KR0172816B1 - 마스크 제조방법 - Google Patents

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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Abstract

본 발명은 패이스-쉬프트(Phase-Shift) 마스트(Mask) 제조방법에 관한 것으로, 특히 패이스-쉬프트 금속물질의 위치와 크기 및 두께를 안정화시키는데 적당하도록 한 마스크 제조방법에 관한 것이다.
종래의 기술구성의 패이스-쉬프트 마스크 제조방법은 수정판 위에 크롬과 PMMA를 증착하여 구성하였으며, PMMA의 두께가 변화하면 엣지측면을 정확히 조절하기 어렵고 크롬 측면의 에칭정도를 정확히 조절하기 어려운 단점이 있으며 PMMA의 내구성이 좋지 못한 문제점이 있었다.
이에 따라 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 수정판 위에 크롬과 실리콘을 증착하여 크롬과 실리콘을 전자빔에 의해 에칭한 후 실리콘을 산화시켜 크롬과 실리콘 산화막의 크기를 조절할 수 있도록 하였다.
따라서 크롬과 실리콘 산화막의 엣지측면의 두께 및 크기가 안정적이며, 실리콘 산화막의 패이스-쉬프트를 사용하므로 내구성이 우수한 효과가 있다.

Description

마스크 제조방법
제1도는 종래의 PMMA를 증착한 마스크 공정도.
제2도는 본 발명의 실리콘을 증착한 마스크 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 수정판 20 : PMMA
30 : 크롬 40 : 실리콘
본 발명은 패이스-쉬프트(Phase-Shift) 마스트(Mask) 제조방법에 관한 것으로, 특히 패이스-쉬프트 금속물질의 위치와 크기 및 두께를 안정화시키는데 적당하도록 한 마스크 제조방법에 관한 것이다.
종래 기술구성의 패이스-쉬프트 마스크 제조방법은 제1도 (a)에 도시된 바와 같이 수정판(Quartz)(10)에 크롬(Chrome)(30)과 PMMA(Polu Methyl Methacry late)를 증착하여 마스크 제조하도록 구성되어 있다.
제1도 (b)~(c)에 도시된 바와 같이 수정판(10) 위에 PMMA(20) 포토-레지스터(Photo-resist)를 형성하여 상기 PMMA(20)을 패터닝(patterning)한 후, 상기 크롬(30)을 웰-에칭/드라이 에칭(Wet-etching/dry etching)하여 크롬(30) 마스크의 패턴 크기를 조절하는 방법이며, 상충의 PMMA(20)를 증착하여 패이스-쉬프터로 이용하는 마스크 제조방법이다.
그러나 이와 같은 종래의 패이스-쉬프트 마스크 제조방법은 제1도 (d)에 도시된 바와 같이 PMMA의 두께가 변화하여 PMMA의 엣지(Edge) 측면의 에칭정도를 정확히 조절하기 어려운 단점이 있으며, 폴리머(Polymer) 계통인 PMMA의 내구성이 우수하지 못한 등 여러 문제점이 있다.
이에 따라 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 제2도에 도시된 바와 같이 수정판(10) 위에 크롬(30)과 실리콘(Si)(40)을 증착하여 상기 크롬(30)과 실리콘(40)을 전자빔에 의해 에칭하여 마스크를 제조하도록 구성하였다.
이하, 상술한 기술구성의 제조방법 및 작용효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도 (a)에 도시된 바와 같이 수정판(10)상에 크롬(30)과 실리콘(40)을 증착한다.
여기서, 상기 실리콘(40)은 폴리-실리콘 또는 비정질 실리콘을 사용하며, 상기 실리콘(40) 대신에 금속을 사용하여도 된다.
그리고, 제2도 (b)에 도시된 바와 같이 상기 실리콘(40)상에 전자빔(E-beam) 레지스트(50)를 형성한 후, 상기 전자빔 레지스트(50)를 상기 수정판(10)의 차광영역에만 남도록 선택적으로 패터닝(Patterning)한다.
이어, 제2도 (c~d)에 도시된 바와 같이 상기 선택적으로 패터닝된 전자빔 레지스트(50)를 마스크로 상기 실리콘(40)과 크롬(30)을 전자빔(E-beam)에 의해 에칭한 후, 상기 전자빔 레지스트(50)를 제거하고, 상기 실리콘(40)과 크롬(30) 측면의 크기 조절이 용이하지 않기 때문에 실리콘을 산화시켜 부피팽창시킨다.
이러한 실리콘의 산화에 의한 부피팽창을 이용하여 상기 크롬(30)과 실리콘산화막(SiO2)의 크기를 조절할 수 있다.
따라서 상기 크롬(30)과 실리콘 산화막의 엣지 측면(Edge Profile) 두께 및 크기가 안정적이며, 실리콘 산화막의 패이스-쉬프터를 사용하므로 내구성이 우수한 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 차광영역이 정의된 수정판 위에 크롬, 실리콘과, 전자빔 레지스트를 형성하는 공정; 상기 전자빔 레지스트를 상기 차광영역에만 남도록 선택적으로 패터닝하는 공정; 상기 패터닝된 전자빔 레지스트를 마스크로 전자빔에 의해 상기 실리콘과 크롬을 에칭하는 공정; 상기 전자빔 레지스트를 제거한 후 상기 실리콘을 산화시켜 부피를 팽창시킴에 따라 실리콘 산화막의 크기를 조절할 수 있도록 하는 공정을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 실리콘은 금속으로도 증착하여 산화시킬 수 있는 공정을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
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