JPH1048809A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
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- JPH1048809A JPH1048809A JP11175297A JP11175297A JPH1048809A JP H1048809 A JPH1048809 A JP H1048809A JP 11175297 A JP11175297 A JP 11175297A JP 11175297 A JP11175297 A JP 11175297A JP H1048809 A JPH1048809 A JP H1048809A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 位相シフトマスクの新規な製造方法を提供す
ること。 【解決手段】 透明マスク原板上にエッチング保護層、
遮光層、透光層を順次に形成し、透光層をエッチングし
て透光パターン層を形成し、透光パターン層をマスクと
して遮光層をエッチングし、残っている遮光層の側面の
一部を酸化させて遮光パターン層と熱酸化透光パターン
層を形成し、全面に陰性レジストを塗布して、マスク無
しに後面露光を実施して遮光パターン層の上側の陰性レ
ジストのみを除去してリム反転層を形成し、残った陰性
レジストに自己整列させて露出された位相反転領域にハ
ーフトーン層を形成する。それによってハーフトーン層
の両側にリム反転層を有するマスクが形成される。
ること。 【解決手段】 透明マスク原板上にエッチング保護層、
遮光層、透光層を順次に形成し、透光層をエッチングし
て透光パターン層を形成し、透光パターン層をマスクと
して遮光層をエッチングし、残っている遮光層の側面の
一部を酸化させて遮光パターン層と熱酸化透光パターン
層を形成し、全面に陰性レジストを塗布して、マスク無
しに後面露光を実施して遮光パターン層の上側の陰性レ
ジストのみを除去してリム反転層を形成し、残った陰性
レジストに自己整列させて露出された位相反転領域にハ
ーフトーン層を形成する。それによってハーフトーン層
の両側にリム反転層を有するマスクが形成される。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は半導体マスクに関す
るもので、特に開口部の透過光を効果的に高めることが
できる位相シフトマスクの製造方法に関する。
るもので、特に開口部の透過光を効果的に高めることが
できる位相シフトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体素子の製造工程によく用
いられるフォトリソグラフィ工程は、半導体素子を作ろ
うとする形状に光を透過させる部分と、光を遮断する部
分とに分けられたフォトマスクを主に用いる。一般的な
フォトマスクは遮光パターンと透光パターンとから構成
されて、選択的な露光ができるようになっている。しか
し、素子の高集積化によって、パターンの密度が増加す
ることにより、光の回折現象が発生して、解像度の向上
に限界があった。そのため、前記フォトマスクの問題点
を改善できる位相シフトマスクを用いて、解像度を向上
させる方法が研究されてきた。マスクの製造技術の発達
により、光の位相差を応用したマスクの様々な変形が登
場して光学解像度の限界を引き延ばした。
いられるフォトリソグラフィ工程は、半導体素子を作ろ
うとする形状に光を透過させる部分と、光を遮断する部
分とに分けられたフォトマスクを主に用いる。一般的な
フォトマスクは遮光パターンと透光パターンとから構成
されて、選択的な露光ができるようになっている。しか
し、素子の高集積化によって、パターンの密度が増加す
ることにより、光の回折現象が発生して、解像度の向上
に限界があった。そのため、前記フォトマスクの問題点
を改善できる位相シフトマスクを用いて、解像度を向上
させる方法が研究されてきた。マスクの製造技術の発達
により、光の位相差を応用したマスクの様々な変形が登
場して光学解像度の限界を引き延ばした。
【０００３】以下、添付図面を参照して、従来の技術に
よる位相シフトマスクについて説明する。 図１（ａ）
乃至（ｄ）は従来の技術の位相シフトマスクの工程断面
図であり、図２（ａ）乃至（ｄ）は従来の技術の他の位
相シフトマスクの工程断面図である。１９８２年、ＩＢ
ＭのＭ.Ｄ.Ｌｅｖｅｓｏｎが、ＳＰＩＥに、初めて位相
シフトマスクに対する概念を発表した。位相シフトマス
クは、位相反転透光層を光を通過させてその光の位相を
１８０°反転させ、一般の透光層を通過した光と相殺干
渉を起こさせて、普通のマスクより解像力と焦点深度を
向上させたマスクである。レベンソンの位相シフトマス
クが従来のマスクを換えた後、コンタクトホールの解像
限界を高めるために、Ｎｉｔａｙａｍａ等が提案したリ
ム型位相シフトマスクが出現し、日立のＴｅｒａｓａｗ
ａも、１９８９年ＳＰＩＥに、アウトリガー型位相シフ
トマスクを発表して、その分野の実用性が非常に高くな
った。これと共に、リダクション型位相シフトマスク
（或いは、ハーフトーン位相シフトマスク）等も開発さ
れて、マスクの面積を画期的に減らすことができた。
よる位相シフトマスクについて説明する。 図１（ａ）
乃至（ｄ）は従来の技術の位相シフトマスクの工程断面
図であり、図２（ａ）乃至（ｄ）は従来の技術の他の位
相シフトマスクの工程断面図である。１９８２年、ＩＢ
ＭのＭ.Ｄ.Ｌｅｖｅｓｏｎが、ＳＰＩＥに、初めて位相
シフトマスクに対する概念を発表した。位相シフトマス
クは、位相反転透光層を光を通過させてその光の位相を
１８０°反転させ、一般の透光層を通過した光と相殺干
渉を起こさせて、普通のマスクより解像力と焦点深度を
向上させたマスクである。レベンソンの位相シフトマス
クが従来のマスクを換えた後、コンタクトホールの解像
限界を高めるために、Ｎｉｔａｙａｍａ等が提案したリ
ム型位相シフトマスクが出現し、日立のＴｅｒａｓａｗ
ａも、１９８９年ＳＰＩＥに、アウトリガー型位相シフ
トマスクを発表して、その分野の実用性が非常に高くな
った。これと共に、リダクション型位相シフトマスク
（或いは、ハーフトーン位相シフトマスク）等も開発さ
れて、マスクの面積を画期的に減らすことができた。
【０００４】先ず、ニタヤマ等が、ＩＥＤＭに、初めに
発表したリム型位相シフトマスクの製造工程を、図１
（ａ）乃至（ｄ）を参照して説明する。リム型位相シフ
トマスクはリムシフト層のマージンを確保するために遮
光パターンを湿式エッチングする。図１（ａ）に示すよ
うに、透明マスク原板１上に遮光層３、レジスト２層を
順次に形成し、前記レジスト２層をパターニングして、
それをマスクとして遮光層を選択的にエッチングして遮
光パターン層３を形成する。次いで、図１（ｂ）に示す
ように、前記遮光層を選択的に除去するために、マスク
に用いられたレジスト２層を除去した後にＰＭＭＡ(Pol
y Methyl Meth Acryrate）４を全面に塗布して、反
転透光層４を形成する。
発表したリム型位相シフトマスクの製造工程を、図１
（ａ）乃至（ｄ）を参照して説明する。リム型位相シフ
トマスクはリムシフト層のマージンを確保するために遮
光パターンを湿式エッチングする。図１（ａ）に示すよ
うに、透明マスク原板１上に遮光層３、レジスト２層を
順次に形成し、前記レジスト２層をパターニングして、
それをマスクとして遮光層を選択的にエッチングして遮
光パターン層３を形成する。次いで、図１（ｂ）に示す
ように、前記遮光層を選択的に除去するために、マスク
に用いられたレジスト２層を除去した後にＰＭＭＡ(Pol
y Methyl Meth Acryrate）４を全面に塗布して、反
転透光層４を形成する。
【０００５】反転透光層４を透明マスク原板１の裏面か
ら露光して、図１（ｃ）に示すように、遮光パターン層
３の形態に応じた反転パターン層５を形成する。次い
で、図１（ｄ）に示すように、前記遮光パターン層３を
湿式エッチングして、リム反転層が形成されるようにア
ンダーカットさせられた形態の遮光パターン層６を形成
してマスクを完成する。
ら露光して、図１（ｃ）に示すように、遮光パターン層
３の形態に応じた反転パターン層５を形成する。次い
で、図１（ｄ）に示すように、前記遮光パターン層３を
湿式エッチングして、リム反転層が形成されるようにア
ンダーカットさせられた形態の遮光パターン層６を形成
してマスクを完成する。
【０００６】従来の技術による他の位相シフトマスクに
ついて説明する。リム型位相シフトマスクの遮光部を半
透明部に置き換えた位相シフトマスクを次のような工程
で形成する。まず、図２（ａ）に示すように、透明マス
ク原板１上に半透明のクロム層を堆積して半透明膜７を
形成する。そして、前記半透明膜７上に透明な反転透光
層４を形成した後に、その反転透光層４上に陽性レジス
トを塗布し、選択的に電子線を転写して陽性レジストパ
ターン層８を形成する。次いで、図２（ｂ）に示すよう
に、前記陽性レジストパターン層８をマスクとして露出
された反転透光層４を乾式エッチングで除去する。
ついて説明する。リム型位相シフトマスクの遮光部を半
透明部に置き換えた位相シフトマスクを次のような工程
で形成する。まず、図２（ａ）に示すように、透明マス
ク原板１上に半透明のクロム層を堆積して半透明膜７を
形成する。そして、前記半透明膜７上に透明な反転透光
層４を形成した後に、その反転透光層４上に陽性レジス
トを塗布し、選択的に電子線を転写して陽性レジストパ
ターン層８を形成する。次いで、図２（ｂ）に示すよう
に、前記陽性レジストパターン層８をマスクとして露出
された反転透光層４を乾式エッチングで除去する。
【０００７】そして、図２（ｃ）に示すように、下層の
半透明膜７を反転透光層４が除去された部分を通して湿
式エッチングして半透明パターン層９を形成した後、、
図２（ｄ）に示すように、前記陽性レジストパターン層
８を除去して位相シフトマスクを完成する。前記のよう
な従来の技術の位相シフトマスクは、反転透光層を通過
した光の位相を１８０°反転させて、一般的な透光層を
通過した光と相殺干渉を起こして、普通のマスクより解
像力と焦点深度を向上させることができる。
半透明膜７を反転透光層４が除去された部分を通して湿
式エッチングして半透明パターン層９を形成した後、、
図２（ｄ）に示すように、前記陽性レジストパターン層
８を除去して位相シフトマスクを完成する。前記のよう
な従来の技術の位相シフトマスクは、反転透光層を通過
した光の位相を１８０°反転させて、一般的な透光層を
通過した光と相殺干渉を起こして、普通のマスクより解
像力と焦点深度を向上させることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術の
位相シフトマスクは、次のような問題点がある。第１
に、遮光層或いは半透明膜を湿式エッチングでパターニ
ングするので、アンダーカット現象が発生して、反転透
光層の厚さ及び幅の調節が難くなる。第２に、反転透光
層と遮光層（或いは、半透明部）との間の接着力が低下
して、正確な位相反転効果を期待しがたい。第３に、各
層のエッチング工程時に発生する基板損傷のため均一な
位相シフトマスクを得難い。第４に、反転透光層に感光
有機物を用いる場合に、リム反転層のエッジ強調効果が
下がる。本発明は、前記のような従来技術の位相シフト
マスクの問題点を解決するためになされたもので、半透
明膜の位相反転効果を用いて、開口部の透過光を効率的
に高めた位相シフトマスクの製造方法を提供することを
目的とする。
位相シフトマスクは、次のような問題点がある。第１
に、遮光層或いは半透明膜を湿式エッチングでパターニ
ングするので、アンダーカット現象が発生して、反転透
光層の厚さ及び幅の調節が難くなる。第２に、反転透光
層と遮光層（或いは、半透明部）との間の接着力が低下
して、正確な位相反転効果を期待しがたい。第３に、各
層のエッチング工程時に発生する基板損傷のため均一な
位相シフトマスクを得難い。第４に、反転透光層に感光
有機物を用いる場合に、リム反転層のエッジ強調効果が
下がる。本発明は、前記のような従来技術の位相シフト
マスクの問題点を解決するためになされたもので、半透
明膜の位相反転効果を用いて、開口部の透過光を効率的
に高めた位相シフトマスクの製造方法を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトマス
クの製造方法は、透明マスク原板上にエッチング保護
層、遮光層、透光層を順次形成し、複数の位相反転領域
とその間のオープン領域を定め、前記位相反転領域上に
のみ残るように透光層をエッチングして透光パターン層
を形成し、前記透光パターン層をマスクとして遮光層を
エッチングし、残っている遮光層の側面の一部を酸化さ
せて遮光パターン層と熱酸化透光パターン層を形成し、
前記透光パターン層と露出されたエッチング保護層の全
面に陰性レジストを塗布して、マスク無しに後面露光を
実施して遮光パターン層の上側の陰性レジストのみを除
去し、残っている陰性レジストをマスクとして遮光パタ
ーン層を除去して、位相反転領域の遮光パターン層があ
った部分以外の部分に熱酸化透光パターン層と透光パタ
ーン層が順次に積層させられたリム反転層を形成し、残
っている陰性レジストで自己整列的に露出された位相反
転領域にハーフトーン層を形成し、残っている陰性レジ
ストを除去することを特徴とする。
クの製造方法は、透明マスク原板上にエッチング保護
層、遮光層、透光層を順次形成し、複数の位相反転領域
とその間のオープン領域を定め、前記位相反転領域上に
のみ残るように透光層をエッチングして透光パターン層
を形成し、前記透光パターン層をマスクとして遮光層を
エッチングし、残っている遮光層の側面の一部を酸化さ
せて遮光パターン層と熱酸化透光パターン層を形成し、
前記透光パターン層と露出されたエッチング保護層の全
面に陰性レジストを塗布して、マスク無しに後面露光を
実施して遮光パターン層の上側の陰性レジストのみを除
去し、残っている陰性レジストをマスクとして遮光パタ
ーン層を除去して、位相反転領域の遮光パターン層があ
った部分以外の部分に熱酸化透光パターン層と透光パタ
ーン層が順次に積層させられたリム反転層を形成し、残
っている陰性レジストで自己整列的に露出された位相反
転領域にハーフトーン層を形成し、残っている陰性レジ
ストを除去することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の位相シフトマスクの製造方法について詳細に説明す
る。図３は、本発明の一実施形態による位相シフトマス
クの工程断面図である。本実施形態の位相シフトマスク
は、ウェーハの露光時に、リム反転層の効果をできるだ
け高め、反転透光層のエッジを強調するもので、遮光パ
ターン層（あるいは、半透明パターン層）の両側にリム
反転層を自己整列させて形成するものである。まず、図
３（ａ）に示すように、透明マスク原板３１上に後工程
においてエッチング工程のエンドポイント(End Point
）に用いられるエッチング保護層３２を形成し、その
上側にポリシリコンを堆積して遮光層３３を形成する。
次いで、遮光層３３上にＳＩＯ2 等を用いて透光層３４
を形成し、その上側に陽性レジストを堆積し、電子線を
選択的に照射して陽性レジストパターン３５を形成す
る。これにより、レジストが残された位相反転領域とそ
の領域の間の透光領域とを定める。図３（ｂ）に示すよ
うに、前記陽性レジストパターン３５を用いて露出され
た透光層３４を選択的に除去して透光パターン層３６を
形成する。次いで、この透光層３４の除去工程で露出さ
れた遮光層３３を除去し、陽性レジストパターン３５を
除去する。
明の位相シフトマスクの製造方法について詳細に説明す
る。図３は、本発明の一実施形態による位相シフトマス
クの工程断面図である。本実施形態の位相シフトマスク
は、ウェーハの露光時に、リム反転層の効果をできるだ
け高め、反転透光層のエッジを強調するもので、遮光パ
ターン層（あるいは、半透明パターン層）の両側にリム
反転層を自己整列させて形成するものである。まず、図
３（ａ）に示すように、透明マスク原板３１上に後工程
においてエッチング工程のエンドポイント(End Point
）に用いられるエッチング保護層３２を形成し、その
上側にポリシリコンを堆積して遮光層３３を形成する。
次いで、遮光層３３上にＳＩＯ2 等を用いて透光層３４
を形成し、その上側に陽性レジストを堆積し、電子線を
選択的に照射して陽性レジストパターン３５を形成す
る。これにより、レジストが残された位相反転領域とそ
の領域の間の透光領域とを定める。図３（ｂ）に示すよ
うに、前記陽性レジストパターン３５を用いて露出され
た透光層３４を選択的に除去して透光パターン層３６を
形成する。次いで、この透光層３４の除去工程で露出さ
れた遮光層３３を除去し、陽性レジストパターン３５を
除去する。
【００１１】図３（ｃ）に示すように、酸素雰囲気で残
された遮光層３３の側面部を酸化させて、遮光パターン
層４０（酸化されない部分）とその側面に熱酸化透光パ
ターン層３７（酸化させた部分）とを形成する。次い
で、全面に陰性レジスト３８、３９を塗布する。マスク
無しに後面露光を実施して、図３（ｄ）に示すように、
光透過部の陰性レジスト３９を残して遮光部の陰性レジ
スト３８を除去する。図３（ｅ）に示すように、透光パ
ターン層３６の陰性レジスト３８が除去されて露出され
た部分とその下の遮光パターン層４０とをエッチングす
る。これにより、リム反転層４１を形成する。次いで、
図３（ｆ）に示すように、残された陰性レジスト３９と
露出されたエッチング保護層３２の全面にスパッタリン
グ工程で、クロムが１／１０含有されたＳｉを堆積して
半透明反転層４２を形成する。
された遮光層３３の側面部を酸化させて、遮光パターン
層４０（酸化されない部分）とその側面に熱酸化透光パ
ターン層３７（酸化させた部分）とを形成する。次い
で、全面に陰性レジスト３８、３９を塗布する。マスク
無しに後面露光を実施して、図３（ｄ）に示すように、
光透過部の陰性レジスト３９を残して遮光部の陰性レジ
スト３８を除去する。図３（ｅ）に示すように、透光パ
ターン層３６の陰性レジスト３８が除去されて露出され
た部分とその下の遮光パターン層４０とをエッチングす
る。これにより、リム反転層４１を形成する。次いで、
図３（ｆ）に示すように、残された陰性レジスト３９と
露出されたエッチング保護層３２の全面にスパッタリン
グ工程で、クロムが１／１０含有されたＳｉを堆積して
半透明反転層４２を形成する。
【００１２】図３（ｇ）に示すように、水溶液状態に透
明マスク原板３１を沈潜させて、陰性レジスト３９の間
の半透明反転層４２を３０℃程度の温度において液相成
長させて層４２の上に酸化膜層４３を形成する。この半
透明反転層４２と酸化膜層４３とでハーフトーン層とす
る。その光透過率は５〜３０％になるように形成するこ
とが望ましい。次いで、図３（ｈ）に示すように、残っ
ている陰性レジスト３９と、その上の半透明反転層４２
を除去すれば、半透明反転層４２の両側にリム反転層が
形成される位相シフトマスクが完成する。その際、リム
反転層は厚さ（ｄ）がｄ＝λ／２（ｎ−１）、（λは露
光源の波長であり、ｎはリム反転層の屈折率）になるよ
うに形成する。
明マスク原板３１を沈潜させて、陰性レジスト３９の間
の半透明反転層４２を３０℃程度の温度において液相成
長させて層４２の上に酸化膜層４３を形成する。この半
透明反転層４２と酸化膜層４３とでハーフトーン層とす
る。その光透過率は５〜３０％になるように形成するこ
とが望ましい。次いで、図３（ｈ）に示すように、残っ
ている陰性レジスト３９と、その上の半透明反転層４２
を除去すれば、半透明反転層４２の両側にリム反転層が
形成される位相シフトマスクが完成する。その際、リム
反転層は厚さ（ｄ）がｄ＝λ／２（ｎ−１）、（λは露
光源の波長であり、ｎはリム反転層の屈折率）になるよ
うに形成する。
【００１３】次に、従来の技術の位相シフトマスクの問
題点を解決するための本発明の他の実施形態について図
４を参照して説明する。図３のものと同じものは同じ符
号を用いて説明する。先ず、図４（ａ）に示すように、
透明マスク原板３１上に後工程においてエッチング工程
のエンドポイントに用いられるエッチング保護層３２を
形成し、その上側にポリシリコンを堆積して遮光層３３
を形成する。次いで、遮光層３３上にＳｉＯ2 等を用い
て透光層３４を形成し、その上側に陽性レジストを堆積
し、電子線を選択的に照射して陽性レジストパターン３
５を形成する。図４（ｂ）に示すように、前記陽性レジ
ストパターン３５を用いて露出された透光層３４を選択
的に除去して透光パターン層３６を形成する。次いで、
前記透光層３４の除去工程で露出された遮光層３３を除
去するとともに、前記陽性レジストパターン３５を除去
する。
題点を解決するための本発明の他の実施形態について図
４を参照して説明する。図３のものと同じものは同じ符
号を用いて説明する。先ず、図４（ａ）に示すように、
透明マスク原板３１上に後工程においてエッチング工程
のエンドポイントに用いられるエッチング保護層３２を
形成し、その上側にポリシリコンを堆積して遮光層３３
を形成する。次いで、遮光層３３上にＳｉＯ2 等を用い
て透光層３４を形成し、その上側に陽性レジストを堆積
し、電子線を選択的に照射して陽性レジストパターン３
５を形成する。図４（ｂ）に示すように、前記陽性レジ
ストパターン３５を用いて露出された透光層３４を選択
的に除去して透光パターン層３６を形成する。次いで、
前記透光層３４の除去工程で露出された遮光層３３を除
去するとともに、前記陽性レジストパターン３５を除去
する。
【００１４】図４（ｃ）に示すように、酸素雰囲気にお
いて前記遮光層３３の側面部を酸化させて遮光パターン
層４０を形成し、その側面に熱酸化透光パターン層３７
を形成する。次いで、全面に陰性レジスト３８、３９を
塗布する。マスク無しに後面露光を実施して、図４
（ｄ）に示すように、光透過部の陰性レジスト３９を残
して遮光部の陰性レジスト３８を除去する。そして、図
４（ｅ）に示すように、前記遮光部の陰性レジスト３８
が除去されて露出した透光パターン層３６の部分をエッ
チングする。次いで、図４（ｆ）に示すように、陰性レ
ジスト３９をマスクとして、前記遮光パターン層４０の
一部を熱酸化して熱酸化透光パターン層４３を形成す
る。そして、陰性レジスト３９を除去して、遮光パター
ン層４０と熱酸化透光パターン層４３が積層されたハー
フトーン層の両側にリム反転層を有する位相シフトマス
クを完成する。この実施形態においては、ハーフトーン
層は、遮光層とそれを熱酸化させて形成された酸化膜層
とを積層して、光透過率が５〜３０％になるように形成
している。またリム反転層は厚さ（ｄ）がｄ＝λ／２
（ｎ−１）、（λは露光源の波長であり、ｎはリム反転
層の屈折率）になるように形成する。
いて前記遮光層３３の側面部を酸化させて遮光パターン
層４０を形成し、その側面に熱酸化透光パターン層３７
を形成する。次いで、全面に陰性レジスト３８、３９を
塗布する。マスク無しに後面露光を実施して、図４
（ｄ）に示すように、光透過部の陰性レジスト３９を残
して遮光部の陰性レジスト３８を除去する。そして、図
４（ｅ）に示すように、前記遮光部の陰性レジスト３８
が除去されて露出した透光パターン層３６の部分をエッ
チングする。次いで、図４（ｆ）に示すように、陰性レ
ジスト３９をマスクとして、前記遮光パターン層４０の
一部を熱酸化して熱酸化透光パターン層４３を形成す
る。そして、陰性レジスト３９を除去して、遮光パター
ン層４０と熱酸化透光パターン層４３が積層されたハー
フトーン層の両側にリム反転層を有する位相シフトマス
クを完成する。この実施形態においては、ハーフトーン
層は、遮光層とそれを熱酸化させて形成された酸化膜層
とを積層して、光透過率が５〜３０％になるように形成
している。またリム反転層は厚さ（ｄ）がｄ＝λ／２
（ｎ−１）、（λは露光源の波長であり、ｎはリム反転
層の屈折率）になるように形成する。
【００１５】
【発明の効果】前記のような本発明の位相シフトマスク
は、次のような効果がある。第１に、半透明反転層の両
側にリム反転層が自己整列されるので、正確に整列され
て、エッチングによる欠陥発生を押さえる。そのため、
均一な位相シフトマスクを提供できるようになる。第２
に、リム反転層の上層部が事前に形成されるので、リム
反転層の角の角度調節が容易になって、エッジ強調効果
が高められる。第３に、反転層が半透明膜とともに形成
されるので、湿式エッチングが別途必要としないため、
半透明膜の形成時にアンダーカット現象を防止して、素
子の信頼性を向上させることができる。第４に、ポリシ
リコンの部分酸化により半透明膜の形成が可能であるの
で工程を単純化する効果がある。
は、次のような効果がある。第１に、半透明反転層の両
側にリム反転層が自己整列されるので、正確に整列され
て、エッチングによる欠陥発生を押さえる。そのため、
均一な位相シフトマスクを提供できるようになる。第２
に、リム反転層の上層部が事前に形成されるので、リム
反転層の角の角度調節が容易になって、エッジ強調効果
が高められる。第３に、反転層が半透明膜とともに形成
されるので、湿式エッチングが別途必要としないため、
半透明膜の形成時にアンダーカット現象を防止して、素
子の信頼性を向上させることができる。第４に、ポリシ
リコンの部分酸化により半透明膜の形成が可能であるの
で工程を単純化する効果がある。
【図１】 従来の技術の位相シフトマスクの工程断面図
である。
である。
【図２】 従来の技術の他の位相シフトマスクの工程断
面図である。
面図である。
【図３】 本発明による位相シフトマスクの工程断面図
である。
である。
【図４】 本発明による他の位相シフトマスクの工程断
面図である。
面図である。
３１ 透明マスク原板 ３２ エッチン
グ保護層 ３３ 遮光層 ３４ 透光層 ３５ 陽性レジストパターン ３６ 透光パタ
ーン層 ３７ 熱酸化透光パターン層 ３８、３９ 陰
性レジスト ４０ 遮光パターン層 ４１ リム反転
層 ４２ 半透明反転層 ４３ 酸化膜層
グ保護層 ３３ 遮光層 ３４ 透光層 ３５ 陽性レジストパターン ３６ 透光パタ
ーン層 ３７ 熱酸化透光パターン層 ３８、３９ 陰
性レジスト ４０ 遮光パターン層 ４１ リム反転
層 ４２ 半透明反転層 ４３ 酸化膜層
Claims (1)
- 【請求項１】 透明マスク原板上にエッチング保護層、
遮光層、透光層を順次形成する工程と、 複数の位相反転領域とその間のオープン領域を定め、前
記位相反転領域上にのみ残るように透光層をエッチング
して透光パターン層を形成する工程と、 前記透光パターン層をマスクとして遮光層をエッチング
し、残っている遮光層の側面の一部を酸化させて遮光パ
ターン層と熱酸化透光パターン層を形成する工程と、 前記透光パターン層と露出されたエッチング保護層の全
面に陰性レジストを塗布して、マスク無しに後面露光を
実施して遮光パターン層の上側の陰性レジストのみを除
去する工程と、 残っている陰性レジストをマスクとして遮光パターン層
を除去して、位相反転領域の遮光パターン層があった部
分以外の部分に熱酸化透光パターン層と透光パターン層
が順次に積層させられたリム反転層を形成する工程と、 前記残っている陰性レジストで自己整列的に露出された
位相反転領域にハーフトーン層を形成し、残っている陰
性レジストを除去する工程とを含むことを特徴とする位
相シフトマスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024096A KR0166825B1 (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 위상반전 마스크의 제조 방법 |
| KR24096/1996 | 1996-06-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048809A true JPH1048809A (ja) | 1998-02-20 |
| JP2942818B2 JP2942818B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=19463620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11175297A Expired - Fee Related JP2942818B2 (ja) | 1996-06-26 | 1997-04-15 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5851708A (ja) |
| JP (1) | JP2942818B2 (ja) |
| KR (1) | KR0166825B1 (ja) |
| DE (1) | DE19725808C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150142992A (ko) * | 2014-06-13 | 2015-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009025553A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Canon Inc | 位相シフトマスク |
| KR101096249B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2011-12-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 마스크 및 제조 방법 |
| CN112180676A (zh) * | 2020-09-23 | 2021-01-05 | 武汉华星光电技术有限公司 | 半色调掩模版、显示面板的制备方法及紫外掩膜版 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0172816B1 (ko) * | 1991-01-14 | 1999-03-30 | 문정환 | 마스크 제조방법 |
| US5244759A (en) * | 1991-02-27 | 1993-09-14 | At&T Bell Laboratories | Single-alignment-level lithographic technique for achieving self-aligned features |
| US5536606A (en) * | 1995-05-30 | 1996-07-16 | Micron Technology, Inc. | Method for making self-aligned rim phase shifting masks for sub-micron lithography |
-
1996
- 1996-06-26 KR KR1019960024096A patent/KR0166825B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-04-15 JP JP11175297A patent/JP2942818B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-14 US US08/856,194 patent/US5851708A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-18 DE DE19725808A patent/DE19725808C2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150142992A (ko) * | 2014-06-13 | 2015-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19725808A1 (de) | 1998-01-08 |
| KR0166825B1 (ko) | 1999-01-15 |
| JP2942818B2 (ja) | 1999-08-30 |
| US5851708A (en) | 1998-12-22 |
| KR980003816A (ko) | 1998-03-30 |
| DE19725808C2 (de) | 1999-12-09 |
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