JPH0513310A - X線露光用マスク及びその製法 - Google Patents

X線露光用マスク及びその製法

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JPH0513310A
JPH0513310A JP3183470A JP18347091A JPH0513310A JP H0513310 A JPH0513310 A JP H0513310A JP 3183470 A JP3183470 A JP 3183470A JP 18347091 A JP18347091 A JP 18347091A JP H0513310 A JPH0513310 A JP H0513310A
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ray
absorber layer
mask
ray absorber
layer
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JP3183470A
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English (en)
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Kimikichi Deguchi
公吉 出口
Isao Somemura
染村  庸
Kazunari Miyoshi
一功 三好
Korehito Matsuda
維人 松田
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 X線透過膜上にパタ―ン化されたX線吸収体
層が形成されている構成を有するX線露光用マスクにお
いて、X線吸収体層に0.2μmというような小さな寸
法の窓が形成されていても、またX線吸収体層が0.2
μmというような狭い幅を有していても、試料上の実効
露光コントラスト及び試料に対する露光マ―ジンが高く
得られ且つかぶりが生じないようにする。 【構成】 上記X線露光用マスクにおいて、X線吸収体
層の、側面から、1.2×(G・λ)1/2 (ただし、λ
は用いるX線のピ―ク波長、GはX線によって露光され
る試料との間の間隔)で与えられる長さLq よりも短い
Lだけとった側縁部が、他部に比し薄い厚さを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、X線透過膜上にパタ―
ン化されたX線吸収体層が形成されている構成を有する
X線露光用マスク、及びその製法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、図14に示すような、例えば窒化
シリコンでなり且つ例えば2μmの厚さを有するメンブ
レンと称されているX線透過膜1上に、例えば0.1μ
mというような小さな値の寸法W1 を有するアイランド
状の窓3を有し且つ例えばTaでなるX線吸収体層2
が、パタ―ン化されたX線吸収体層として、例えば0.
65μmというような比較的厚い厚さDa に形成されて
いる構成を有するX線露光用マスクが提案されている。
【0003】また、従来、図16に示すような、図14
に示す従来のX線露光用マスクにおいて、そのX線吸収
体層2が、それと同様の窓3を有し且つ例えばTaでな
るがそれとは異なる例えば0.3μmというような比較
的薄い厚さDbを有するX線吸収体層2′に置換されて
いることを除いて、図14に示す従来のX線露光用マス
クと同様の構成を有するX線露光用マスクも提案されて
いる。
【0004】さらに、従来、図18に示すような、図1
4に示す従来のX線露光用マスクで上述したと同様のX
線透過膜1上に、例えば0.1μmというような狭い幅
W2を有するストライプ状の窓5の複数(図においては
5つ)が例えば0.1μmというような狭い間隔W3 を
保って順次配列され且つ例えばTaでなるX線吸収体層
4が、パタ―ン化されたX線吸収体層として、例えば
0.65μmというような比較的厚い厚さDa に形成さ
れている構成を有するX線露光用マスクも提案されてい
る。
【0005】また、従来、図20に示すような、図18
に示す従来のX線露光用マスクにおいて、そのX線吸収
体層4が、それと同様の窓5を有し且つ例えばTaでな
るがそれとは異なる例えば0.3μmというような比較
的薄い厚さDbを有するX線吸収体層4′に置換されて
いることを除いて、図18に示す従来のX線露光用マス
クと同様の構成を有するX線露光用マスクも提案されて
いる。
【0006】さらに、従来、図22に示すような、図1
4に示す従来のX線露光用マスクで上述したと同様のX
線透過膜1上に、例えば0.2μmというような狭い幅
W4を有してストライプ状に延長し且つ例えばTaでな
るX線吸収体層6が、パタ―ン化されたX線吸収体層と
して、例えば0.65μmというような比較的厚い厚さ
Da に形成されている構成を有するX線露光用マスクも
提案されている。
【0007】また、従来、図24に示すような、図22
に示す従来のX線露光用マスクにおいて、そのX線吸収
体層6が、それと同様の幅W4 を有してストライプ状に
延長し且つ例えばTaでなるがそれとは異なる例えば
0.3μmというような比較的薄い厚さDb を有するX
線吸収体層6′に置換されていることを除いて、図22
に示す従来のX線露光用マスクと同様の構成を有するX
線露光用マスクも提案されている。
【0008】さらに、従来、図26に示すような、図1
4に示す従来のX線露光用マスクで上述したと同様のX
線透過膜1上に、図14に示す従来のX線露光用マスク
におけると同様のX線吸収体層2と、図18に示す従来
のX線露光用マスクにおけると同様のX線吸収体層4
と、図22に示す従来のX線露光用マスクにおけると同
様のX線吸収体層6とが並置形成されている構成を有す
るX線露光用マスクも提案されている。
【0009】また、従来、図27に示すような、図14
に示す従来のX線露光用マスクで上述したと同様のX線
透過膜1上に、図16に示す従来のX線露光用マスクに
おけると同様のX線吸収体層2′と、図20に示す従来
のX線露光用マスクにおけると同様のX線吸収体層4′
と、図24に示す従来のX線露光用マスクにおけると同
様のX線吸収体層6′とが並置形成されている構成を有
するX線露光用マスクも提案されている。
【0010】図14、図16、図18、図20、図2
2、図24、図26及び図27に示す従来のX線露光用
マスクは、それらのいずれについても、X線によって露
光される、露光レジストでなる表面を有する試料上に、
X線吸収体層を試料側として、試料との間に間隔を保っ
て配され、そして、試料を、X線によって、X線露光用
マスクを介して照射させることによって、試料上に、X
線吸収体層のパタ―ンに対応したX線露光パタ―ンを得
るのに用いられる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】図14に示す従来のX
線露光用マスクの場合、X線吸収体層2が比較的厚い厚
さDa を有する。このため、用いるX線の波長λが、
0.8nmであり、X線透過膜1が窒化シリコンでなり
且つ2μmの厚さを有し、X線吸収体層2がTaでな
り、X線吸収体層2の厚さDa が0.65μmである場
合、7〜10という比較的高いマスクコントラスト(X
線透過膜1上にX線吸収体層2が延長していない領域
(X線吸収体層2の窓3が形成されている領域)でのX
線透過率と、X線透過膜1上にX線吸収体層2が延長し
ている領域(X線吸収体層2の窓3が形成されている領
域以外の領域)でのX線透過率との比で表される)を得
ることができる。
【0012】また、X線吸収体層2が有する窓3の寸法
W1 が、上述したのとは異なり、1μm以上というよう
な大きな値を有していれば、X線の、X線透過膜1上に
X線吸収体層2が延長していない領域を透過した分、及
びX線透過膜1上にX線吸収体層2が延長している領域
を透過した分の回折及びそれら間の相互干渉による試料
上でのX線露光強度分布に対する望ましくない影響が少
ないので、試料上での実効露光コントラスト(試料上
の、X線透過膜1上にX線吸収体層2が延長していない
領域に対応する領域での最大X線露光強度と、試料上
の、X線透過膜1上にX線吸収体層2が延長している領
域に対応する領域での最大X線露光強度との比で表され
る)、露光量マ―ジン(試料上で、X線吸収体層2のパ
タ―ンに対応したX線露光パタ―ンが得られ得る範囲を
決める)を比較的高く得ることができる。
【0013】従って、図14に示す従来のX線露光用マ
スクの場合、X線吸収体層2が比較的厚い厚さDa を有
するので、X線吸収体層2が有する窓3の寸法W1 が1
μm以上というような大きな値を有していれば、高い転
写パタ―ンの寸法制御性、露光量マ―ジンなどの露光特
性を、比較的良好に得ることができる。
【0014】しかしながら、図14に示す従来のX線露
光用マスクの場合、X線吸収体層2が有する窓3の寸法
W1 が0.1μmというような小さな値を有している。
このため、X線の、X線透過膜1上にX線吸収体層2が
延長していない領域を透過した分、及びX線透過膜1上
にX線吸収体層2が延長している領域を透過した分の回
折及びそれら間の相互干渉による試料上でのX線露光強
度分布に対する望ましくない影響によって、実効露光コ
ントラスト及び露光量マ―ジンが、図15Aに示す、試
料との間の間隔Gが30μmの場合における試料上のX
線露光強度分布(試料上の窓3の中心に対応する窓から
輻方向にとった距離(μm)に対する相対X線露光強度
で示されている)、図15Bに示す、試料との間の間隔
Gが20μmの場合における同様のX線露光強度分布か
らも明らかなように、きわめて低いばかりでなく、試料
との間の間隔Gが30μmの場合には、図15Aに示す
ように、X線露光強度が、X線透過膜1上にX線吸収体
層2が延長している領域の、X線透過膜1上にX線吸収
体層2が延長していない領域側において、X線透過膜1
上にX線吸収体層2が延長していない領域(X線吸収体
層2の窓3が形成されている領域)におけるよりも低い
値で得られるというX線露光強度分布で得られたりする
ことから、X線を、試料上に、X線吸収体層2のパタ―
ンに忠実に対応したパタ―ンで転写させることができな
い、という欠点を有していた。
【0015】なお、図15A及び図15Bに示すX線露
光強度分布は、用いるX線の波長λが0.8nmであ
り、X線透過膜1が窒化シリコンでなり且つ2μmの厚
さを有し、X線吸収体層2がTaでなり、X線吸収体層
2の厚さDa が0.65μmであり、窓3の寸法W1 が
0.1μmである条件での測定結果である。
【0016】また、図16に示す従来のX線露光用マス
クは、図14に示す従来のX線露光用マスクにおいて、
そのX線吸収体層2がその厚さのみに関し、比較的薄い
厚さDb に変更されている、という構成を有している。
【0017】このため、図16に示す従来のX線露光用
マスクの場合、実効露光コントラスト及び露光量マ―ジ
ンが、図17Aに示す、試料との間の間隔Gが30μm
の場合における試料上の図15Aの場合と同様のX線露
光強度分布、図17Bに示す、試料との間の間隔Gが2
0μmの場合におけると同様のX線露光強度分布からも
明らかなように、図14に示す従来のX線露光用マスク
の場合に比し高い値で得られる。
【0018】しかしながら、X線吸収体層2が有する窓
3の寸法W1 が0.1μmというような小さな値を有し
ていても、図14に示す従来のX線露光用マスクで述べ
たと同様に、用いるX線の波長λが、0.8nmであ
り、X線透過膜1が窒化シリコンでなり且つ2μmの厚
さを有し、X線吸収体層2がTaでなり、X線吸収体層
2の厚さDb が0.3μmである場合、2〜3という図
14に示す従来のX線露光用マスクの場合に比し低いマ
スクコントラストしか得られないので、X線露光強度
が、図17A及び17Bに示すように、X線透過膜1上
にX線吸収体層2が延長している領域に対応している領
域において、図14に示す従来のX線露光用マスクの場
合に比し高い値となり、よって、試料上に、X線透過膜
1上にX線吸収体層2が延長している領域に対応してい
る領域において、いわゆるかぶりを生ぜしめる、という
欠点を有していた。
【0019】なお、図17A及び図17Bに示すX線露
光強度分布は、X線吸収体層2をX線吸収体層2′と読
み替え、そしてそのX線吸収体層2′の厚さDb が0.
3μmであることを除いて、図15A及び図15Bに示
すX線露光強度分布の場合と同じ条件での測定結果であ
る。
【0020】さらに、図18に示す従来のX線露光用マ
スクの場合、X線吸収体層4が図14に示す従来のX線
露光用マスクの場合と同様に厚い厚さDa を有している
ので、X線吸収体層4が有する窓5の寸法W2 及び相隣
る窓5間の間隔W3 が1μmというように大きな値を有
していれば、図14に示す従来のX線露光用マスクの場
合と同様に高いマスクコントラストが得られる。
【0021】しかしながら、X線吸収体層4に間隔W3
を保って配列形成している複数の窓5のそれぞれの寸法
W2 が、図14に示す従来のX線露光用マスクの場合の
X線吸収体層2が有する窓3の寸法W1 の場合と同様
に、0.1μmというような小さな値を有し、さらに、
複数の窓5を順次配列している間隔W3 、従って、X線
吸収体層4の相隣る窓5間の領域の幅が、0.1μmと
いうような小さな値を有しているので、実効露光コント
ラスト及び露光量マ―ジンが、図14に示す従来のX線
露光用マスクについて述べたのに準じた理由で、きわめ
て低いばかりでなく、図19に示す、試料との間の間隔
Gが20μmの場合における試料上の図15Aの場合と
同様のX線露光強度分布からも明らかなように、試料上
に、X線吸収体層4のパタ―ンに対応したX線露光パタ
―ンを得ることができない、という欠点を有していた。
【0022】なお、図19に示すX線露光強度分布は、
用いるX線の波長λが0.8nmであり、X線透過膜1
が窒化シリコンでなり且つ2μmの厚さを有し、X線吸
収体層4がTaでなり、X線吸収体層4の厚さDa が
0.65μmであり、窓5の寸法W2 が0.1μmであ
り、相隣る窓5間の間隔W3が0.1μmである条件で
の測定結果である。
【0023】また、図20に示す従来のX線露光用マス
クは、図18に示す従来のX線露光用マスクにおいて、
そのX線吸収体層4の厚みのみに関し比較的薄い厚さD
b に変更されている、という構成を有している。
【0024】このため、図20に示す従来のX線露光用
マスクの場合、X線吸収体層2′が比較的薄い厚さDb
を有する図16に示すX線露光用マスクの場合に準じ
て、実効露光コントラスト及び露光量マ―ジンが、図1
8に示す従来のX線露光用マスクの場合に比し高い。
【0025】しかしながら、図16に示す従来のX線露
光用マスクの場合と同様に、且つ図21に示す、試料と
の間の間隔Gが20μmの場合における図15Aの場合
と同様のX線露光強度分布からも明らかなように、試料
上に、X線透過膜1上にX線吸収体層4′が延長してい
る領域に対応している領域において、いわゆるかぶりを
生ぜしめる、という欠点を有していた。
【0026】なお、図21に示すX線露光強度分布は、
X線吸収体層4をX線吸収体層4′と読み替え、そし
て、そのX線吸収体層4′の厚さDb が0.3μmであ
ることを除いて、図19に示すX線露光強度分布の場合
と同じ条件での測定結果である。
【0027】さらに、図22に示す従来のX線露光用マ
スクの場合、X線吸収体層6が図14に示す従来のX線
露光用マスクの場合と同様に、比較的厚い厚さDa を有
しているので、X線吸収体層4′の幅W4 が1μmとい
うような大きな値を有していれば、図14に示す従来の
X線露光用マスクの場合と同様に高いマスクコントラス
トが得られる。
【0028】しかしながら、X線吸収体層6の幅W4 が
0.2μmというように小さな値を有しているので、露
光コントラスト及び露光量マ―ジンが、図23に示す、
試料との間の間隔Gが20μmの場合における図15A
の場合と同様のX線露光強度分布からも明らかなよう
に、比較的低いばかりでなく、X線露光強度が、X線透
過膜1上にX線吸収体層6が延長している領域に対応し
ている領域の幅方向の中央部で他部に比し比較的大きな
値を呈するので、試料上に、X線吸収体層2のパタ―ン
に忠実に対応したX線露光パタ―ンを得ることができな
い、という欠点を有していた。
【0029】なお、図23に示すX線露光強度分布は、
用いるX線の波長λが0.8nmであり、X線透過膜1
が窒化シリコンでなり且つ2μmの厚さを有し、X線吸
収体層6がTaでなり、X線吸収体層6の厚さDa が
0.65μmであり、X線吸収体層6の幅W4 が0.2
μmである条件での測定結果である。
【0030】また、図24に示す従来のX線露光用マス
クの場合、図22に示す従来のX線露光用マスクにおい
て、そのX線吸収体層6の厚さのみに関し比較的薄い厚
さDb に変更されている、という構成を有している。
【0031】このため、X線吸収体層6′の幅W4 が
0.2μmというように小さな値を有していることか
ら、X線露光強度が、図22に示す従来のX線露光用マ
スクの場合と同様に、且つ図25に示す、試料との間の
間隔Gが20μmの場合における図15Aの場合と同様
のX線露光強度分布からも明らかなように、X線透過膜
1上にX線吸収体層6′が延長している領域に対応して
いる領域の幅方向の中央部で他部に比し大きな値を呈す
るとしても、その値が、図22に示す従来のX線露光用
マスクの場合に比し低く得られる。
【0032】しかしながら、X線露光強度が、図25か
らも明らかなように、X線透過膜1上にX線吸収体層
6′が延長している領域に対応している領域において、
全体として、図22に示す従来のX線露光用マスクの場
合に比し高く、従って、X線透過膜1上にX線吸収体層
6′が延長している領域に対応している領域において、
かぶりを生ぜしめる、という欠点を有していた。
【0033】なお、図25に示すX線露光強度分布は、
X線吸収体層6をX線吸収体層6′と読み替え、そし
て、そのX線吸収体層6′の厚さDb が0.3μmであ
ることを除いて、図23に示すX線露光強度分布の場合
と同じ条件での測定結果である。
【0034】さらに、図26に示す従来のX線露光用マ
スクの場合、X線吸収体層2、4及び6が、図14、図
18及び図22に示す従来のX線露光用マスクのX線吸
収体層2、4及び6と同様であるので、詳細説明は省略
するが、X線吸収体層2、4及び6が形成されている領
域に関し、図14、図18及び図22に示す従来のX線
露光用マスクについて上述したそれぞれの欠点を併せ有
していた。
【0035】また、図27に示す従来のX線露光用マス
クの場合、X線吸収体層2′、4′及び6′が、図1
6、図20及び図24に示す従来のX線露光用マスクの
X線吸収体層2′、4′及び6′と同様であるので、詳
細説明は省略するが、X線吸収体層2′、4′及び6′
が形成されている領域に関し、図16、図20及び図2
4に示す従来のX線露光用マスクについて上述したそれ
ぞれの欠点を併せ有していた。
【0036】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規なX線露光用マスク及びその製法を提案せんとする
ものである。
【0037】
【課題を解決するための手段】本願第1番目の発明によ
るX線露光用マスクは、前述した従来のX線露光用マス
クの場合と同様に、X線透過膜上に、パタ―ン化された
X線吸収体層が形成されている構成を有する。
【0038】しかしながら、本願第1番目の発明による
X線露光用マスクは、このような構成を有するX線露光
用マスクにおいて、上記X線吸収体層が、側縁部におい
て、他部とは異なる厚さを有する。
【0039】本願第2番目の発明によるX線露光用マス
クは、X線透過膜上に、1.2×(G・λ)1/2 (ただ
し、λは用いるX線のピ―ク波長、GはX線によって露
光される試料との間の間隔)で与えられる長さLq より
も短い長さLの2倍よりも広い幅を有する幅広領域を有
するパタ―ン化されたX線吸収体層が形成されている構
成を有するX線露光用マスクにおいて、上記X線吸収体
層の幅広領域が、側面から上記長さLだけとった側縁部
において、他部に比し薄い厚さを有する。
【0040】本願第3番目の発明によるX線露光用マス
クは、X線透過膜上に、1.2×(G・λ)1/2 (ただ
し、λは用いるX線のピ―ク波長、GはX線によって露
光される試料との間の間隔)で与えられる長さLq より
も短い長さLの2倍よりも広い幅を有する幅広領域と、
上記長さLの2倍以下の幅を有する幅狭領域とを有する
パタ―ン化されたX線の吸収体層が形成されている構成
を有するX線露光用マスクにおいて、上記吸収体層の幅
広領域が、側面から上記長さLだけとった側縁部におい
て、他部に比し薄い厚さを有し、上記幅狭領域が、上記
幅広領域の上記側縁部と同じ厚さを有する。
【0041】本願第4番目の発明によるX線露光用マス
クの製法は、(i)基板上に、X線透過膜を形成する工
程と、(ii)上記X線透過膜上に、第1のX線吸収体
層を形成する工程と、(iii)上記第1のX線吸収体
層上に、パタ―ン化された第1のエッチング用マスク層
を形成する工程と、(iv)上記第1のX線吸収体層に
対する上記第1のエッチング用マスク層をマスクとする
異方性エッチング処理によって、上記第1のX線吸収体
層から、それに上記第1のエッチング用マスク層下以外
の領域において上記X線透過膜に達しないまたは達する
溝を形成している構成を有する第2のX線吸収体層を形
成する工程と、(v)上記第1のエッチング用マスク層
に対する等方性エッチング処理によって、上記第1のエ
ッチング用マスク層から、それが上面及び側面側から所
要量除去されている構成を有する第2のエッチング用マ
スク層を形成する工程と、(vi)上記第2のX線吸収
体層に対する上記第2のエッチング用マスク層をマスク
とする異方性エッチング処理によって、上記第2のX線
吸収体層から、側縁部が上記第2のエッチング用マスク
層下の領域に比し薄い厚さのパタ―ン化されたX線吸収
体層を形成する工程とを有する。
【0042】
【作用・効果】本願第1番目の発明によるX線露光用マ
スクによれば、X線吸収体層の側縁部が他部とは異なる
厚さを有していることによって、X線吸収体層の側縁部
が、他部に比し高いX線透過率を有し且つ他部に比し少
ないX線位相変化量を与える。
【0043】このため、(i)X線吸収体層が、図14
及び図16で前述した従来のX線露光用マスクの場合と
同様に、窓を形成している構成を有し、それによって、
X線吸収体層の側縁部が、X線吸収体層の窓のまわりの
領域である場合、その窓の寸法が、図14及び図16で
前述した従来のX線露光用マスクの場合のように、小さ
な値を有していても、また、(ii)X線吸収体層が、
図18及び図20で前述した従来のX線露光用マスクの
場合と同様に、順次形成されている複数の窓を有し、そ
れによって、X線吸収体層の側縁部が、それら窓のまわ
りの領域である場合、それら窓の寸法及び相隣る窓間の
間隔が、図18及び図20で前述した従来の場合のよう
に、小さな値を有していても、さらに、(iii)X線
吸収体層が、図22及び図24で前述した従来のX線露
光用マスクの場合と同様に、ストライプ状に延長してい
る構成を有し、それによって、X線吸収体層の側縁部
が、そのX線吸収体層の側縁部である場合、そのX線吸
収体層が、図22及び図24で前述した従来の場合のよ
うに、狭い幅を有していても、X線吸収体層の側縁部
の、X線吸収体層の側面からとった長さ(側縁部の幅)
を適当な値に選定すれば、X線の、X線透過膜上にX線
吸収体層が延長していない領域を透過した分、及びX線
透過膜上にX線吸収体層が延長している領域を透過した
分の回折及びそれら間の相互干渉による試料上でのX線
露光強度分布に対する望ましくない影響を、図14及び
図16、図18及び図20、及び図22及び図24で前
述した従来のX線露光用マスクの場合に比し十分低くさ
せることができ、よって、実効露光コントラスト及び露
光量マ―ジンを、図14及び図16、図18及び図2
0、及び図22及び図24で前述した従来のX線露光用
マスクの場合に比し十分高くさせることができ、よっ
て、試料上に、X線吸収体層のパタ―ンに忠実に対応し
ているX線露光パタ―ンを得ることができる。
【0044】以上のことから、本願第1番目の発明によ
るX線露光用マスクによれば、図14及び図16、図1
8及び図20、及び図22及び図24で前述した従来の
X線露光用マスクで述べた欠点を、有効に回避させるこ
とができる。
【0045】また、本願第2番目の発明によるX線露光
用マスクによれば、X線吸収体層の幅広領域が、側縁部
において、他部に比し薄い厚さを有していることによっ
て、その側縁部が、他部に比し高いX線透過率を有し、
且つ他部に比し少ないX線位相変化量とを与える。
【0046】このため、(i)X線吸収体層が、図14
及び図16で前述した従来のX線露光用マスクの場合と
同様に、窓を形成している構成を有し、それによって、
X線吸収体層の幅広領域が、X線吸収体層の窓の内面か
ら輻方向に外方に延長している領域であり、また幅広領
域の側縁部が、X線吸収体層の窓の周りの領域である場
合、その窓の寸法が、図14及び図16で前述した従来
のX線露光用マスクの場合のように、小さな値を有して
いても、また、(ii)X線吸収体層が、図18及び図
20で前述した従来のX線露光用マスクの場合と同様
に、順次形成されている複数の窓を有し、それによっ
て、X線吸収体層の幅広領域が、X線吸収体層の複数の
窓の配列中の最初及び最後の窓の内面から外方に延長し
ている領域であり、また幅広領域の側縁部が、複数の窓
の配列中の最初及び最後の窓の内面から外方にとった領
域である場合、複数の窓の寸法が、図18及び図20で
前述した従来の場合のように小さな値を有していても、
さらに、(iii)X線吸収体層が、図22及び図24
で前述した従来のX線露光用マスクの場合と同様に、ス
トライプ状に延長している構成を有し、それによって、
X線吸収体層の幅広領域が、そのように延長しているX
線吸収体層であり、また幅広領域の側縁部が、X線吸収
体層の側縁部である場合、X線吸収体層が、図22及び
図24で前述した従来の場合のように狭い幅を有してい
ても、X線吸収体層の幅広領域が、1.2×(G・λ)
1/2 (ただし、λは用いるX線のピ―ク波長、GはX線
によって露光される試料との間の間隔)よりも短い長さ
Lの2倍よりも広い幅を有し、また、側縁部が、幅広領
域の側面から長さLだけとった領域であるので、X線
の、X線透過膜上にX線吸収体層が延長していない領域
を透過した分、及びX線透過膜上にX線吸収体層が延長
している領域を透過した分の回折及びそれら間の相互干
渉による試料上でのX線露光強度分布に対する望ましく
ない影響を、図14及び図16、図18及び図20、及
び図22及び図24で前述した従来のX線露光用マスク
の場合に比し十分低くさせることができ、よって、実効
露光コントラスト及び露光量マ―ジンを、図14及び図
16、図18及び図20、及び図22及び図24で前述
した従来のX線露光用マスクの場合に比し十分高くさせ
ることができ、よって、試料上に、X線吸収体層のパタ
―ンに忠実に対応しているX線露光パタ―ンを得ること
ができる。
【0047】以上のことから、本願第2番目の発明によ
るX線露光用マスクによる場合も、本願第1番目の発明
によるX線露光用マスクの場合と同様に、図14及び図
16、図18及び図20、及び図22及び図24で前述
した従来のX線露光用マスクで述べた欠点を、有効に回
避させることができる。
【0048】さらに、本願第3番目の発明によるX線露
光用マスクによれば、X線吸収体層の幅広領域が、側縁
部において、他部に比し薄い厚さを有していることによ
って、その側縁部が、他部に比し高いX線透過率と透過
X線の位相偏移量とを有し、また、X線吸収体層の幅狭
領域が、幅広領域の側縁部と同じ厚さを有することによ
って、その幅狭領域が、幅広領域の側縁部以外の領域に
比し高いX線透過率と透過X線の位相偏移量とを有す
る。
【0049】このため、(i)X線吸収体層が、図14
及び図16で前述した従来のX線露光用マスクの場合と
同様に、窓を形成している構成を有し、それによって、
X線吸収体層の幅広領域が、X線吸収体層の窓の内面か
ら輻方向に外方に延長している領域であり、また幅広領
域の側縁部が、X線吸収体層の窓のまわりの領域である
場合、その窓の寸法が、図14及び図16で前述した従
来のX線露光用マスクの場合のように、小さな値を有し
ていても、また、(ii)X線吸収体層が、図18及び
図20で前述した従来のX線露光用マスクの場合と同様
に、順次形成されている複数の窓を有し、それによっ
て、X線吸収体層の幅広領域が、X線吸収体層の複数の
窓の配列中の最初及び最後の窓の内面から外方に延長し
ている領域であり、また幅広領域の側縁部が、X線吸収
体層の複数の窓の配列中の最初及び最後の窓の内面から
外方にとった領域である場合、複数の窓の寸法が、図1
8及び図22で前述した従来の場合のように、小さな値
を有していても、さらに、(iii)X線吸収体層が、
図22及び図24で前述した従来のX線露光用マスクの
場合と同様に、ストライプ状に延長している構成を有
し、それによって、X線吸収体層の幅広領域が、そのよ
うに延長しているX線吸収体層であり、また幅広領域の
側縁部が、X線吸収体層の側縁部である場合、X線吸収
体層が、図22及び図24で前述した従来のX線露光用
マスクの場合と同様に狭い幅を有していても、また、
(iv)X線吸収体層が、図18及び図20で前述した
従来のX線露光用マスクの場合と同様に、順次形成され
ている複数の窓を有し、それによって、X線吸収体層の
幅狭領域が、X線吸収体層の相隣る窓間の領域である場
合、その領域が図18及び図20で前述した従来のX線
露光用マスクの場合と同様に狭い幅を有していても、X
線吸収体層の幅広領域が、1.2×(G・λ)1/2 より
も短い長さLの2倍よりも広い幅を有し、また、幅広領
域の側縁部が、幅広領域の側面から長さLだけとった領
域であり、さらに、X線吸収体層の幅狭領域が、長さL
の2倍よりも狭い幅を有しているので、X線の、X線透
過膜上にX線吸収体層が延長していない領域を透過した
分、及びX線透過膜上にX線吸収体層が延長している領
域を透過した分の回折及びそれらとの間の相互干渉によ
る試料上でのX線露光強度分布に対する望ましくない影
響を、図14及び図16、図18及び図20、及び図2
2及び図24で前述した従来のX線露光用マスクの場合
に比し十分低くさせることができ、よって、実効露光コ
ントラスト及び露光量マ―ジンを、図14及び図16、
図18及び図20、及び図22及び図24で前述した従
来のX線露光用マスクの場合に比し高くさせることがで
き、よって、試料上に、X線吸収体層のパタ―ンに忠実
に対応しているX線露光パタ―ンを得ることができる。
【0050】以上のことから、本願第3番目の発明によ
るX線露光用マスクによれば、図14及び図16、図1
8及び図20、及び図22及び図24で前述した従来の
X線露光用マスクで述べた欠点を、有効に回避させるこ
とができる。
【0051】また、本願第4番目の発明によるX線露光
用マスクの製法によって製造されるX線露光用マスク
は、X線透過膜を本願第1番目の発明、本願第2番目の
発明または本願第3番目の発明によるX線露光用マスク
のX線透過膜とし、側縁部が他部に比し薄い厚さを有す
るパタ―ン化されたX線吸収体層を本願第1番目の発
明、本願第2番目の発明または本願第3番目の発明によ
るX線露光用マスクのX線吸収体層とした、本願第1番
目の発明、本願第2番目の発明または本願第3番目の発
明によるX線露光用マスクと同様の構成を有する。
【0052】従って、本願第4番目の発明によるX線露
光用マスクの製法によれば、本願第1番目の発明、本願
第2番目の発明または本願第3番目の発明によるX線露
光用マスクを製造することができる。
【0053】そして、本願第4番目の発明によるX線露
光用マスクの製法によれば、側縁部が他部に比し薄い厚
さを有するパタ―ン化されたX線吸収体層を、はじめ
に、基板上に第1のX線吸収体層を形成し、その第1の
X線吸収体層上にパタ―ン化された第1のエッチング用
マスク層を形成しさえすれば、爾後、第1のX線吸収体
層に対する異方性エッチング処理によって第2のX線吸
収体層を形成し、次で、第1のエッチング用マスク層に
対する等方性エッチング処理によって第2のエッチング
用マスク層を形成し、次で、第2のX線吸収体層に対す
る異方性エッチング処理をとるだけで、自己整合的に形
成することができる。
【0054】よって、本願第4番目の発明によるX線露
光用マスクの製法によれば、本願第1番目の発明、本願
第2番目の発明または本願第3番目の発明による上述し
た優れた特徴を有するX線露光用マスクを、容易に製造
することができる。
【0055】
【実施例1】次に、図1を伴って本発明によるX線露光
用マスクの第1の実施例を述べよう。図1において、図
14との対応部分には同一符号を付して示す。
【0056】図1に示す本発明によるX線露光用マスク
は、図14で前述した従来のX線露光用マスクの場合と
同様に、例えば窒化シリコンでなり且つ例えば2μmの
厚さを有するメンブレンと称されているX線透過膜1上
に、例えば0.1μmというような小さな値の寸法W1
を有するアイランド状の窓3を有し且つ例えばTaでな
るX線吸収体層2が、パタ―ン化されたX線吸収体層と
して、例えば0.65μmというような比較的厚い厚さ
Daに形成されている。
【0057】しかしながら、図1に示す本発明によるX
線露光用マスクは、X線吸収体層2の、窓3の内面から
輻方向に外方にみた領域12が、窓3の内面から、1.
2×(G・λ)1/2 (ただし、λは用いるX線のピ―ク
波長、GはX線によって露光される試料との間の間隔)
で与えられる長さLq よりも短い長さLの2倍(=2・
L)よりも長く、輻方向に外方に、幅広領域として延長
しているものとする。
【0058】また、X線吸収体層2の窓3の内面から上
述した長さLの2倍(=2・L)よりも長く輻方向に外
方に延長している幅広領域としての領域12において、
窓3の内面から上述した長さLだけ輻方向に外方にとっ
た領域を、側縁部12Bとし、その側縁部12Bが、図
10で前述した従来のX線露光用マスクの場合のX線吸
収体層2′と同様の、例えば0.3μmのような、他部
12Aの厚さDa に比し薄い、比較的薄い厚さDb を有
している。
【0059】以上が、本発明によるX線露光用マスクの
第1の実施例の構成である。
【0060】このような構成を有する本発明によるX線
露光用マスクによれば、X線吸収体層2の幅広領域とし
ての領域12の側縁部12Bが、他部12Aの厚さDa
に比し薄い厚さDb を有していることによって、その側
縁部12Bが、他部12Aに比し高いX線透過率を有し
且つ他部12Aに比し少ないX線位相変化量を与える。
【0061】このため、X線吸収体層2が有する窓3の
寸法W1 が、0.1μmというような小さな値を有して
いても、X線吸収体層2の、窓3の内面から輻方向に外
方に幅広領域として延長している領域12が、窓3の内
面から、1.2×(G・λ)1/2 (ただし、λは、用い
るX線のピ―ク波長、GはX線によって露光される試料
との間の間隔)で与えられる長さLq よりも短い長さL
の2倍(=2・L)よりも長く輻方向に外方に延長し、
また、幅広領域としての領域の側縁部12Bが、窓3の
内面から輻方向に外方に長さLだけとった領域であるの
で、X線の、X線透過膜1上にX線吸収体層2が延長し
ていない領域(窓3が形成されている領域)を透過した
分、及びX線透過膜1上にX線吸収体層2が延長してい
る領域(窓3が形成されている領域以外の領域)を透過
した分の回折及びそれら間の相互干渉を有効に利用し
て、それらによる試料上でのX線露光強度分布に対する
望ましくない影響を、図14及び図16で前述した従来
のX線露光用マスクの場合に比し十分低くさせることが
できる。
【0062】よって、図1に示す本発明によるX線露光
用マスクによれば、試料上の実効露光コントラスト及び
露光量マ―ジンを、図2Aに示す、試料との間の間隔G
が30μmの場合における試料上の図15Aの場合と同
様のX線露光強度分布、及び図2Bに示す試料との間の
間隔Gが20μmの場合におけると同様のX線露光強度
分布からも明らかなように、図14及び図16で前述し
た従来のX線露光用マスクの場合に比し格段的に高くさ
せることができ、よって、試料上に、X線吸収体層2の
パタ―ンに忠実に対応しているX線露光パタ―ンを得る
ことができる。
【0063】なお、図2A及び2Bに示すX線露光強度
分布は、用いるX線の波長λが、0.8nmであり、X
線透過膜1が窒化シリコンでなり且つ2μmの厚さを有
し、X線吸収体層2がTaでなり、幅広領域としての領
域12の側縁部12Bの厚さDb 及び長さLがそれぞれ
0.3μm及び0.05μmであり、領域12の他部1
2Aの厚さDa が0.65μmである条件での測定結果
である。なお、このとき、X線吸収体層2の屈折率は
0.99939、X線吸収係数は0.002981/n
mであり、また、側縁部12BでのX線透過率は窓3の
領域でのX線透過率を100%とするとき40%、X線
位相変化量は窓3の領域でのX線位相変化量を0度とす
るとき−83度である。
【0064】ここで、上述した作用効果が得られる理由
を述べれば、次のとおりである。すなわち、上述したX
線の回折、相互干渉による試料上でのX線強度分布に対
する影響が生ずる、X線吸収体層2の幅広領域としての
領域12上の範囲は、窓3の内面から輻方向に外方に LW =K(G・λ)1/2 ………………(1) で与えられる長さLW だけとった範囲とすることができ
る。
【0065】一方、幅広領域としての領域12の側縁部
12Bの窓3の内側から輻方向に外方にとった一般的な
長さL′に対する露光量マ―ジンMは、窓3の寸法W1
をパラメ―タとして、試料との間の間隔Gが30μmで
ある場合、図3Aに示すように得られ、また、試料との
間の間隔Gが20μmである場合、図3Bに示すように
得られるように、一般に、側縁部12Bの窓3の内側か
ら輻方向に外方にとった一般的な長さL′が、零値L′
0 からある値L′mをとるまでは、露光マ―ジンMが、
ある値M0 からある値Mm まで大きくなるが、長さL′
が値L′m からある値Lq をとるまで大きくなれば、露
光マ―ジンMが、長さL′が値L′m であるときの値M
m からある値Mq まで小さくなり、さらに、長さL′が
値Lq から大きくなれば、露光マ―ジンMが、長さL′
が値Lq であるときの値Mq よりも低くなる。
【0066】そして、上述した長さL′の値Lq を、
(1)式中のKが1.2である場合の長さLw の値とす
る場合、すなわち、 Lq =1.2・(G・λ)1/2 ………………(2) とするとき、窓3の寸法W1 が0.2μm以下というよ
うな小さな値を有する各場合について、露光マ―ジンM
の、上述した長さL′が値Lq であるときの値Mq 、及
び長さL′が値Lq 以下であるときの値が、長さL′が
零値L′0 であるときの値M0 よりも、大きな値をと
り、従って、露光マ―ジンMが、上述した側縁部12B
を有している限り、側縁部12Bを有していない場合に
比し高い値で得られる。 以上が、上述した作用効果が
得られる理由である。
【0067】なお、図3A及び図3Bに示す長さL′に
対する露光量マ―ジンMは、図2A及び図2Bに示すX
線露光強度分布の場合と同様の条件での測定結果であ
る。ただし、露光量マ―ジンMの値は、X線透過膜1上
にX線吸収体層2が延長している領域における最大X線
露光強度、及びX線透過膜1上にX線吸収体層2が延長
していない領域(窓3が形成されている領域)における
最大X線露光強度を、図2A及び図2BのX線露光強度
分布を示す相対X線露光強度でみて、それぞれG2 、及
びG3 とするとき、X線吸収体層2の窓3の領域におけ
る最大X線露光強度が、図2A及び図2BのX線露光強
度分布を示す相対X線露光強度でみて、1以上である場
合、1/G2 で与えられ、1未満である場合、G3 /G
2 で与えられている。
【0068】また、上述した長さL′の値Lq は、図3
A及び図3Bに示す長さL′に対する露光量マ―ジンM
の測定結果を得たときの条件のとき、試料との間の間隔
Gが30μmである場合、0.18μmであり、試料と
の間の間隔Gが20μmである場合、0.15μmであ
る。
【0069】
【実施例2】次に、図4を伴って本発明によるX線露光
用マスクの第2の実施例を述べよう。図4において、図
18との対応部分には同一符号を付して示す。
【0070】図4に示す本発明によるX線露光用マスク
は、図18で前述した従来のX線露光用マスクの場合と
同様に、図14に示す従来のX線露光用マスクで上述し
たと同様のX線透過膜1上に、例えば0.1μmという
ような狭い幅W2 を有するストライプ状の窓5の複数
(図においては5つ)が例えば0.1μmというような
狭い間隔W3 を保って順次配列され且つ例えばTaでな
るX線吸収体層4が、パタ―ン化されたX線吸収体層と
して、例えば0.65μmというような比較的厚い厚さ
Da に形成されている。
【0071】しかしながら、図4に示す本発明によるX
線露光用マスクは、X線吸収体層4が、(i)複数の窓
5の配列中の最初及び最後の窓5の内面から複数の窓5
の配列の外方にそれぞれ延長している領域14及び1
4′が、1.2×(G・λ)1/2 (ただし、λは用いる
X線のピ―ク波長、GはX線によって露光される試料と
の間の間隔)よりも短い長さLの2倍よりも長く、複数
の窓5の配列の外方に、幅広領域として輻方向に延長
し、また(ii)相隣る窓5間の間隔W3 、従って、相
隣る窓5間の領域14Cが、上述した長さLの2倍より
も短い長さを有している幅狭領域として延長している。
【0072】また、複数の窓5の配列中の最初及び最後
の窓5の内面から、上述した長さLだけ輻方向に外方に
それぞれとった領域を、側縁部14B及び14B′と
し、それら側縁部14B及び14B′が、他部14A及
び14A′の厚さDa に比し薄い、比較的薄い厚さDb
を有しているとともに、相隣る窓5間の領域14Cが、
図20で前述した従来のX線露光用マスクの場合のX線
吸収体層4′と同様の、例えば0.3μmのような、側
縁部14B及び14B′と同じ厚さを有している。
【0073】以上が、本発明によるX線露光用マスクの
第2の実施例の構成である。
【0074】このような構成を有する本発明によるX線
露光用マスクによれば、X線吸収体層4の側縁部14B
及び14B′が、他部14A及び14A′の厚さDa に
比し薄い厚さDb を有し、また、相隣る窓5間の領域1
4Cが、側縁部14B及び14B′と同じ厚さを有して
いることによって、側縁部14B及び14B′、領域1
4Cが、他の領域14A及び14A′に比し高いX線透
過率を有し、且つ他の領域14A及び14A′に比し少
ないX線位相変化量を与える。
【0075】このため、複数の窓5の寸法W2 及び相隣
る窓5間の間隔W3 が、0.1μmというような小さな
値を有していても、X線吸収体層4の、複数の窓5の配
列中の最初及び最後の窓5の内面から複数の窓5の配列
の外方にみた領域14及び14′が、上述した長さLの
2倍よりも長く輻方向に外方に幅広領域として延長し、
また、側縁部14B及び14B′が、上述した長さLだ
けとった領域であり、さらに、相隣る窓5の間の領域1
4Cが上述した長さLの2倍以下しか幅狭領域として延
長していないので、実施例1で述べたX線の回折及び相
互干渉を有効に利用して、それらによる試料上でのX線
露光強度分布に対する望ましくない影響を、図18及び
図20で前述した従来のX線露光用マスクの場合に比し
十分小さくさせることができ、よって、試料上の実効露
光コントラスト及び露光量マ―ジンを、図5に示す、試
料との間の間隔Gが20μmの場合における試料上のX
線露光強度分布からも明らかなように、且つ実施例1で
述べた理由で、図18及び図20で前述した従来のX線
露光用マスクの場合に比し、格段的に高く、よって、試
料上に、X線吸収体層4のパタ―ンに忠実に対応してい
るX線露光パタ―ンを得ることができる。
【0076】
【実施例3】次に、図6を伴って、本発明によるX線露
光用マスクの第3の実施例を述べよう。
【0077】図6において、図22との対応部分に、同
一符号を付し、詳細説明を省略する。
【0078】図6に示す本発明によるX線露光用マスク
は、図22に示す従来のX線露光用マスクにおいて、X
線吸収体層6の実施例1で上述した長さLだけとった側
縁部16Bが、他部16Aの厚さDa に比し薄い厚さD
b を有していることを除いて、図22に示す従来のX線
露光用マスクと同様の構成を有する。
【0079】以上が、本発明によるX線露光用マスクの
第3の実施例の構成である。このような構成を有する本
発明によるX線露光用マスクによれば、詳細説明は省略
するが、図7に示す、試料との間の間隔Gが20μmの
場合のX線露光強度分布からも明らかなように、実施例
1の場合と同様の作用効果が得られる。
【0080】
【実施例4】図8は、本発明によるX線露光用マスクの
第4の実施例を示し、X線透過膜1上に、図1、図4及
び図6の実施例1、実施例2及び実施例3で上述したX
線吸収体層2、4及び6が並置配列されている構成を有
する。
【0081】このような構成を有する本発明によるX線
露光用マスクによれば、詳細説明は省略するが、実施例
1、実施例2及び実施例3で上述したと同様の作用効果
が得られる。
【0082】
【実施例5】次に、図9〜図12を伴って、本発明によ
るX線露光用マスクの製法を、図8に示す本発明による
X線露光用マスクの製法に適用した実施例で述べよう。
【0083】図9〜図12に示す本発明によるX線露光
用マスクにおいて、図8との対応部分には同一符号を付
して示す。
【0084】図9〜図12に示す本発明によるX線露光
用マスクの製法は、次に述べる順次の工程をとって、図
8に示す本発明によるX線露光用マスクを製造する。
【0085】すなわち、予め用意された例えばシリコン
でなる基板11の主面11a上に、例えば窒化シリコン
でなるX線透過膜1を、基板11の主面11aと対向し
ている他の主面11b上の、X線透過膜1と同じ材料で
なるX線透過膜21とともに、それ自体は公知の例えば
減圧CVD法によって、ともに例えば2μmの厚さに形
成する(図9A)。
【0086】次に、X線透過膜1上に、例えばTaでな
り且つ爾後図8に示す本発明によるX線露光用マスクの
X線吸収体層2、4及び6に形成されるX線吸収体層1
3を、それ自体は公知の例えばマグネトロンスパッタ蒸
着法によって、例えば0.65μmのような比較的厚い
厚さDa に形成する(図9B)。
【0087】次に、X線吸収体層13上に、例えばSi
O2 でなるエッチング用マスク材層20を、それ自体は
公知の例えばエレクトロンサイクロトロン共鳴装置を用
いた堆積法によって、例えば0.3μmの厚さに形成す
る(図9C)。
【0088】次に、マスク材層20上に、例えばフォト
レジストでなるマスク層15を、それ自体は公知のリソ
グラフィ法によって、図8に示す本発明によるX線露光
用マスクのX線吸収体層2の側縁部12Bを形成してい
ないときの平面パタ―ン(図14に示す従来のX線露光
用マスクのX線吸収体層2の平面パタ―ンと同じ)を有
するマスク層部22と、図8に示す本発明によるX線露
光用マスクのX線吸収体層4の側縁部14Bを形成して
いないときの平面パタ―ン(図18に示す従来のX線露
光用マスクのX線吸収体層4の平面パタ―ンと同じ)を
有するマスク層部24と、図8に示す本発明によるX線
露光用マスクのX線吸収体層6の側縁部16Bを形成し
ていないときの平面パタ―ン(図20に示す従来のX線
露光用マスクのX線吸収体層6の平面パタ―ンと同じ)
を有するマスク層部26とが並置配列されているものと
して形成する(図10D)。
【0089】次に、マスク材層20に対するマスク層1
5をマスクとする、それ自体は公知の異方性エッチング
処理によって、マスク材層20から、マスク層部22、
24及び26とそれぞれ同じパタ―ンを有するマスク層
部32、34及び36が並置配列されているマスク層1
5と同じパタ―ンを有するマスク層25を形成し、次
で、マスク層25上から、マスク層15を溶去する(図
10E)。
【0090】次に、X線吸収体層13に対するマスク層
25をマスクとするそれ自体は公知の異方性エッチング
処理によって、X線吸収体層13から、それにマスク層
25下以外の領域においてX線透過膜1に達していない
または達している溝27を形成している構成を有するX
線吸収体層17を形成する(図10F)。なお、図にお
いては、溝27が、X線透過膜1に達していない場合が
示されているが、その溝27は、X線吸収体層13に、
図8に示す本発明によるX線露光用マスクのX線吸収体
層2の側縁部12B、X線吸収体層4の側縁部14B及
び14B′、及びX線吸収体層6の側縁部16Bの厚さ
Db 以上の深さに形成すれば良い。
【0091】次に、マスク層25に対するそれ自体は公
知の等方性エッチング処理によって、マスク層25を、
マスク層25の側縁部が、側面から、図8に示す本発明
によるX線露光用マスクのX線吸収体層2の側縁部12
B、X線吸収体層4側の側縁部14B及び14B′、及
びX線吸収体層6の側縁部16Bの長さLだけとった
分、除去されるように、上面及び側面から除去し、それ
によって、マスク層25から、図8に示す本発明による
X線露光用マスクの、X線吸収体層2の部12Aのみの
平面パタ―ンを有するマスク層部42と、図8に示す本
発明によるX線露光用マスクの、部14A及び14A′
のみの平面パタ―ンを有するマスク層部44と、図8に
示す本発明によるX線露光用マスクの、部16Aのみの
平面パタ―ンを有するマスク層部46とが並置配列され
ているマスク層18を形成する(図11G)。この場
合、マスク層25がSiO2 でなる場合、等方性エッチ
ング処理を、エッチャントを50%弗酸液と40%弗化
アンモニアとの混合液とするウェットエッチング処理と
し得、しかるときは、マスク層25に対するエッチング
時間(秒)に対するマスク層25がエッチングされる深
さ(nm)の関係が図13に示すように直線的に得られ
るので、マスク層18を高精度に形成することができ
る。
【0092】次に、X線吸収体層17に対するマスク層
18をマスクとする、それ自体は公知の異方性エッチン
グ処理によって、X線吸収体層17を、そのマスク層1
8下以外の領域における溝27の形成されていない領域
においては、X線透過膜1に達していないが、マスク層
18下以外の領域における溝27の形成されている領域
においては、その溝27が図示のようにX線透過膜1に
達していない場合、X線透過膜1に達するように、上方
からエッチング除去し、それによって、X線吸収体層1
7から、図8に示す本発明によるX線露光用マスクの、
側縁部の厚さDb が他部の厚さDa に比し薄い厚さを有
するパタ―ン化されたX線吸収体層2、4及び6を形成
する(図11H)。
【0093】次に、基板11の主面11b側に形成され
ているX線透過膜12に、X線透過膜12から、X線吸
収体層2、4及び6が形成されている領域を基板11及
びX線透過膜1を通じて外部に臨ませる窓52を有する
マスク層51を形成する(図11I)。
【0094】次に、基板11に対するマスク層51をマ
スクとする、それ自体は公知の異方性エッチング処理に
よって、基板11に、X線吸収体層2、4及び6が形成
されている領域をX線透過膜1を通じて外部に臨ませて
いる窓61を形成する(図12J)。
【0095】次に、必要に応じて、X線吸収体層2、4
及び6上から、マスク層18を除去するとともに、基板
11上からマスク層51を除去する(図12K)。
【0096】以上が、本発明によるX線露光用マスクの
製法の実施例である。
【0097】このような本発明によるX線露光用マスク
の製法によれば、基板11上に、X線透過膜1を形成し
(図9A)、次に、そのX線透過膜1上に、第1のX線
吸収体層13を形成し(図9B)、次に、第1のX線吸
収体層13上に、パタ―ン化された第1のエッチング用
マスク層25を形成し(図9C、図10D及び図10
E)、次に、第1のX線吸収体層13に対する第1のエ
ッチング用マスク層25をマスクとする異方性エッチン
グ処理によって、第1のX線吸収体層13から、第1の
エッチング用マスク層25下以外の領域においてX線透
過膜1に達していないまたは達している溝27を形成し
ている構成を有する第2のX線吸収体層17を形成し
(図10F)、次に、第1のエッチング用マスク層25
に対する等方性エッチング処理によって、第1のエッチ
ング用マスク層25から、それが上面及び側面側から所
要量除去されている構成を有する第2のエッチング用マ
スク層18を形成し(図11G)、次に、第2のX線吸
収体層17に対する第2のエッチング用マスク層18を
マスクとする異方性エッチング処理によって、第2のX
線吸収体層17から、側縁部の厚さDb が他部の厚さD
a に比し薄い厚さを有する構成を有するパタ―ン化され
たX線吸収体層2、4及び6を形成している。
【0098】このため、側縁部の厚さDb が他部の厚さ
Da に比し薄い厚さを有するパタ―ン化されたX線吸収
体層2、4及び6を、はじめに、基板上に第1のX線吸
収体層13を形成し、その第1のX線吸収体層13上に
パタ―ン化された第1のエッチング用マスク層25を形
成しさえすれば、爾後、第1のX線吸収体層13に対す
る第1のエッチング用マスク層25をマスクとする異方
性エッチング処理によって第2のX線吸収体層を形成
し、次で、第1のエッチング用マスク層25に対する等
方性エッチング処理によって第2のエッチング用マスク
層18を形成し、次で、第2のX線吸収体層に対する第
2のエッチング用マスク層18をマスクとする異方性エ
ッチング処理をとるだけで、自己整合的に形成すること
ができる。
【0099】よって、図9〜図12に示す本発明による
X線露光用マスクの製法によれば、図8に示す、上述し
た特徴を有する本発明によるX線露光用マスクを、容易
に製造することができる。
【0100】なお、上述においては、本発明によるX線
露光用マスクについて、わずかな実施例を示したに留ま
り、また、本発明によるX線露光用マスクの製法につい
て1つの実施例を示したに留まり、本発明の精神を脱す
ることなしに、種々の変型、変更をなし得るであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるX線露光用マスクの第1の実施例
を示す略線的断面図である。
【図2】図1に示す本発明によるX線露光用マスクの説
明に供する、試料上のX線露光強度分布を示す図であ
る。
【図3】図1に示す本発明によるX線露光用マスクの説
明に供する、X線吸収体層の側縁部のX線吸収体層の側
面からとった距離L′(μm)に対する企画化された露
光量マ―ジンMの関係を示す図である。
【図4】本発明によるX線露光用マスクの第2の実施例
を示す略線的断面図である。
【図5】図4に示す本発明によるX線露光用マスクの説
明に供する、試料上のX線露光強度分布を示す図であ
る。
【図6】本発明によるX線露光用マスクの第3の実施例
を示す略線的断面図である。
【図7】図6に示す本発明によるX線露光用マスクの説
明に供する、試料上のX線露光強度分布を示す図であ
る。
【図8】本発明によるX線露光用マスクの第4の実施例
を示す略線的断面図である。
【図9】本発明によるX線露光用マスクの製法の実施例
を示す、順次の工程における略線的断面図である。
【図10】本発明によるX線露光用マスクの製法の実施
例を示す、図9に示す順次の工程に続く順次の工程にお
ける略線的断面図である。
【図11】本発明によるX線露光用マスクの製法の実施
例を示す、図10に示す順次の工程に続く順次の工程に
おける略線的断面図である。
【図12】本発明によるX線露光用マスクの製法の実施
例を示す、図11に示す順次の工程に続く順次の工程に
おける略線的断面図である。
【図13】図9〜図12に示す本発明によるX線露光用
マスクの製法の説明に供する、図11Gに示す工程での
マスク層のエッチング時間(秒)に対するエッチング深
さ(μm)の関係を示す図である。
【図14】従来のX線露光用マスクを示す略線的断面図
である。
【図15】図14に示す従来のX線露光用マスクの説明
に供する、試料上のX線露光強度分布を示す図である。
【図16】従来のX線露光用マスクを示す略線的断面図
である。
【図17】従来のX線露光用マスクを示す略線的断面図
である。
【図18】従来のX線露光用マスクを示す略線的断面図
である。
【図19】従来のX線露光用マスクを示す略線的断面図
である。
【図20】従来のX線露光用マスクを示す略線的断面図
である。
【図21】従来のX線露光用マスクを示す略線的断面図
である。
【図22】従来のX線露光用マスクを示す略線的断面図
である。
【図23】従来のX線露光用マスクを示す略線的断面図
である。
【図24】従来のX線露光用マスクを示す略線的断面図
である。
【図25】従来のX線露光用マスクを示す略線的断面図
である。
【図26】従来の他のX線露光用マスクを示す略線的断
面図である。
【図27】従来のさらに他のX線露光用マスクを示す略
線的断面図である。
【符号の説明】
1 X線透過膜 2 X線吸収体層 3 窓 4 X線吸収体層 5 窓 6 X線吸収体層 11 基板 12 幅広領域 12B 側縁部 12A 他部 13 X線吸収体層 14、14′ 幅広領域 14B、14B′ 側縁部 14A、14A′ 他部 14C 幅狭領域 15 マスク層 16 幅狭領域 16B 側縁部 16A 他部 17 X線吸収体層 18 マスク層 20 マスク材層 21 X線透過膜 22、24、26 マスク層部 25 マスク層 27 溝 32、34、36 マスク層部 42、44、46マスク層部 51 マスク層 52 窓 61 窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 維人 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 X線透過膜上に、パタ―ン化されたX線
    吸収体層が形成されている構成を有するX線露光用マス
    クにおいて、 上記X線吸収体層が、側縁部において、他部とは異なる
    厚さを有することを特徴とするX線露光用マスク。
  2. 【請求項2】 X線透過膜上に、1.2×(G・λ)1/
    2 (ただし、λは用いるX線のピ―ク波長、GはX線に
    よって露光される試料との間の間隔)で与えられる長さ
    Lq よりも短い長さLの2倍よりも広い幅を有する幅広
    領域を有するパタ―ン化されたX線吸収体層が形成され
    ている構成を有するX線露光用マスクにおいて、 上記X線吸収体層の幅広領域が、側面から上記長さLだ
    けとった側縁部において、他部に比し薄い厚さを有する
    ことを特徴とするX線露光用マスク。
  3. 【請求項3】 X線透過膜上に、1.2×(G・λ)1/
    2 (ただし、λは用いるX線のピ―ク波長、GはX線に
    よって露光される試料との間の間隔)で与えられる長さ
    Lq よりも短い長さLの2倍よりも広い幅を有する幅広
    領域と、上記長さLの2倍以下の幅を有する幅狭領域と
    を有するパタ―ン化されたX線の吸収体層が形成されて
    いる構成を有するX線露光用マスクにおいて、 上記吸収体層の幅広領域が、側面から上記長さLだけと
    った側縁部において、他部に比し薄い厚さを有し、上記
    幅狭領域が、上記幅広領域の上記側縁部と同じ厚さを有
    することを特徴とするX線露光用マスク。
  4. 【請求項4】 基板上に、X線透過膜を形成する工程
    と、 上記X線透過膜上に、第1のX線吸収体層を形成する工
    程と、 上記第1のX線吸収体層上に、パタ―ン化された第1の
    エッチング用マスク層を形成する工程と、 上記第1のX線吸収体層に対する上記第1のエッチング
    用マスク層をマスクとする異方性エッチング処理によっ
    て、上記第1のX線吸収体層から、上記第1のエッチン
    グ用マスク層下以外の領域において上記X線透過膜に達
    していないまたは達している溝を形成している構成を有
    する第2のX線吸収体層を形成する工程と、 上記第1のエッチング用マスク層に対する等方性エッチ
    ング処理によって、上記第1のエッチング用マスク層か
    ら、それが上面及び側面側から所要量除去されている構
    成を有する第2のエッチング用マスク層を形成する工程
    と、 上記第2のX線吸収体層に対する上記第2のエッチング
    用マスク層をマスクとする異方性エッチング処理によっ
    て、上記第2のX線吸収体層から、側縁部が上記第2の
    エッチング用マスク層下の領域に比し薄い厚さを有する
    パタ―ン化されたX線吸収体層を形成する工程とを具備
    することを特徴とするX線露光用マスクの製法。
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Cited By (7)

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