JPH0851056A - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
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- JPH0851056A JPH0851056A JP18595194A JP18595194A JPH0851056A JP H0851056 A JPH0851056 A JP H0851056A JP 18595194 A JP18595194 A JP 18595194A JP 18595194 A JP18595194 A JP 18595194A JP H0851056 A JPH0851056 A JP H0851056A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 縁取りＸ線吸収体パタンの膜厚および縁取り
Ｘ線吸収体パタンのエッジ形状を厳密かつ高精度に制御
する。 【構成】 シリコン基板１のメンブレン膜２上にＴｉ層
３，ＳｉＯ2 膜４，ＳｉＮ膜５の順序で膜形成した後、
ＳｉＮ膜５上にレジスト膜６を塗布し、パタン描画を行
い、レジストパタンをＳｉＯ2 膜４およびＳｉＮ膜５の
エッチングマスクとして異方性エッチングを行い、引き
続き、等方性エッチングによりＳｉＯ2 膜４のみをパタ
ンエッジから一定幅だけ除去した後、ＳｉＯ2 膜４およ
びＳｉＮ膜５をＸ線吸収体材料の選択成長のための鋳型
パタンとして形成し、Ｘ線吸収体材料となるＷを選択成
長させた後、ＳｉＯ2 膜４およびＳｉＮ膜５を除去する
ことにより、Ｘ線吸収体パタンの輪郭部に一定幅で膜厚
の薄い縁取り部１５を有するＷ吸収体孤立残しパタン１
３，１４をセルフアライメントで高精度に形成する。
Ｘ線吸収体パタンのエッジ形状を厳密かつ高精度に制御
する。 【構成】 シリコン基板１のメンブレン膜２上にＴｉ層
３，ＳｉＯ2 膜４，ＳｉＮ膜５の順序で膜形成した後、
ＳｉＮ膜５上にレジスト膜６を塗布し、パタン描画を行
い、レジストパタンをＳｉＯ2 膜４およびＳｉＮ膜５の
エッチングマスクとして異方性エッチングを行い、引き
続き、等方性エッチングによりＳｉＯ2 膜４のみをパタ
ンエッジから一定幅だけ除去した後、ＳｉＯ2 膜４およ
びＳｉＮ膜５をＸ線吸収体材料の選択成長のための鋳型
パタンとして形成し、Ｘ線吸収体材料となるＷを選択成
長させた後、ＳｉＯ2 膜４およびＳｉＮ膜５を除去する
ことにより、Ｘ線吸収体パタンの輪郭部に一定幅で膜厚
の薄い縁取り部１５を有するＷ吸収体孤立残しパタン１
３，１４をセルフアライメントで高精度に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線透過性膜上にパタ
ン化されたＸ線吸収体膜が形成されている構造を有する
Ｘ線露光用マスクの製造方法に関するものである。
ン化されたＸ線吸収体膜が形成されている構造を有する
Ｘ線露光用マスクの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にＸ線露光に用いられるＸ線マスク
は、Ｘ線を良好に透過するメンブレン膜上にＸ線を吸収
するＸ線吸収体膜からなるＸ線吸収体パタンを形成して
作製されている。
は、Ｘ線を良好に透過するメンブレン膜上にＸ線を吸収
するＸ線吸収体膜からなるＸ線吸収体パタンを形成して
作製されている。
【０００３】従来のドライエッチング技術を用いたＸ線
露光用マスクの製造方法の一例を簡単に説明する。先
ず、シリコン（Ｓｉ）基板の両面に窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎ）のメンブレン膜を減圧ＣＶＤ法により約２μｍの膜
厚に形成した後、タンタル（Ｔａ）のＸ線吸収体膜をス
パッタリング法により約０．６５μｍの膜厚に形成し、
引き続き、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）層をＥＣＲ法に
より約０．２μｍの膜厚に形成する。
露光用マスクの製造方法の一例を簡単に説明する。先
ず、シリコン（Ｓｉ）基板の両面に窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎ）のメンブレン膜を減圧ＣＶＤ法により約２μｍの膜
厚に形成した後、タンタル（Ｔａ）のＸ線吸収体膜をス
パッタリング法により約０．６５μｍの膜厚に形成し、
引き続き、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）層をＥＣＲ法に
より約０．２μｍの膜厚に形成する。
【０００４】次にこのシリコン基板上にＥＢ（電子ビー
ム）レジストを塗布し、ＥＢ露光装置によりパタン描画
を行い、異方性ドライエッチング（ＲＩＥ）法により前
述したレジストパタンをＳｉＯ2 パタンに変換し、さら
にこのＳｉＯ2 パタンをエッチングマスクとしてＲＩＥ
法によりＴａのＸ線吸収体パタンを形成する。最後にこ
のシリコン基板の裏側よりＳｉＮ膜をエッチングマスク
としてウェットエッチングを行い、シリコン基板にメン
ブレン窓を形成して工程を終了する。この最後の工程を
バックエッチング工程と呼ぶが、このバックエッチング
をパタンニングに先行して行う場合と、最後に行う場合
とがある。
ム）レジストを塗布し、ＥＢ露光装置によりパタン描画
を行い、異方性ドライエッチング（ＲＩＥ）法により前
述したレジストパタンをＳｉＯ2 パタンに変換し、さら
にこのＳｉＯ2 パタンをエッチングマスクとしてＲＩＥ
法によりＴａのＸ線吸収体パタンを形成する。最後にこ
のシリコン基板の裏側よりＳｉＮ膜をエッチングマスク
としてウェットエッチングを行い、シリコン基板にメン
ブレン窓を形成して工程を終了する。この最後の工程を
バックエッチング工程と呼ぶが、このバックエッチング
をパタンニングに先行して行う場合と、最後に行う場合
とがある。
【０００５】従来、前述したドライエッチング技術によ
るＸ線露光用マスクの製造方法では、パタンの形状とし
て平面的には設計パタンに一致し、垂直方向には矩形状
のＸ線吸収体パタンを形成していた。しかし、１：１の
等倍近接露光を用いた前記Ｘ線露光用マスクのパタン転
写においては、パタンが微細化すると、Ｘ線の回折およ
び相互干渉の影響で解像性が劣化するため、問題となっ
ていた。
るＸ線露光用マスクの製造方法では、パタンの形状とし
て平面的には設計パタンに一致し、垂直方向には矩形状
のＸ線吸収体パタンを形成していた。しかし、１：１の
等倍近接露光を用いた前記Ｘ線露光用マスクのパタン転
写においては、パタンが微細化すると、Ｘ線の回折およ
び相互干渉の影響で解像性が劣化するため、問題となっ
ていた。
【０００６】このような問題を解決するためにＸ線吸収
体パタンのうち、平面的サイズの小さなパタンに対応す
るＸ線吸収体膜の膜厚を平面的サイズの大きなパタン対
応するＸ線吸収体膜の膜厚よりも薄く形成したＸ線露光
用マスクが提案されている（特開平４−３２２４１９号
公報）。
体パタンのうち、平面的サイズの小さなパタンに対応す
るＸ線吸収体膜の膜厚を平面的サイズの大きなパタン対
応するＸ線吸収体膜の膜厚よりも薄く形成したＸ線露光
用マスクが提案されている（特開平４−３２２４１９号
公報）。
【０００７】しかし、同一マスク内に様々な寸法のパタ
ンが混在するＸ線露光用マスクを製造する場合、マスク
パタンのパタン寸法に応じてＸ線吸収体膜の膜厚を変え
ることが困難であった。このような問題を解決するため
にＸ線吸収体パタンのパタンエッジに縁取り部を設けた
位相シフトＸ線露光用マスクが提案されている（特開平
５−１３３１０号公報）。
ンが混在するＸ線露光用マスクを製造する場合、マスク
パタンのパタン寸法に応じてＸ線吸収体膜の膜厚を変え
ることが困難であった。このような問題を解決するため
にＸ線吸収体パタンのパタンエッジに縁取り部を設けた
位相シフトＸ線露光用マスクが提案されている（特開平
５−１３３１０号公報）。
【０００８】このようなＸ線露光用マスクを従来のマス
ク製造方法にしたがって形成する場合、前述したＳｉＯ
2 パタンをエッチングマスクとしてＲＩＥ法を用いてＸ
線吸収体パタンを形成した後、新たに等方性エッチング
を用いてＸ線吸収体パタンのパタンエッジから一定幅の
ＳｉＯ2 膜を除去し、再度、ＲＩＥ法を用いてＸ線吸収
体膜を一定の深さまでの途中止めエッチングを行うこと
により、Ｘ線吸収体パタンの輪郭部に一定幅のＸ線吸収
体膜の膜厚が薄い縁取り部をセルフアライメント法で形
成するという製造方法が提案されていた。
ク製造方法にしたがって形成する場合、前述したＳｉＯ
2 パタンをエッチングマスクとしてＲＩＥ法を用いてＸ
線吸収体パタンを形成した後、新たに等方性エッチング
を用いてＸ線吸収体パタンのパタンエッジから一定幅の
ＳｉＯ2 膜を除去し、再度、ＲＩＥ法を用いてＸ線吸収
体膜を一定の深さまでの途中止めエッチングを行うこと
により、Ｘ線吸収体パタンの輪郭部に一定幅のＸ線吸収
体膜の膜厚が薄い縁取り部をセルフアライメント法で形
成するという製造方法が提案されていた。
【０００９】このような製造方法によれば、同一マスク
内で平面的サイズの大きなＸ線吸収体パタンは、前述し
た縁取り部を有し、平面的サイズの小さなＸ線吸収体パ
タンは全体に薄膜のＸ線吸収体膜で形成された構造のＸ
線マスクとなる。
内で平面的サイズの大きなＸ線吸収体パタンは、前述し
た縁取り部を有し、平面的サイズの小さなＸ線吸収体パ
タンは全体に薄膜のＸ線吸収体膜で形成された構造のＸ
線マスクとなる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たＸ線吸収体パタンの縁取り部の形成方法では、ＲＩＥ
法を用いてＸ線吸収体膜を一定の深さまで途中止めエッ
チングを行うために縁取りＸ線吸収体の膜厚制御が困難
であった。また、縁取り部形成のためにＲＩＥ法による
２度目のＸ線吸収体膜エッチング時にＸ線吸収体膜の側
壁部にエッチング残渣が生じる問題と、縁取りＸ線吸収
体膜の膜厚が不均一に形成される問題とがあった。
たＸ線吸収体パタンの縁取り部の形成方法では、ＲＩＥ
法を用いてＸ線吸収体膜を一定の深さまで途中止めエッ
チングを行うために縁取りＸ線吸収体の膜厚制御が困難
であった。また、縁取り部形成のためにＲＩＥ法による
２度目のＸ線吸収体膜エッチング時にＸ線吸収体膜の側
壁部にエッチング残渣が生じる問題と、縁取りＸ線吸収
体膜の膜厚が不均一に形成される問題とがあった。
【００１１】このため、従来方法で製造した位相シフト
Ｘ線露光用マスクを用いると、縁取りＸ線吸収体膜の側
壁エッチング残渣および縁取りＸ線吸収体膜の膜厚不均
一性に起因するＸ線回折と相互干渉の影響で実効的な露
光コントラストが低下するという問題があった。
Ｘ線露光用マスクを用いると、縁取りＸ線吸収体膜の側
壁エッチング残渣および縁取りＸ線吸収体膜の膜厚不均
一性に起因するＸ線回折と相互干渉の影響で実効的な露
光コントラストが低下するという問題があった。
【００１２】したがって本発明は、前述した従来の課題
を解決するためになされたものであり、その目的は、縁
取り部を有する位相シフトＸ線露光用マスクの製造にお
いて、縁取りＸ線吸収体パタンの膜厚および縁取りＸ線
吸収体パタンのエッジ形状を厳密かつ高精度に制御する
ことを可能とするＸ線露光用マスクの製造方法を提供す
ることにある。
を解決するためになされたものであり、その目的は、縁
取り部を有する位相シフトＸ線露光用マスクの製造にお
いて、縁取りＸ線吸収体パタンの膜厚および縁取りＸ線
吸収体パタンのエッジ形状を厳密かつ高精度に制御する
ことを可能とするＸ線露光用マスクの製造方法を提供す
ることにある。
【００１３】また、本発明の他の目的は、同一Ｘ線マス
ク内に様々な寸法のパタンが混在する場合においても、
簡単なプロセスで微細パタンに対してはＸ線吸収体膜の
膜厚を薄く、大きいパタンに対してはＸ線吸収体膜の膜
厚を厚く形成することを可能とするＸ線露光用マスクの
製造方法を提供することにある。
ク内に様々な寸法のパタンが混在する場合においても、
簡単なプロセスで微細パタンに対してはＸ線吸収体膜の
膜厚を薄く、大きいパタンに対してはＸ線吸収体膜の膜
厚を厚く形成することを可能とするＸ線露光用マスクの
製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明では、シリコン基板にＸ線を透過するメ
ンブレン膜を形成した後、Ｘ線吸収体材料を選択成長さ
せるための金属膜，後工程で側壁を等方性エッチングで
削られる第１の堆積膜，後工程の等方性エッチングに耐
え得る第２の堆積膜の順序で膜形成した後、シリコン基
板上にレジストを塗布し、パタン描画を行い、レジスト
パタンを、前記第１の堆積膜および第２の堆積膜のエッ
チングマスクとして異方性エッチングを行い、引き続き
等方性エッチングを用いて第１の堆積膜のみをパタンエ
ッジから一定幅だけ除去した後、前記第１の堆積膜およ
び第２の堆積膜をＸ線吸収体材料の選択成長のための鋳
型パタンとして形成し、Ｘ線吸収体材料となる金属を選
択成長させた後、第１の堆積膜および第２の堆積膜を除
去することにより、Ｘ線吸収体パタンの輪郭部に一定幅
で膜厚の薄い縁取り部を有するＸ線吸収体膜をセルフア
ライメントで高精度に形成する。
るために本発明では、シリコン基板にＸ線を透過するメ
ンブレン膜を形成した後、Ｘ線吸収体材料を選択成長さ
せるための金属膜，後工程で側壁を等方性エッチングで
削られる第１の堆積膜，後工程の等方性エッチングに耐
え得る第２の堆積膜の順序で膜形成した後、シリコン基
板上にレジストを塗布し、パタン描画を行い、レジスト
パタンを、前記第１の堆積膜および第２の堆積膜のエッ
チングマスクとして異方性エッチングを行い、引き続き
等方性エッチングを用いて第１の堆積膜のみをパタンエ
ッジから一定幅だけ除去した後、前記第１の堆積膜およ
び第２の堆積膜をＸ線吸収体材料の選択成長のための鋳
型パタンとして形成し、Ｘ線吸収体材料となる金属を選
択成長させた後、第１の堆積膜および第２の堆積膜を除
去することにより、Ｘ線吸収体パタンの輪郭部に一定幅
で膜厚の薄い縁取り部を有するＸ線吸収体膜をセルフア
ライメントで高精度に形成する。
【００１５】また、他の発明では、Ｘ線吸収体材料の選
択成長の際にマイクロローディング効果を利用すること
により微細パタンに対してＸ線吸収体膜の膜厚を薄く、
大きいパタンに対してはＸ線吸収体膜の膜厚を厚く形成
する。
択成長の際にマイクロローディング効果を利用すること
により微細パタンに対してＸ線吸収体膜の膜厚を薄く、
大きいパタンに対してはＸ線吸収体膜の膜厚を厚く形成
する。
【００１６】
【作用】本発明においては、Ｘ線吸収体パタンの輪郭部
にＸ線吸収体膜の膜厚の薄い一定幅の縁取りパタンが簡
単なプロセスで形成でき、縁取りパタン形状に関しても
厳密な制御が可能となる。また、微細パタンに対しては
Ｘ線吸収体膜の膜厚を薄く、大きいパタンに対しては膜
厚を厚く形成することが可能となり、Ｘ線近接露光にお
ける実効的露光コントラストを改善でき、解像性の高い
Ｘ線露光用マスクが得られる。
にＸ線吸収体膜の膜厚の薄い一定幅の縁取りパタンが簡
単なプロセスで形成でき、縁取りパタン形状に関しても
厳密な制御が可能となる。また、微細パタンに対しては
Ｘ線吸収体膜の膜厚を薄く、大きいパタンに対しては膜
厚を厚く形成することが可能となり、Ｘ線近接露光にお
ける実効的露光コントラストを改善でき、解像性の高い
Ｘ線露光用マスクが得られる。
【００１７】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。図１〜図１０は、本発明によるＸ線露光用マ
スクの製造方法の一実施例を説明する各工程における断
面図を示したものである。図１において、先ず、例えば
厚さ約２ｍｍのシリコン基板１の表裏の両面に窒化シリ
コン（ＳｉＮ）のメンブレン膜２を減圧ＣＶＤ（化学気
相成長）法により約２μｍの膜厚に形成した。
説明する。図１〜図１０は、本発明によるＸ線露光用マ
スクの製造方法の一実施例を説明する各工程における断
面図を示したものである。図１において、先ず、例えば
厚さ約２ｍｍのシリコン基板１の表裏の両面に窒化シリ
コン（ＳｉＮ）のメンブレン膜２を減圧ＣＶＤ（化学気
相成長）法により約２μｍの膜厚に形成した。
【００１８】次に図２に示すようにシリコン基板１の表
面側のメンブレン膜２上に後工程でＸ線吸収体材料とな
るタングステン（Ｗ）を選択成長させるための下地膜と
なる金属膜としてチタン（Ｔｉ）層３をスパッタリング
法により約１０ｎｍの膜厚に形成した。さらに図３に示
すようにこのＴｉ層３上に第１の堆積膜として二酸化シ
リコン（ＳｉＯ2 ）膜４をＥＣＲ法により約０．３μｍ
の膜厚に形成した。
面側のメンブレン膜２上に後工程でＸ線吸収体材料とな
るタングステン（Ｗ）を選択成長させるための下地膜と
なる金属膜としてチタン（Ｔｉ）層３をスパッタリング
法により約１０ｎｍの膜厚に形成した。さらに図３に示
すようにこのＴｉ層３上に第１の堆積膜として二酸化シ
リコン（ＳｉＯ2 ）膜４をＥＣＲ法により約０．３μｍ
の膜厚に形成した。
【００１９】引き続き、図４に示すようにこのＳｉＯ2
膜４上に第２の堆積膜としてＳｉＮ膜５をＣＶＤ法によ
り約０．３μｍの膜厚に形成した。次に図５に示すよう
にこのＳｉＮ膜５上にＥＢ（電子ビーム）ポジ型レジス
ト膜６を約０．３５μｍの膜厚に塗布し、ＥＢ露光法に
よりパタン描画を行い、現像を行った。描画したパタン
は、寸法が約０．０４μｍの平面的サイズの小さな孤立
抜きパタン７および寸法約０．２４μｍの平面的サイズ
の大きな孤立抜きパタン８である。
膜４上に第２の堆積膜としてＳｉＮ膜５をＣＶＤ法によ
り約０．３μｍの膜厚に形成した。次に図５に示すよう
にこのＳｉＮ膜５上にＥＢ（電子ビーム）ポジ型レジス
ト膜６を約０．３５μｍの膜厚に塗布し、ＥＢ露光法に
よりパタン描画を行い、現像を行った。描画したパタン
は、寸法が約０．０４μｍの平面的サイズの小さな孤立
抜きパタン７および寸法約０．２４μｍの平面的サイズ
の大きな孤立抜きパタン８である。
【００２０】次にこれらの孤立抜きパタン７，８が形成
されたレジスト膜６をエッチングマスクとして異方性ド
ライエッチング（ＲＩＥ）法によりこれらの孤立抜きパ
タン７および孤立抜きパタン８を図６に示すように平面
的サイズの小さなＳｉＯ2 ／ＳｉＮパタン９および平面
的サイズの大きなＳｉＯ2 ／ＳｉＮパタン１０に変換
し、その後、レジスト膜６を剥離した。
されたレジスト膜６をエッチングマスクとして異方性ド
ライエッチング（ＲＩＥ）法によりこれらの孤立抜きパ
タン７および孤立抜きパタン８を図６に示すように平面
的サイズの小さなＳｉＯ2 ／ＳｉＮパタン９および平面
的サイズの大きなＳｉＯ2 ／ＳｉＮパタン１０に変換
し、その後、レジスト膜６を剥離した。
【００２１】引き続き、これを２．５％弗酸（ＨＦ）溶
液に約３０秒間浸漬し、ＳｉＯ2 膜４の等方性エッチン
グを行い、図７に示すように後工程でＸ線吸収体材料と
なるタングステン（Ｗ）を選択成長させるための平面的
サイズの小さなＳｉＯ2 ／ＳｉＮパタン１１および平面
的サイズの大きなＳｉＯ2 ／ＳｉＮパタン１２を形成し
た。なお、ＳｉＯ2 膜４の横方法のエッチング幅は、パ
タンエッジから約０．０３μｍに制御した。また、ＨＦ
溶液によるＳｉＯ2 とＳｉＮとのエッチング選択比は約
２０であった。
液に約３０秒間浸漬し、ＳｉＯ2 膜４の等方性エッチン
グを行い、図７に示すように後工程でＸ線吸収体材料と
なるタングステン（Ｗ）を選択成長させるための平面的
サイズの小さなＳｉＯ2 ／ＳｉＮパタン１１および平面
的サイズの大きなＳｉＯ2 ／ＳｉＮパタン１２を形成し
た。なお、ＳｉＯ2 膜４の横方法のエッチング幅は、パ
タンエッジから約０．０３μｍに制御した。また、ＨＦ
溶液によるＳｉＯ2 とＳｉＮとのエッチング選択比は約
２０であった。
【００２２】次に前述したエッチング後にＷＦ6 を原料
ガスにしたＣＶＤ法によりＸ線吸収体材料となるＷ膜
を、ＷＦ6 ガス流量約６ｓｃｃｍ，ＳｉＨ4 （シラン）
流量約１０００ｓｃｃｍ，圧力約０．１Ｔｏｒｒ，基板
温度約３５０℃，約３６０秒間の条件でシラン還元法に
より選択成長させた。
ガスにしたＣＶＤ法によりＸ線吸収体材料となるＷ膜
を、ＷＦ6 ガス流量約６ｓｃｃｍ，ＳｉＨ4 （シラン）
流量約１０００ｓｃｃｍ，圧力約０．１Ｔｏｒｒ，基板
温度約３５０℃，約３６０秒間の条件でシラン還元法に
より選択成長させた。
【００２３】このＸ線吸収体材料としてのＷ膜の選択成
長において、マイクロローディング効果を用い、エッチ
ング雰囲気および成長時間を制御することにより、前述
したＸ線吸収体パタンのうち、平面的サイズの小さな孤
立抜きパタン７に対応するＸ線吸収体膜の膜厚が、平面
的サイズの大きな孤立抜きパタン８に対応するＸ線吸収
体膜の膜厚よりも薄く形成した。
長において、マイクロローディング効果を用い、エッチ
ング雰囲気および成長時間を制御することにより、前述
したＸ線吸収体パタンのうち、平面的サイズの小さな孤
立抜きパタン７に対応するＸ線吸収体膜の膜厚が、平面
的サイズの大きな孤立抜きパタン８に対応するＸ線吸収
体膜の膜厚よりも薄く形成した。
【００２４】選択成長したＷパタンは、図８に示すよう
にパタン輪郭部において幅約０．０３μｍ，膜厚約０．
３μｍの縁取り部１５を有する寸法約０．１μｍ，膜厚
約０．４μｍの孤立残しパタン１３および寸法約０．３
μｍ，膜厚約０．７μｍの孤立残しパタン１４として形
成できた。
にパタン輪郭部において幅約０．０３μｍ，膜厚約０．
３μｍの縁取り部１５を有する寸法約０．１μｍ，膜厚
約０．４μｍの孤立残しパタン１３および寸法約０．３
μｍ，膜厚約０．７μｍの孤立残しパタン１４として形
成できた。
【００２５】その後、ＳｉＯ2 膜４およびＳｉＮ膜５を
リフトオフ法により除去することにより、図９に示すよ
うにＸ線吸収体パタン輪郭部に一定幅で膜厚の薄い縁取
り部１５を有する平面的サイズの小さなＷ吸収体孤立残
しパタン１３および平面的サイズの大きなＷ吸収体孤立
残しパタン１４からなるＸ線吸収体膜を形成した。
リフトオフ法により除去することにより、図９に示すよ
うにＸ線吸収体パタン輪郭部に一定幅で膜厚の薄い縁取
り部１５を有する平面的サイズの小さなＷ吸収体孤立残
しパタン１３および平面的サイズの大きなＷ吸収体孤立
残しパタン１４からなるＸ線吸収体膜を形成した。
【００２６】次に図１０図に示すようにシリコン基板１
の裏面側に形成されているＳｉＮメンブレン膜２の主要
部をＲＩＥ法によりエッチングし、このエッチングされ
たＳｉＮメンブレン膜２をエッチングマスクとしてＫＯ
Ｈ水溶液を用いたウェットエッチング法によりシリコン
基板１にパタン領域としてのメンブレン窓１６を形成
し、最後にこのシリコン基板１をパイレックス板１７に
接着して位相シフトＸ線マスクの製造工程を終了した。
の裏面側に形成されているＳｉＮメンブレン膜２の主要
部をＲＩＥ法によりエッチングし、このエッチングされ
たＳｉＮメンブレン膜２をエッチングマスクとしてＫＯ
Ｈ水溶液を用いたウェットエッチング法によりシリコン
基板１にパタン領域としてのメンブレン窓１６を形成
し、最後にこのシリコン基板１をパイレックス板１７に
接着して位相シフトＸ線マスクの製造工程を終了した。
【００２７】なお、前述した実施例においては、Ｘ線吸
収材料としてＷを用いた例について説明したが、選択成
長が可能な他の金属材料でも本発明が適用できることは
明かである。
収材料としてＷを用いた例について説明したが、選択成
長が可能な他の金属材料でも本発明が適用できることは
明かである。
【００２８】また、前述した実施例においては、選択成
長の鋳型パタンとしてＳｉＮ／ＳｉＯ2 の構成を用いた
が、等方性エッチングに対して選択比のとれる他の材料
の組み合わせに置き換えることも可能である。
長の鋳型パタンとしてＳｉＮ／ＳｉＯ2 の構成を用いた
が、等方性エッチングに対して選択比のとれる他の材料
の組み合わせに置き換えることも可能である。
【００２９】さらに前述した実施例においては、ＳｉＯ
2 の等方性エッチングとしてウェットエッチングを使用
した例を示したが、等方性ドライエッチングに置き換え
られることは言うまでもない。
2 の等方性エッチングとしてウェットエッチングを使用
した例を示したが、等方性ドライエッチングに置き換え
られることは言うまでもない。
【００３０】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
従来の縁取りＸ線吸収体膜の膜厚が不均一に形成される
問題が全面的に解決でき、縁取りＸ線吸収体膜の幅およ
び膜厚制御が容易となる効果が得られる。また、Ｘ線吸
収体膜の側壁部にエッチング残渣が生じる問題も解決で
き、縁取りパタン形成を高精度に制御することが可能と
なる。
従来の縁取りＸ線吸収体膜の膜厚が不均一に形成される
問題が全面的に解決でき、縁取りＸ線吸収体膜の幅およ
び膜厚制御が容易となる効果が得られる。また、Ｘ線吸
収体膜の側壁部にエッチング残渣が生じる問題も解決で
き、縁取りパタン形成を高精度に制御することが可能と
なる。
【００３１】さらにＸ線吸収体材料となる金属の選択成
長を行うことにより、微細パタンに対してはＸ線吸収体
膜の膜厚を薄く、大きいパタンに対してはＸ線吸収体膜
の膜厚を厚く形成したＸ線露光用マスクが製造可能とな
り、Ｘ線近接露光における実効的露光コントラストを改
善でき、解像性の高いＸ線露光用マスクが得られる。
長を行うことにより、微細パタンに対してはＸ線吸収体
膜の膜厚を薄く、大きいパタンに対してはＸ線吸収体膜
の膜厚を厚く形成したＸ線露光用マスクが製造可能とな
り、Ｘ線近接露光における実効的露光コントラストを改
善でき、解像性の高いＸ線露光用マスクが得られる。
【図１】 本発明によるＸ線露光用マスクの製造方法の
一実施例を説明する工程の断面図である。
一実施例を説明する工程の断面図である。
【図２】 図１に引き続く工程の断面図である。
【図３】 図２に引き続く工程の断面図である。
【図４】 図３に引き続く工程の断面図である。
【図５】 図４に引き続く工程の断面図である。
【図６】 図５に引き続く工程の断面図である。
【図７】 図６に引き続く工程の断面図である。
【図８】 図７に引き続く工程の断面図である。
【図９】 図８に引き続く工程の断面図である。
【図１０】 図９に引き続く工程の断面図である。
１…シリコン基板、２…メンブレン膜、３…Ｔｉ層、４
…ＳｉＯ2 膜、５…ＳｉＮ膜、６…ポジ型レジスト、７
…平面的サイズの小さな孤立抜きパタン、８…平面的サ
イズの大きな孤立抜きパタン、９…平面的サイズの小さ
なＳｉＯ2 ／ＳｉＮ孤立抜きパタン、１０…平面的サイ
ズの大きなＳｉＯ2 ／ＳｉＮ孤立抜きパタン、１１…縁
取り形成のための平面的サイズの小さなＳｉＯ2 ／Ｓｉ
Ｎ孤立抜きパタン、１２…縁取り形成のための平面的サ
イズの大きなＳｉＯ2 ／ＳｉＮ孤立抜きパタン、１３…
平面的サイズの小さなＷ吸収体孤立残しパタン、１４…
平面的サイズの大きなＷ吸収体孤立残しパタン、１５…
縁取り部、１６…メンブレン窓、１７…パイレックス
板。
…ＳｉＯ2 膜、５…ＳｉＮ膜、６…ポジ型レジスト、７
…平面的サイズの小さな孤立抜きパタン、８…平面的サ
イズの大きな孤立抜きパタン、９…平面的サイズの小さ
なＳｉＯ2 ／ＳｉＮ孤立抜きパタン、１０…平面的サイ
ズの大きなＳｉＯ2 ／ＳｉＮ孤立抜きパタン、１１…縁
取り形成のための平面的サイズの小さなＳｉＯ2 ／Ｓｉ
Ｎ孤立抜きパタン、１２…縁取り形成のための平面的サ
イズの大きなＳｉＯ2 ／ＳｉＮ孤立抜きパタン、１３…
平面的サイズの小さなＷ吸収体孤立残しパタン、１４…
平面的サイズの大きなＷ吸収体孤立残しパタン、１５…
縁取り部、１６…メンブレン窓、１７…パイレックス
板。
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板上にＸ線吸収体パタンを有
するＸ線マスクの製造方法において、 前記Ｘ線吸収体パタンは、前記シリコン基板上にＸ線を
透過するメンブレン膜を形成し、前記メンブレン膜上に
金属膜，第１の堆積膜および第２の堆積膜の順で膜形成
した後、前記第２の堆積膜に第１の窓を形成し、前記第
１の窓の中の前記第１の堆積膜に前記第１の窓の辺から
等距離だけ大きく前記金属膜を露出させる第２の窓を形
成し、前記金属膜上にＸ線吸収体材料となる金属を選択
成長させた後、前記第１の堆積膜および第２の堆積膜を
除去して形成することを特徴とするＸ線露光用マスクの
製造方法。 - 【請求項２】 シリコン基板上にＸ線吸収体パタンを有
するＸ線マスクの製造方法において、 前記Ｘ線吸収体パタンは、前記シリコン基板上にＸ線を
透過するメンブレン膜を形成し、前記メンブレン膜上に
金属膜，第１の堆積膜および第２の堆積膜の順で膜形成
した後、前記第２の堆積膜に大きさの異なる少なくとも
２個の第１の窓を形成し、前記第１の窓の中の前記第１
の堆積膜に前記第１の窓の辺から等距離だけ大きく前記
金属膜を露出させる第２の窓を形成し、前記金属膜上に
Ｘ線吸収体材料となる金属を選択成長させ、前記Ｘ線吸
収体パタンのうち、平面的サイズの小さなパタンに対応
するＸ線吸収体膜の膜厚を平面的サイズの大きなパタン
に対応するＸ線吸収体膜よりも薄く形成した後、前記第
１の堆積膜および第２の堆積膜を除去して形成すること
を特徴とするＸ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18595194A JP3278709B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18595194A JP3278709B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851056A true JPH0851056A (ja) | 1996-02-20 |
| JP3278709B2 JP3278709B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=16179737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18595194A Expired - Fee Related JP3278709B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278709B2 (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5731135A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Collective forming method for metallic pattern |
| JPS62291116A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク及びそれを用いたパタン形成方法 |
| JPH03268317A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｘ線マスクの作製方法 |
| JPH04171712A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-18 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスクとその製造方法 |
| JPH04322419A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
| JPH0513310A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光用マスク及びその製法 |
| JPH05129191A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-05-25 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスクの製造方法 |
-
1994
- 1994-08-08 JP JP18595194A patent/JP3278709B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH04171712A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-18 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスクとその製造方法 |
| JPH04322419A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
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| JPH05129191A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-05-25 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3278709B2 (ja) | 2002-04-30 |
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Legal Events
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