JP2824817B2 - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
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- JP2824817B2 JP2824817B2 JP2333292A JP2333292A JP2824817B2 JP 2824817 B2 JP2824817 B2 JP 2824817B2 JP 2333292 A JP2333292 A JP 2333292A JP 2333292 A JP2333292 A JP 2333292A JP 2824817 B2 JP2824817 B2 JP 2824817B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業の利用分野】本発明は位相シフトマスクの製造方
法に係り、特にパターンの幅と膜厚とを安定させること
ができるマスクの製造方法に関する。
法に係り、特にパターンの幅と膜厚とを安定させること
ができるマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィ法を利用して半導体
集積素子を製造する場合、感光膜が塗布されたウェハー
の表面にマスクを通して紫外線等の光線を照射して感光
膜に所定のパターンを形成する露光工程が遂行される。
集積素子を製造する場合、感光膜が塗布されたウェハー
の表面にマスクを通して紫外線等の光線を照射して感光
膜に所定のパターンを形成する露光工程が遂行される。
【０００３】露光方法において、コンタクト（ＣＯＮＴ
ＡＣＴ）法と、プロシミティ（ＰＲＯＸＩＭＩＴＹ）
法、及びプロジェクション（ＰＲＯＪＥＣＴＩＯＮ）法
とが知られているが、最近半導体製造技術の発展により
半導体素子が超高集積化されるにつれ回路の線幅が微細
になり、このような露光法はその使用に限界がある。
ＡＣＴ）法と、プロシミティ（ＰＲＯＸＩＭＩＴＹ）
法、及びプロジェクション（ＰＲＯＪＥＣＴＩＯＮ）法
とが知られているが、最近半導体製造技術の発展により
半導体素子が超高集積化されるにつれ回路の線幅が微細
になり、このような露光法はその使用に限界がある。
【０００４】よく知られている露光法にウェハーステッ
ピング法があり、この方法では微細な線幅は得られる
が、感光膜に照射されるパターンの解像度が低下し、高
集積半導体素子の製造の際は使用できなかった。最近、
マスクに形成された所定のパターンを光が通過する際、
隣接パターンを通過する光の位相を１８０°反転させる
ことにより、パターンのエッジ部分で光の位相を互いに
１８０°ずらして相殺して、光の強さを零にし、エッジ
部分での解像度を増加させるようにした位相シフトマス
クを用いる方法がある。
ピング法があり、この方法では微細な線幅は得られる
が、感光膜に照射されるパターンの解像度が低下し、高
集積半導体素子の製造の際は使用できなかった。最近、
マスクに形成された所定のパターンを光が通過する際、
隣接パターンを通過する光の位相を１８０°反転させる
ことにより、パターンのエッジ部分で光の位相を互いに
１８０°ずらして相殺して、光の強さを零にし、エッジ
部分での解像度を増加させるようにした位相シフトマス
クを用いる方法がある。
【０００５】図１は従来のポリメタクリル酸メチル（以
下ＰＭＭＡという）を利用した位相シフトマスクの製造
工程図を示す。従来位相シフトマスクの製造法は、図１
（ａ）に示すように、水晶板１０上にマスクプレートで
あるクロム層（３０）と位相シフタである感光膜のＰＭ
ＭＡ（２０）を連続的に付着させる。この後、図１
（ｂ）に示すようにＰＭＭＡ（２０）に紫外線を露光さ
せてエッチングして所定のパターンを形成し、このパタ
ーニングされたＰＭＭＡ（２０）をエッチングマスクと
してクロム層（３０）を湿式エッチングして図１（ｃ）
に示したようにクロムパターンを形成する。
下ＰＭＭＡという）を利用した位相シフトマスクの製造
工程図を示す。従来位相シフトマスクの製造法は、図１
（ａ）に示すように、水晶板１０上にマスクプレートで
あるクロム層（３０）と位相シフタである感光膜のＰＭ
ＭＡ（２０）を連続的に付着させる。この後、図１
（ｂ）に示すようにＰＭＭＡ（２０）に紫外線を露光さ
せてエッチングして所定のパターンを形成し、このパタ
ーニングされたＰＭＭＡ（２０）をエッチングマスクと
してクロム層（３０）を湿式エッチングして図１（ｃ）
に示したようにクロムパターンを形成する。
【０００６】このような従来のマスクの製造方法は、Ｐ
ＭＭＡ（２０）をパターニングした後、クロム層（３
０）を湿式エッチングすることにより、マスクプレート
であるクロムパターンの幅を調整する。
ＭＭＡ（２０）をパターニングした後、クロム層（３
０）を湿式エッチングすることにより、マスクプレート
であるクロムパターンの幅を調整する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の位相シフトマスクの製造法は、感光溶液の粘
度と感光溶液の付着時のウエハの回転速度により制御さ
れるＰＭＭＡ（２０）の膜厚を調整するのが難しいとい
う問題があり、さらに、クロム膜のパターンをエッチン
グで形成するときにＰＭＭＡのパターンの幅の内側にま
で除去しなければならないので、そのとき図１（ｃ）に
示したように、クロム層（３０）の断面形状が台形に形
成され、クロム層のパターンのエッジ部分での解像度が
低下するという問題もあった。
うな従来の位相シフトマスクの製造法は、感光溶液の粘
度と感光溶液の付着時のウエハの回転速度により制御さ
れるＰＭＭＡ（２０）の膜厚を調整するのが難しいとい
う問題があり、さらに、クロム膜のパターンをエッチン
グで形成するときにＰＭＭＡのパターンの幅の内側にま
で除去しなければならないので、そのとき図１（ｃ）に
示したように、クロム層（３０）の断面形状が台形に形
成され、クロム層のパターンのエッジ部分での解像度が
低下するという問題もあった。
【０００８】さらに、同様に、クロム層をＰＭＭＡ（２
０）層の内側にまでエッチングしてＰＭＭＡ（２０）の
エッジを形成させているので、そのエッチング程度を正
確に調整し難く、正確なＰＭＭＡ（２０）層のエッジを
形成させることができないという問題もあり、その上、
位相シフタとしてポリマー系統であるＰＭＭＡを用いて
いるので耐久性が乏しいという問題点もあった。
０）層の内側にまでエッチングしてＰＭＭＡ（２０）の
エッジを形成させているので、そのエッチング程度を正
確に調整し難く、正確なＰＭＭＡ（２０）層のエッジを
形成させることができないという問題もあり、その上、
位相シフタとしてポリマー系統であるＰＭＭＡを用いて
いるので耐久性が乏しいという問題点もあった。
【０００９】
【発明の目的】これに鑑み本発明は、上記従来技術の問
題点を解決するために、クロム層のパターンが安定し、
位相シフタの厚さとそのエッジの形状も安定し、かつ耐
久性も向上したマスクの製造方法を提供することを目的
とする。
題点を解決するために、クロム層のパターンが安定し、
位相シフタの厚さとそのエッジの形状も安定し、かつ耐
久性も向上したマスクの製造方法を提供することを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、水晶板上にクロム層と被酸化物層を順次付着さ
せ、その被酸化物層と上記クロム層とを順次エッチング
し、その後その酸化物層を酸化させて容積を膨張させる
ことにより位相シフタを形成することを特徴とするもの
である。
明は、水晶板上にクロム層と被酸化物層を順次付着さ
せ、その被酸化物層と上記クロム層とを順次エッチング
し、その後その酸化物層を酸化させて容積を膨張させる
ことにより位相シフタを形成することを特徴とするもの
である。
【００１１】
【実施例】以下、本発明のマスクの製造方法を図面に基
づいて説明する。本発明において、位相シフタで感光膜
てあるＰＭＭＡを用いる代わりに、酸化させることがで
きる物質、すなわち被酸化物であるポリシリコン膜また
は非晶質シリコン膜のうちのいずれかの一つを用いてマ
スクを製造する。
づいて説明する。本発明において、位相シフタで感光膜
てあるＰＭＭＡを用いる代わりに、酸化させることがで
きる物質、すなわち被酸化物であるポリシリコン膜また
は非晶質シリコン膜のうちのいずれかの一つを用いてマ
スクを製造する。
【００１２】図２は本発明の位相シフタとして酸化物を
利用した位相シフトマスクの製造工程図を示す。図２
（ａ）に示したように、水晶板（１０）上にクロム層
（３０）とポリシリコン膜または非晶質シリコン膜のよ
うな被酸化物層（４０）を順次付着させる。
利用した位相シフトマスクの製造工程図を示す。図２
（ａ）に示したように、水晶板（１０）上にクロム層
（３０）とポリシリコン膜または非晶質シリコン膜のよ
うな被酸化物層（４０）を順次付着させる。
【００１３】図２（ｂ）に示すように、電子ビームレジ
ストを塗布した後、エッチングしてパターンを形成し、
この電子ビームレジストパターンをエッチングマスクと
して利用して被酸化物層（４０）をエッチングした上
で、上記電子ビームレジストパターンを除去する。この
後、図２（ｃ）に示したように、上記被酸化物パターン
をエッチングマスクとして利用してクロム層（３０）
を、図示のように被酸化物のパターンと一致するように
エッチングして、クロムパターンを形成する。
ストを塗布した後、エッチングしてパターンを形成し、
この電子ビームレジストパターンをエッチングマスクと
して利用して被酸化物層（４０）をエッチングした上
で、上記電子ビームレジストパターンを除去する。この
後、図２（ｃ）に示したように、上記被酸化物パターン
をエッチングマスクとして利用してクロム層（３０）
を、図示のように被酸化物のパターンと一致するように
エッチングして、クロムパターンを形成する。
【００１４】図２（ｄ）に示したように、上記被酸化物
層（４０）を酸化させると、酸化によって容積膨張して
クロムパターンからはみ出ることによって位相シフトマ
スクが形成される。
層（４０）を酸化させると、酸化によって容積膨張して
クロムパターンからはみ出ることによって位相シフトマ
スクが形成される。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明は、被酸化物層の
酸化による容積膨張を利用して位相シフタを形成してい
るので、従来のＰＭＭＡを使用した場合に比べて位相シ
フタの膜厚を安定させることができる。また、従来のよ
うに、クロム層を位相シフタの内側にまでエッチングす
る必要がないので、クロム層の断面形状が台形になるよ
うなことがなく、正確なパターンが得られる。したがっ
て、位相シフタのエッジの形状も正確になる。また、被
酸化物、すなわち酸化可能物質を位相シフタに使用した
ので耐久性を向上させることができる。
酸化による容積膨張を利用して位相シフタを形成してい
るので、従来のＰＭＭＡを使用した場合に比べて位相シ
フタの膜厚を安定させることができる。また、従来のよ
うに、クロム層を位相シフタの内側にまでエッチングす
る必要がないので、クロム層の断面形状が台形になるよ
うなことがなく、正確なパターンが得られる。したがっ
て、位相シフタのエッジの形状も正確になる。また、被
酸化物、すなわち酸化可能物質を位相シフタに使用した
ので耐久性を向上させることができる。
【図１】 従来の位相シフタでＰＭＭＡを利用したマス
クの製造工程図。
クの製造工程図。
【図２】 本発明の位相シフタで酸化物を利用したマス
クの製造工程図。
クの製造工程図。
１０ クォーツプレート ２０ ＰＭＭＡ ３０ クロム層 ４０ 酸化物層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/08 H01L 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】 水晶板上にクロム層と被酸化物層を順次
付着させ、上記被酸化物層と上記クロム層とを順次エッ
チングした後、上記被酸化物層を酸化させて容積を膨張
させることにより位相シフタを形成することを特徴とす
るマスクの製造方法。 - 【請求項２】 上記被酸化膜層としてポリシリコン膜ま
たは非晶質シリコン膜のうちのいずれかの一つを用いる
ことを特徴とする請求項１記載のマスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000461A KR0172816B1 (ko) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 마스크 제조방법 |
| KR461/1991 | 1991-01-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06138637A JPH06138637A (ja) | 1994-05-20 |
| JP2824817B2 true JP2824817B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=19309740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2333292A Expired - Fee Related JP2824817B2 (ja) | 1991-01-14 | 1992-01-14 | マスクの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5597666A (ja) |
| JP (1) | JP2824817B2 (ja) |
| KR (1) | KR0172816B1 (ja) |
| DE (1) | DE4200647C2 (ja) |
| TW (1) | TW276352B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0152952B1 (ko) * | 1995-05-13 | 1998-10-01 | 문정환 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| KR0166825B1 (ko) * | 1996-06-26 | 1999-01-15 | 문정환 | 위상반전 마스크의 제조 방법 |
| KR100328448B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2002-03-16 | 박종섭 | 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법 |
| KR100790751B1 (ko) * | 2006-12-06 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 수정판 제조방법 |
| KR102323615B1 (ko) * | 2020-01-23 | 2021-11-05 | 김용석 | 원 스텝 습식 에칭 기술을 이용한 oled 패널 제조용 파인 메탈 마스크 제조 방법 |
| TWI707195B (zh) * | 2020-02-14 | 2020-10-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 相位轉移光罩的製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4360586A (en) * | 1979-05-29 | 1982-11-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Spatial period division exposing |
| DE3168688D1 (en) * | 1980-11-06 | 1985-03-14 | Toshiba Kk | Method for manufacturing a semiconductor device |
| JPS6195356A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクブランク |
| US4890309A (en) * | 1987-02-25 | 1989-12-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Lithography mask with a π-phase shifting attenuator |
| JP2710967B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1998-02-10 | 株式会社日立製作所 | 集積回路装置の製造方法 |
| JPH03211554A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Fujitsu Ltd | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH04127149A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Hitachi Ltd | ホトマスク及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-01-14 KR KR1019910000461A patent/KR0172816B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-12-24 TW TW080110098A patent/TW276352B/zh active
-
1992
- 1992-01-13 DE DE4200647A patent/DE4200647C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-14 JP JP2333292A patent/JP2824817B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-14 US US07/821,938 patent/US5597666A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920015428A (ko) | 1992-08-26 |
| DE4200647A1 (de) | 1992-07-23 |
| TW276352B (ja) | 1996-05-21 |
| KR0172816B1 (ko) | 1999-03-30 |
| JPH06138637A (ja) | 1994-05-20 |
| DE4200647C2 (de) | 1994-03-10 |
| US5597666A (en) | 1997-01-28 |
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