JP2719897B2 - 位相反転マスク製造方法 - Google Patents
位相反転マスク製造方法Info
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- JP2719897B2 JP2719897B2 JP4816195A JP4816195A JP2719897B2 JP 2719897 B2 JP2719897 B2 JP 2719897B2 JP 4816195 A JP4816195 A JP 4816195A JP 4816195 A JP4816195 A JP 4816195A JP 2719897 B2 JP2719897 B2 JP 2719897B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相反転マスク（Phas
e Shift Mask) 製造方法に関するものであって、特に光
非透過領域の石英基板をエッチングしてエッチング溝を
形成し、エッチング溝内でクロムパターンを形成するこ
とによって、光透過領域と光非透過領域の境界をなすエ
ッチング面で位相反転が１８０゜起こるようにした位相
反転マスク製造方法に関するものである。
e Shift Mask) 製造方法に関するものであって、特に光
非透過領域の石英基板をエッチングしてエッチング溝を
形成し、エッチング溝内でクロムパターンを形成するこ
とによって、光透過領域と光非透過領域の境界をなすエ
ッチング面で位相反転が１８０゜起こるようにした位相
反転マスク製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】位相反転マスクはパターンを透過する光
に位相差を与えることによって透過光相互の間の干渉を
用いて解像度を向上させるため一般的なマスクと共に半
導体素子の製造工程に広く用いられている。一般に、位
相反転マスクは位相を反転させるために酸化物のような
位相反転物（Phase Shifter Material) を主に用いる。
に位相差を与えることによって透過光相互の間の干渉を
用いて解像度を向上させるため一般的なマスクと共に半
導体素子の製造工程に広く用いられている。一般に、位
相反転マスクは位相を反転させるために酸化物のような
位相反転物（Phase Shifter Material) を主に用いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、位相反
転物を用いる位相反転マスクは位相反転物の配置設計な
どが難解であるという問題があり、また位相反転物によ
って光透過率が落ちてしまい短波長を有するDUV(Deep U
ltraviolet) 用として用いる時、多少光分布コントラス
ト（Contrast) が低くなる。
転物を用いる位相反転マスクは位相反転物の配置設計な
どが難解であるという問題があり、また位相反転物によ
って光透過率が落ちてしまい短波長を有するDUV(Deep U
ltraviolet) 用として用いる時、多少光分布コントラス
ト（Contrast) が低くなる。
【０００４】したがって、本発明は一般的なマスクの短
所を解決し、位相反転物を用いることなく既存の位相反
転マスクの工程効果を得ながらも光分布コントラストを
増大させることのできる位相反転マスク製造方法を提供
することにその目的がある。
所を解決し、位相反転物を用いることなく既存の位相反
転マスクの工程効果を得ながらも光分布コントラストを
増大させることのできる位相反転マスク製造方法を提供
することにその目的がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明の位相反転マスク製造方法は石英基板上
に光透過領域と光非透過領域を区分するためのフォトレ
ジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジスト
パターンをエッチングマスクとしたエッング工程によっ
て石英基板の露出部位をエッチングし前記石英基板にエ
ッチング溝が形成されるようにする段階と、前記フォト
レジストパターンを除去したのち、前記エッチング溝の
側壁にスペーサを形成する段階と、前記エッチング溝の
底面部を含む前記石英基板上にクロムを蒸着する段階
と、前記スペーサを除去したのち、前記エッチング溝内
にフォトレジストを残すためにフォトレジストの塗布工
程及びエッチバック工程を実施する段階と、前記エッチ
ング溝内に残っている前記フォトレジストをエッチング
マスクとしたクロムエッチング工程を実施し前記エッチ
ング溝内にのみクロムが残るようにする段階と、前記残
っているフォトレジストを除去する段階からなることを
特徴とする。
るための本発明の位相反転マスク製造方法は石英基板上
に光透過領域と光非透過領域を区分するためのフォトレ
ジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジスト
パターンをエッチングマスクとしたエッング工程によっ
て石英基板の露出部位をエッチングし前記石英基板にエ
ッチング溝が形成されるようにする段階と、前記フォト
レジストパターンを除去したのち、前記エッチング溝の
側壁にスペーサを形成する段階と、前記エッチング溝の
底面部を含む前記石英基板上にクロムを蒸着する段階
と、前記スペーサを除去したのち、前記エッチング溝内
にフォトレジストを残すためにフォトレジストの塗布工
程及びエッチバック工程を実施する段階と、前記エッチ
ング溝内に残っている前記フォトレジストをエッチング
マスクとしたクロムエッチング工程を実施し前記エッチ
ング溝内にのみクロムが残るようにする段階と、前記残
っているフォトレジストを除去する段階からなることを
特徴とする。
【０００６】
【実施例】以下、本発明を添付された図面を参照しなが
ら詳細に説明する。図１（Ａ）乃至図１（Ｆ）は本発明
の位相反転マスクを製造する段階を示した断面図であ
る。
ら詳細に説明する。図１（Ａ）乃至図１（Ｆ）は本発明
の位相反転マスクを製造する段階を示した断面図であ
る。
【０００７】図１（Ａ）は電子ビーム（E-Beam) を用い
たリソグラフィ(Lithography) 工程によって石英基板１
上に光透過領域Ａと光非透過領域Ｂを区分するために第
１フォトレジストパターン２を形成することが示され
る。フォトレジストの残っている部分が位相反転マスク
の光透過領域Ａとなり、フォトレジストが除去された部
分が位相反転マスクの光非透過領域Ｂとなる。
たリソグラフィ(Lithography) 工程によって石英基板１
上に光透過領域Ａと光非透過領域Ｂを区分するために第
１フォトレジストパターン２を形成することが示され
る。フォトレジストの残っている部分が位相反転マスク
の光透過領域Ａとなり、フォトレジストが除去された部
分が位相反転マスクの光非透過領域Ｂとなる。
【０００８】図１（Ｂ）は前記第１フォトレジストパタ
ーン２をエッチングマスクとした非等方性エッチング工
程によって石英基板１の露出部位である光非透過領域Ｂ
部分を所定深さでエッチングしエッチング溝３を形成し
たのち、前記第１フォトレジストパターン２を除去した
ことが示される。
ーン２をエッチングマスクとした非等方性エッチング工
程によって石英基板１の露出部位である光非透過領域Ｂ
部分を所定深さでエッチングしエッチング溝３を形成し
たのち、前記第１フォトレジストパターン２を除去した
ことが示される。
【０００９】図１（Ｃ）は前記エッチング溝３の側壁に
スペーサ４を形成するために、前記エッチング溝３が形
成された石英基板１上に石英基板１とエッチング選択比
が異なる物質例えば、窒化物またはポリシリコンを蒸着
したのち、ブランケットエッチング（Blanket Etch) 工
程を実施したことが示される。
スペーサ４を形成するために、前記エッチング溝３が形
成された石英基板１上に石英基板１とエッチング選択比
が異なる物質例えば、窒化物またはポリシリコンを蒸着
したのち、ブランケットエッチング（Blanket Etch) 工
程を実施したことが示される。
【００１０】図１（Ｄ）は前記スペーサ４が形成された
エッチング溝３の底面部を含む石英基板１の表面にクロ
ム５を蒸着したことが示される。この時、前記蒸着され
たクロム５はスペーサ４によって上下層クロム5A，5Bで
分けて形成される。
エッチング溝３の底面部を含む石英基板１の表面にクロ
ム５を蒸着したことが示される。この時、前記蒸着され
たクロム５はスペーサ４によって上下層クロム5A，5Bで
分けて形成される。
【００１１】図１（Ｅ）は前記スペーサ４をエッチング
工程によって除去し、光非透過領域Ｂであるエッチング
溝３内にのみクロム５を残すためにフォトレジストを塗
布したのちエッチバック（Etch Back)工程を実施しエッ
チング溝３内にのみ第２フォトレジストパターン６が形
成されるようにしたものが示される。このため、上層ク
ロム5Aが露出される。
工程によって除去し、光非透過領域Ｂであるエッチング
溝３内にのみクロム５を残すためにフォトレジストを塗
布したのちエッチバック（Etch Back)工程を実施しエッ
チング溝３内にのみ第２フォトレジストパターン６が形
成されるようにしたものが示される。このため、上層ク
ロム5Aが露出される。
【００１２】図１（Ｆ）はエッチング溝３内に残ってい
る第２フォトレジストパターン６をエッチングマスクと
し前記露出された上層クロム5Aを除去し、これによっ
て、位相反転マスクの光透過領域Ａが形成され、その後
残っている第２フォトレジストパターン６を除去しエッ
チング溝３内に下層クロム5Bを残し、これによって位相
反転マスクの光非透過領域Ｂが形成され本発明位相反転
マスク10が完成されたものが示される。
る第２フォトレジストパターン６をエッチングマスクと
し前記露出された上層クロム5Aを除去し、これによっ
て、位相反転マスクの光透過領域Ａが形成され、その後
残っている第２フォトレジストパターン６を除去しエッ
チング溝３内に下層クロム5Bを残し、これによって位相
反転マスクの光非透過領域Ｂが形成され本発明位相反転
マスク10が完成されたものが示される。
【００１３】前記の工程によって製造された本発明の位
相反転マスク10はエッチング溝３のエッチング面3Aで１
８０゜位相反転が起こる原理を用いたもので、光強度分
布を示した図２によく示されている。図２に示されたよ
うに位相反転マスク10に光を透過させればエッチング面
3Aで１８０゜位相反転が起こり光強度が０（Zero) の部
分を作る。
相反転マスク10はエッチング溝３のエッチング面3Aで１
８０゜位相反転が起こる原理を用いたもので、光強度分
布を示した図２によく示されている。図２に示されたよ
うに位相反転マスク10に光を透過させればエッチング面
3Aで１８０゜位相反転が起こり光強度が０（Zero) の部
分を作る。
【００１４】
【発明の効果】前述のように本発明の位相反転マスクは
位相反転物質を用いなくても位相反転効果を得ることが
でき、さらに透過率の良い石英基板を用いて位相反転効
果を得ることができ短波長を有するDUV 用として用いる
ことができる。また、本発明の位相反転マスクは製造工
程時、クロムパターンと位相反転物質を設置するための
設計が特別に要求されないため製造することが容易であ
る。
位相反転物質を用いなくても位相反転効果を得ることが
でき、さらに透過率の良い石英基板を用いて位相反転効
果を得ることができ短波長を有するDUV 用として用いる
ことができる。また、本発明の位相反転マスクは製造工
程時、クロムパターンと位相反転物質を設置するための
設計が特別に要求されないため製造することが容易であ
る。
【図１】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明による位相反転マスク
を製造する段階を示した断面図である。
を製造する段階を示した断面図である。
【図２】本発明の位相反転マスクの光強度分布図であ
る。
る。
１ 石英基板 ２ 第１フ
ォトレジストパターン ３ エッチング溝 3A エッチ
ング面 ４ スペーサ ５ クロム ６ 第２フォトレジストパターン 10 位相反
転マスク Ａ 光透過領域 Ｂ 光非透
過領域
ォトレジストパターン ３ エッチング溝 3A エッチ
ング面 ４ スペーサ ５ クロム ６ 第２フォトレジストパターン 10 位相反
転マスク Ａ 光透過領域 Ｂ 光非透
過領域
Claims (5)
- 【請求項１】位相反転マスク製造方法において、石英基
板上に光透過領域と光非透過領域を区分するためにフォ
トレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジ
ストパターンをエッチングマスクとしたエッチング工程
によって石英基板の露出部位をエッチングし前記石英基
板にエッチング溝が形成されるようにする段階と、前記
フォトレジストパターンを除去したのち、前記エッチン
グ溝の側壁にスペーサを形成する段階と、前記エッチン
グ溝の底面部を含む前記石英基板上にクロムを蒸着する
段階と、前記スペーサを除去したのち、前記エッチング
溝内にフォトレジストを残すためにフォトレジストの塗
布工程及びエッチバック工程を実施する段階と、前記エ
ッチング溝内に残っている前記フォトレジストをエッチ
ングマスクとしたクロムエッチング工程を実施し、これ
によって前記エッチング溝内にのみクロムが残るように
する段階と、前記残っているフォトレジストを除去する
段階からなることを特徴とする位相反転マスク製造方
法。 - 【請求項２】第１請求項において、前記エッチング溝は
非等方性エッチング工程によって形成されることを特徴
とする位相反転マスク製造方法。 - 【請求項３】第１請求項において、前記スペーサは前記
石英基板とエッチング選択比が他の物質から形成される
ことを特徴とする位相反転マスク製造方法。 - 【請求項４】第１請求項において、前記スペーサは窒化
物から形成されることを特徴とする位相反転マスク製造
方法。 - 【請求項５】第１請求項において、前記スペーサはポリ
シリコンから形成されることを特徴とする位相反転マス
ク製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR94-4785 | 1994-03-11 | ||
| KR1019940004785A KR0127662B1 (ko) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862824A JPH0862824A (ja) | 1996-03-08 |
| JP2719897B2 true JP2719897B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=19378702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4816195A Expired - Fee Related JP2719897B2 (ja) | 1994-03-11 | 1995-03-08 | 位相反転マスク製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5567552A (ja) |
| JP (1) | JP2719897B2 (ja) |
| KR (1) | KR0127662B1 (ja) |
| CN (1) | CN1115412A (ja) |
| DE (1) | DE19508749C2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0166497B1 (ko) * | 1995-03-24 | 1999-01-15 | 김주용 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| TW324074B (en) * | 1997-02-14 | 1998-01-01 | United Microelectronics Corp | Manufacturing method of phase shifting mask |
| KR20020017847A (ko) * | 2000-08-31 | 2002-03-07 | 박종섭 | 위상반전마스크의 형성방법 |
| US7356115B2 (en) * | 2002-12-04 | 2008-04-08 | Varian Medical Systems Technology, Inc. | Radiation scanning units including a movable platform |
| KR100604814B1 (ko) * | 2002-11-11 | 2006-07-28 | 삼성전자주식회사 | 위상 에지 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 |
| US7672426B2 (en) * | 2002-12-04 | 2010-03-02 | Varian Medical Systems, Inc. | Radiation scanning units with reduced detector requirements |
| US8472583B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-06-25 | Varian Medical Systems, Inc. | Radiation scanning of objects for contraband |
| KR20190029935A (ko) | 2017-09-13 | 2019-03-21 | 이의환 | 다양한 악취 제거용 천연탈취제 및 그 제조 방법 |
| US10845699B2 (en) | 2017-11-29 | 2020-11-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming photomask and photolithography method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04269750A (ja) * | 1990-12-05 | 1992-09-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 離隔特徴をフォトレジスト層に印刷する方法 |
| JP3161474B2 (ja) * | 1991-06-20 | 2001-04-25 | 凸版印刷株式会社 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
| TW284911B (ja) * | 1992-08-18 | 1996-09-01 | At & T Corp | |
| US5411824A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-02 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging |
-
1994
- 1994-03-11 KR KR1019940004785A patent/KR0127662B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-03-08 JP JP4816195A patent/JP2719897B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-09 US US08/401,223 patent/US5567552A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-10 DE DE19508749A patent/DE19508749C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-11 CN CN95104070.7A patent/CN1115412A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5567552A (en) | 1996-10-22 |
| DE19508749C2 (de) | 2003-03-20 |
| JPH0862824A (ja) | 1996-03-08 |
| KR0127662B1 (ko) | 1997-12-26 |
| CN1115412A (zh) | 1996-01-24 |
| DE19508749A1 (de) | 1995-09-14 |
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