JP4451990B2 - 位相反転マスク及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の露光工程で使用される位相反転マスク及びその製造方法に係るもので、特に、ウエハの上面に形成される透過光パターンの限界寸法が各方向に亘って同一になる位相反転マスク及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
最近、半導体素子の集積度の増加に伴い、半導体素子内のトランジスタ、キャパシタ及び配線などの各構成要素間の間隔が漸次狭くなる傾向であるため、半導体素子の製造時に必要な微細パターンを形成し得る技術の開発が要求されつつある。
【0003】
例えば、感光膜パターンを形成するための露光工程で使用される露光マスクは、クロム膜またはアルミニウム膜から成る遮光膜を石英基板の上面に塗布した後、イオンビーム食刻を施して遮光膜パターンを形成することにより製造していた。しかし、このような遮光膜パターンを利用した露光マスクを使用すると、ステッパー光源の分解能限界よりも小さい微細パターンを形成することが困難になる。
【0004】
そこで、微細パターンを形成するために、近年、位相反転マスクが用いられるようになってきた。位相反転マスクは、半透明の位相反転領域と、透明の透光領域とにより構成される。この透光領域及び位相反転領域は、光に対して相異なる屈折率及び透過率を有するため、位相反転領域を透過した光と透光領域を透過した光とがウエハに到達するとき、位相差が発生する。従って、従来の遮光膜パターンを利用した露光マスクが光度に対する情報のみを有するのに対し、位相反転マスクは光度及び位相に対する情報を同時に有する。
【0005】
また、位相反転領域を透過した光と透光領域を透過した光とは位相差によって相互干渉現象が生じ、結果的に、位相反転マスクを利用して形成された感光膜パターンは遮光膜パターンを利用して形成された感光膜パターンよりも優れた分解能を有するため、微細パターンの形成に適している。
なお、位相反転マスクに形成された各透光領域のパターンが、横方向の配列ピッチ及び縦方向の配列ピッチが等しくなるように配列された場合に、各透光領域の大きさが露光波長よりも著しく大きいときは、透光領域のパターンと類似した透過光パターンがウエハの上面に形成されるが、各透光領域のパターンの大きさが露光波長と類似した値を有するときは、透光領域のパターンに拘わらず、露光波長に応じた透過光パターンが形成される。
【0006】
従来の位相反転マスクは、図5に示したように、位相反転領域1及び複数の透光領域2により構成される。透光領域2は、第1方向(横方向)に“X”のピッチを有して配列され、第2方向(縦方向)には“Y”のピッチを有して配列される。なお、第1方向の配列ピッチ“X”は第2方向の配列ピッチ“Y”よりも大きい値を有している。これら透光領域2の間には、前記位相反転領域1が配置される。ここで、位相反転領域1は、全領域に亘って同一材料により形成され、同一厚さを有するため、同じ透過率を有する。
【0007】
図6及び図7は、前記位相反転領域1を透過した光と透光領域2を透過した光とがウエハに到達するとき180°の位相差を有する場合の位相反転マスクを透過した光の振幅及び位相を示した図である。
図6(A)は、図5に示された位相反転マスクのA−A’線断面図であり、図6(B)は、図6(A)に示された位相反転マスクの各透光領域2を透過した光5と、各位相反転領域1を透過した光6とがウエハに到達するときの振幅及び位相を示した図である。この図6(A)に示す各透光領域2を透過した光5は、図6(B)に示されたように相互重畳せず、前記透光領域2を透過した光5の振幅は前記位相反転領域1を透過した光6の振幅よりも大きい値を有する。また、透光領域2を透過した光5と位相反転領域1を透過した光6とは180°の位相差を有するため、相互干渉が生じる。その結果、図6(C)に示したような振幅及び位相を有する光7が合成される。この光7は、ウエハの上面に鮮明度の高い透過光パターンを形成する。
【0008】
図7(A)は、図5に示された位相反転マスクのB−B’線断面図である。透光領域2は、第2方向にピッチ“Y”で配列され、該配列ピッチ“Y”の値は第1方向の配列ピッチ“X”の値よりも小さい。図7(B)は、図7(A)に示された位相反転マスクの各透光領域2を透過した光10と、各位相反転領域1を透過した光11とがウエハに到達するときの振幅及び位相を示した図である。図7(B)に示されたように、各透光領域2を透過した光10は相互重畳を生じる。ここで、各透光領域2を透過した光10の相互重畳は、各透光領域2の第2方向の配列ピッチ“Y”の値が小さくなるほど大きくなり、各透光領域2を透過した光10の振幅は、前記位相反転領域1を透過した光11の振幅よりも大きい値を有する。
【0009】
なお、従来の位相反転マスクの位相反転領域1は全て同じ透過率を有するため、図7(B)に示した位相反転領域1を透過した光11の振幅は、図6(B)に示した位相反転領域1を透過した光6の振幅と同じ大きさを有する。また、透光領域2を透過した光10と、位相反転領域1を透過した光11とは、180°の位相差を有するため、相互干渉が生じる。
【0010】
このように、各透光領域2を透過した光10には、相互干渉及び相互重畳が同時に生じて、図7(C)に示したような振幅及び位相を有する光12が合成される。この相互干渉及び相互重畳により合成された光12は、ウエハの上面に、鮮明度の低い透過光パターンを形成する。
即ち、各透光領域2の第2方向の配列ピッチ“Y”が小さくなるほど、それら透光領域2を透過した光10の相互重畳が大きくなり、結果的に、ウエハの上面に形成される透過光パターンの鮮明度が低下する程度も大きくなる。
【0011】
図8は、このような従来の位相反転マスクを利用した露光工程の際、ウエハの上面に形成された透過光パターンを示したものである。前述の図5には、第1方向には“X”の配列ピッチで、第2方向には“Y”の配列ピッチで、それぞれ配列された正四角形の透光領域2が示されているが、図8に示されたウエハの上面には、楕円形状の透過光パターン15が形成されている。
【0012】
図5に示す透光領域2の第1方向の配列ピッチ“X”と第2方向の配列ピッチ“Y”とが同じ大きさで、露光波長と類似した値を有する場合は、円状の相が形成されるべきであるが、図5に示す透光領域2の第1方向の配列ピッチ“X”と第2方向の配列ピッチ“Y”とが異なる場合は、各透光領域2を透過した光の相互重畳の大きさが各方向によって異なるため、ウエハの上面に形成される透過光パターンの鮮明度が各方向によって異なり、各透光領域2の配列ピッチの狭い方向に拡大される現象が生じて、図8に示したように楕円状の透過光パターン15が形成される。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、このような従来の位相反転マスクにおいては、位相反転マスクに形成される透光領域のパターンの各方向の配列ピッチが異なる場合に、ウエハの上面に形成される透過光パターン15の形状の変形する程度が、透光領域2の配列ピッチが小さくなるほど増加するため、半導体素子の集積度が増加するほどその影響が大きくなるという問題点があった。
【0014】
特に、上述したような透過光パターン15の変形は、透光領域2のパターン間の配列ピッチが露光波長の2倍以下であるときに一層顕著になるため、光源の波長をさらに短くすることが考えられるが、実際に、このような光源を使用することは極めて困難であった。
また、上述したように、ウエハの上面に形成される透過光パターン15に変形が生じると、半導体素子の不良発生率が増加して歩留まりが減少し、半導体素子の信頼性が低下するという問題点があった。
【0015】
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもので、位相反転マスクに形成される透光領域のパターンの各方向の配列ピッチが異なる場合に、従来の露光波長を使用して、ウエハに形成される透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにし、半導体素子の歩留まり及び信頼性を向上し得る位相反転マスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため、本発明に係る位相反転マスクは、第1方向の配列ピッチと第2方向の配列ピッチとが異なるように配列された複数の透光領域と、前記第1方向の各透光領域間に、前記透光領域とは異なる透過率を有する材料より第1の厚さに形成された複数の第1位相反転領域と、前記第2方向の各透光領域間に、前記第1位相反転領域の材料とは同じ透過率を有する材料より第2の厚さに形成された複数の第2位相反転領域と、を包含して構成され、前記透光領域を透過した光と前記第1位相反転領域を透過した光とが合成された光と、前記透光領域を透過した光と前記第2位相反転領域を透過した光とが合成された光とが、同一の位相及び振幅の形状を有し、前記第1及び第2の厚さは、相互に異なり、前記透光領域の透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにするような値を有するものである。
【0017】
また、本発明に係る他の位相反転マスクは、第1方向の配列ピッチと第2方向の配列ピッチとが異なるように配列された複数の透光領域と、前記第1方向の各透光領域間に形成され、前記透光領域とは異なる透過率を有する複数の第1位相反転領域と、前記第2方向の各透光領域間に形成され、前記透光領域及び前記第1位相反転領域とは異なる透過率を有する複数の第2位相反転領域と、を包含して構成され、前記透光領域を透過した光と前記第1位相反転領域を透過した光とが合成された光と、前記透光領域を透過した光と前記第2位相反転領域を透過した光とが合成された光とが、同一の位相及び振幅の形状を有し、前記第1及び第2位相反転領域の透過率は、相互に異なり、前記透光領域の透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにするような値を有するものである。
【0018】
また、本発明に係る位相反転マスクの製造方法は、第1方向の配列ピッチと第2方向の配列ピッチとが異なるように配列される複数の透光領域が形成される基板上に、前記基板の透過率とは異なる透過率を有する材料を塗布して第1の膜を形成する段階と、前記第1の膜をパターニングして、前記第1方向の各透光領域間の第1領域に複数の第1位相反転領域を形成する段階と、前記第1位相反転領域が形成された前記基板の上に、前記基板の透過率及び前記第1領域に塗布された材料の透過率とは異なる透過率を有する材料を塗布して第2の膜を形成する段階と、前記第2の膜をパターニングして、前記第2方向の各透光領域間の第2領域に複数の第2位相反転領域、及び、複数の前記透光領域を形成する段階と、を順次行い、前記透光領域を透過した光と前記第1位相反転領域を透過した光とが合成された光と、前記透光領域を透過した光と前記第2位相反転領域を透過した光とが合成された光とが、同一の位相及び振幅の形状を有し、前記第1及び第2位相反転領域の透過率は、相互に異なり、前記透光領域の透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにするような値を有することを特徴とする。
【0019】
また、本発明に係る位相反転マスクの他の製造方法は、第1方向の配列ピッチと第2方向の配列ピッチとが異なるように配列される複数の透光領域が形成される基板上に、前記基板の透過率とは異なる透過率を有する材料を用いて、前記第1方向の各透光領域間の第1領域及び前記第2方向の各透光領域間の第2領域にそれぞれ第1及び第2の厚さを有する膜を形成する段階と、前記第1及び第2の厚さを有する膜をパターニングして、複数の前記透光領域、前記第1領域の複数の第1位相反転領域、及び前記第2領域の複数の第2位相反転領域を形成する段階と、を順次行い、前記透光領域を透過した光と前記第1位相反転領域を透過した光とが合成された光と、前記透光領域を透過した光と前記第2位相反転領域を透過した光とが合成された光とが、同一の位相及び振幅の形状を有し、前記第1及び第2の厚さは、相互に異なり、前記透光領域の透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにするような値を有することを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
本実施形態に係る位相反転マスクは、図1(A)に示したように、第1位相反転領域101と、第2位相反転領域102と、複数の透光領域103と、により構成されている。
【0021】
透光領域103は、第1方向(横方向)には“X”のピッチで配列され、第2方向(縦方向)には“Y”のピッチで配列され、平面形状で正四角形に形成されている。なお、配列ピッチ“X”は配列ピッチ“Y”よりも大きく形成される。このように配列された透光領域103間には、第1方向に第1位相反転領域101が配置され、第2方向に第2位相反転領域102が配置されている。
【0022】
前記透光領域103は、第1位相反転領域101及び第2位相反転領域102よりも高い透過率を有し、第1位相反転領域101及び第2位相反転領域102とは相異なる透過率を有するように、異なる材料を用いて形成するか、または、異なる厚さを有するように形成される。
また、前記透光領域103は、ガラスまたは石英のような透明材料により形成される。第1位相反転領域101及び第2位相反転領域102は、透光領域103の材料とは異なる屈折率及び透過率を有するMoSiO及びMoSiON等により形成される。なお、第1位相反転領域101と第2位相反転領域102とは同じ屈折率を有するように形成される。
【0023】
このような位相反転マスクの製造方法について、図1(B)〜図1(D)を用いて説明する。
まず、図1(B)に示すように、石英またはガラスの透明材料により形成された基板100の上面に、MoSiO及びMoSiON等の基板とは異なる屈折率及び透過率を有する材料を蒸着により塗布して、膜を形成する。そして、塗布された膜をイオンビーム食刻法などによりパターニングして、第1位相反転領域101が形成されるべき第1領域に第1位相反転領域101を形成する。
【0024】
次に、図1(C)に示すように、基板100の上面に、MoSiO及びMoSiON等の基板とは異なる屈折率及び透過率を有する材料を蒸着により塗布して膜を形成する。このとき、第1位相反転領域101を形成する材料と、第2位相反転領域102を形成する材料とは、相異なる透過率を有するものとする。
また、前記第1領域を形成する第1位相反転領域101の膜の材料と、前記第2領域を形成する第2位相反転領域102の膜の材料とが同一で、同じ透過率を有するときには、第1、第2位相反転領域101、102の各膜の厚さがそれぞれ異なるように塗布する。
【0025】
この後、図1(D)に示すように、該塗布した膜をイオンビーム食刻法などによりパターニングして、第2位相反転領域102が形成されるべき第2領域に第2位相反転領域102を形成する。このとき、第1位相反転領域101が形成される第1領域と第2位相反転領域102が形成される第2領域とを区分させる。このようにして、図1(A)に示すような複数の透光領域103、第1位相反転領域101及び第2位相反転領102がそれぞれ形成されて、位相反転マスクの製造が終了する。
【0026】
以下、本実施形態に係る位相反転マスクの特徴について説明する。
図2及び図3は、位相反転マスクの第1位相反転領域101及び第2位相反転領域102を透過した光と、透光領域103を透過した光とがウエハに到達するとき180°の位相差を有する場合の透過した光の振幅及び位相を示したグラフである。
【0027】
図2(A)は、図1に示した位相反転マスクのC−C’線断面図である。各透光領域103は、第1方向に“X”のピッチで配列され、各透光領域103の間には第1位相反転領域101が配置される。
また、図2(B)は、図2(A)に示された位相反転マスクの各透光領域103を透過した光105と、第1位相反転領域101を透過した光106とがウエハに到達するときの振幅及び位相を示した図である。図示されたように、各透光領域103を透過した光105は相互重畳せず、透光領域103を透過した光105の振幅は、第1位相反転領域101を透過した光106の振幅よりも大きい値を有する。さらに、前記透光領域103を透過した光105と、第1位相反転領域101を透過した光106とは、180°の位相差を有するため、相互干渉が生じる。その結果、図2(C)に示されたような振幅及び位相を有する光107が合成される。なお、相互干渉により合成された光107は、ウエハの上面に鮮明度の高い透過光パターンを形成する。
【0028】
そして、図3(A)は、図1に示された位相反転マスクのD−D’線断面図である。透光領域103は第2方向に“Y”のピッチで配列され、この配列ピッチ“Y”の値は第1方向の配列ピッチ“X”の値よりも小さく、各透光領域103の間には第2位相反転領域102が配置される。
また、図3(B)は、図3(A)に示された位相反転マスクの各透光領域103を透過した光110と、第2位相反転領域102を透過した光111とがウエハに到達するときの振幅及び位相を示した図である。図示されたように、各透光領域103を透過した光110は相互重畳を起こすと共に、第2位相反転領域102を透過した光111と180°の位相差を有する。ここで、各透光領域103を透過した光110の相互重畳は、各透光領域103間の第2方向の配列ピッチ“Y”の値が小さくなるほど大きくなる。また、各透光領域103を透過した光110の振幅は、第2位相反転領域102を透過した光111の振幅よりも大きい値を有する。さらに、第2位相反転領域102は第1位相反転領域101よりも大きい透過率を有するため、第2位相反転領域102を透過した光111の振幅は、第1位相反転領域101を透過した光106の振幅よりも大きい値を有する。
【0029】
従って、透光領域103を透過した光110と第2位相反転領域102を透過したは光111とは180°の位相差を有するため、相互干渉が生じ、同時に、各透光領域103を透過した光110には相互重畳が生じる。このとき、第2位相反転領域102の透過率を適切に調節することにより、第2位相反転領域102を透過した光111の振幅を調節することができる。その結果、各透光領域103を透過した光110の相互重畳の影響を相殺させて、図3(C)に示したような振幅及び位相を有する光112が合成される。図3(C)に示された光112の振幅と、前述の図2(C)に示された光107の振幅とは同一形状となるため、光112によりウエハの上面に形成される透過光パターンと、光107によりウエハの上面に形成される透過光パターンとは同じ鮮明度を有するようになる。
【0030】
図4は、このような特徴を有する本実施形態に係る位相反転マスクを利用した露光工程の際、ウエハの上面に形成された透過光パターン115を示したものである。図示されたように、透光領域103の第1方向の配列ピッチ“X”と第2方向の配列ピッチ“Y”とが異なる場合にも、実際にウエハの上面に形成される透過光パターン115の限界寸法は各方向に亘って同じになる。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る位相反転マスクにおいては、位相反転マスクに形成される各位相反転領域の透過率を適切に変化させることにより、位相反転マスクに形成された透光領域の各方向の配列ピッチが異なるように配列された場合も、従来の露光波長を使用して、ウエハの上面に形成される透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにすることができるため、半導体素子の不良発生率を低減して歩留まり及び信頼性を向上し得るという効果がある。
【0032】
また、本発明に係る位相反転マスクの製造方法においては、透光領域の各方向の配列ピッチが異なるように配列された透光領域間に、透過率を適切に変化させた各位相反転領域を形成して位相反転マスクを製造することができるので、この位相反転マスクを用いれば、従来の露光波長を使用して、ウエハの上面に形成される透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにすることができ、半導体素子の不良発生率を低減して歩留まり及び信頼性を向上し得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る位相反転マスクの一実施形態を示した平面図及び本発明に係る位相反転マスクの製造方法の各工程を示した断面図である。
【図2】図1の位相反転マスクのC−C’線において透過した光の振幅及び位相を示した図である。
【図3】図1の位相反転マスクのD−D’線において透過した光の振幅及び位相を示した図である。
【図4】図1の位相反転マスクを利用してウエハの上面に形成された透過光パターンを示した平面図である。
【図5】従来の位相反転マスクを示した平面図である。
【図6】従来の位相反転マスクのA−A’線において透過した光の振幅及び位相を示した図である。
【図7】従来の位相反転マスクのB−B’線において透過した光の振幅及び位相を示した図である。
【図8】従来の位相反転マスクを利用してウエハの上面に形成された透過光パターンを示した平面図である。
【符号の説明】
101:第1位相反転領域
102:第2位相反転領域
103:透光領域
115:透過光パターン
Claims (4)
- 第1方向の配列ピッチと第2方向の配列ピッチとが異なるように配列された複数の透光領域と、
前記第1方向の各透光領域間に、前記透光領域とは異なる透過率を有する材料より第1の厚さに形成された複数の第1位相反転領域と、
前記第2方向の各透光領域間に、前記第1位相反転領域の材料とは同じ透過率を有する材料より第2の厚さに形成された複数の第2位相反転領域と、を包含して構成され、
前記透光領域を透過した光と前記第1位相反転領域を透過した光とが合成された光と、前記透光領域を透過した光と前記第2位相反転領域を透過した光とが合成された光とが、同一の位相及び振幅の形状を有し、
前記第1及び第2の厚さは、相互に異なり、前記透光領域の透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにするような値を有する
ことを特徴とする位相反転マスク。 - 第1方向の配列ピッチと第2方向の配列ピッチとが異なるように配列された複数の透光領域と、
前記第1方向の各透光領域間に形成され、前記透光領域とは異なる透過率を有する複数の第1位相反転領域と、
前記第2方向の各透光領域間に形成され、前記透光領域及び前記第1位相反転領域とは異なる透過率を有する複数の第2位相反転領域と、を包含して構成され、
前記透光領域を透過した光と前記第1位相反転領域を透過した光とが合成された光と、前記透光領域を透過した光と前記第2位相反転領域を透過した光とが合成された光とが、同一の位相及び振幅の形状を有し、
前記第1及び第2位相反転領域の透過率は、相互に異なり、前記透光領域の透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにするような値を有する
ことを特徴とする位相反転マスク。 - 第1方向の配列ピッチと第2方向の配列ピッチとが異なるように配列される複数の透光領域が形成される基板上に、前記基板の透過率とは異なる透過率を有する材料を塗布して第1の膜を形成する段階と、
前記第1の膜をパターニングして、前記第1方向の各透光領域間の第1領域に複数の第1位相反転領域を形成する段階と、
前記第1位相反転領域が形成された前記基板の上に、前記基板の透過率及び前記第1領域に塗布された材料の透過率とは異なる透過率を有する材料を塗布して第2の膜を形成する段階と、
前記第2の膜をパターニングして、前記第2方向の各透光領域間の第2領域に複数の第2位相反転領域、及び、複数の前記透光領域を形成する段階と、を順次行い、
前記透光領域を透過した光と前記第1位相反転領域を透過した光とが合成された光と、前記透光領域を透過した光と前記第2位相反転領域を透過した光とが合成された光とが、同一の位相及び振幅の形状を有し、
前記第1及び第2位相反転領域の透過率は、相互に異なり、前記透光領域の透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにするような値を有する
ことを特徴とする位相反転マスクの製造方法。 - 第1方向の配列ピッチと第2方向の配列ピッチとが異なるように配列される複数の透光領域が形成される基板上に、
前記基板の透過率とは異なる透過率を有する材料を用いて、前記第1方向の各透光領域間の第1領域及び前記第2方向の各透光領域間の第2領域にそれぞれ第1及び第2の厚さを有する膜を形成する段階と、
前記第1及び第2の厚さを有する膜をパターニングして、複数の前記透光領域、前記第1領域の複数の第1位相反転領域、及び前記第2領域の複数の第2位相反転領域を形成する段階と、を順次行い、
前記透光領域を透過した光と前記第1位相反転領域を透過した光とが合成された光と、前記透光領域を透過した光と前記第2位相反転領域を透過した光とが合成された光とが、同一の位相及び振幅の形状を有し、
前記第1及び第2の厚さは、相互に異なり、前記透光領域の透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにするような値を有する
ことを特徴とする位相反転マスクの製造方法。
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