程図である。
程図である。
【図５】従来のＸ線露光用マスクの製造方法を示す工程
図である。
図である。
【図６】Ｘ線露光の原理を示す模式図である。
１ Ｘ線透過膜 ２ Ｘ線吸収体 ３ シリコン基板 ４ 重元素 ５ Ｘ線の位相をシフトさせる物質 ６ 被加工物 ２６ 電子線 ２７ レジスト ６１ Ｘ線 ６５ Ｘ線レジスト ６７ Ｘ線マスク
Claims (6)
- 【請求項１】Ｘ線露光により回路パターンを被加工物に
転写するためのＸ線露光用マスクにおいて、 Ｘ線吸収体パターンの開孔部の側壁に重元素またはＸ線
の位相をシフトさせる物質を付着させた構造を有するこ
とを特徴とするＸ線露光用マスク。 - 【請求項２】Ｘ線露光により回路パターンを被加工物に
転写するためのＸ線露光用マスクにおいて、 Ｘ線吸収体パターンの開孔部の側壁に重元素およびＸ線
の位相をシフトさせる物質を付着させた構造を有するこ
とを特徴とするＸ線露光用マスク。 - 【請求項３】前記重元素が、金、白金、タングステンま
たはタンタルであることを特徴とする請求項１または２
記載のＸ線露光用マスク。 - 【請求項４】Ｘ線露光により回路パターンを被加工物に
転写するためのＸ線露光用マスクの製造方法において、 シリコン基板上にＸ線透過膜、Ｘ線吸収体を順次形成
し、Ｘ線吸収体に開孔部を形成した後に重元素またはＸ
線の位相をシフトさせる物質を開孔部の側壁に付着さ
せ、エッチングによって側壁以外に付着した重元素また
はＸ線の位相をシフトさせる物質を取り去ることを特徴
とするＸ線露光用マスクの製造方法。 - 【請求項５】Ｘ線露光により回路パターンを被加工物に
転写するためのＸ線露光用マスクの製造方法において、 シリコン基板上にＸ線透過膜、Ｘ線吸収体を順次形成
し、Ｘ線吸収体に開孔部を形成した後に重元素およびＸ
線の位相をシフトさせる物質を開孔部の側壁に付着さ
せ、エッチングによって側壁以外に付着した重元素およ
びＸ線の位相をシフトさせる物質を取り去ることを特徴
とするＸ線露光用マスクの製造方法。 - 【請求項６】前記重元素が、金、白金、タングステンま
たはタンタルであることを特徴とする請求項４または５
記載のＸ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24420694A JPH08111369A (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24420694A JPH08111369A (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111369A true JPH08111369A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17115350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24420694A Pending JPH08111369A (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08111369A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003034476A1 (fr) * | 2001-10-16 | 2003-04-24 | Waseda University | Procede de realisation de dessin, masque, et procede de fabrication de masque |
| JP2003302753A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01169927A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスクの製造方法 |
| JPH0252416A (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 平行ｘ線用露光マスク |
| JPH03192717A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-22 | Nec Corp | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
| JPH0513310A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光用マスク及びその製法 |
| JPH05251312A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-10-07 JP JP24420694A patent/JPH08111369A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003034476A1 (fr) * | 2001-10-16 | 2003-04-24 | Waseda University | Procede de realisation de dessin, masque, et procede de fabrication de masque |
| JP2003124099A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Univ Waseda | パターン描画方法、マスクおよびマスク製造方法 |
| JP2003302753A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970311 |