JP2801270B2 - マスク作成方法 - Google Patents
マスク作成方法Info
- Publication number
- JP2801270B2 JP2801270B2 JP18202289A JP18202289A JP2801270B2 JP 2801270 B2 JP2801270 B2 JP 2801270B2 JP 18202289 A JP18202289 A JP 18202289A JP 18202289 A JP18202289 A JP 18202289A JP 2801270 B2 JP2801270 B2 JP 2801270B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- pattern
- alignment
- light
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 111
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 51
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 31
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 25
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N [Au]=O Chemical compound [Au]=O KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000245420 ail Species 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 235000004611 garlic Nutrition 0.000 description 1
- 229910001922 gold oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- -1 respectively Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路その他の精密パターンを作
製する時に用いるフオトマスクの作成方法に関する。
製する時に用いるフオトマスクの作成方法に関する。
従来半導体の製造を行う場合、縮小投影型露光装置
や、ミラープロジエクシヨンによる1:1投影型露光装置
によりマスク（レチクル）に描かれた回路パターンをウ
エハー上に焼きつけることによって行われている。又、
近年台頭をみているＸ線を用いたプロキシミテイー（近
接）露光では、マスクとウエハーを10μｍ〜50μｍ程度
離し、マスクに照射されたＸ線の影（シヤドー）がウエ
ハーに出来、この現象を利用してウエハー上に所望の回
路パターン等を作成する。
や、ミラープロジエクシヨンによる1:1投影型露光装置
によりマスク（レチクル）に描かれた回路パターンをウ
エハー上に焼きつけることによって行われている。又、
近年台頭をみているＸ線を用いたプロキシミテイー（近
接）露光では、マスクとウエハーを10μｍ〜50μｍ程度
離し、マスクに照射されたＸ線の影（シヤドー）がウエ
ハーに出来、この現象を利用してウエハー上に所望の回
路パターン等を作成する。
これらの露光装置は高い位置合わせ精度とともに高い
スループツトを有することが求められており、このた
め、マスク（レチクル）とウエハーを高精度，高速で位
置合わせする事は重要な技術的課題となっている。
スループツトを有することが求められており、このた
め、マスク（レチクル）とウエハーを高精度，高速で位
置合わせする事は重要な技術的課題となっている。
ところで、従来使用されているマスクあるいはレチク
ルは第１図に示すように、石英ガラス基板１の上にCrや
Al等の金属膜２が設けられており、露光時にこの金属膜
２のパターン模様が第２図に示す様な縮小結像露光系
や、第３図に示すプロキシミテイ（近接）露光系により
ウエハー上に写し込まれる。第２図において、６はレチ
クル、５はレチクル上の半導体回路パターンエリア、7a
〜7dはマスク，ウエハーの位置合せ用のマーク、８は縮
小結像レンズを意味する。９はウエハー、10はウエハー
上の半導体回路パターンエリア、11a〜11dはマスク，ウ
エハー位置合せ用のマーク、18はレチクル照明（露光
用）光を示す。又、第３図において、12はプロキシミテ
イー用1:1等倍用マスク、13a〜13dはマスク，ウエハー
位置合せ用のマーク、14はマスク上の半導体回路パター
ンエリア、15a〜15dはマスク，ウエハー位置合せ用マー
ク、16はウエハー上の半導体回路パターンエリア、17は
マスク露光（照明）の光を示す。
ルは第１図に示すように、石英ガラス基板１の上にCrや
Al等の金属膜２が設けられており、露光時にこの金属膜
２のパターン模様が第２図に示す様な縮小結像露光系
や、第３図に示すプロキシミテイ（近接）露光系により
ウエハー上に写し込まれる。第２図において、６はレチ
クル、５はレチクル上の半導体回路パターンエリア、7a
〜7dはマスク，ウエハーの位置合せ用のマーク、８は縮
小結像レンズを意味する。９はウエハー、10はウエハー
上の半導体回路パターンエリア、11a〜11dはマスク，ウ
エハー位置合せ用のマーク、18はレチクル照明（露光
用）光を示す。又、第３図において、12はプロキシミテ
イー用1:1等倍用マスク、13a〜13dはマスク，ウエハー
位置合せ用のマーク、14はマスク上の半導体回路パター
ンエリア、15a〜15dはマスク，ウエハー位置合せ用マー
ク、16はウエハー上の半導体回路パターンエリア、17は
マスク露光（照明）の光を示す。
このようなマスク，ウエハーの位置合せの方法とし
て、種々の方法が開発されているが、その中でもマスク
あるいはレチクル上に所謂回折効果をもたらす格子状パ
ターンを設け、更にウエハー上にも格子状パターンを設
けることによりマスク，ウエハー間で光の回折による作
用で信号を発生させ高精度な位置合せをする方法があ
る。
て、種々の方法が開発されているが、その中でもマスク
あるいはレチクル上に所謂回折効果をもたらす格子状パ
ターンを設け、更にウエハー上にも格子状パターンを設
けることによりマスク，ウエハー間で光の回折による作
用で信号を発生させ高精度な位置合せをする方法があ
る。
その方法の１例として、雑誌Journal of Vacum Scien
ce and Technology B1（４）Octo−Dec.1983年、P.1276
〜に示されている所謂２重回折格子（dual grating ali
gnment）法を第４図に示す。第４図は所謂プロキシミテ
イ方式のＸ線ステツパーの例のアライメント方式を示す
図であり、19はマスク、20はマスク上に格子状に形成さ
れた光に不透明な金属膜、21はウエハーで22はその上に
半導体プロセスで設けられる材料により設けられた同じ
く格子状のパターンである。23はアライメント用入射レ
ーザー光で、24と25は光電変換器である。ここでのアラ
イメント信号光はマスクの回折格子の±１次回折光を光
電変換器24,25に導き、その信号強度の比較（例えばI+1
−I-1）とマスク，ウエハー間のずれとの相関を利用し
ている。ここでは、マスクの±１次回折光を利用してい
る事から±１次回折効率により光電変換器24,25に入る
信号光量が影響をうける。
ce and Technology B1（４）Octo−Dec.1983年、P.1276
〜に示されている所謂２重回折格子（dual grating ali
gnment）法を第４図に示す。第４図は所謂プロキシミテ
イ方式のＸ線ステツパーの例のアライメント方式を示す
図であり、19はマスク、20はマスク上に格子状に形成さ
れた光に不透明な金属膜、21はウエハーで22はその上に
半導体プロセスで設けられる材料により設けられた同じ
く格子状のパターンである。23はアライメント用入射レ
ーザー光で、24と25は光電変換器である。ここでのアラ
イメント信号光はマスクの回折格子の±１次回折光を光
電変換器24,25に導き、その信号強度の比較（例えばI+1
−I-1）とマスク，ウエハー間のずれとの相関を利用し
ている。ここでは、マスクの±１次回折光を利用してい
る事から±１次回折効率により光電変換器24,25に入る
信号光量が影響をうける。
又、他の位置合せ方法の例として、それを第５図に示
す。第５図に於いて、レーザー光源33より出た光をコリ
メーターレンズ32により平行平面波としてマスク28M上
のアライメントパターン26Mに入射する。26Mは所謂ゾー
ンプレートのようなレンズ作用をもつ物理光学素子とし
てのパターンである。このとき26Mで回折された１次回
折光は１度点Ｑで集光し再び発散波としてウエハー34W
上のアライメントマーク27Wに入射し、27Wも同様にゾー
ンプレート状の屈折作用をもつ物理光学素子としてあ
り、27Wの１次回折光は光センサー30に光スポツトを結
ぶ。この時光センサー30上に展開する光スポツトの位置
は、マスク28M上の位置合せパターン26Mとウエハー34W
上位置合せパターン27Wの光軸Ｑ′の上に来たときがマ
スクとウエハーが位置合せされた時に相当する。
す。第５図に於いて、レーザー光源33より出た光をコリ
メーターレンズ32により平行平面波としてマスク28M上
のアライメントパターン26Mに入射する。26Mは所謂ゾー
ンプレートのようなレンズ作用をもつ物理光学素子とし
てのパターンである。このとき26Mで回折された１次回
折光は１度点Ｑで集光し再び発散波としてウエハー34W
上のアライメントマーク27Wに入射し、27Wも同様にゾー
ンプレート状の屈折作用をもつ物理光学素子としてあ
り、27Wの１次回折光は光センサー30に光スポツトを結
ぶ。この時光センサー30上に展開する光スポツトの位置
は、マスク28M上の位置合せパターン26Mとウエハー34W
上位置合せパターン27Wの光軸Ｑ′の上に来たときがマ
スクとウエハーが位置合せされた時に相当する。
パターン26Mと27Wに設けられる位置合せマーク（格
子）はゾーンプレートが代表的な例であるが、第６図に
示す。第６図において、黒い部分は光が透過しない金属
膜が存在するエリア、白い部分は光が透過するエリアで
ある。
子）はゾーンプレートが代表的な例であるが、第６図に
示す。第６図において、黒い部分は光が透過しない金属
膜が存在するエリア、白い部分は光が透過するエリアで
ある。
以上述べた第４図，第５図の各方法において、位置合
せ信号光はマスク上に設けられた格子の回折効率に大き
く依存している。ところで所望の回折次数以外の光、例
えば直進成分である０次光や、多重反射のゴースト光、
それに位置合せパターンのエツジの散乱光などがノイズ
成分となって光センサーに入り、このノイズ成分と所望
の回折次数（第４図，第５図の例で言えば１次光）の信
号光成分の比が所謂光強度レベルでのS/N比を決定す
る。そのため、所望の回折次数の信号光をできるだけ強
く導びくための工夫が、位置合せ系やマスクに要求され
る。
せ信号光はマスク上に設けられた格子の回折効率に大き
く依存している。ところで所望の回折次数以外の光、例
えば直進成分である０次光や、多重反射のゴースト光、
それに位置合せパターンのエツジの散乱光などがノイズ
成分となって光センサーに入り、このノイズ成分と所望
の回折次数（第４図，第５図の例で言えば１次光）の信
号光成分の比が所謂光強度レベルでのS/N比を決定す
る。そのため、所望の回折次数の信号光をできるだけ強
く導びくための工夫が、位置合せ系やマスクに要求され
る。
本発明は以上の事から、回折効率を向上し、位置合せ
のアライメント信号光を増し、S/Nのよい高精度，高速
度なアライメントを実現するための位相型アライメント
パターンを持ったマスクの作成方法を提供する事が目的
の１つである。
のアライメント信号光を増し、S/Nのよい高精度，高速
度なアライメントを実現するための位相型アライメント
パターンを持ったマスクの作成方法を提供する事が目的
の１つである。
よく知られている様に、第１図に示すような光の透過
部と不透過部からなる回折格子に比べ、第７図に示すよ
うにいずれも光の透過部から成るパターン（格子）から
の回折効率は大きい。例えば１次光の回折効率は第７図
の回折格子は第１図の回折格子に比べて約４倍である。
位相型格子の１次回折効率は最大約40％、振幅型格子の
１次回折効率は最大10％。従って第７図のような光を透
過する誘電体膜36でマスクの位置合せパターンを構成し
てやれば、位置合せ用の信号光は格段に増し、S/N比も
向上し、高精度，高速の位置合せが可能となる。
部と不透過部からなる回折格子に比べ、第７図に示すよ
うにいずれも光の透過部から成るパターン（格子）から
の回折効率は大きい。例えば１次光の回折効率は第７図
の回折格子は第１図の回折格子に比べて約４倍である。
位相型格子の１次回折効率は最大約40％、振幅型格子の
１次回折効率は最大10％。従って第７図のような光を透
過する誘電体膜36でマスクの位置合せパターンを構成し
てやれば、位置合せ用の信号光は格段に増し、S/N比も
向上し、高精度，高速の位置合せが可能となる。
更に、Ｘ線露光装置で用いるＸ線マスクの場合には、
回路パターンの露光はＸ線で、アライメントは光で行う
場合が多いため、回路パターンにはＸ線に対してコント
ラストを発生する材料であるAuやTaなどの膜が0.5μｍ
〜1.0μｍの厚みで設けられ、アライメントパターンに
は光に対してコントラストを発生するCrやAlの金属膜が
0.1μｍの厚みで設けられたり、SiO2やMgF2などの誘電
体膜が設けられておればよい。従ってＸ線の露光パター
ンがAuやTaの厚い膜（0.5μｍ〜1.0μｍ）である時、ア
ライメントパターンはCrやAlの薄い膜（0.1μｍ）を設
け、これによってアライメント時のアライメントパター
ンからの散乱光をAuやTaなどの厚い膜の時の散乱光より
も小さく抑える事が出来る。即ち、１例として第17図に
示す。第17図に於いて、104は回路パターンエリアで、1
051,1052,1053,1054は現に使用するアライメントパター
ンエリア、1061,1062,1063,1064は次のレイヤーで位置
合せするためにウエハーに焼きつけるアライメントパタ
ーンを示す。この時、1051,1052,1053,1054はCr膜を0.1
μｍ程度の厚みでつけ、104および1061,1062,1063,1064
はTa膜を0.7μｍ〜1.0μｍつけておけばよい。こうすれ
ば、Ｘ線露光に対しても十分なコントラストが得られ、
しかもアライメント時に散乱光などのノイズが少ないマ
スクが得られる。本発明のいまひとつの目的はこのよう
なマスク及びマスクの作成方法を提供する事にある。
回路パターンの露光はＸ線で、アライメントは光で行う
場合が多いため、回路パターンにはＸ線に対してコント
ラストを発生する材料であるAuやTaなどの膜が0.5μｍ
〜1.0μｍの厚みで設けられ、アライメントパターンに
は光に対してコントラストを発生するCrやAlの金属膜が
0.1μｍの厚みで設けられたり、SiO2やMgF2などの誘電
体膜が設けられておればよい。従ってＸ線の露光パター
ンがAuやTaの厚い膜（0.5μｍ〜1.0μｍ）である時、ア
ライメントパターンはCrやAlの薄い膜（0.1μｍ）を設
け、これによってアライメント時のアライメントパター
ンからの散乱光をAuやTaなどの厚い膜の時の散乱光より
も小さく抑える事が出来る。即ち、１例として第17図に
示す。第17図に於いて、104は回路パターンエリアで、1
051,1052,1053,1054は現に使用するアライメントパター
ンエリア、1061,1062,1063,1064は次のレイヤーで位置
合せするためにウエハーに焼きつけるアライメントパタ
ーンを示す。この時、1051,1052,1053,1054はCr膜を0.1
μｍ程度の厚みでつけ、104および1061,1062,1063,1064
はTa膜を0.7μｍ〜1.0μｍつけておけばよい。こうすれ
ば、Ｘ線露光に対しても十分なコントラストが得られ、
しかもアライメント時に散乱光などのノイズが少ないマ
スクが得られる。本発明のいまひとつの目的はこのよう
なマスク及びマスクの作成方法を提供する事にある。
又、本発明における一番の目的は、回路パターン部
と、位置合せパターン部を形成する材料が異なるマスク
において、効率良く、且つ、高精度にこの様なマスクを
作成するマスク作成方法を提供することである。
と、位置合せパターン部を形成する材料が異なるマスク
において、効率良く、且つ、高精度にこの様なマスクを
作成するマスク作成方法を提供することである。
第７図において、35はマスク基板、41は位置合せ用の
レーザー光、36は格子状パターンを成す光を透過する膜
である。膜36の厚みは、膜の屈折率をｎとすると （λ：アライメント光の波長）−となる様に決めてや
ると、±１次の回折効率が最大となる。膜厚ｔをこの関
係に対しずらせれば、それに応じて回折効率は小さくな
る。36は単層でなくても一般に多層であってもよく、実
質的に膜がある部分とない部分の段差（膜厚）によって
発生する光路差（（ｎ−１）ｔに相当する値）がλ/2の
奇数倍であればよい。（λ：アライメント光の波長） ところで位置合せ用パターンは第８図に示すように所
望の電気回路パターン37のエリアに対して厳密にどれだ
け離れた位置にあるかが多くのレイアーを設ける半導体
プロセスを完結させるためには重要であり、位置合せパ
ターンが回路パターン37に対して高精度に間隔設定され
て描かれていなければならない。通常マスク（レチク
ル）は電子ビームで回路パターンエリアも、位置合せパ
ターンエリアも一括描画しており、これにより上記の要
求を満たしてきた。
レーザー光、36は格子状パターンを成す光を透過する膜
である。膜36の厚みは、膜の屈折率をｎとすると （λ：アライメント光の波長）−となる様に決めてや
ると、±１次の回折効率が最大となる。膜厚ｔをこの関
係に対しずらせれば、それに応じて回折効率は小さくな
る。36は単層でなくても一般に多層であってもよく、実
質的に膜がある部分とない部分の段差（膜厚）によって
発生する光路差（（ｎ−１）ｔに相当する値）がλ/2の
奇数倍であればよい。（λ：アライメント光の波長） ところで位置合せ用パターンは第８図に示すように所
望の電気回路パターン37のエリアに対して厳密にどれだ
け離れた位置にあるかが多くのレイアーを設ける半導体
プロセスを完結させるためには重要であり、位置合せパ
ターンが回路パターン37に対して高精度に間隔設定され
て描かれていなければならない。通常マスク（レチク
ル）は電子ビームで回路パターンエリアも、位置合せパ
ターンエリアも一括描画しており、これにより上記の要
求を満たしてきた。
本発明は、この回路パターンに対して従来保障されて
きた、間隔設定（相互位置）の精度をそこなうことなく
実現する、位相型アライメントパターンを持ったマスク
を提供する。
きた、間隔設定（相互位置）の精度をそこなうことなく
実現する、位相型アライメントパターンを持ったマスク
を提供する。
第８図はマスク上のパターンの様子を説明する図であ
る。38は位置合せパターンが設けられるスクライブライ
ン、37は半導体回路パターンのエリア、39a〜39dは位置
合せのためマスク上に設けられた格子状パターン（ゾー
ンプレート等も含む）で、それらの中心位置を40a〜40d
に示す。４ケ所にパターンを示しているのは、１ケのパ
ターンで１次元方向の検知例えば39aのパターンでは第
８図に示す矢印41aの方向のみしか検出しないとした時
の例を示し、パターン39aの中心線が40aの位置決め検出
方向41aの方向に対して成る一定の位置に決められて描
画されている事が上に述べたマスクの位置決めパターン
設定の重要な点である。
る。38は位置合せパターンが設けられるスクライブライ
ン、37は半導体回路パターンのエリア、39a〜39dは位置
合せのためマスク上に設けられた格子状パターン（ゾー
ンプレート等も含む）で、それらの中心位置を40a〜40d
に示す。４ケ所にパターンを示しているのは、１ケのパ
ターンで１次元方向の検知例えば39aのパターンでは第
８図に示す矢印41aの方向のみしか検出しないとした時
の例を示し、パターン39aの中心線が40aの位置決め検出
方向41aの方向に対して成る一定の位置に決められて描
画されている事が上に述べたマスクの位置決めパターン
設定の重要な点である。
上記目的を達成する本発明のマスク作成方法は、位置
合わせ用のアライメントパターンと回路パターンとを併
せ持つマスクの作成方法であって、前記アライメントパ
ターンの材料と回路パターンの材料とを異ならせると共
に、前記両方のパターンを電子ビームを用いて一括で描
画してパターン形成することを特徴とするものである。
合わせ用のアライメントパターンと回路パターンとを併
せ持つマスクの作成方法であって、前記アライメントパ
ターンの材料と回路パターンの材料とを異ならせると共
に、前記両方のパターンを電子ビームを用いて一括で描
画してパターン形成することを特徴とするものである。
詳しくは、実施例にて述べる。
図面を参照しながら説明していく。
［実施例１］ 第９図に本発明の実施例を示す。第９図の（ａ）から
（ｈ）まではマスク作成のプロセス順に出来上ったマス
クの断面形状を示す。（ａ）はマスクのベース42に誘電
体薄膜43を蒸着で設け、さらに、その上に金やTa等の薄
膜44を設けるプロセスを経たマスクである。誘電体膜の
膜厚は望みの回折効率により適宜設定する。（ｂ）は
（ａ）にレジスト45を塗布した状態を示す。（ｃ）図は
レジスト塗布後アライメントパターンエリア46のレジス
トをそっくり除去するための例えば光露光をする状態を
示す。これによりアライメントパターンエリア46に光が
露光され、次の（ｄ）の工程でAAパターンエリアの金属
膜44が除去される。光があたったレジスト部は48として
示す。尚、47は半導体の回路パターンエリアである。光
露光によりレジストを取り除くパターニング精度は１μ
ｍ〜２μｍ以下であればよい。（ｄ）は（ｃ）の光露光
後、レジスト現象を行い、レジストパターンにもとづき
AuやCr,Ta等の金属パターンエリアをドライエツチング
する状態を示す。これによりアライメントパターンエリ
アから、Au,Cr,Ta等の本体半導体の焼付け露光に対して
コントラストを与える金属膜をとり除き、アライメント
パターンは誘電体膜43のみが残る事になる。
（ｈ）まではマスク作成のプロセス順に出来上ったマス
クの断面形状を示す。（ａ）はマスクのベース42に誘電
体薄膜43を蒸着で設け、さらに、その上に金やTa等の薄
膜44を設けるプロセスを経たマスクである。誘電体膜の
膜厚は望みの回折効率により適宜設定する。（ｂ）は
（ａ）にレジスト45を塗布した状態を示す。（ｃ）図は
レジスト塗布後アライメントパターンエリア46のレジス
トをそっくり除去するための例えば光露光をする状態を
示す。これによりアライメントパターンエリア46に光が
露光され、次の（ｄ）の工程でAAパターンエリアの金属
膜44が除去される。光があたったレジスト部は48として
示す。尚、47は半導体の回路パターンエリアである。光
露光によりレジストを取り除くパターニング精度は１μ
ｍ〜２μｍ以下であればよい。（ｄ）は（ｃ）の光露光
後、レジスト現象を行い、レジストパターンにもとづき
AuやCr,Ta等の金属パターンエリアをドライエツチング
する状態を示す。これによりアライメントパターンエリ
アから、Au,Cr,Ta等の本体半導体の焼付け露光に対して
コントラストを与える金属膜をとり除き、アライメント
パターンは誘電体膜43のみが残る事になる。
この後、（ｅ）図に示す様にレジスト48を塗布する。
このレジストはアライメントパターンや半導体回路パタ
ーン描画のためのElectron Beam露光のためのレジスト
である。（ｆ）においてElectron Beamによりアライメ
ントパターンと半導体回路パターンの一括描画を行う。
ここでポイントは、高精度アライメントに対応してアラ
イメントパターン46の位置と、半導体回路パターン47の
相対位置関係が高精度に保証されている事が必要であ
り、このためE.Bにより一括描画をする点である。一括
描画は従来用いられているマスクに於いて行われてい
る。尚、従来用いられているマスクを第10図に断面とし
て示す。42はマスクベース、44はTa,Au,Cr等の金属膜
で、従来のマスクはアライメントパターン46と半導体回
路パターン47いずれもが同一の金属膜43で構成されてい
る。
このレジストはアライメントパターンや半導体回路パタ
ーン描画のためのElectron Beam露光のためのレジスト
である。（ｆ）においてElectron Beamによりアライメ
ントパターンと半導体回路パターンの一括描画を行う。
ここでポイントは、高精度アライメントに対応してアラ
イメントパターン46の位置と、半導体回路パターン47の
相対位置関係が高精度に保証されている事が必要であ
り、このためE.Bにより一括描画をする点である。一括
描画は従来用いられているマスクに於いて行われてい
る。尚、従来用いられているマスクを第10図に断面とし
て示す。42はマスクベース、44はTa,Au,Cr等の金属膜
で、従来のマスクはアライメントパターン46と半導体回
路パターン47いずれもが同一の金属膜43で構成されてい
る。
本発明の実施例を第９図に戻って更に説明をつづけ
る。（ｆ）に於いて、50はE.B露光域である。E.B一括描
画したのち、レジスト現象を行い、レジストパターンを
もとにドライエツチングをするのが（ｇ）である。これ
により、金属膜44と誘電体膜43がエツチングされる。こ
の時エツチングレートの調整により、誘電体膜43がちょ
うどすべてエツチングされた後、金属膜44がすべてエツ
チングされている様にえらぶ事ができる。例えば、誘電
体にSiO2、金属膜にAuを用いた場合、エツチングガスと
してCClF3/C2F6を用い、アライメントパターン46のエツ
チング終了後SiCl4で更にオーバエツチし金の酸化物が
あれば除去するとよい。
る。（ｆ）に於いて、50はE.B露光域である。E.B一括描
画したのち、レジスト現象を行い、レジストパターンを
もとにドライエツチングをするのが（ｇ）である。これ
により、金属膜44と誘電体膜43がエツチングされる。こ
の時エツチングレートの調整により、誘電体膜43がちょ
うどすべてエツチングされた後、金属膜44がすべてエツ
チングされている様にえらぶ事ができる。例えば、誘電
体にSiO2、金属膜にAuを用いた場合、エツチングガスと
してCClF3/C2F6を用い、アライメントパターン46のエツ
チング終了後SiCl4で更にオーバエツチし金の酸化物が
あれば除去するとよい。
この後、焼付け光に対してマスクが所望のコントラス
トを得るために、金属膜44の上に例えばAuなどの場合は
メツキを施してやればよい。
トを得るために、金属膜44の上に例えばAuなどの場合は
メツキを施してやればよい。
以上の（ａ）から（ｈ）の工程を経て、アライメント
パターンが誘電体透明膜43（アライメント光に対し）か
ら成る位相型マスクであり、かつアライメントパターン
と半導体回路パターンの相対位置関係が高精度に保証さ
れ、回路パターン焼付け光に対し所望のコントラストを
もつマスクが実現する。
パターンが誘電体透明膜43（アライメント光に対し）か
ら成る位相型マスクであり、かつアライメントパターン
と半導体回路パターンの相対位置関係が高精度に保証さ
れ、回路パターン焼付け光に対し所望のコントラストを
もつマスクが実現する。
尚、43の誘電体膜としてはSiO2,ZrO2,MgF2,TiO2,Al2O
3などであり、44の金属膜はAu,Ta,W,WNなどがあげられ
る。
3などであり、44の金属膜はAu,Ta,W,WNなどがあげられ
る。
また、マスクベース材42としては、石英やポリイミド
メンブレン或いはSiNやAlN,SiC等いずれであってもよ
い。
メンブレン或いはSiNやAlN,SiC等いずれであってもよ
い。
［実施例２］ 第11図に本発明の第２の実施例を示す。第11図に於い
て、（ａ）から（ｇ）が位相型マスク作成の工程を示し
たもので、第９図に既に示した実施例１と同様にして説
明する。
て、（ａ）から（ｇ）が位相型マスク作成の工程を示し
たもので、第９図に既に示した実施例１と同様にして説
明する。
先ず、（ａ）に示す様に、マスクベース材52に誘電体
膜53を蒸着等でつけ、更にその上にレジスト54を塗布す
る。誘電体膜はSiO2等いずれであってもよい。誘電体膜
の膜厚は望みの回折効率により適宜設定する。この後ア
ライメントパターンエリア56にのみ誘電体膜53を残すべ
く光露光等によりアライメントエリア以外の、即ち半導
体回路パターンエリア57に光をあて、レジスト現像し、
誘電体膜53をドライエツチングする。この状態を示すの
が（ｂ）である。この後、この上に全面金属膜55を蒸着
し、更にその上にレジスト58を塗布する。金属膜55はAu
やCr,Al等いずれであってもよい。このレジストに対し
光露光ないしE.B露光を行い、アライメントパターンエ
リア56一面レジストを感光さす。このレジストを現像す
ればアライメントパターンエリア56のみレジストが除去
され、金属膜55がむき出しになり、半導体回路パターン
エリア57にはレジストが残っている状態になる。このレ
ジストをもとに金属膜55のドライエツチングをし、アラ
イメントパターンエリア56上の金属膜55をなくする。そ
うしてのち残存しているレジストを除去すると、（ｄ）
に示す状態になる。これにレジストを更に塗布し、アラ
イメントパターン56と半導体回路パターン57の相対位置
精度を保証するため、Electron Beamで従来行っている
様な一括描画をしてパターン露光を施す。この状態を
（ｅ）に示す。60は露光部を示す。E.B一括描画ののち
レジストを現像し、レジストパターンをもとにドライエ
ツチングを行う。このドライエツチングは誘電体膜53が
エツチングされ、所望の段差になるまで行う。この時、
金属膜55もパターンエツチングされるが、金属膜55の膜
厚が、半導体回路焼付け光に対しマスクが要求するコン
トラストを達成すべく更にメツキ等で堆積してやる。
（ｆ）はレジスト現像ドライエツチングした後の状態を
示し、（ｇ）は金属膜55の上に更にメツキ等で55と同じ
膜を堆積する状態を示す。例えば、金属膜55がAuなどの
場合61もメツキにより堆積されたAu膜を示す。
膜53を蒸着等でつけ、更にその上にレジスト54を塗布す
る。誘電体膜はSiO2等いずれであってもよい。誘電体膜
の膜厚は望みの回折効率により適宜設定する。この後ア
ライメントパターンエリア56にのみ誘電体膜53を残すべ
く光露光等によりアライメントエリア以外の、即ち半導
体回路パターンエリア57に光をあて、レジスト現像し、
誘電体膜53をドライエツチングする。この状態を示すの
が（ｂ）である。この後、この上に全面金属膜55を蒸着
し、更にその上にレジスト58を塗布する。金属膜55はAu
やCr,Al等いずれであってもよい。このレジストに対し
光露光ないしE.B露光を行い、アライメントパターンエ
リア56一面レジストを感光さす。このレジストを現像す
ればアライメントパターンエリア56のみレジストが除去
され、金属膜55がむき出しになり、半導体回路パターン
エリア57にはレジストが残っている状態になる。このレ
ジストをもとに金属膜55のドライエツチングをし、アラ
イメントパターンエリア56上の金属膜55をなくする。そ
うしてのち残存しているレジストを除去すると、（ｄ）
に示す状態になる。これにレジストを更に塗布し、アラ
イメントパターン56と半導体回路パターン57の相対位置
精度を保証するため、Electron Beamで従来行っている
様な一括描画をしてパターン露光を施す。この状態を
（ｅ）に示す。60は露光部を示す。E.B一括描画ののち
レジストを現像し、レジストパターンをもとにドライエ
ツチングを行う。このドライエツチングは誘電体膜53が
エツチングされ、所望の段差になるまで行う。この時、
金属膜55もパターンエツチングされるが、金属膜55の膜
厚が、半導体回路焼付け光に対しマスクが要求するコン
トラストを達成すべく更にメツキ等で堆積してやる。
（ｆ）はレジスト現像ドライエツチングした後の状態を
示し、（ｇ）は金属膜55の上に更にメツキ等で55と同じ
膜を堆積する状態を示す。例えば、金属膜55がAuなどの
場合61もメツキにより堆積されたAu膜を示す。
以上述べた方法により、実施例１と同様、アライメン
トパターンが誘電体透明膜から成る位相型マスクであ
り、かつアライメントパターンと半導体回路パターンの
相対位置関係が高精度に保証され、回路パターン焼付け
光に対し、所望のコントラストをもつマスクが実現す
る。
トパターンが誘電体透明膜から成る位相型マスクであ
り、かつアライメントパターンと半導体回路パターンの
相対位置関係が高精度に保証され、回路パターン焼付け
光に対し、所望のコントラストをもつマスクが実現す
る。
［実施例３］ 第12図に本発明の第３実施例を示す。第12図におい
て、マスクベース材料62としてSiNの場合について以下
説明する。実際にはマスクベース材はSiNに限定されず
石英や、ポリイミド膜或いは、AlN,SiC等であってもよ
いが、実例の説明として材料をSiNの場合として話を進
める。（ａ）から（ｊ）が第３実施例の各工程順の説明
を示す。先ず、（ａ）に示す様にAu,Cr,Ta,Al等の金属
膜63を蒸着でつける。金属膜は100Å以下のうすい厚み
でよい。
て、マスクベース材料62としてSiNの場合について以下
説明する。実際にはマスクベース材はSiNに限定されず
石英や、ポリイミド膜或いは、AlN,SiC等であってもよ
いが、実例の説明として材料をSiNの場合として話を進
める。（ａ）から（ｊ）が第３実施例の各工程順の説明
を示す。先ず、（ａ）に示す様にAu,Cr,Ta,Al等の金属
膜63を蒸着でつける。金属膜は100Å以下のうすい厚み
でよい。
次に、金属膜63の上にポリイミドワニクPiQ64（商品
名 日立化成（株）製）を十分厚く（0.8〜1.0μｍ）コ
ーテイングする。更にその上にレジスト65を塗布する。
このレジストに対し、アライメントパターンエリア67の
金属膜63およびPiQ64を取り除くため、アライメントパ
ターンエリアの分だけ光露光を与えてレジストを現像す
る。この状況を示すのが（ｃ）であり、67はアライメン
トパターンエリア、68は半導体回路パターンエリアを示
す。66はレジスト65のうち光が露光された部分。次に、
PiQ64をウエツトエツチングし、更に金属膜63をウエツ
トエツチングする。これによりアライメントパターンエ
リアのPiQと金属膜が取り除かれる。この後にレジスト
を現像して取り除けば（ｄ）に示す状態になる。（ｄ）
の状態に対し、誘電体透明膜（アライメント光に対し透
明）69を蒸着し（ex,SiO2,MgF2）更に、レジスト70を塗
布する。こののち、アライメントパターン67と半導体回
路パターン68の相対位置関係を精密に設定するために電
子ビームで一括描画露光し、そののちレジトを現像す
る。この状態を示すのが（ｆ）である。CF4等でドライ
エツチングすれば誘電体膜69はE.Bレジストのパターン
に対応したパターンにエツチングされ、この後レジスト
を剥離して（ｇ）のようになる。更にO2（酸素）でドラ
イエツチングすれば誘電体膜69（例えばSiO2）のパター
ンをもとにPiQ64がパターニングされ、このパターニン
グされたPiQ64のパターン上から金属膜71（例えばAu）
をメツキで堆積する。ここで、PiQ64の厚みと金属膜71
（例えばAu）の厚みの関係をPiQ厚＞金属膜厚としてお
く。PiQをウエツトエツチングして（ｉ）に示す様な最
終パターンが得られる。（ｉ）において金属膜63（例え
ばAu）は100Å以下の膜厚であり、金属膜71の膜厚は0.1
μｍ〜１μｍ程度にとっておけば、回路パターン焼付け
光に対し所望のコントラストが得られる。更に、金属膜
71が例えばAuの場合には、（ｉ）の状態からAuのドライ
エツチング（Ar）或いはウエツトエツチングを施こし、
金属膜（Au膜）63にパターンを切れば（ｊ）の状態のマ
スクが得られる。
名 日立化成（株）製）を十分厚く（0.8〜1.0μｍ）コ
ーテイングする。更にその上にレジスト65を塗布する。
このレジストに対し、アライメントパターンエリア67の
金属膜63およびPiQ64を取り除くため、アライメントパ
ターンエリアの分だけ光露光を与えてレジストを現像す
る。この状況を示すのが（ｃ）であり、67はアライメン
トパターンエリア、68は半導体回路パターンエリアを示
す。66はレジスト65のうち光が露光された部分。次に、
PiQ64をウエツトエツチングし、更に金属膜63をウエツ
トエツチングする。これによりアライメントパターンエ
リアのPiQと金属膜が取り除かれる。この後にレジスト
を現像して取り除けば（ｄ）に示す状態になる。（ｄ）
の状態に対し、誘電体透明膜（アライメント光に対し透
明）69を蒸着し（ex,SiO2,MgF2）更に、レジスト70を塗
布する。こののち、アライメントパターン67と半導体回
路パターン68の相対位置関係を精密に設定するために電
子ビームで一括描画露光し、そののちレジトを現像す
る。この状態を示すのが（ｆ）である。CF4等でドライ
エツチングすれば誘電体膜69はE.Bレジストのパターン
に対応したパターンにエツチングされ、この後レジスト
を剥離して（ｇ）のようになる。更にO2（酸素）でドラ
イエツチングすれば誘電体膜69（例えばSiO2）のパター
ンをもとにPiQ64がパターニングされ、このパターニン
グされたPiQ64のパターン上から金属膜71（例えばAu）
をメツキで堆積する。ここで、PiQ64の厚みと金属膜71
（例えばAu）の厚みの関係をPiQ厚＞金属膜厚としてお
く。PiQをウエツトエツチングして（ｉ）に示す様な最
終パターンが得られる。（ｉ）において金属膜63（例え
ばAu）は100Å以下の膜厚であり、金属膜71の膜厚は0.1
μｍ〜１μｍ程度にとっておけば、回路パターン焼付け
光に対し所望のコントラストが得られる。更に、金属膜
71が例えばAuの場合には、（ｉ）の状態からAuのドライ
エツチング（Ar）或いはウエツトエツチングを施こし、
金属膜（Au膜）63にパターンを切れば（ｊ）の状態のマ
スクが得られる。
［実施例４］ 第13図に本発明の第４実施例を示す。第13図におい
て、マスクベース材料72としてポリイミド膜の場合につ
いて以下説明する。実際にはマスクベース材はポリイミ
ドに限定されるものではない。
て、マスクベース材料72としてポリイミド膜の場合につ
いて以下説明する。実際にはマスクベース材はポリイミ
ドに限定されるものではない。
（ａ）から（ｈ）が第４実施例の各工程順を示す。
先ず、（ａ）に示す様にAu等の金属膜73を蒸着でつけ
る。金属膜は300〜700Å以下の薄い膜厚でよい。金属膜
73の上にレジストを塗布し、アライメントパターンエリ
ア74と半導体回路パターンエリア75の領域分けのため
に、アライメントパターンエリア74に光露光を与える。
この後レジストを現像して除去したのち、金属膜73（Au
etc）をエツチングし、レジストを更にとり去れば
（ｂ）に示した膜構成のものが得られる。
る。金属膜は300〜700Å以下の薄い膜厚でよい。金属膜
73の上にレジストを塗布し、アライメントパターンエリ
ア74と半導体回路パターンエリア75の領域分けのため
に、アライメントパターンエリア74に光露光を与える。
この後レジストを現像して除去したのち、金属膜73（Au
etc）をエツチングし、レジストを更にとり去れば
（ｂ）に示した膜構成のものが得られる。
更にPiQをコーテイングする。この時PiQの膜厚ｄは、
PiQ76の屈折率をｎとすると とすれば位相型格子の１次の回折効率は最大値にある。
（λ：アライメント光の波長）。但し、一般には所望の
回折効率に応じてPiQ76の膜厚は設定すればよい。この
後PiQ76の上に、レジストを塗布した状態を示すのが
（ｃ）である。次に電子ビームでアライメントパターン
74と、半導体回路パターン75を一括描画し、レジストを
現像する。PiQのウエツトエツチングをしたのち、Auメ
ツキを施せば、（ｄ）の状態が得られる。78はメツキさ
れたAuである。Auの厚みは、焼付け光に対し十分コント
ラストが得られれば良い厚みに設定する。この後一様に
レジスト塗布をし、半導体回路パターンエリア75のPiQ7
6を除去するために、半導体回パターンエリア75に光露
光をベタで与える。（ｅ）がこの状態を示す。79は露光
されたレジスト。レジスト現像を行いPiQのウエツトエ
ツチングをすれば（ｆ）の状態が得られる。この後アラ
イメントパターンエリア74にベタに光露光を与え、レジ
ストを現像すれば最終的に望む形態のマスク（ｇ）が得
らえる。76はPiQ、78はAu膜、73は薄いAu膜で、半導体
回路パターンの焼付け光に対し十分コントラストが得ら
れる様、膜78の厚みに対し、膜73の厚みは十分薄くして
おく。更にAuのドライエツチング（Ar）あるいはウエツ
トエツチングすれば（ｈ）の様な状態のマスクが得られ
る。
PiQ76の屈折率をｎとすると とすれば位相型格子の１次の回折効率は最大値にある。
（λ：アライメント光の波長）。但し、一般には所望の
回折効率に応じてPiQ76の膜厚は設定すればよい。この
後PiQ76の上に、レジストを塗布した状態を示すのが
（ｃ）である。次に電子ビームでアライメントパターン
74と、半導体回路パターン75を一括描画し、レジストを
現像する。PiQのウエツトエツチングをしたのち、Auメ
ツキを施せば、（ｄ）の状態が得られる。78はメツキさ
れたAuである。Auの厚みは、焼付け光に対し十分コント
ラストが得られれば良い厚みに設定する。この後一様に
レジスト塗布をし、半導体回路パターンエリア75のPiQ7
6を除去するために、半導体回パターンエリア75に光露
光をベタで与える。（ｅ）がこの状態を示す。79は露光
されたレジスト。レジスト現像を行いPiQのウエツトエ
ツチングをすれば（ｆ）の状態が得られる。この後アラ
イメントパターンエリア74にベタに光露光を与え、レジ
ストを現像すれば最終的に望む形態のマスク（ｇ）が得
らえる。76はPiQ、78はAu膜、73は薄いAu膜で、半導体
回路パターンの焼付け光に対し十分コントラストが得ら
れる様、膜78の厚みに対し、膜73の厚みは十分薄くして
おく。更にAuのドライエツチング（Ar）あるいはウエツ
トエツチングすれば（ｈ）の様な状態のマスクが得られ
る。
本実施例でも実施例１〜３と同様、マスクベース材は
ポリイミドに限定されるものでなく、石英やSiN,Al等の
場合でもよい。又、金属膜もCr,Ta,Al等の材料であって
もよい。
ポリイミドに限定されるものでなく、石英やSiN,Al等の
場合でもよい。又、金属膜もCr,Ta,Al等の材料であって
もよい。
以上４つの実施例は、透過の光束（回折光）を効果的
に利用するための所謂透過型の位相マスクの製作方法で
あった。但し、これらの位相型マスクを用いて反射回折
光を利用しても差しつかえないことは言うまでもない。
に利用するための所謂透過型の位相マスクの製作方法で
あった。但し、これらの位相型マスクを用いて反射回折
光を利用しても差しつかえないことは言うまでもない。
これに対し、次に反射回折光を積極的に用いる、所謂
反射型の位相マスクの例について述べる。反射型の位相
マスクの基本形態について第14図を参照しながら説明す
る。第14図は反射型位相マスクの断面図であり、同図に
おいて81はマスクベース材料、82は半導体回路焼付け光
に対しコントラストを与える回路パターン膜材、83はア
ライメント用光に対し透明な誘電体材料。84は金属膜、
85はアライメントパターンエリア、86は半導体回路パタ
ーンエリア、87,88はいずれもアライメント光が反射回
折される状況を示したものである。ここで、マスク材81
と誘電体83はいずれもアライメント光に対し透明であ
り、84が金属反射膜であることから、誘電体83の厚みが
光87と88の光路差を発生し、反射型位相マスクを実現す
る。例えば、誘電体83の厚みをｄとし、屈折率をｎとす
れば2d×ｎが光87と光88の光路長差になり、 （λ：アライメント光の波長）の時、１次の反射回折効
率は最大になる。一般には、回折効率の値に応じて誘電
体83の厚みｄを適宜設定すればよい。例えばｎ＝1.5の
場合、λ＝0.83μｍの光を用いれば の厚みを設定してやれば、１次回折光の回折効率が最大
になる。従って、回折効率を変化させるには厚みｄや屈
折率ｎ等を変えることで達成される。
反射型の位相マスクの例について述べる。反射型の位相
マスクの基本形態について第14図を参照しながら説明す
る。第14図は反射型位相マスクの断面図であり、同図に
おいて81はマスクベース材料、82は半導体回路焼付け光
に対しコントラストを与える回路パターン膜材、83はア
ライメント用光に対し透明な誘電体材料。84は金属膜、
85はアライメントパターンエリア、86は半導体回路パタ
ーンエリア、87,88はいずれもアライメント光が反射回
折される状況を示したものである。ここで、マスク材81
と誘電体83はいずれもアライメント光に対し透明であ
り、84が金属反射膜であることから、誘電体83の厚みが
光87と88の光路差を発生し、反射型位相マスクを実現す
る。例えば、誘電体83の厚みをｄとし、屈折率をｎとす
れば2d×ｎが光87と光88の光路長差になり、 （λ：アライメント光の波長）の時、１次の反射回折効
率は最大になる。一般には、回折効率の値に応じて誘電
体83の厚みｄを適宜設定すればよい。例えばｎ＝1.5の
場合、λ＝0.83μｍの光を用いれば の厚みを設定してやれば、１次回折光の回折効率が最大
になる。従って、回折効率を変化させるには厚みｄや屈
折率ｎ等を変えることで達成される。
次にこの様な反射型位相マスクの作成方法の実施例に
ついて図を参照しながら説明する。
ついて図を参照しながら説明する。
［実施例５］ SiNベースにTaの場合（反射型位相マスク） 第15図に本発明の第５実施例を示す。第15図におい
て、（ａ）−（ｂ）が作成順である。
て、（ａ）−（ｂ）が作成順である。
まず、（ａ）においてマスクベース材料81に厚さd1＝
700ÅのSiO2膜82をスパツタリグにより成膜した後、回
路パターンを形成する部分にのみ吸収体膜であるTa83を
成膜した。Taの成膜にRFスパツタリング法を用いた。ひ
きつづき位相グレーテイング材84となるSiO2をd2の厚さ
に82と同じスパツタリングで成膜した。その際厚さd1と
d2の和ｄと蒸着SiO2の屈折率ｎの積ndがアライメント光
の波長の1/4となるように定めた。即ちλ＝8300Å,n＝
1.45とすると となる厚さｄは1430Åとなるので、d1＝700Åとしたた
め、d2としては730Åの厚さに設定した。
700ÅのSiO2膜82をスパツタリグにより成膜した後、回
路パターンを形成する部分にのみ吸収体膜であるTa83を
成膜した。Taの成膜にRFスパツタリング法を用いた。ひ
きつづき位相グレーテイング材84となるSiO2をd2の厚さ
に82と同じスパツタリングで成膜した。その際厚さd1と
d2の和ｄと蒸着SiO2の屈折率ｎの積ndがアライメント光
の波長の1/4となるように定めた。即ちλ＝8300Å,n＝
1.45とすると となる厚さｄは1430Åとなるので、d1＝700Åとしたた
め、d2としては730Åの厚さに設定した。
次に（ｂ）において多層レジスト層の下層材85として
ノボラック樹脂系のフオトレジスト（商品名AZ−2400ヘ
キスト社製）を8000Åの厚さに塗布し、上層レジスト86
としてシリコン系E.Bレジスト（商品名トヨビームSNR,
東ソー社製）を2500Å塗布した通常のプロセスに従いプ
リベークを施した後、電子ビーム描画装置により位置合
わせ用パターンと回路用パターンを連続して一括露光描
画を行いE.Bレジストパターンを形成した。このパター
ンをマスクに酸素のドライエツチングにより、下層レジ
ストパターンを形成した。次に（ｃ）においてCF4＋C2H
4を動作ガスとして用いてSiO284のエツチングを行い吸
収体層の表面に到達するまで、即ちd2の厚さだけエツチ
ングした。続いて動作ガスをCBrF3に変え、TaとSiO2の
エツチレートが10:1となる条件にてエツチングを進め
た。吸収体層厚さと、吸収体材膜の形成されていない部
分のSiO2の膜厚比を10:1としてあるので、吸収体83のパ
ターン形成が終了した時点で、アライメント用パターン
のSiO2（d1＋d2）は1430Åとなっている。
ノボラック樹脂系のフオトレジスト（商品名AZ−2400ヘ
キスト社製）を8000Åの厚さに塗布し、上層レジスト86
としてシリコン系E.Bレジスト（商品名トヨビームSNR,
東ソー社製）を2500Å塗布した通常のプロセスに従いプ
リベークを施した後、電子ビーム描画装置により位置合
わせ用パターンと回路用パターンを連続して一括露光描
画を行いE.Bレジストパターンを形成した。このパター
ンをマスクに酸素のドライエツチングにより、下層レジ
ストパターンを形成した。次に（ｃ）においてCF4＋C2H
4を動作ガスとして用いてSiO284のエツチングを行い吸
収体層の表面に到達するまで、即ちd2の厚さだけエツチ
ングした。続いて動作ガスをCBrF3に変え、TaとSiO2の
エツチレートが10:1となる条件にてエツチングを進め
た。吸収体層厚さと、吸収体材膜の形成されていない部
分のSiO2の膜厚比を10:1としてあるので、吸収体83のパ
ターン形成が終了した時点で、アライメント用パターン
のSiO2（d1＋d2）は1430Åとなっている。
更に（ｄ）において、回路パターン部分を覆い、アラ
イメントマーク部分に窓があくようにレジスト87をパタ
ーニングし反射用金蒸着88を1000Å行った。その後レジ
ストを剥離したところ、反射型位相グレーテイングと回
路パターンを同時形成したマスクが作成できた。
イメントマーク部分に窓があくようにレジスト87をパタ
ーニングし反射用金蒸着88を1000Å行った。その後レジ
ストを剥離したところ、反射型位相グレーテイングと回
路パターンを同時形成したマスクが作成できた。
［実施例６］ 石英ベースにCrの場合（反射型位相マスク） 第16図に本発明の実施例６を示す。本発明は従来より
行われている紫外光を用いた露光用マスクのための反射
位相型アライメントパターン及びマスクの作製法であ
り、通常石英基板をマスクのベース材料とし、回路パタ
ーンは遮光体としてCrの〜1000Å程度の厚さの膜を用い
た場合を考える。第16図の（ａ）より（ｈ）までは本発
明によるマスク作製プロセスを順に示したものであり、
（ｉ）は完成したマスクの断面を示している。
行われている紫外光を用いた露光用マスクのための反射
位相型アライメントパターン及びマスクの作製法であ
り、通常石英基板をマスクのベース材料とし、回路パタ
ーンは遮光体としてCrの〜1000Å程度の厚さの膜を用い
た場合を考える。第16図の（ａ）より（ｈ）までは本発
明によるマスク作製プロセスを順に示したものであり、
（ｉ）は完成したマスクの断面を示している。
（ａ）はマスク作製の材料としてクロム付石英ブラン
クスを示し、ベース材料91の石英とパターンの形成され
るクロム蒸着膜92である。
クスを示し、ベース材料91の石英とパターンの形成され
るクロム蒸着膜92である。
まず前記ブランクスに誘電体膜を被着すべく金属膜
（クロム）の除去を行う。（ｂ）に示すように金属膜上
にフオトレジスト93を塗布し、次に除去すべき金属膜の
領域を残すようレジスト被覆し、（ｃ）に示すように金
属膜（例えばクロム）をエツチング除去し、マスクベー
ス面を露出させる。その後、（ｄ）に示すように誘電体
膜94を電子ビーム蒸着法等により形成し、レジスト93を
剥離するとともに金属膜上の誘電体を同時に除去し
（ｅ）に示す装置とする。このとき、その膜厚がアライ
メントに使用する波長に対し、光は距離が1/4波長に相
当するように制御する。すなわち、誘電体としてSiO2を
用いると屈折率を1.4とすれば、光の波長が0.83μｍの
とき0.148μｍすればよい。
（クロム）の除去を行う。（ｂ）に示すように金属膜上
にフオトレジスト93を塗布し、次に除去すべき金属膜の
領域を残すようレジスト被覆し、（ｃ）に示すように金
属膜（例えばクロム）をエツチング除去し、マスクベー
ス面を露出させる。その後、（ｄ）に示すように誘電体
膜94を電子ビーム蒸着法等により形成し、レジスト93を
剥離するとともに金属膜上の誘電体を同時に除去し
（ｅ）に示す装置とする。このとき、その膜厚がアライ
メントに使用する波長に対し、光は距離が1/4波長に相
当するように制御する。すなわち、誘電体としてSiO2を
用いると屈折率を1.4とすれば、光の波長が0.83μｍの
とき0.148μｍすればよい。
マスクのパターンの位置関係で重要なことはアライメ
ント用パターンと回路パターンとの相対位置であり、こ
れが高精度に作製されていなければならない。従って両
パターンは一度に電子ビーム露光等により描画されるこ
とが望ましい。（ｆ）は電子ビーム露光用のレジストを
塗布した後電子ビーム露光を行い現像して得られた両パ
ターンのレジスト像95を示す。
ント用パターンと回路パターンとの相対位置であり、こ
れが高精度に作製されていなければならない。従って両
パターンは一度に電子ビーム露光等により描画されるこ
とが望ましい。（ｆ）は電子ビーム露光用のレジストを
塗布した後電子ビーム露光を行い現像して得られた両パ
ターンのレジスト像95を示す。
次に誘電体と金属膜をプラズマエツチングでエツチン
グ除去をするが、誘電体，金属膜がそれぞれSiO2,Crで
あるときは、エツチングガスとして、Cl2＋C2F6を用
い、O2の添加量を変化させることにより、エツチングレ
ートの制御を行えるので、SiO2（〜1500Å）とCr（〜10
00Å）とが同時にエツチング終了とすることができ、ア
ライメントパターン98、回路パターン99を得る。この状
態を（ｇ）に示す。
グ除去をするが、誘電体，金属膜がそれぞれSiO2,Crで
あるときは、エツチングガスとして、Cl2＋C2F6を用
い、O2の添加量を変化させることにより、エツチングレ
ートの制御を行えるので、SiO2（〜1500Å）とCr（〜10
00Å）とが同時にエツチング終了とすることができ、ア
ライメントパターン98、回路パターン99を得る。この状
態を（ｇ）に示す。
次にアライメントパターン98に反射膜97を形成する
が、これには（ｈ）に示すように、回路パターンをレジ
スト96で覆った後、反射膜材料（例えばアルミニウム，
金，銀，クロムなど）を蒸着すればよく、その厚さは反
射率が十分高くなるものであれば自由に設定可能であ
る。
が、これには（ｈ）に示すように、回路パターンをレジ
スト96で覆った後、反射膜材料（例えばアルミニウム，
金，銀，クロムなど）を蒸着すればよく、その厚さは反
射率が十分高くなるものであれば自由に設定可能であ
る。
以上の作製プロセスにより得られた反射位相型マスク
を（ｉ）に示す。これによればアライメントパターンが
誘電体透明膜からなる位相型マスクでかつ反射型位相格
子を形成しており、かつアライメントパターンと半導体
回路パターンの相対位置関係が高精度に保証されたマス
クが実現できる。
を（ｉ）に示す。これによればアライメントパターンが
誘電体透明膜からなる位相型マスクでかつ反射型位相格
子を形成しており、かつアライメントパターンと半導体
回路パターンの相対位置関係が高精度に保証されたマス
クが実現できる。
［実施例７］ 第18図に本発明の実施例７を示す。実施例７は、アラ
イメントパターンがCrなどの薄膜（〜0.1μｍ厚）で、
アライメント光に対してコントラストがあり、回路パタ
ーンがAuやTaなどの厚い膜（0.7μｍ〜1.0μｍ）が設け
られ露光Ｘ線に対しコントラストがある場合のＸ線露光
装置で用いるＸ線マスクの作成方法の例である。
イメントパターンがCrなどの薄膜（〜0.1μｍ厚）で、
アライメント光に対してコントラストがあり、回路パタ
ーンがAuやTaなどの厚い膜（0.7μｍ〜1.0μｍ）が設け
られ露光Ｘ線に対しコントラストがある場合のＸ線露光
装置で用いるＸ線マスクの作成方法の例である。
（ａ）において、110はSiNメンブレン、111はCr膜で
ある。Cr膜は厚みが約0.1μｍで蒸着により設ける。次
に（ｂ）に示す様に、Cr111の上にスパツタによりTa膜1
12を0.7μｍ〜1.0μｍの厚みでつける。Ta膜の上にレジ
スト113を塗布し、アライメントパターンエリア150と回
路パターンエリア151のエリア分けに対応して光露光を
する。この様子を（ｄ）に示す。113はレジストの斜線
を施した部分が露光をつけたエリア。次に、レジストを
現像し、CBrF3でドライエツチングすると（ｅ）に示す
構造のものが得られる。これに更にレジスト114を一様
に塗布する。この時レジストはTaとのエツチング選択比
に応じて厚めにつけておくかもしくは多層レジストプロ
セスを用いてTa及びCrのエツチングが連続的にできるよ
うにする。このレジスト塗布した後に（ｆ）に示す様
に、電子ビームでアライメントパターンと回路パターン
を一括して描画する。これにより、アライメントパター
ンと回路パターンの相互位置関係はE.Bの描画装置の精
度（0.01μｍ〜0.1μｍ）の高精度で実現可能である。
ある。Cr膜は厚みが約0.1μｍで蒸着により設ける。次
に（ｂ）に示す様に、Cr111の上にスパツタによりTa膜1
12を0.7μｍ〜1.0μｍの厚みでつける。Ta膜の上にレジ
スト113を塗布し、アライメントパターンエリア150と回
路パターンエリア151のエリア分けに対応して光露光を
する。この様子を（ｄ）に示す。113はレジストの斜線
を施した部分が露光をつけたエリア。次に、レジストを
現像し、CBrF3でドライエツチングすると（ｅ）に示す
構造のものが得られる。これに更にレジスト114を一様
に塗布する。この時レジストはTaとのエツチング選択比
に応じて厚めにつけておくかもしくは多層レジストプロ
セスを用いてTa及びCrのエツチングが連続的にできるよ
うにする。このレジスト塗布した後に（ｆ）に示す様
に、電子ビームでアライメントパターンと回路パターン
を一括して描画する。これにより、アライメントパター
ンと回路パターンの相互位置関係はE.Bの描画装置の精
度（0.01μｍ〜0.1μｍ）の高精度で実現可能である。
尚、（ｄ）のエリア分けの露光の場合の露光位置精度
は〜１μｍ程度であれば十分であり、大画面の等倍焼付
けミラープロジエクシヨン露光装置により実現できる。
は〜１μｍ程度であれば十分であり、大画面の等倍焼付
けミラープロジエクシヨン露光装置により実現できる。
さて、（ｆ）のE.B描画後、レジストを現像しこのレ
ジストの上からCBrF3でTaをドライエツチングする。Ta
をドライエツチングした後、更にCl2＋C2F6を用いO2の
添加量を変えてCrをエツチングする。この状態を（ｈ）
に示す。Crが完全にエツチングされた後、レジスト114
を除去すれば所望の構成のマスク（ｉ）のものが得られ
る。（ｉ）の断面のマスクは、第17図に示すように、10
51,1052,1053,1054はCr111の薄膜より成り、1061,1062,
1063,1064および回路パターン104はTa膜112より成って
いる。
ジストの上からCBrF3でTaをドライエツチングする。Ta
をドライエツチングした後、更にCl2＋C2F6を用いO2の
添加量を変えてCrをエツチングする。この状態を（ｈ）
に示す。Crが完全にエツチングされた後、レジスト114
を除去すれば所望の構成のマスク（ｉ）のものが得られ
る。（ｉ）の断面のマスクは、第17図に示すように、10
51,1052,1053,1054はCr111の薄膜より成り、1061,1062,
1063,1064および回路パターン104はTa膜112より成って
いる。
又、本発明の場合Cr膜に限らず、Al等の〜0.1μｍ厚
もあれば十分光に対してコントラストが得られる材料で
あってもよいし、Ta膜の代わりにAu等のＸ線に対してコ
ントラストが得られる材料であってもよい。
もあれば十分光に対してコントラストが得られる材料で
あってもよいし、Ta膜の代わりにAu等のＸ線に対してコ
ントラストが得られる材料であってもよい。
本発明のマスク作成方法によれば、アライメントパタ
ーンの材料と回路パターンの材料を異ならせて、それぞ
れの使用目的に適した光学特性を得ることができると共
に、これらのパターンを電子ビームで一括で形成するた
めマスク作成の生産効率を高めることができる。これに
よって、マスクの光学性能と生産効率を高いレベルで両
立させることができる。
ーンの材料と回路パターンの材料を異ならせて、それぞ
れの使用目的に適した光学特性を得ることができると共
に、これらのパターンを電子ビームで一括で形成するた
めマスク作成の生産効率を高めることができる。これに
よって、マスクの光学性能と生産効率を高いレベルで両
立させることができる。
第１図…従来用いられているマスク（レチクル）の例を
示す図。 第２図…従来行われている光ステツパーのレチクル，ウ
エハー間の説明図。 第３図…Ｘ線リングラフイー等のプロキシミテイーに於
けるマスク，ウエハー間の説明図。 第４図…Ｘ線リングラフイー等のプロキシミテイーに於
けるアライメント方法の例を示す図。 第５図…本出願人によるプロキシミテイーにおけるアラ
イメント方法の例を示す図。 第６図…ゾーンプレートの図。 第７図…透過型位相マスクの例を示す図。 第８図…マスク（レチクル）の回路パターンとアライメ
ントパターンの関係を示す図。 第９図…本発明の第１実施例を示す図。 第10図…従来のマスクの例。 第11図，第12図，第13図…本発明の第2,第3,第４実施例
を示す図。 第14図…反射型位相マスクの例を示す図。 第15図…本発明の第５実施例を示す図。 第16図…本発明の第６実施例を示す図。 第17図…Ｘ線露光装置で使用するマスクの例を示す図。 第18図…本発明の第７実施例を示す図。 42……ベース 43……誘電体薄膜 44……金,Ta等の薄膜 45……レジスト 46……アライメントパターンエリア 47……回路パターンエリア 50……E.B露光領域
示す図。 第２図…従来行われている光ステツパーのレチクル，ウ
エハー間の説明図。 第３図…Ｘ線リングラフイー等のプロキシミテイーに於
けるマスク，ウエハー間の説明図。 第４図…Ｘ線リングラフイー等のプロキシミテイーに於
けるアライメント方法の例を示す図。 第５図…本出願人によるプロキシミテイーにおけるアラ
イメント方法の例を示す図。 第６図…ゾーンプレートの図。 第７図…透過型位相マスクの例を示す図。 第８図…マスク（レチクル）の回路パターンとアライメ
ントパターンの関係を示す図。 第９図…本発明の第１実施例を示す図。 第10図…従来のマスクの例。 第11図，第12図，第13図…本発明の第2,第3,第４実施例
を示す図。 第14図…反射型位相マスクの例を示す図。 第15図…本発明の第５実施例を示す図。 第16図…本発明の第６実施例を示す図。 第17図…Ｘ線露光装置で使用するマスクの例を示す図。 第18図…本発明の第７実施例を示す図。 42……ベース 43……誘電体薄膜 44……金,Ta等の薄膜 45……レジスト 46……アライメントパターンエリア 47……回路パターンエリア 50……E.B露光領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−20329（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−196036（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−90529（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−177531（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−229942（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−44438（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/08 - 1/16
Claims (2)
- 【請求項１】位置合わせ用のアライメントパターンと回
路パターンとを併せ持つマスクの作成方法であって、前
記アライメントパターンはアライメント光に対する位相
型回折格子パターンであり、前記回路パターンは露光用
Ｘ線に対する吸収体パターンであり、前記アライメント
パターンの材料と前記回路パターンの材料とを異ならせ
ると共に、前記両方のパターンを電子ビームを用いて一
括で描画してパターン形成することを特徴とするマスク
作成方法。 - 【請求項２】前記アライメントパターンは、透過型もし
くは反射型の位相回折格子パターンであり誘導体透明膜
を有することを特徴とする請求項１記載のマスク作成方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18202289A JP2801270B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | マスク作成方法 |
| EP19900307605 EP0408349A3 (en) | 1989-07-13 | 1990-07-11 | Mask for lithography |
| US08/003,867 US5262257A (en) | 1989-07-13 | 1993-01-11 | Mask for lithography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18202289A JP2801270B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | マスク作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0345950A JPH0345950A (ja) | 1991-02-27 |
| JP2801270B2 true JP2801270B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=16110974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18202289A Expired - Fee Related JP2801270B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | マスク作成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0408349A3 (ja) |
| JP (1) | JP2801270B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0542265B1 (en) * | 1991-11-15 | 1999-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure and x-ray exposing method, and semiconductor device manufactured by use of x-ray mask structure, and method for manufacturing x-ray mask structure |
| KR100263900B1 (ko) * | 1993-03-04 | 2000-09-01 | 윤종용 | 마스크 및 그 제조방법 |
| KR100215850B1 (ko) * | 1996-04-12 | 1999-08-16 | 구본준 | 하프톤 위상 반전 마스크 및_그제조방법 |
| TW497165B (en) | 1999-06-30 | 2002-08-01 | Hitachi Ltd | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| JP2018022850A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用モールド、及び、該モールドを用いたパターン形成方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4037969A (en) * | 1976-04-02 | 1977-07-26 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Zone plate alignment marks |
| JPS5350680A (en) * | 1976-10-19 | 1978-05-09 | Nec Corp | Transfer mask for x-ray exposure and its production |
| JPS6120329A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光用マスク |
| CA1270934C (en) * | 1985-03-20 | 1990-06-26 | SPATIAL PHASE MODULATED MASKS AND METHODS FOR MAKING THESE MASKS AND PHASE DIFFRACTION GRATINGS | |
| JPS62202518A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-09-07 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光用マスク |
| JPS63196036A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-15 | Canon Inc | リソグラフイ−用マスク構造体 |
| JPS6490529A (en) * | 1987-10-01 | 1989-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mask for exposure and exposure method |
| JPH02177531A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Toshiba Corp | Ｘ線露光用マスク |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP18202289A patent/JP2801270B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-11 EP EP19900307605 patent/EP0408349A3/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0345950A (ja) | 1991-02-27 |
| EP0408349A2 (en) | 1991-01-16 |
| EP0408349A3 (en) | 1991-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0653679B1 (en) | Mask, mask producing method and pattern forming method using mask | |
| US5863677A (en) | Aligner and patterning method using phase shift mask | |
| US5262257A (en) | Mask for lithography | |
| US5902493A (en) | Method for forming micro patterns of semiconductor devices | |
| EP0551621A1 (en) | Self-aligned phase-shifting mask | |
| US4939052A (en) | X-ray exposure mask | |
| JPH088164A (ja) | 半導体写真製版装置 | |
| US5300378A (en) | Method of producing a phase shifting mask | |
| JP2801270B2 (ja) | マスク作成方法 | |
| GB2302962A (en) | Phase shift mask | |
| JP2641362B2 (ja) | リソグラフィー方法および位相シフトマスクの作製方法 | |
| US20070134563A1 (en) | Photomask and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2704938B2 (ja) | 半導体素子のパターン形成用マスク製造方法 | |
| JPH0567049B2 (ja) | ||
| JPH08123008A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH06148861A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| US5468576A (en) | Method for manufacturing exposure mask | |
| JP2889062B2 (ja) | Ｘ線マスクおよびその製造方法 | |
| JPH0990602A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPH0697052A (ja) | Ｘ線マスク材料及びそれを用いたｘ線マスク | |
| JPH07281414A (ja) | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクとその製造方法 | |
| JPH04368947A (ja) | 位相シフトマスクの作成方法 | |
| JPH03242648A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JP2924146B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPH06333804A (ja) | Ｘ線露光方法及びｘ線マスク製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080710 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080710 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090710 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |