JP2000019714A - ハーフトーン位相シフトマスク - Google Patents
ハーフトーン位相シフトマスクInfo
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- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 正確なマスクアラインメント処理を行うこと
ができる位相シフトマスクを提供すること。 【構成】 位相をシフトする位相シフトマスクであっ
て、第１面と第２面を有する透明基盤と、透明基盤の第
１面上に、第１面の一部分を露出して位相シフトマスク
のアラインメント用マークパターンを形成する為の第１
パターン層と、透明基盤の第２面上に、第２面の一部分
を露出して製造用の穴パターンを形成しマークパターン
を通過する光線も覆われるようにマークパターンを覆う
第２パターン層とを備えた。好ましくは、透明基盤が石
英又はガラスを有する。また第１パターン層が光を遮断
する材質、例えばクロムを有する。第２パターン層は、
光の位相を、例えば１８０度シフトすることのできる材
質を有する。第２パターン層は第２パターンのパターン
を変えている間には約３％から１０％の透過率を持ち、
位相シフトマスクアラインメント処理を行っている間に
は約５０％の透過率を有する。
ができる位相シフトマスクを提供すること。 【構成】 位相をシフトする位相シフトマスクであっ
て、第１面と第２面を有する透明基盤と、透明基盤の第
１面上に、第１面の一部分を露出して位相シフトマスク
のアラインメント用マークパターンを形成する為の第１
パターン層と、透明基盤の第２面上に、第２面の一部分
を露出して製造用の穴パターンを形成しマークパターン
を通過する光線も覆われるようにマークパターンを覆う
第２パターン層とを備えた。好ましくは、透明基盤が石
英又はガラスを有する。また第１パターン層が光を遮断
する材質、例えばクロムを有する。第２パターン層は、
光の位相を、例えば１８０度シフトすることのできる材
質を有する。第２パターン層は第２パターンのパターン
を変えている間には約３％から１０％の透過率を持ち、
位相シフトマスクアラインメント処理を行っている間に
は約５０％の透過率を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光リソグラフィー処
理、特に位相シフトマスク(ＰＳＭ)製造方法に関する。
理、特に位相シフトマスク(ＰＳＭ)製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路（ＩＣ）デバイスの集積度が増
加するにつれ、ＩＣデバイスを正確に製造するために高
い光分解能を有する光リソグラフィー技術が必要とされ
ている。高い光分解能の要求に応じる１つの方法とし
て、より短い波長を持った光源を使用することが提案さ
れている。例えばフッ化クリプトンは、２４８０オング
ストロームの波長を持った露光用の紫外線源である。光
源の波長が短くなるにつれて光源の光分解能は増加する
が、それに伴い光源の合焦深度が不十分になる。光分解
能を増加させる為のもう１つの方法として、位相シフト
マスクが光リソグラフィー処理において使用される。位
相シフトマスクを使用することは最近注目を集めてお
り、製造業者達は位相シフトマスクの研究開発に益々多
くの努力を注いでいる。
加するにつれ、ＩＣデバイスを正確に製造するために高
い光分解能を有する光リソグラフィー技術が必要とされ
ている。高い光分解能の要求に応じる１つの方法とし
て、より短い波長を持った光源を使用することが提案さ
れている。例えばフッ化クリプトンは、２４８０オング
ストロームの波長を持った露光用の紫外線源である。光
源の波長が短くなるにつれて光源の光分解能は増加する
が、それに伴い光源の合焦深度が不十分になる。光分解
能を増加させる為のもう１つの方法として、位相シフト
マスクが光リソグラフィー処理において使用される。位
相シフトマスクを使用することは最近注目を集めてお
り、製造業者達は位相シフトマスクの研究開発に益々多
くの努力を注いでいる。
【０００３】位相シフトマスクは通常のフォトマスクの
上に形成されたシフター層を有する。シフター層の上に
光線が投射されると、シフター層は光線の位相を反転さ
せる。位相シフトマスクが光線によって露光されると、
シフター層によって光線の位相が反転させられる。シフ
ター層に位相を反転させられた光線は他の光線と干渉す
る。その結果、半導体ウェハの上に露光されたパターン
はより高い分解能を有することになる。位相シフトマス
クの利点は、位相シフトマスクの製造方法が複雑であっ
たとしても、パターン分解能を増加させる為の新しい光
源を使って通常のフォトマスク上のパターン分解能に修
正を加える必要が無いということである。
上に形成されたシフター層を有する。シフター層の上に
光線が投射されると、シフター層は光線の位相を反転さ
せる。位相シフトマスクが光線によって露光されると、
シフター層によって光線の位相が反転させられる。シフ
ター層に位相を反転させられた光線は他の光線と干渉す
る。その結果、半導体ウェハの上に露光されたパターン
はより高い分解能を有することになる。位相シフトマス
クの利点は、位相シフトマスクの製造方法が複雑であっ
たとしても、パターン分解能を増加させる為の新しい光
源を使って通常のフォトマスク上のパターン分解能に修
正を加える必要が無いということである。
【０００４】ハーフトーン位相シフトマスク(ＨＴＰＳ
Ｍ)は通常、フォトリソグラフィー技術において穴パタ
ーンを形成する為に使用される。通常、ポジティブフォ
トレジストは穴パターンマスクを形成する為に使用され
るので、従来のＨＴＰＳＭは透明な基盤の上に形成され
た穴パターンを持ったシフター層を有する。このシフタ
ー層の透過係数は通常わずか３％から１０％あるので、
透過光の位相を１８０度シフト、つまり反転することが
できる。図１に示されるように、シフター層によって開
口１１０、１２０とシフター層の間の光コントラストが
増加し、そのためにパターン分解能が増加している。
Ｍ)は通常、フォトリソグラフィー技術において穴パタ
ーンを形成する為に使用される。通常、ポジティブフォ
トレジストは穴パターンマスクを形成する為に使用され
るので、従来のＨＴＰＳＭは透明な基盤の上に形成され
た穴パターンを持ったシフター層を有する。このシフタ
ー層の透過係数は通常わずか３％から１０％あるので、
透過光の位相を１８０度シフト、つまり反転することが
できる。図１に示されるように、シフター層によって開
口１１０、１２０とシフター層の間の光コントラストが
増加し、そのためにパターン分解能が増加している。
【０００５】図１は従来のＨＴＰＳＭを下から見た概略
図である。図２は図１に示される従来のＨＴＰＳＭを線
Ｉ−Ｉに沿って切断した断面図である。図１、２に示さ
れるように従来のＨＴＰＳＭは透明基盤１００とその上
に形成されたシフター層１０２を含む。透明基盤１００
は石英などの透明材質を含み、シフター層１０２はMoSi
ZOXNY、SiOXNYなどの材質を含む。開口１１０、１２０
は透明基盤１００を露光するためにシフター層１０２上
に形成されている。フォトリソグラフィー処理において
光線がＨＴＰＳＭを通過すると、開口１１０が穴パター
ンを形成し、開口１２０がレチクルアラインメントマー
ク(不図示)などの後の製造過程でのアラインメントに使
用されるアラインメントマークを形成する。
図である。図２は図１に示される従来のＨＴＰＳＭを線
Ｉ−Ｉに沿って切断した断面図である。図１、２に示さ
れるように従来のＨＴＰＳＭは透明基盤１００とその上
に形成されたシフター層１０２を含む。透明基盤１００
は石英などの透明材質を含み、シフター層１０２はMoSi
ZOXNY、SiOXNYなどの材質を含む。開口１１０、１２０
は透明基盤１００を露光するためにシフター層１０２上
に形成されている。フォトリソグラフィー処理において
光線がＨＴＰＳＭを通過すると、開口１１０が穴パター
ンを形成し、開口１２０がレチクルアラインメントマー
ク(不図示)などの後の製造過程でのアラインメントに使
用されるアラインメントマークを形成する。
【０００６】図３は露光されたウェハの線Ｉ−Ｉに沿っ
た光振幅分布を示す。図２、図３に示されるように、シ
フター層１０２は光の位相を１８０度シフトし、又、波
長３６５nmの赤外線や波長２４８nmの深紫外線（ＵＶ）
の露光に対して約３％から１０％の透過率を有する。ポ
ジティブ光振幅分布は開口１１０、１２０を通過する光
から得られ、ネガティブ光振幅分布はシフター層１０２
を通過する光から得られる。光強度はポジティブ光振幅
とネガティブ光振幅の和の２乗を取ることによって得ら
れる。ウェハ(不図示)上の光強度分布はいくつかの臨界
部においてネガティブ光振幅が差し引かれる分だけより
優れたパターン分解能を有することが期待される。シフ
ター層１０２上の開口１１０、１２０の境界端部の角の
部分において光の位相が急激に変化するので、其の部分
が臨界部となる。
た光振幅分布を示す。図２、図３に示されるように、シ
フター層１０２は光の位相を１８０度シフトし、又、波
長３６５nmの赤外線や波長２４８nmの深紫外線（ＵＶ）
の露光に対して約３％から１０％の透過率を有する。ポ
ジティブ光振幅分布は開口１１０、１２０を通過する光
から得られ、ネガティブ光振幅分布はシフター層１０２
を通過する光から得られる。光強度はポジティブ光振幅
とネガティブ光振幅の和の２乗を取ることによって得ら
れる。ウェハ(不図示)上の光強度分布はいくつかの臨界
部においてネガティブ光振幅が差し引かれる分だけより
優れたパターン分解能を有することが期待される。シフ
ター層１０２上の開口１１０、１２０の境界端部の角の
部分において光の位相が急激に変化するので、其の部分
が臨界部となる。
【０００７】シフター層１０２はパターン分解能を改善
させることができるが、マスクのアラインメントに関し
ては深刻な問題を引き起こす。従来、フォトマスクのア
ラインメントをする為に４８８ｎｍの波長を持った赤色
光レーザー、又は６３３ｎｍの波長を持った発光ダイオ
ードが使用される。これら２種類の光はシフター層１０
２において、５０％以上の透過率を有する。図４は露光
されたウェハの、図１における線I-Iに沿った光振幅分
布を示す。この場合、光源はフォトマスクをアラインメ
ントする為に使用される。図４において、ポジティブ光
振幅分布は開口１１０、１２０を通過する光から得られ
たものであり、ネガティブ光振幅分布はシフター層１０
２を通過する光から得られたものである。ポジティブ光
振幅とネガティブ光振幅の和の２乗を取り、オートグレ
インデバイスを通して自動的に光振幅を増幅した後は、
開口１２０の光コントラスト(不図示)は非常に弱くな
る。
させることができるが、マスクのアラインメントに関し
ては深刻な問題を引き起こす。従来、フォトマスクのア
ラインメントをする為に４８８ｎｍの波長を持った赤色
光レーザー、又は６３３ｎｍの波長を持った発光ダイオ
ードが使用される。これら２種類の光はシフター層１０
２において、５０％以上の透過率を有する。図４は露光
されたウェハの、図１における線I-Iに沿った光振幅分
布を示す。この場合、光源はフォトマスクをアラインメ
ントする為に使用される。図４において、ポジティブ光
振幅分布は開口１１０、１２０を通過する光から得られ
たものであり、ネガティブ光振幅分布はシフター層１０
２を通過する光から得られたものである。ポジティブ光
振幅とネガティブ光振幅の和の２乗を取り、オートグレ
インデバイスを通して自動的に光振幅を増幅した後は、
開口１２０の光コントラスト(不図示)は非常に弱くな
る。
【０００８】開口１２０の光コントラストが非常に弱く
なると、マスクをアラインメントすることが難しくな
り、場合によってはマスクをアラインメントすることが
不可能になる。これが、従来のＨＴＰＳＭの欠点であ
る。
なると、マスクをアラインメントすることが難しくな
り、場合によってはマスクをアラインメントすることが
不可能になる。これが、従来のＨＴＰＳＭの欠点であ
る。
【０００９】そこで本発明は、上記のマスクをアライン
メントする際に起こる問題を解決することを課題とす
る。
メントする際に起こる問題を解決することを課題とす
る。
【００１０】
【課題を解決する為の手段】このような課題を解決する
ために、本発明のハーフトーンＰＳＭは裏面マークパタ
ーンを有する。裏面マークパターンは、マークシグナル
のコントラストを増加して正確なマスクアラインメント
処理を行うことを容易にする。
ために、本発明のハーフトーンＰＳＭは裏面マークパタ
ーンを有する。裏面マークパターンは、マークシグナル
のコントラストを増加して正確なマスクアラインメント
処理を行うことを容易にする。
【００１１】本発明の上記及び他の目的によれば、裏面
マークパターン付きハーフトーンＰＳＭは前面と裏面を
持った透明基盤を含む。後の製造過程の為に前面にある
透明基盤上に製造パターンが形成される。マークパター
ンはマスクアラインメント用の透明基盤の境界の裏面に
形成される。MoSiZOXNY、SiOXNYなどの材質を含む製造
パターンは通過光の位相を１８０度シフトすることがで
き、マスクアラインメント用に４８８ｎｍの波長を持っ
た赤色光レーザー、又は６３３ｎｍの波長を持った発光
ダイオードに露光されたときに約５０％の透過率を有す
る。マークパターンはクロムなどの様な金属材質を含
み、通過光を完全に遮断することができる。オートグレ
インによる自動シグナル増幅の後、マークパターンの光
強度コントラストは十分に改善されるので、マスクアラ
インメントが正確に行われる。
マークパターン付きハーフトーンＰＳＭは前面と裏面を
持った透明基盤を含む。後の製造過程の為に前面にある
透明基盤上に製造パターンが形成される。マークパター
ンはマスクアラインメント用の透明基盤の境界の裏面に
形成される。MoSiZOXNY、SiOXNYなどの材質を含む製造
パターンは通過光の位相を１８０度シフトすることがで
き、マスクアラインメント用に４８８ｎｍの波長を持っ
た赤色光レーザー、又は６３３ｎｍの波長を持った発光
ダイオードに露光されたときに約５０％の透過率を有す
る。マークパターンはクロムなどの様な金属材質を含
み、通過光を完全に遮断することができる。オートグレ
インによる自動シグナル増幅の後、マークパターンの光
強度コントラストは十分に改善されるので、マスクアラ
インメントが正確に行われる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明による裏面ブラインド境界
アラインメントマーク付きのハーフトーンＰＳＭ(ＨＴ
ＰＳＭ)は透明基盤上の裏面と呼ばれる第１面と前面と
呼ばれる第２面に形成される。図５Ａは本発明の１つの
実施形態によるＨＴＰＳＭの概略図を裏面から見た図で
ある。図５Ｂは本発明の１つの実施形態によるＨＴＰＳ
Ｍの概略図を前面から見た図である。図５Ａにおいて石
英やガラスなどの透明材質を含む透明基盤７００は点線
で囲まれた内部領域７８０と斜線で示された境界領域７
７０とに分割されている。境界領域７７０は、マークパ
ターンを形成する為に使用され、内部領域７８０は製造
パターンを形成する為に使用される。クロムや金属など
の通常の光遮断材質を含む光遮断層７０４は境界領域７
７０内の裏面７５０上に形成されている。光遮断層７０
４上のマーク開口７２０は透明基盤７００の裏面７５０
を露出させる。マーク開口７２０はマスクアラインメン
ト用に使用され、レチクルアラインメントマークを含
む。通常、光遮断層７０４の光反射を減らし、光分解能
の低下を防ぐ為に光遮断層７０４が無反射層(不図示)で
覆われる。
アラインメントマーク付きのハーフトーンＰＳＭ(ＨＴ
ＰＳＭ)は透明基盤上の裏面と呼ばれる第１面と前面と
呼ばれる第２面に形成される。図５Ａは本発明の１つの
実施形態によるＨＴＰＳＭの概略図を裏面から見た図で
ある。図５Ｂは本発明の１つの実施形態によるＨＴＰＳ
Ｍの概略図を前面から見た図である。図５Ａにおいて石
英やガラスなどの透明材質を含む透明基盤７００は点線
で囲まれた内部領域７８０と斜線で示された境界領域７
７０とに分割されている。境界領域７７０は、マークパ
ターンを形成する為に使用され、内部領域７８０は製造
パターンを形成する為に使用される。クロムや金属など
の通常の光遮断材質を含む光遮断層７０４は境界領域７
７０内の裏面７５０上に形成されている。光遮断層７０
４上のマーク開口７２０は透明基盤７００の裏面７５０
を露出させる。マーク開口７２０はマスクアラインメン
ト用に使用され、レチクルアラインメントマークを含
む。通常、光遮断層７０４の光反射を減らし、光分解能
の低下を防ぐ為に光遮断層７０４が無反射層(不図示)で
覆われる。
【００１３】図５Ｂにおいて、シフター層７０２が前面
７０６上の透明基盤７００上に形成される。穴開口７１
０は前面７０６を露出する為に内部領域７８０内のシフ
ター層７０２上に形成される。シフター層７０２は、例
えば、１種のポジティブフォトレジストであり、前記の
様に通過光の位相を１８０度シフトする。シフター層７
０２はネガティブタイプにすることもできるが、本実施
形態においてはポジティブタイプのものが示されてい
る。シフター層７０２の材質には、例えばMoSiZO XNY、S
iOXNYなどが使用される。露光する際には、其の透過率
は３％から１０％である。
７０６上の透明基盤７００上に形成される。穴開口７１
０は前面７０６を露出する為に内部領域７８０内のシフ
ター層７０２上に形成される。シフター層７０２は、例
えば、１種のポジティブフォトレジストであり、前記の
様に通過光の位相を１８０度シフトする。シフター層７
０２はネガティブタイプにすることもできるが、本実施
形態においてはポジティブタイプのものが示されてい
る。シフター層７０２の材質には、例えばMoSiZO XNY、S
iOXNYなどが使用される。露光する際には、其の透過率
は３％から１０％である。
【００１４】図６は図５Ａと図５Ｂを重ね合わせた後、
裏面から見た平面図である。図６において、境界領域７
７０の下のシフター層７０２はマーク開口７２０内の領
域以外は見ることができない。光遮断層７０４は全光線
を遮断し、穴開口７１０は全光線を透過する。内部領域
７８０内のシフター層７０２の露出された領域とマーク
開口７２０は部分的に光を透過し、透過光の位相を反転
する。
裏面から見た平面図である。図６において、境界領域７
７０の下のシフター層７０２はマーク開口７２０内の領
域以外は見ることができない。光遮断層７０４は全光線
を遮断し、穴開口７１０は全光線を透過する。内部領域
７８０内のシフター層７０２の露出された領域とマーク
開口７２０は部分的に光を透過し、透過光の位相を反転
する。
【００１５】図７は図６に示された従来のＨＴＰＳＭの
概略図を線II-IIに沿って切断した断面図である。図８
は図６において露光されたウェハの線II−IIに沿った光
振幅分布を示す。図９は図６において光源がフォトマス
クアラインメント用に使用された場合の、露光されたウ
ェハの線II−IIに沿った光振幅分布を示す。
概略図を線II-IIに沿って切断した断面図である。図８
は図６において露光されたウェハの線II−IIに沿った光
振幅分布を示す。図９は図６において光源がフォトマス
クアラインメント用に使用された場合の、露光されたウ
ェハの線II−IIに沿った光振幅分布を示す。
【００１６】図７において、境界領域７７０内のマーク
開口７２０を有する光遮断層７０４は透明基盤７００の
裏面７５０上にある。穴開口７１０を持ったシフター層
７０２は、透明基盤７００の前面７６０上にある。光線
が裏面に入射して本発明のＨＴＰＳＭを通過し、半導体
ウェハ(不図示)に到達する。
開口７２０を有する光遮断層７０４は透明基盤７００の
裏面７５０上にある。穴開口７１０を持ったシフター層
７０２は、透明基盤７００の前面７６０上にある。光線
が裏面に入射して本発明のＨＴＰＳＭを通過し、半導体
ウェハ(不図示)に到達する。
【００１７】図７、図８において、本発明のＨＴＰＳＭ
が図３に示されたフォトリソグラフィー処理に使用され
る光源に露光されるとき、内部領域７５０内における光
振幅分布の強度は通常と同じである。このとき製造パタ
ーンの質は低下することなく維持される。
が図３に示されたフォトリソグラフィー処理に使用され
る光源に露光されるとき、内部領域７５０内における光
振幅分布の強度は通常と同じである。このとき製造パタ
ーンの質は低下することなく維持される。
【００１８】図７、図８において、本発明のＨＴＰＳＭ
が図３に示されたマスクアラインメント用光源に露光さ
れるとき、境界領域７７０内の光強度コントラストは図
４に示される従来の場合と比べてはるかに強い。光強度
は正の振幅と負の振幅の和の２乗を取ることによって得
られる。このときシフター層７０２は通常と同じ働きを
するが、光遮断層７０４は、マーク開口７２０以外の領
域に入射した光を遮断する。境界領域７７０に入射した
光線は完全又は部分的に遮断されるので、正の振幅は０
である。正の振幅が０であるので、境界領域７７０にお
いては光振幅から何も差し引かれず、光強度は低下しな
い。マーク開口７２０の光強度コントラストは従来の場
合よりも強い。マスクアラインメント用光源としては、
例えば、約５０％の透過率を有する４８８ｎｍの波長を
持った赤色光レーザー、又は６３３ｎｍの波長を持った
発光ダイオードが使用される。オートグレインデバイス
も光強度を増幅する為に使用される。マーク開口７２０
の強烈な光強度コントラストによりマスクアラインメン
トが容易で正確にできるようになる。以上のように、本
発明のＨＴＰＳＭは裏面マークパターンを持ち、其の機
能はマーク開口７２０付きの裏面７５０上の光遮断層７
０４によって作動する。マーク開口７２０はマスクアラ
インメント用に使用される。前面７６０上には穴開口７
１０付きのシフター層７０２が形成され、製造に使用さ
れる。光遮断層７０４は通過光を完全遮断し、シフター
層７０２はマスクアラインメント用光源に露光されてい
る間約５０％の光透過率を持ち、透過光の位相を１８０
度シフトする。従って、本発明のＨＴＰＳＭは開口７２
０上において強烈な光強度コントラストを持ち、マスク
アラインメント処理を容易にする。
が図３に示されたマスクアラインメント用光源に露光さ
れるとき、境界領域７７０内の光強度コントラストは図
４に示される従来の場合と比べてはるかに強い。光強度
は正の振幅と負の振幅の和の２乗を取ることによって得
られる。このときシフター層７０２は通常と同じ働きを
するが、光遮断層７０４は、マーク開口７２０以外の領
域に入射した光を遮断する。境界領域７７０に入射した
光線は完全又は部分的に遮断されるので、正の振幅は０
である。正の振幅が０であるので、境界領域７７０にお
いては光振幅から何も差し引かれず、光強度は低下しな
い。マーク開口７２０の光強度コントラストは従来の場
合よりも強い。マスクアラインメント用光源としては、
例えば、約５０％の透過率を有する４８８ｎｍの波長を
持った赤色光レーザー、又は６３３ｎｍの波長を持った
発光ダイオードが使用される。オートグレインデバイス
も光強度を増幅する為に使用される。マーク開口７２０
の強烈な光強度コントラストによりマスクアラインメン
トが容易で正確にできるようになる。以上のように、本
発明のＨＴＰＳＭは裏面マークパターンを持ち、其の機
能はマーク開口７２０付きの裏面７５０上の光遮断層７
０４によって作動する。マーク開口７２０はマスクアラ
インメント用に使用される。前面７６０上には穴開口７
１０付きのシフター層７０２が形成され、製造に使用さ
れる。光遮断層７０４は通過光を完全遮断し、シフター
層７０２はマスクアラインメント用光源に露光されてい
る間約５０％の光透過率を持ち、透過光の位相を１８０
度シフトする。従って、本発明のＨＴＰＳＭは開口７２
０上において強烈な光強度コントラストを持ち、マスク
アラインメント処理を容易にする。
【００１９】以上、本発明を１つの実施形態の例を使っ
て説明したが、本発明の適用範囲は上述の実施形態に限
定されるものではない。それとは逆に本発明の範囲は上
述の実施形態に様々な修正や変更を加えた形態や同様の
配置構成の形態を含む。従って、特許請求の範囲はこの
ような修正や変更を加えた形態や同様の配置構成の形態
を含む最も広義の解釈を与えられるべきものである。
て説明したが、本発明の適用範囲は上述の実施形態に限
定されるものではない。それとは逆に本発明の範囲は上
述の実施形態に様々な修正や変更を加えた形態や同様の
配置構成の形態を含む。従って、特許請求の範囲はこの
ような修正や変更を加えた形態や同様の配置構成の形態
を含む最も広義の解釈を与えられるべきものである。
【００２０】
【発明の効果】裏面ブラインド境界アラインメントマー
ク付きのハーフトーン位相シフトマスク(ＨＴＰＳＭ)
は、透明基盤の一面に望みのパターン付きのシフター層
と、透明基盤のもう一つの面にマーク開口付きの光遮断
層を有する。この場合、マーク開口を通過する光線はシ
フター層によって部分的に遮断されるので、マーク開口
内においては光振幅が減衰しない。
ク付きのハーフトーン位相シフトマスク(ＨＴＰＳＭ)
は、透明基盤の一面に望みのパターン付きのシフター層
と、透明基盤のもう一つの面にマーク開口付きの光遮断
層を有する。この場合、マーク開口を通過する光線はシ
フター層によって部分的に遮断されるので、マーク開口
内においては光振幅が減衰しない。
【図１】 従来のハーフトーン位相シフトマスクを下か
ら見た概略図である。
ら見た概略図である。
【図２】 図１に示された従来のハーフトーン位相シフ
トマスクの概略図を線I-Iに沿って切断した断面図であ
る。
トマスクの概略図を線I-Iに沿って切断した断面図であ
る。
【図３】 露光されたウェハの線Ｉ−Ｉに沿った光振幅
分布を示す。
分布を示す。
【図４】 光源がフォトマスクアラインメント用に使用
された場合の、露光されたウェハの、図１における線I-
Iに沿った光振幅分布を示す。
された場合の、露光されたウェハの、図１における線I-
Iに沿った光振幅分布を示す。
【図５】 Ａは本発明の１つの実施形態によるハーフト
ーン位相シフトマスクの概略図を裏面から見た図、Ｂは
本発明の１つの実施形態によるハーフトーン位相シフト
マスクの概略図を前面から見た図である。
ーン位相シフトマスクの概略図を裏面から見た図、Ｂは
本発明の１つの実施形態によるハーフトーン位相シフト
マスクの概略図を前面から見た図である。
【図６】 図５Ａと図５Ｂを重ね合わせた後、裏面から
見た平面図である。
見た平面図である。
【図７】 図６に示された従来のハーフトーン位相シフ
トマスクの概略図を線II-IIに沿って切断した断面図で
ある。
トマスクの概略図を線II-IIに沿って切断した断面図で
ある。
【図８】 図６において露光されたウェハの線II−IIに
沿った光振幅分布を示す。
沿った光振幅分布を示す。
【図９】 図６において光源がフォトマスクアラインメ
ント用に使用された場合の、露光されたウェハの線II−
IIに沿った光振幅分布を示す。
ント用に使用された場合の、露光されたウェハの線II−
IIに沿った光振幅分布を示す。
１００ 透明基板 １０２ シフター層 １１０ 開口 １２０ 開口 ７００ 透明基板 ７０２ シフター層 ７０４ 光遮断層 ７１０ 開口 ７２０ ７２０ ７５０ 裏面 ７６０ 全面 ７７０ 境界領域 ７８０ 内部領域
Claims (19)
- 【請求項１】 位相をシフトする位相シフトマスクであ
って、 第１面と第２面を有する透明基盤と、 前記透明基盤の前記第１面上に、前記第１面の一部分を
露出して前記位相シフトマスクのアラインメント用マー
クパターンを形成する為の第１パターン層と、 前記透明基盤の前記第２面上に、前記第２面の一部分を
露出して製造用の穴パターンを形成し前記マークパター
ンを通過する光線も覆われるように前記マークパターン
を覆う第２パターン層とを備えたことを特徴とする位相
シフトマスク。 - 【請求項２】 前記透明基盤が石英を有することを特徴
とする請求項１に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項３】 前記透明基盤がガラスを有することを特
徴とする請求項１に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項４】 前記第１パターン層が光を遮断する材質
を有することを特徴とする請求項１に記載の位相シフト
マスク。 - 【請求項５】 前記第１パターン層がクロムを有するこ
とを特徴とする請求項４に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項６】 前記第２パターン層が光の位相をシフト
することのできる材質を有することを特徴とする請求項
１に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項７】 前記第２パターン層が光の位相を１８０
度シフトすることができることを特徴とする請求項６に
記載の位相シフトマスク。 - 【請求項８】 前記第２パターン層が第２パターンのパ
ターンを変えている間には約３％から１０％の透過率を
持ち、位相シフトマスクアラインメント処理を行ってい
る間には約５０％の透過率を有することを特徴とする請
求項７に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項９】 前記第２パターン層がMoSiZOXNYを有す
ることを特徴とする請求項６に記載の位相シフトマス
ク。 - 【請求項１０】 前記第２パターン層がSiOXNYを有する
ことを特徴とする請求項６に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項１１】 前記マークパターンがレチクルアライ
ンメントマークを有することを特徴とする請求項１に記
載の位相シフトマスク。 - 【請求項１２】 位相をシフトする位相シフトマスクで
あって、 第１面と第２面を有する透明基盤と、 前記透明基盤の前記第１面上に、前記第１パターン層が
前記第１面の一部分を露出して前記位相シフトマスクの
アラインメント用マークパターンを形成できるようにす
る為の光遮断層と、 前記透明基盤の前記第２面上に、前記第２面の一部分を
露出して製造用の穴パターンを形成できるようにする為
のシフター層とを備えたことを特徴とする位相シフトマ
スク。 - 【請求項１３】 前記透明基盤が石英を有することを特
徴とする請求項１２に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項１４】 前記第１パターン層がクロムを有する
ことを特徴とする請求項１２に記載の位相シフトマス
ク。 - 【請求項１５】 前記シフター層が光の位相を１８０度
シフトすることを特徴とする請求項１２に記載の位相シ
フトマスク。 - 【請求項１６】 前記シフター層が前記第２パターンの
パターンを変えている間には約３％から１０％の透過率
を持ち、位相シフトマスクアラインメント処理を行って
いる間には約５０％の透過率を有することを特徴とする
請求項１５に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項１７】 前記第２パターン層がMoSiZOXNYを有
することを特徴とする請求項１５に記載の位相シフトマ
スク。 - 【請求項１８】 前記第２パターン層がSiOXNYを有する
ことを特徴とする請求項１４に記載の位相シフトマス
ク。 - 【請求項１９】 前記マークパターンがレチクルアライ
ンメントマークを有することを特徴とする請求項１２に
記載の位相シフトマスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW087110294A TW352420B (en) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | Back alignment mark for half tone phase shift mask |
| TW87110294 | 1998-06-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000019714A true JP2000019714A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=21630500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25786098A Pending JP2000019714A (ja) | 1998-06-25 | 1998-09-11 | ハーフトーン位相シフトマスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6048650A (ja) |
| JP (1) | JP2000019714A (ja) |
| TW (1) | TW352420B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020026848A (ko) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | 가네꼬 히사시 | 포토마스크 |
| JP2008252092A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィシステムおよびデバイス製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4053723B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | 露光用マスクの製造方法 |
| JP2005134666A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Hoya Corp | フォトマスク及び映像デバイスの製造方法 |
| JP2007304369A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Elpida Memory Inc | フォトマスク |
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| US7754395B2 (en) * | 2007-05-17 | 2010-07-13 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming and using reticles |
| CN101661218B (zh) * | 2008-08-28 | 2012-06-13 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 透明光掩模的制备方法 |
| WO2013066300A1 (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | Intel Corporation | A getter reticle |
| KR102145884B1 (ko) * | 2012-12-24 | 2020-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레티클, 이를 포함하는 노광 장치, 및 노광 방법 |
| CN105093838B (zh) * | 2014-05-09 | 2018-09-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种防止曝光系统中半影入射光掩模的方法及结构 |
| CN110148606B (zh) * | 2018-04-18 | 2021-03-02 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5387484A (en) * | 1992-07-07 | 1995-02-07 | International Business Machines Corporation | Two-sided mask for patterning of materials with electromagnetic radiation |
| US5929997A (en) * | 1997-07-02 | 1999-07-27 | Winbond Electronics Corp. | Alignment-mark measurements on the backside of a wafer for synchronous wafer alignment |
-
1998
- 1998-06-25 TW TW087110294A patent/TW352420B/zh active
- 1998-08-25 US US09/139,487 patent/US6048650A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-11 JP JP25786098A patent/JP2000019714A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020026848A (ko) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | 가네꼬 히사시 | 포토마스크 |
| JP2008252092A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィシステムおよびデバイス製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6048650A (en) | 2000-04-11 |
| TW352420B (en) | 1999-02-11 |
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