JP2887773B2 - 位相反転マスクの製造方法 - Google Patents
位相反転マスクの製造方法Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相反転マスク（Ｐｈ
ａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｍａｓｋ）の製造方法に関し、特
に、空間周波数変調型の位相反転マスクの製造方法に関
する。最近、素子の高集積化傾向にしたがってサブミク
ロン単位の超微細パターニングのためのマスクが要請さ
れた。このような要請に応じて開発されたマスクが位相
反転マスクである。その製造原理は次の通りである。図
１（Ａ）のように、位相反転マスクの製造のためには、
基本的に位相反転膜１を必要とする。この位相反転膜１
の役割は、入射される光の振幅の位相を反転させるため
のものである。ここで、符号２はクロム（Ｃｒ）、符号
３は石英を示す。図１（Ｂ）はマスクを通る光の振幅を
示すものであり、曲線（ａ）は位相反転膜１がない時の
石英３に入射される光の振幅を、曲線（ｂ）は位相反転
膜１がある時の光の振幅を示す。図１（Ｂ）によれば、
光の振幅の位相は、位相反転膜１により１８０゜反転さ
れることがわかる。
ａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｍａｓｋ）の製造方法に関し、特
に、空間周波数変調型の位相反転マスクの製造方法に関
する。最近、素子の高集積化傾向にしたがってサブミク
ロン単位の超微細パターニングのためのマスクが要請さ
れた。このような要請に応じて開発されたマスクが位相
反転マスクである。その製造原理は次の通りである。図
１（Ａ）のように、位相反転マスクの製造のためには、
基本的に位相反転膜１を必要とする。この位相反転膜１
の役割は、入射される光の振幅の位相を反転させるため
のものである。ここで、符号２はクロム（Ｃｒ）、符号
３は石英を示す。図１（Ｂ）はマスクを通る光の振幅を
示すものであり、曲線（ａ）は位相反転膜１がない時の
石英３に入射される光の振幅を、曲線（ｂ）は位相反転
膜１がある時の光の振幅を示す。図１（Ｂ）によれば、
光の振幅の位相は、位相反転膜１により１８０゜反転さ
れることがわかる。
【０００２】ここで、位相反転膜１の屈折率をｎ、厚さ
をｄ、空気屈折率をｎ０とすると、図２で曲線（ａ）と
曲線（ｂ）との位相差（δ）は、下記式（１）で示すこ
とができる。 δ＝ｋ・ｎ・ｄ−ｋ・ｎ０・ｄ ＝ｋ・（ｎ−ｎ０）ｄ ＝（２π／λ）（ｎ−１）ｄ ・・・・・（１）
をｄ、空気屈折率をｎ０とすると、図２で曲線（ａ）と
曲線（ｂ）との位相差（δ）は、下記式（１）で示すこ
とができる。 δ＝ｋ・ｎ・ｄ−ｋ・ｎ０・ｄ ＝ｋ・（ｎ−ｎ０）ｄ ＝（２π／λ）（ｎ−１）ｄ ・・・・・（１）
【０００３】この時、位相が完全に反転されるためには
位相差（δ）は１８０°（すなわちπ）にならなければ
ならない。式（１）に位相差（δ）代わりにπを代入す
ると、位相を完全に反転させるための位相反転膜１の厚
さは、下記式（２）で示すことができる。 ｄ＝λ／２（ｎ−１） ・・・・・（２）
位相差（δ）は１８０°（すなわちπ）にならなければ
ならない。式（１）に位相差（δ）代わりにπを代入す
ると、位相を完全に反転させるための位相反転膜１の厚
さは、下記式（２）で示すことができる。 ｄ＝λ／２（ｎ−１） ・・・・・（２）
【０００４】図２および図３を参照して一般のマスクと
位相反転マスクとを比較すれば次の通りである。図２
（ａ）は一般的なパターン用マスク４が基板５上に並列
に配置された状態を示すものであり、図２（ｂ）はマス
ク４上における光振幅を示すものであり、図（ｃ）は基
板５上における光振幅を示すものであり、図（ｄ）は光
の強さを示すものである。図２（ｂ）に示すように、マ
スク４上における光振幅は、互いに相殺されて（ｃ）お
よび（ｄ）に示すように、光の振幅差が小さいので、基
板５上において明暗の区分が不明確になる。したがっ
て、超微細パターニング時には、相殺の程度はますます
大きくなるので、前記一般のマスク４によっては微細パ
ターニングを正確に実行することができないことにな
る。
位相反転マスクとを比較すれば次の通りである。図２
（ａ）は一般的なパターン用マスク４が基板５上に並列
に配置された状態を示すものであり、図２（ｂ）はマス
ク４上における光振幅を示すものであり、図（ｃ）は基
板５上における光振幅を示すものであり、図（ｄ）は光
の強さを示すものである。図２（ｂ）に示すように、マ
スク４上における光振幅は、互いに相殺されて（ｃ）お
よび（ｄ）に示すように、光の振幅差が小さいので、基
板５上において明暗の区分が不明確になる。したがっ
て、超微細パターニング時には、相殺の程度はますます
大きくなるので、前記一般のマスク４によっては微細パ
ターニングを正確に実行することができないことにな
る。
【０００５】図３（ａ）はマスク４間に位相反転膜６を
備えた位相反転マスク７が並列に配置された状態を示す
ものであり、（ｂ）はマスク４上における光振幅を示す
ものであり、（ｃ）は基板５上における光振幅を示すも
のであり、（ｄ）は光の強さを示すものである。図３
（ｃ）および（ｄ）に示すように、光の振幅差が大きく
て、明暗の区分が明確になるので、超微細パターニング
に有利であるとすることがわかる。
備えた位相反転マスク７が並列に配置された状態を示す
ものであり、（ｂ）はマスク４上における光振幅を示す
ものであり、（ｃ）は基板５上における光振幅を示すも
のであり、（ｄ）は光の強さを示すものである。図３
（ｃ）および（ｄ）に示すように、光の振幅差が大きく
て、明暗の区分が明確になるので、超微細パターニング
に有利であるとすることがわかる。
【０００６】このような位相反転マスクの種類として
は、空間周波数変調型、エッジ強調型及び遮断効果強調
型がある。これらを図４及び図５を参照して説明する。
図４（Ａ）は、空間周波数変調型を示すものであり、石
英基板８上にクロム膜９を形成した後パターニングし、
これらのパターニングされたクロム膜９間に位相反転膜
１０を形成したものである。図４（Ｂ）および（Ｃ）
は、エッジ強調型を示すものであり、位相反転膜１０が
パターニングされたクロム膜９を包囲形成するか、クロ
ム膜９上に位相反転膜１０を形成したものである。図５
（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は、遮断効果強調型を示す
ものであり、パターニングされたクロム膜９間に位相反
転膜１０を形成するか、パターニングされたクロム膜９
を、さらにパターニングして分離したのち、その分離さ
れたクロム膜９の全面にわたって位相反転膜１０を形成
するか、または先に石英基板８をパターニングして所定
の幅だけ反復エッチングした後、エッチングされない石
英基板８上にクロム膜９を形成したものである。
は、空間周波数変調型、エッジ強調型及び遮断効果強調
型がある。これらを図４及び図５を参照して説明する。
図４（Ａ）は、空間周波数変調型を示すものであり、石
英基板８上にクロム膜９を形成した後パターニングし、
これらのパターニングされたクロム膜９間に位相反転膜
１０を形成したものである。図４（Ｂ）および（Ｃ）
は、エッジ強調型を示すものであり、位相反転膜１０が
パターニングされたクロム膜９を包囲形成するか、クロ
ム膜９上に位相反転膜１０を形成したものである。図５
（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は、遮断効果強調型を示す
ものであり、パターニングされたクロム膜９間に位相反
転膜１０を形成するか、パターニングされたクロム膜９
を、さらにパターニングして分離したのち、その分離さ
れたクロム膜９の全面にわたって位相反転膜１０を形成
するか、または先に石英基板８をパターニングして所定
の幅だけ反復エッチングした後、エッチングされない石
英基板８上にクロム膜９を形成したものである。
【０００７】これらの３つの技術中、本発明の先行技術
である空間周波数変調型の位相反転マスク製造工程を図
６，７を参照して説明する。図６（Ａ）は位相反転マス
クの平面図であり、図６（Ｂ）、図７（Ａ），（Ｂ）は
図６（Ａ）のａ−ａ’線による製造工程断面図であ
り、図７（Ｃ）は図６（Ａ）のｂ−ｂ’線断面図であ
る。まず、石英基板８上にクロム膜９を形成し、その上
に負ホトレジストを用いてホト工程及びエッチングト工
程を施してクロム膜９をパターニングする。ついで図７
（Ａ）のように、パターニングされた前記クロム膜上に
全体的に位相反転膜１０を形成したのち、図７（Ｂ）の
ように、クロム膜９とクロム膜９との間にわたって位相
反転膜１０が残存するように位柑反転膜１０を乾式エッ
チング法を用いてパターニングして位相反転マスクの製
造を完了する。図６（Ａ）のような位相反転マスクを使
用してフォトレジストを塗布したウェハを現像する場
合、図８（Ａ）のように理想的なパターン膜が形成され
なくて、図８（Ｂ）のようなパターン膜１１が形成され
る。すなわち、図６（Ａ）のａ−ａ’線方向には正常的
なパターン膜１１が形成されるが、クロム膜９がなくて
位相反転膜１０が存在するｂ−ｂ’線方向のエッジ部分
（ｃ）においては、不必要のブリッジパターン膜１１ａ
が形成される。
である空間周波数変調型の位相反転マスク製造工程を図
６，７を参照して説明する。図６（Ａ）は位相反転マス
クの平面図であり、図６（Ｂ）、図７（Ａ），（Ｂ）は
図６（Ａ）のａ−ａ’線による製造工程断面図であ
り、図７（Ｃ）は図６（Ａ）のｂ−ｂ’線断面図であ
る。まず、石英基板８上にクロム膜９を形成し、その上
に負ホトレジストを用いてホト工程及びエッチングト工
程を施してクロム膜９をパターニングする。ついで図７
（Ａ）のように、パターニングされた前記クロム膜上に
全体的に位相反転膜１０を形成したのち、図７（Ｂ）の
ように、クロム膜９とクロム膜９との間にわたって位相
反転膜１０が残存するように位柑反転膜１０を乾式エッ
チング法を用いてパターニングして位相反転マスクの製
造を完了する。図６（Ａ）のような位相反転マスクを使
用してフォトレジストを塗布したウェハを現像する場
合、図８（Ａ）のように理想的なパターン膜が形成され
なくて、図８（Ｂ）のようなパターン膜１１が形成され
る。すなわち、図６（Ａ）のａ−ａ’線方向には正常的
なパターン膜１１が形成されるが、クロム膜９がなくて
位相反転膜１０が存在するｂ−ｂ’線方向のエッジ部分
（ｃ）においては、不必要のブリッジパターン膜１１ａ
が形成される。
【０００８】ブリッジパターン膜１１ａが形成される理
由を図９（Ａ）（Ｂ）に基づいて説明する。光が入射す
ると、（Ａ）のように、位相反転膜１０が存在しない部
分を透過した光振幅は所定の正のレベル値を有する。し
かし位相反転膜１０の両側エッジ部分においては、前記
正のレベル値と同一の絶対値を有する負のレベル値を有
する。
由を図９（Ａ）（Ｂ）に基づいて説明する。光が入射す
ると、（Ａ）のように、位相反転膜１０が存在しない部
分を透過した光振幅は所定の正のレベル値を有する。し
かし位相反転膜１０の両側エッジ部分においては、前記
正のレベル値と同一の絶対値を有する負のレベル値を有
する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって、入射した
光のフォトレジスト上の光強度には、図９（Ｂ）のよう
に、位相反転膜１０の両側部分にパルス状の暗い部分が
生じる。結局、図８（Ｂ）のように、パターン膜１１の
間には不必要なブリッジパターン膜１１ａが形成され
る。また、前記従来の空間周波数変調型の位相反転マス
クを用いて所定のウェハをパターニングする時、フォト
レジストを使用するので、製造工程の制御が難しかっ
た。本発明は、このような問題点を解決するためのもの
で、クロム膜が存在しない位相反転膜側のエッジ部分で
発生するブリッジパターン膜を防止できる空間周波数変
調型の位相反転マスクの製造工程を提供することにその
目的がある。
光のフォトレジスト上の光強度には、図９（Ｂ）のよう
に、位相反転膜１０の両側部分にパルス状の暗い部分が
生じる。結局、図８（Ｂ）のように、パターン膜１１の
間には不必要なブリッジパターン膜１１ａが形成され
る。また、前記従来の空間周波数変調型の位相反転マス
クを用いて所定のウェハをパターニングする時、フォト
レジストを使用するので、製造工程の制御が難しかっ
た。本発明は、このような問題点を解決するためのもの
で、クロム膜が存在しない位相反転膜側のエッジ部分で
発生するブリッジパターン膜を防止できる空間周波数変
調型の位相反転マスクの製造工程を提供することにその
目的がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、石英基板の表面上にクロム膜が形成された後パタ
ーニングされ、かつパターニングされたクロム膜の間に
わたって第１位相反転膜が形成される。ついで他の第２
位相反転膜が形成され、乾式エッチング工程により第２
位相反転膜をエッチングして第１位相反転膜の両側面に
側壁位相反転膜を形成する。したがって、位相反転膜の
み存在する部位においての不必要なブリッジパターン膜
の発生を防止できる。
めに、石英基板の表面上にクロム膜が形成された後パタ
ーニングされ、かつパターニングされたクロム膜の間に
わたって第１位相反転膜が形成される。ついで他の第２
位相反転膜が形成され、乾式エッチング工程により第２
位相反転膜をエッチングして第１位相反転膜の両側面に
側壁位相反転膜を形成する。したがって、位相反転膜の
み存在する部位においての不必要なブリッジパターン膜
の発生を防止できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明による空間周波数変調型の位相
反転マスクの製造工程を図１０ないし図１２に基づいて
詳細に説明する。ここで、レイアウト図は、図６（Ａ）
に示す従来のレイアウト図と同一であるので、その説明
は省略くする。図１０，１１は図６（Ａ）のａ−ａ’線
による製造工程断面図であり、図１２は図６（Ａ）のｂ
−ｂ’線による製造工程断面図である。まず、図１０
（Ａ）のように、石英基板１２上に全体にわたってクロ
ム膜１３を形成し、その上にフォトレジスト１４をコー
ティング（ｃｏａｔｉｎｇ）する。そしてホト工程を実
施して不必要なフォトレジスト１４を除去した後、残存
する正フォトレジスト１４をマスクとして前記クロム膜
１３の不必要な部分を除去する。ついで、図１０（Ｂ）
のように、パターニングされたクロム膜１３上及び石英
基板１２上とに全体にわたって、第１位相反転膜１５を
形成した後、（Ｃ）のように、通常のフォトリソグラフ
ィ工程およびエッチング工程を施してクロム膜１３上側
の間のものを除外し、除去する。この時、パターニング
された第１位相反転膜１５ａの幅は、クロム膜１３上側
の間を外れないようにする。
反転マスクの製造工程を図１０ないし図１２に基づいて
詳細に説明する。ここで、レイアウト図は、図６（Ａ）
に示す従来のレイアウト図と同一であるので、その説明
は省略くする。図１０，１１は図６（Ａ）のａ−ａ’線
による製造工程断面図であり、図１２は図６（Ａ）のｂ
−ｂ’線による製造工程断面図である。まず、図１０
（Ａ）のように、石英基板１２上に全体にわたってクロ
ム膜１３を形成し、その上にフォトレジスト１４をコー
ティング（ｃｏａｔｉｎｇ）する。そしてホト工程を実
施して不必要なフォトレジスト１４を除去した後、残存
する正フォトレジスト１４をマスクとして前記クロム膜
１３の不必要な部分を除去する。ついで、図１０（Ｂ）
のように、パターニングされたクロム膜１３上及び石英
基板１２上とに全体にわたって、第１位相反転膜１５を
形成した後、（Ｃ）のように、通常のフォトリソグラフ
ィ工程およびエッチング工程を施してクロム膜１３上側
の間のものを除外し、除去する。この時、パターニング
された第１位相反転膜１５ａの幅は、クロム膜１３上側
の間を外れないようにする。
【００１２】図１１（Ａ）のように、全体にわたって第
２位相反転膜１６を形成した後、通常のＲＩＥ（Ｒｅａ
ｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法によりエッチ
ングして（Ｂ）のように、前記パターニングされた第１
位相反転膜１５ａの両側面に側壁位相反転膜１６ａを形
成する。
２位相反転膜１６を形成した後、通常のＲＩＥ（Ｒｅａ
ｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法によりエッチ
ングして（Ｂ）のように、前記パターニングされた第１
位相反転膜１５ａの両側面に側壁位相反転膜１６ａを形
成する。
【００１３】上記の工程を図６（Ａ）ｂ−ｂ’線の断面
図を参照して説明する。まず、図１２（Ａ）のように、
石英基板１２上に第１位相反転膜１５が形成された後、
（Ｂ）のように、パターニングされる。図１２（Ｃ）の
ように、側壁形成のための第２位相反転膜１６が形成さ
れ、第２位相反転膜１６をＲＩＥ法により、乾式エッチ
ングすれば（Ｄ）のように、パターニングされた第１位
相反転膜１５ａの両側壁に側壁位相反転膜１６ａが形成
される。こうしてパターニングされた第１位相反転膜１
５ａの側面に側壁位相反転膜１６ａを形成してパターニ
ングされた第１位相反転膜１５ａの両側のエッジ部分で
発生されるブリッジパターンを防止できる。
図を参照して説明する。まず、図１２（Ａ）のように、
石英基板１２上に第１位相反転膜１５が形成された後、
（Ｂ）のように、パターニングされる。図１２（Ｃ）の
ように、側壁形成のための第２位相反転膜１６が形成さ
れ、第２位相反転膜１６をＲＩＥ法により、乾式エッチ
ングすれば（Ｄ）のように、パターニングされた第１位
相反転膜１５ａの両側壁に側壁位相反転膜１６ａが形成
される。こうしてパターニングされた第１位相反転膜１
５ａの側面に側壁位相反転膜１６ａを形成してパターニ
ングされた第１位相反転膜１５ａの両側のエッジ部分で
発生されるブリッジパターンを防止できる。
【００１４】ブリッジパターンが発生されない原理を図
１３を参照して説明する。同図（Ａ）はレイアウト図で
ある図６（Ａ）のｂ−ｂ’線による位相反転マスクの断
面図を示すものであり、符号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は
側壁位相反転膜１６ａの各地点を示すものである。
（Ａ）の地点（Ｐ１）、すなわち側壁位相反転膜１６ａ
の側壁が垂直である場合には、光強度が、図９（Ａ）の
場合と同一に、同図（Ｂ）のように、負のパルス性の値
として示される。この場合には、図８（Ｂ）のように、
不必要なブリッジパターン膜１１ａが形成される。図１
３（Ａ）の地点（Ｐ２）（Ｐ３）において、光強度が同
図（Ｃ）および（Ｄ）のように徐徐に減少され、側壁位
相反転膜１６ａのエッチング部分である地点（Ｐ４）に
おいては（Ｅ）のように光強度が完全に無くなる。した
がって、本発明によって製作された位相反転マスクを用
いてパターン膜を形成する時、第１位相反転膜１５ａの
両側エッジ部分から発生する図９（Ｂ）のようなブリッ
ジパターン膜１１ａの発生を防止できる。
１３を参照して説明する。同図（Ａ）はレイアウト図で
ある図６（Ａ）のｂ−ｂ’線による位相反転マスクの断
面図を示すものであり、符号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は
側壁位相反転膜１６ａの各地点を示すものである。
（Ａ）の地点（Ｐ１）、すなわち側壁位相反転膜１６ａ
の側壁が垂直である場合には、光強度が、図９（Ａ）の
場合と同一に、同図（Ｂ）のように、負のパルス性の値
として示される。この場合には、図８（Ｂ）のように、
不必要なブリッジパターン膜１１ａが形成される。図１
３（Ａ）の地点（Ｐ２）（Ｐ３）において、光強度が同
図（Ｃ）および（Ｄ）のように徐徐に減少され、側壁位
相反転膜１６ａのエッチング部分である地点（Ｐ４）に
おいては（Ｅ）のように光強度が完全に無くなる。した
がって、本発明によって製作された位相反転マスクを用
いてパターン膜を形成する時、第１位相反転膜１５ａの
両側エッジ部分から発生する図９（Ｂ）のようなブリッ
ジパターン膜１１ａの発生を防止できる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明の製造法で得た位相
反転マスクによれば、側壁位相反転膜から光強度がほと
んど“０”状態に減少されるので、位相反転膜の両側エ
ッジ部分から発生するブリッジパターン膜の発生を防止
できる。さらに、本発明は第１位相反転層の両側面に側
壁位相反転層を形成させるのに、第１位相反転層を形成
させた基板全面に第２位相反転層を形成させて、その第
２位相反転層を乾式エッチングでエッチングするだけで
形成させているので、製造方法が極めて簡単になり、コ
スト削減効果が著しい。
反転マスクによれば、側壁位相反転膜から光強度がほと
んど“０”状態に減少されるので、位相反転膜の両側エ
ッジ部分から発生するブリッジパターン膜の発生を防止
できる。さらに、本発明は第１位相反転層の両側面に側
壁位相反転層を形成させるのに、第１位相反転層を形成
させた基板全面に第２位相反転層を形成させて、その第
２位相反転層を乾式エッチングでエッチングするだけで
形成させているので、製造方法が極めて簡単になり、コ
スト削減効果が著しい。
【図１】位相反転マスクの原理を示す説明図である。
【図２】一般的なマスクの断面図（Ａ）と、このマスク
における光振幅図（Ｂ）と、光振幅図（Ｃ）と、光の強
さを示す図（Ｄ）である。
における光振幅図（Ｂ）と、光振幅図（Ｃ）と、光の強
さを示す図（Ｄ）である。
【図３】一般的な位相反転マスクの断面図（Ａ）と、そ
のマスクにおける光振幅図（Ｂ）と、ウェハにおける光
振幅図（Ｃ）と、光の強さを示す図（Ｄ）である。
のマスクにおける光振幅図（Ｂ）と、ウェハにおける光
振幅図（Ｃ）と、光の強さを示す図（Ｄ）である。
【図４】従来の位相反転マスクの種類による断面図であ
る。
る。
【図５】従来の位相反転マスクの種類による断面図であ
る。
る。
【図６】従来の空間周波数変調型位相反転マスクのレイ
アウト図と断面図である。
アウト図と断面図である。
【図７】従来の空間周波数変調型位相反転マスクの断面
図である。
図である。
【図８】図７（Ａ）の位相反転マスクにより形成される
理想的なパターン膜の平面図（Ａ）と、位相反転マスク
により形成される実質的なパターン膜の平面図（Ｂ）で
ある。
理想的なパターン膜の平面図（Ａ）と、位相反転マスク
により形成される実質的なパターン膜の平面図（Ｂ）で
ある。
【図９】従来技術によるブリッジパターン膜の発生原因
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図１０】本発明による製造工程断面図である。
【図１１】本発明による製造工程断面図である。
【図１２】本発明による製造工程断面図である。
【図１３】本発明によるブリッジパターン膜の除去原因
を示す説明図である。
を示す説明図である。
１２ 石英基板 １３ クロム膜 １４ フォトレジスト １５，１５ａ，１６，１６ａ 型位相反転
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−254855（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−166938（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−76550（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/08 H01L 21/302
Claims (5)
- 【請求項１】 （ａ）透光性基板上に遮光性膜を形成
する第１工程； （ｂ）前記遮光性膜をパターニングして相互間に所定の
間隔を有する複数の遮光性パターン膜を並列に形成する
第２工程； （ｃ）全表面にわたって第１位相反転膜を形成する第３
工程； （ｄ）並列配置された前記遮光性パターン膜を２個１組
として各組間の前記第１位相反転膜を除去して各組の２
個の遮光性パターン膜の間に位相反転パターン膜を形成
する第４工程； （ｅ）全表面にわたって第２位相反転膜を形成する第５
工程； （ｆ）前記第２位相反転膜を乾式エッチングして前記各
位相反転パターン膜の側面に前記第１位相反転膜の表面
から前記透光性基板の表面に向かって順次幅が広くなる
ように成形する第６工程； を含むことを特徴とする位相反転マスクの製造方法。 - 【請求項２】 第４工程中、各１組をなされる２個の遮
光性パターン膜間に形成される位相反転パターン膜の幅
は、前記２個の遮光性パターン膜間の内側先端部同士の
幅よりは大きくて、外側先端部同士の幅よりは小さく設
定することを特徴とする前記第１項記載の位相反転マス
クの製造方法。 - 【請求項３】 第６工程中、乾式エッチング工程は、Ｒ
ＩＥ工程であることを特徴とする前記第１項記載の位相
反転マスクの製造方法。 - 【請求項４】 透光性基板は、石英であることを特徴と
する前記第１項記載の位相反転マスクの製造方法。 - 【請求項５】 遮光性膜は、クロムであることを特徴と
する前記第１項記載の位相反転マスクの製造方法。
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