JPH0697052A - Ｘ線マスク材料及びそれを用いたｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスク材料及びそれを用いたｘ線マスクInfo
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- JPH0697052A JPH0697052A JP24509092A JP24509092A JPH0697052A JP H0697052 A JPH0697052 A JP H0697052A JP 24509092 A JP24509092 A JP 24509092A JP 24509092 A JP24509092 A JP 24509092A JP H0697052 A JPH0697052 A JP H0697052A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 特定波長の位置検知光に対して高い透過率を
有するＸ線マスク材料の提供を目的とする。 【構成】 基板上にＸ線透過膜を有するＸ線マスク材料
において、前記Ｘ線透過膜の膜厚ｔ1 を、 ｔ1 ＝ｍ1 λ／（２ｎ1 ） （ただし、ｎ1 はＸ線透過膜の波長λにおける屈折率、
ｍ1 は正の正数、λはアライメント検知光の波長であ
る）に設定したＸ線マスク材料。
有するＸ線マスク材料の提供を目的とする。 【構成】 基板上にＸ線透過膜を有するＸ線マスク材料
において、前記Ｘ線透過膜の膜厚ｔ1 を、 ｔ1 ＝ｍ1 λ／（２ｎ1 ） （ただし、ｎ1 はＸ線透過膜の波長λにおける屈折率、
ｍ1 は正の正数、λはアライメント検知光の波長であ
る）に設定したＸ線マスク材料。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハのパターニ
ングに用いられるＸ線マスク材料に関し、特に被転写体
とマスクとのアライメントを容易にする露光用Ｘ線マス
ク材料に関する。
ングに用いられるＸ線マスク材料に関し、特に被転写体
とマスクとのアライメントを容易にする露光用Ｘ線マス
ク材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の高性能化、大規模化に伴っ
て、その製造技術は一段と高度化が要求されている。集
積回路製造の第１段階は、半導体ウエハ上に所定の回路
パターンを転写することから始まるが、回路パターンの
微細化に伴ってパターニング技術も高度化が要求されて
いる。
て、その製造技術は一段と高度化が要求されている。集
積回路製造の第１段階は、半導体ウエハ上に所定の回路
パターンを転写することから始まるが、回路パターンの
微細化に伴ってパターニング技術も高度化が要求されて
いる。
【０００３】ホトリソグラフィの技術は、光の干渉作用
を利用したものであり、微細化のためには直進性の強い
短波長光によるパターニングが必要である。このため
に、１ＧｂｉｔＤＲＡＭなどの高集積化回路のパターニ
ングには、０．１μｍ幅が可能なＸ線露光が有力視され
ている。
を利用したものであり、微細化のためには直進性の強い
短波長光によるパターニングが必要である。このため
に、１ＧｂｉｔＤＲＡＭなどの高集積化回路のパターニ
ングには、０．１μｍ幅が可能なＸ線露光が有力視され
ている。
【０００４】Ｘ線リソグラフィは、光学系パターニング
の１種であり、回路パターンを有するＸ線マスクを通し
て露光用Ｘ線を半導体ウエハ上のＸ線レジスト膜（被転
写体）に照射感光させる。しかし、Ｘ線に対する縮小投
影光学系の製作はきわめて困難であり、コンタクト露光
方式（等倍回路パターンマスク使用）とならざるを得な
い。
の１種であり、回路パターンを有するＸ線マスクを通し
て露光用Ｘ線を半導体ウエハ上のＸ線レジスト膜（被転
写体）に照射感光させる。しかし、Ｘ線に対する縮小投
影光学系の製作はきわめて困難であり、コンタクト露光
方式（等倍回路パターンマスク使用）とならざるを得な
い。
【０００５】ところで、被転写体にＸ線露光でパターニ
ングを行なう際には被転写体の所定位置に対するアライ
メントが極めて重要である。既に形成済、或いはそれ以
降に形成される回路パターンと精密に整合することが必
要なためである。
ングを行なう際には被転写体の所定位置に対するアライ
メントが極めて重要である。既に形成済、或いはそれ以
降に形成される回路パターンと精密に整合することが必
要なためである。
【０００６】このアライメントは、通常被写体の一部に
設けられたアライメントマークとＸ線マスクに刻された
アライメントマークとの重ね合わせで行なわれる。アラ
イメントマークの位置検出は、光の干渉や散乱を利用す
るため可視光、通常はＨｅ−Ｎｅなどのレーザ光を用い
て行なわれる。したがって、Ｘ線マスクは露光用Ｘ線に
対してのみでなく位置検知用可視光に対しても透過性を
有する必要がある。
設けられたアライメントマークとＸ線マスクに刻された
アライメントマークとの重ね合わせで行なわれる。アラ
イメントマークの位置検出は、光の干渉や散乱を利用す
るため可視光、通常はＨｅ−Ｎｅなどのレーザ光を用い
て行なわれる。したがって、Ｘ線マスクは露光用Ｘ線に
対してのみでなく位置検知用可視光に対しても透過性を
有する必要がある。
【０００７】Ｘ線マスク材料のＸ線透過膜には、機械的
強度やＸ線に対する照射耐性、透過率などを考慮して窒
化シリコン、炭化シリコン、窒化ボロン或いはダイヤモ
ンドなどが用いられる。その厚みは、Ｘ線吸収量や転写
パターンエッジの切れなどを考慮して数μｍ程度であ
る。
強度やＸ線に対する照射耐性、透過率などを考慮して窒
化シリコン、炭化シリコン、窒化ボロン或いはダイヤモ
ンドなどが用いられる。その厚みは、Ｘ線吸収量や転写
パターンエッジの切れなどを考慮して数μｍ程度であ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記物質から成るＸ線
透過膜を有するＸ線マスク材料は、可視光に対する透過
度が必ずしも高くない。Ｘ線透過膜表面での反射のみな
らず、Ｘ線透過膜内部に入射した光がＸ線透過膜の両面
間で多重反射して再び入射側表面から反射される。
透過膜を有するＸ線マスク材料は、可視光に対する透過
度が必ずしも高くない。Ｘ線透過膜表面での反射のみな
らず、Ｘ線透過膜内部に入射した光がＸ線透過膜の両面
間で多重反射して再び入射側表面から反射される。
【０００９】この結果、位置検知光にたとえレーザ光の
ようなコヒーレント光を用いたとしても、レーザー光検
知器に充分な照度の位置検知光が入射せず、高精度のア
ライメントが困難であるという問題点がある。また、ア
ライメント作業に要する時間が長くなる。特に高微細パ
ターンの露光に用いられるステップアンドリピート方式
では、１枚の半導体ウエハの露光を完結する迄に多大の
時間を要し、経済性が悪いという問題点がある。本発明
の目的は、特定波長のアライメント検知光に対して高い
透過率を有するＸ線マスク材料及びそれを用いたＸ線マ
スクを提供することにある。
ようなコヒーレント光を用いたとしても、レーザー光検
知器に充分な照度の位置検知光が入射せず、高精度のア
ライメントが困難であるという問題点がある。また、ア
ライメント作業に要する時間が長くなる。特に高微細パ
ターンの露光に用いられるステップアンドリピート方式
では、１枚の半導体ウエハの露光を完結する迄に多大の
時間を要し、経済性が悪いという問題点がある。本発明
の目的は、特定波長のアライメント検知光に対して高い
透過率を有するＸ線マスク材料及びそれを用いたＸ線マ
スクを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、基板と、該
基板上に設けたＸ線透過膜を含むＸ線マスク材料におい
て、前記Ｘ線透過膜の膜厚ｔ1 を、 ｔ1 ＝ｍ1 λ／（２ｎ1 ） （ただし、ｎはＸ線透過膜の波長λにおける屈折率、ｍ
1 は正の正数、λはアライメント検知光の波長である）
に設定することを特徴とするＸ線マスク材料によって達
成された。
基板上に設けたＸ線透過膜を含むＸ線マスク材料におい
て、前記Ｘ線透過膜の膜厚ｔ1 を、 ｔ1 ＝ｍ1 λ／（２ｎ1 ） （ただし、ｎはＸ線透過膜の波長λにおける屈折率、ｍ
1 は正の正数、λはアライメント検知光の波長である）
に設定することを特徴とするＸ線マスク材料によって達
成された。
【００１１】本発明のＸ線マスク材料によれば、前記Ｘ
線透過膜の片面または両面の一部または全部に、厚みｔ
2 が、 ｔ2 ＝ｍ2 λ／（４ｎ2 ） （ただし、ｎ2 は反射防止膜の波長λにおける屈折率、
ｍ2 は正の正数、λはアライメント検知光の波長であ
る）である反射防止膜を形成することができる。
線透過膜の片面または両面の一部または全部に、厚みｔ
2 が、 ｔ2 ＝ｍ2 λ／（４ｎ2 ） （ただし、ｎ2 は反射防止膜の波長λにおける屈折率、
ｍ2 は正の正数、λはアライメント検知光の波長であ
る）である反射防止膜を形成することができる。
【００１２】また本発明によれば上記のＸ線透過膜上に
Ｘ線吸収体を設けたＸ線マスクも提供される。
Ｘ線吸収体を設けたＸ線マスクも提供される。
【００１３】
【作用】Ｘ線マスクのＸ線透過膜の透過率を最大にする
には、マスク表面における位置検知光の反射率が極小値
を有するように、Ｘ線透過膜の少なくともアライメント
用パターン設置個所の厚みｔを調整すればよい。
には、マスク表面における位置検知光の反射率が極小値
を有するように、Ｘ線透過膜の少なくともアライメント
用パターン設置個所の厚みｔを調整すればよい。
【００１４】図１は、本発明の原理を説明するための図
である。図１（Ａ）は、厚さｔのＸ線透過膜表面（Ａ
点）で反射する光と、一旦Ｘ線透過膜内に入射してから
裏面（Ｂ点）で反射後Ｃ点から表面側に放出される光を
示す。この２光線（ＦＡＧとＦＡＢＣＨ）の幾何学的光
路差Ｌは、それぞれの媒体の屈折率ｎ1 ，ｎ′およびＸ
線透過膜への入射角θ、屈折角θ′を用いて Ｌ＝（ＡＢ＋ＢＣ）−ＡＥ であるから、ＡＢ＋ＢＣ＝２ｔ1 ／ｃｏｓθ′、ＡＥ＝
２ｔ1 ・ｓｉｎθ・ｔａｎθ′となる。これを光学的長
さに加えると、 （ＡＢ＋ＢＣ）OP＝２ｎ1 ｔ1 ／ｃｏｓθ′ ＡＥOP＝２ｎ′ｔ1 ・ｓｉｎθ・ｔａｎθ′ となる。
である。図１（Ａ）は、厚さｔのＸ線透過膜表面（Ａ
点）で反射する光と、一旦Ｘ線透過膜内に入射してから
裏面（Ｂ点）で反射後Ｃ点から表面側に放出される光を
示す。この２光線（ＦＡＧとＦＡＢＣＨ）の幾何学的光
路差Ｌは、それぞれの媒体の屈折率ｎ1 ，ｎ′およびＸ
線透過膜への入射角θ、屈折角θ′を用いて Ｌ＝（ＡＢ＋ＢＣ）−ＡＥ であるから、ＡＢ＋ＢＣ＝２ｔ1 ／ｃｏｓθ′、ＡＥ＝
２ｔ1 ・ｓｉｎθ・ｔａｎθ′となる。これを光学的長
さに加えると、 （ＡＢ＋ＢＣ）OP＝２ｎ1 ｔ1 ／ｃｏｓθ′ ＡＥOP＝２ｎ′ｔ1 ・ｓｉｎθ・ｔａｎθ′ となる。
【００１５】すなわち、この２光線の光路差ＬOPは、 ＬOP＝２ｎ1 ｔ1 ／ｃｏｓθ′−２ｎ′ｔ1 ・ｓｉｎθ
・ｔａｎθ′＝２ｎ1ｔ1 ・ｃｏｓθ′ （ただし、ｎ′・ｓｉｎθ＝ｎ1 ・ｓｉｎθ′）とな
る。Ｃ点で反射される光線はλ／２だけ位相の変化を受
けるので、実際の位相差は θ＝２ｎ1 ｔ1 ・ｃｏｓθ′＋λ／２ で与えられる。
・ｔａｎθ′＝２ｎ1ｔ1 ・ｃｏｓθ′ （ただし、ｎ′・ｓｉｎθ＝ｎ1 ・ｓｉｎθ′）とな
る。Ｃ点で反射される光線はλ／２だけ位相の変化を受
けるので、実際の位相差は θ＝２ｎ1 ｔ1 ・ｃｏｓθ′＋λ／２ で与えられる。
【００１６】Ｘ線透過膜表面における検知光の反射率が
極小になることは、上記した２本の光線が干渉して暗く
なる、すなわち位相差θが波長の整数倍ｍ1 λからλ／
２だけずれていることに相当するので、 ２ｎ1 ｔ1 ・ｃｏｓθ′＋λ／２＝ｍ1 λ＋λ／２ 垂直入射光に対してはｃｏｓθ′＝１であることを考慮
すると、反射率極小の条件は ２ｎ1 ｔ1 ＝ｍ1 λ、すなわちｔ1 ＝ｍ1 λ／（２
ｎ1 ） となる。
極小になることは、上記した２本の光線が干渉して暗く
なる、すなわち位相差θが波長の整数倍ｍ1 λからλ／
２だけずれていることに相当するので、 ２ｎ1 ｔ1 ・ｃｏｓθ′＋λ／２＝ｍ1 λ＋λ／２ 垂直入射光に対してはｃｏｓθ′＝１であることを考慮
すると、反射率極小の条件は ２ｎ1 ｔ1 ＝ｍ1 λ、すなわちｔ1 ＝ｍ1 λ／（２
ｎ1 ） となる。
【００１７】また、図１（Ｂ）は厚さｔ2 の反射防止膜
をＸ線マスクのアライメント用パターン設置個所に片側
だけ被着させた時の斜め入射光の挙動をモデル的に示し
ている。
をＸ線マスクのアライメント用パターン設置個所に片側
だけ被着させた時の斜め入射光の挙動をモデル的に示し
ている。
【００１８】上と同様の解析を行なうことにより、垂直
入射光で反射光の強度がゼロになるには
入射光で反射光の強度がゼロになるには
【数１】 の２条件が同時に満足されねばならないことがわかる。
材料的にＸ線透過膜と反射防止膜の屈折率条件を満足す
ることは一般に困難であるが、検知光波長λに対する反
射防止膜厚ｔ2 の条件は、満足するように形成すること
が可能である。すなわち、本発明のＸ線透過膜の厚みｔ
1 および反射防止膜ｔ2 の膜厚制御によって反射光が極
小に抑えられ、透過光が極大となる。
材料的にＸ線透過膜と反射防止膜の屈折率条件を満足す
ることは一般に困難であるが、検知光波長λに対する反
射防止膜厚ｔ2 の条件は、満足するように形成すること
が可能である。すなわち、本発明のＸ線透過膜の厚みｔ
1 および反射防止膜ｔ2 の膜厚制御によって反射光が極
小に抑えられ、透過光が極大となる。
【００１９】
【実施例】以下本発明を、実施例に基づいてより詳しく
述べる。本発明を実施するには、精密な膜厚制御が必要
である。膜厚制御は、ＣＶＤ法やスパッタリング法など
気相成長法を用いて成膜段階で行なうことが可能であ
る。また、成膜段階で膜厚制御性、再現性が不十分であ
る場合には、Ｘ線透過膜成膜後、エッチングまたは研磨
を行なうことで膜厚を調整することが可能である。
述べる。本発明を実施するには、精密な膜厚制御が必要
である。膜厚制御は、ＣＶＤ法やスパッタリング法など
気相成長法を用いて成膜段階で行なうことが可能であ
る。また、成膜段階で膜厚制御性、再現性が不十分であ
る場合には、Ｘ線透過膜成膜後、エッチングまたは研磨
を行なうことで膜厚を調整することが可能である。
【００２０】更に、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化
ボロン、ダイヤモンド（ダイヤモンドライクカーボン）
などから成るＸ線透過膜を成膜後、膜の片面または両面
の少なくとも一部（アライメントマーク設置個所）に酸
化シリコン、酸化アルミニウムなどから成る反射防止膜
を気相成長法により所定の厚みに堆積する。この結果検
知光のＸ線マスク透過率を一層向上させることが出来
る。反射防止膜は、Ｘ線照射による損傷を極力回避する
ために、Ｘ線透過膜周辺部に設けられているアライメン
トマーク設置領域に限定して形成することが好ましい。
この反射防止膜上に常法によりＸ線吸収膜を設けること
によりＸ線マスク材料が形成される。
ボロン、ダイヤモンド（ダイヤモンドライクカーボン）
などから成るＸ線透過膜を成膜後、膜の片面または両面
の少なくとも一部（アライメントマーク設置個所）に酸
化シリコン、酸化アルミニウムなどから成る反射防止膜
を気相成長法により所定の厚みに堆積する。この結果検
知光のＸ線マスク透過率を一層向上させることが出来
る。反射防止膜は、Ｘ線照射による損傷を極力回避する
ために、Ｘ線透過膜周辺部に設けられているアライメン
トマーク設置領域に限定して形成することが好ましい。
この反射防止膜上に常法によりＸ線吸収膜を設けること
によりＸ線マスク材料が形成される。
【００２１】図２は、Ｘ線透過膜用材料として炭化シリ
コン（ＳｉＣ）を用いた場合に、その膜厚ｔ1 によって
波長λの光の透過率がどのように変化するかを調べたデ
ータである。ＳｉＣは、減圧ＣＶＤ法でＳｉウエハの
（１００）面上に堆積させた。成膜条件は表１に示し
た。
コン（ＳｉＣ）を用いた場合に、その膜厚ｔ1 によって
波長λの光の透過率がどのように変化するかを調べたデ
ータである。ＳｉＣは、減圧ＣＶＤ法でＳｉウエハの
（１００）面上に堆積させた。成膜条件は表１に示し
た。
【００２２】
【表１】 ＳｉＣ膜を堆積したＳｉウエハの裏面に、ホトレジスト
膜を塗布し、ホトリソグラフィの技術を用いてホトレジ
スト膜中央に開口部を設ける。この開口部よりＳｉウエ
ハを選択的にウェットエッチングすれば、ホトレジスト
膜開口部の底にＳｉＣ膜のみが残る。水洗後ホトレジス
ト膜を除去し、乾燥してＸ線透過膜を得る。周辺部に残
ったＳｉウエハは、Ｘ線マスクの支持台となる。
膜を塗布し、ホトリソグラフィの技術を用いてホトレジ
スト膜中央に開口部を設ける。この開口部よりＳｉウエ
ハを選択的にウェットエッチングすれば、ホトレジスト
膜開口部の底にＳｉＣ膜のみが残る。水洗後ホトレジス
ト膜を除去し、乾燥してＸ線透過膜を得る。周辺部に残
ったＳｉウエハは、Ｘ線マスクの支持台となる。
【００２３】図２では、下方から上方へ行く程、Ｘ線透
過膜であるＳｉＣ膜の厚みｔ1 が増大している。Ｘ線マ
スクと被写体とのアライメントに用いる光源を、Ｈｅ−
Ｎｅレーザの６３３ｎｍ線であるとして、膜厚ｔ1 に対
するその透過率が、図中点線で示されている。
過膜であるＳｉＣ膜の厚みｔ1 が増大している。Ｘ線マ
スクと被写体とのアライメントに用いる光源を、Ｈｅ−
Ｎｅレーザの６３３ｎｍ線であるとして、膜厚ｔ1 に対
するその透過率が、図中点線で示されている。
【００２４】６３３ｎｍに対するＳｉＣの屈折率２．６
３を用いれば、前記した反射率極小、すなわち透過率極
大の条件は、０．１２μｍの整数倍であることがわか
る。図２をみると、実際ＳｉＣの厚みｔ1 が０．１２μ
ｍの６倍である０．７２μｍ（図２中の１番下の図）、
７倍である０．８４μｍ（図２中の下から３番目の
図）、１５倍である１．８０μｍ（図２中の上から２番
目の図）において６３３ｎｍ線の透過率が極大値を示し
ていることがわかる。
３を用いれば、前記した反射率極小、すなわち透過率極
大の条件は、０．１２μｍの整数倍であることがわか
る。図２をみると、実際ＳｉＣの厚みｔ1 が０．１２μ
ｍの６倍である０．７２μｍ（図２中の１番下の図）、
７倍である０．８４μｍ（図２中の下から３番目の
図）、１５倍である１．８０μｍ（図２中の上から２番
目の図）において６３３ｎｍ線の透過率が極大値を示し
ていることがわかる。
【００２５】この条件からはずれた図２中の下から２番
目、上から３番目、１番上の図では、６３３ｎｍで透過
率は極大になっていない。このようなＸ線透過膜の最適
膜厚は、前記したように、成膜後のエッチングによって
も得ることが出来る。
目、上から３番目、１番上の図では、６３３ｎｍで透過
率は極大になっていない。このようなＸ線透過膜の最適
膜厚は、前記したように、成膜後のエッチングによって
も得ることが出来る。
【００２６】図３は、前記同様Ｓｉウエハ（１００）面
に減圧ＣＶＤ法で最初２μｍの厚みに堆積したＳｉＣ膜
の膜厚ｔを、ＣＦ4 −Ｏ2 系ガスによるドライエッチン
グによって所定の厚さ迄減らし、しかる後、ウエハ裏面
に開口部を設けてＳｉＣからなるＸ線透過膜を形成した
時の光透過率データを示す。
に減圧ＣＶＤ法で最初２μｍの厚みに堆積したＳｉＣ膜
の膜厚ｔを、ＣＦ4 −Ｏ2 系ガスによるドライエッチン
グによって所定の厚さ迄減らし、しかる後、ウエハ裏面
に開口部を設けてＳｉＣからなるＸ線透過膜を形成した
時の光透過率データを示す。
【００２７】ＳｉＣのドライエッチング条件は、表２に
示した。
示した。
【表２】 Ｈｅ−Ｎｅレーザの６３３ｎｍ線に対しては、０．１２
μｍの４倍の膜厚であるｔ1 ＝０．４８μｍ（図３中の
下から２番目）、５倍の膜厚であるｔ1 ＝０．６０μｍ
（図３中の下から３番目）、１５倍の膜厚であるｔ1 ＝
１．８０μｍ（図３中の上から２番目）の各図におい
て、極大透過率が得られており、これ以外の条件を満足
しない膜厚では透過率が極大値からはずれていることが
わかる。
μｍの４倍の膜厚であるｔ1 ＝０．４８μｍ（図３中の
下から２番目）、５倍の膜厚であるｔ1 ＝０．６０μｍ
（図３中の下から３番目）、１５倍の膜厚であるｔ1 ＝
１．８０μｍ（図３中の上から２番目）の各図におい
て、極大透過率が得られており、これ以外の条件を満足
しない膜厚では透過率が極大値からはずれていることが
わかる。
【００２８】さらに、本発明の別の実施例である反射防
止膜成形効果について実験した結果を示したのが、図４
である。この図のデータは、１．８μｍのＳｉＣ膜から
なるＸ線透過膜の両面に厚さ１０９．１ｎｍの反射防止
膜のＳｉＯ2 膜をスパッタ法で堆積した場合（点線デー
タ）と、１．８μｍのＳｉＣ膜のみの場合（実線デー
タ：図２中の上から２番目の図に対応する。）の光透過
率を比較したものである。
止膜成形効果について実験した結果を示したのが、図４
である。この図のデータは、１．８μｍのＳｉＣ膜から
なるＸ線透過膜の両面に厚さ１０９．１ｎｍの反射防止
膜のＳｉＯ2 膜をスパッタ法で堆積した場合（点線デー
タ）と、１．８μｍのＳｉＣ膜のみの場合（実線デー
タ：図２中の上から２番目の図に対応する。）の光透過
率を比較したものである。
【００２９】前記した反射防止膜に対する反射率極小条
件によれば、 λ＝４ｎ2 ｔ2 となる。ＳｉＯ2 において、λ＝６３３ｎｍ線に対する
屈折率はｎ2 ＝１．４５であるため、ｔ2 を１０９．１
ｎｍに選んだものである。
件によれば、 λ＝４ｎ2 ｔ2 となる。ＳｉＯ2 において、λ＝６３３ｎｍ線に対する
屈折率はｎ2 ＝１．４５であるため、ｔ2 を１０９．１
ｎｍに選んだものである。
【００３０】ＳｉＣの屈折率ｎ1 ＝２．６３とＳｉＯ2
の屈折率はｎ2 間で
の屈折率はｎ2 間で
【数２】 であるにもかかわらず、図４は反射防止膜の膜厚適正化
によって６３３ｎｍ光の透過率が２０％も高まることを
示している。
によって６３３ｎｍ光の透過率が２０％も高まることを
示している。
【００３１】以上の実施例では、Ｘ線透過膜用材料とし
てＳｉＣを用いた場合を述べたが、これ以外にもＢＮ，
Ｓｉ3 Ｎ4 或いはＣ（ダイアモンド）などの薄膜を用い
てもその屈折率に応じた適切な膜厚を選択すれば、同様
の光透過率向上効果が得られることは云うまでもない。
てＳｉＣを用いた場合を述べたが、これ以外にもＢＮ，
Ｓｉ3 Ｎ4 或いはＣ（ダイアモンド）などの薄膜を用い
てもその屈折率に応じた適切な膜厚を選択すれば、同様
の光透過率向上効果が得られることは云うまでもない。
【００３２】また上記実施例では、Ｘ線透過膜上にＸ線
吸収体を設けていないＸ線マスク材料について説明した
が、Ｘ線透過膜上にＸ線吸収体を設けて、アライメント
マークをパターン化したＸ線マスク材料あるいはＸ線マ
スクを用いても本実施例と同様の結果が得られる。
吸収体を設けていないＸ線マスク材料について説明した
が、Ｘ線透過膜上にＸ線吸収体を設けて、アライメント
マークをパターン化したＸ線マスク材料あるいはＸ線マ
スクを用いても本実施例と同様の結果が得られる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
所定の波長を有する位置検知光に対して、透過率を極大
迄改善したＸ線マスク材料が得られる。この結果、Ｘ線
マスクと被転写体とのアライメントを精密かつ速く行な
いうるので、Ｘ線リソグラフィの技術に資することが出
来る。
所定の波長を有する位置検知光に対して、透過率を極大
迄改善したＸ線マスク材料が得られる。この結果、Ｘ線
マスクと被転写体とのアライメントを精密かつ速く行な
いうるので、Ｘ線リソグラフィの技術に資することが出
来る。
【図１】本発明の原理説明図であり、（Ａ）はＸ線透過
膜単独の場合、（Ｂ）はＸ線透過膜上（片面）に反射防
止膜を形成した場合の入射光と反射光の関係を示す。
膜単独の場合、（Ｂ）はＸ線透過膜上（片面）に反射防
止膜を形成した場合の入射光と反射光の関係を示す。
【図２】実施例によるＳｉＣ膜からなるＸ線透過膜の光
透過率の膜厚依存性を示す図である。
透過率の膜厚依存性を示す図である。
【図３】他の実施例によるＳｉＣ膜からなるＸ線透過膜
の光透過率の膜厚依存性を示す図である。
の光透過率の膜厚依存性を示す図である。
【図４】さらに他の実施例によるＳｉＯ2 反射防止膜の
光透過率に与える影響を示す図である。
光透過率に与える影響を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に設けたＸ線透過膜を
含むＸ線マスク材料であって、 前記Ｘ線透過膜の膜厚ｔ1 を、 ｔ1 ＝ｍ1 λ／（２ｎ1 ） （ただし、ｎ1 はＸ線透過膜の波長λにおける屈折率、
ｍ1 は正の整数、λはアライメント検知光の波長であ
る）に設定することを特徴とするＸ線マスク材料。 - 【請求項２】 前記Ｘ線透過膜の片面または両面の一部
または全部に、厚みｔ2 が、 ｔ2 ＝ｍ2 λ／（４ｎ2 ） （ただし、ｎ2 は反射防止膜の波長λにおける屈折率、
ｍ2 は正の整数、λはアライメント検知光の波長であ
る）である反射防止膜を形成した、請求項１に記載のＸ
線マスク材料。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のＸ線透過膜上
にＸ線吸収体を設けたことを特徴とするＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24509092A JPH0697052A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | Ｘ線マスク材料及びそれを用いたｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24509092A JPH0697052A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | Ｘ線マスク材料及びそれを用いたｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697052A true JPH0697052A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17128462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24509092A Withdrawn JPH0697052A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | Ｘ線マスク材料及びそれを用いたｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697052A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280291A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Hoya Corp | Ｅｕｖ露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ露光用反射型マスク |
| WO2003071590A1 (fr) * | 2002-02-25 | 2003-08-28 | Sony Corporation | Procede de production d'un masque d'exposition, masque d'exposition et procede de production d'un dispositif a semi-conducteur |
| JP2005328066A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Magnachip Semiconductor Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサー |
| JP2009094396A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Tokyo Electron Ltd | 表面露光装置、表面露光方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2011009287A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Showa Shell Sekiyu Kk | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池 |
| US8501519B2 (en) | 2009-12-16 | 2013-08-06 | Showa Shell Sekiyu K.K. | Method of production of CIS-based thin film solar cell |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP24509092A patent/JPH0697052A/ja not_active Withdrawn
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| US7413831B2 (en) | 2002-02-25 | 2008-08-19 | Sony Corporation | Reflective exposure mask, and method for producing and using the same |
| JP2005328066A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Magnachip Semiconductor Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサー |
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|---|---|---|---|
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