KR920015428A - 마스크 제조방법 - Google Patents
마스크 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920015428A KR920015428A KR1019910000461A KR910000461A KR920015428A KR 920015428 A KR920015428 A KR 920015428A KR 1019910000461 A KR1019910000461 A KR 1019910000461A KR 910000461 A KR910000461 A KR 910000461A KR 920015428 A KR920015428 A KR 920015428A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon
- electron beam
- mask manufacturing
- beam resist
- oxide
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
재2도는 본 고안의 실리콘 산화물을 증착한 마스크 공정도.
Claims (2)
- 수정판위에 실리콘과 크롬을 증착시킨 후 일정한 전자빔 레지스트(E-beam resist)를 형성하여 전자빔이 실리콘과 크롬을 에칭하는 공정과, 전자빔 레지스트를 제거한 후 산화물 계통의 물질인 실리콘을 산화시켜 부피를 팽창시킴에 따라 실리콘 산호막의 크기를 조절할 수 있도록 하는 공정을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
- 제1항에 있어서, 산화물 계통의 물질인 반도체 실리콘은 금속으로도 증착하여 산화시킬 수 있는 공정을 포함하며 구성된 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910000461A KR0172816B1 (ko) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 마스크 제조방법 |
TW080110098A TW276352B (ko) | 1991-01-14 | 1991-12-24 | |
DE4200647A DE4200647C2 (de) | 1991-01-14 | 1992-01-13 | Verfahren zur Herstellung einer Maske |
JP2333292A JP2824817B2 (ja) | 1991-01-14 | 1992-01-14 | マスクの製造方法 |
US07/821,938 US5597666A (en) | 1991-01-14 | 1992-01-14 | Method for fabrication of a mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910000461A KR0172816B1 (ko) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 마스크 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920015428A true KR920015428A (ko) | 1992-08-26 |
KR0172816B1 KR0172816B1 (ko) | 1999-03-30 |
Family
ID=19309740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910000461A KR0172816B1 (ko) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 마스크 제조방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5597666A (ko) |
JP (1) | JP2824817B2 (ko) |
KR (1) | KR0172816B1 (ko) |
DE (1) | DE4200647C2 (ko) |
TW (1) | TW276352B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100790751B1 (ko) * | 2006-12-06 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 수정판 제조방법 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0152952B1 (ko) * | 1995-05-13 | 1998-10-01 | 문정환 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
KR0166825B1 (ko) * | 1996-06-26 | 1999-01-15 | 문정환 | 위상반전 마스크의 제조 방법 |
KR100328448B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2002-03-16 | 박종섭 | 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법 |
KR102323615B1 (ko) * | 2020-01-23 | 2021-11-05 | 김용석 | 원 스텝 습식 에칭 기술을 이용한 oled 패널 제조용 파인 메탈 마스크 제조 방법 |
TWI707195B (zh) * | 2020-02-14 | 2020-10-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 相位轉移光罩的製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4360586A (en) * | 1979-05-29 | 1982-11-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Spatial period division exposing |
EP0051488B1 (en) * | 1980-11-06 | 1985-01-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device |
JPS6195356A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクブランク |
US4890309A (en) * | 1987-02-25 | 1989-12-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Lithography mask with a π-phase shifting attenuator |
JP2710967B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1998-02-10 | 株式会社日立製作所 | 集積回路装置の製造方法 |
JPH03211554A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Fujitsu Ltd | 位相シフトマスクの製造方法 |
JPH04127149A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Hitachi Ltd | ホトマスク及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-01-14 KR KR1019910000461A patent/KR0172816B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-12-24 TW TW080110098A patent/TW276352B/zh active
-
1992
- 1992-01-13 DE DE4200647A patent/DE4200647C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-14 US US07/821,938 patent/US5597666A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-14 JP JP2333292A patent/JP2824817B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100790751B1 (ko) * | 2006-12-06 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 수정판 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5597666A (en) | 1997-01-28 |
JPH06138637A (ja) | 1994-05-20 |
DE4200647C2 (de) | 1994-03-10 |
JP2824817B2 (ja) | 1998-11-18 |
TW276352B (ko) | 1996-05-21 |
KR0172816B1 (ko) | 1999-03-30 |
DE4200647A1 (de) | 1992-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920015428A (ko) | 마스크 제조방법 | |
KR910001875A (ko) | 노광용 마스크의 제조방법 | |
JPS5726467A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS57198632A (en) | Fine pattern formation | |
KR930003203A (ko) | 새도우 마스크(shadow mask) 제조방법 | |
KR940016887A (ko) | 반도체 소자의 미세 게이트전극 형성방법 | |
KR920020591A (ko) | 반도체 장치의 위상시프트 마스크 제조방법 | |
KR970002452A (ko) | 반도체 소자 제조용 포토 마스크 제작방법 | |
KR930003258A (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성방법 | |
KR910005099A (ko) | 접촉상 형성방법 | |
KR930001301A (ko) | 반도체 패턴 형성방법 | |
KR950021045A (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 | |
KR960002507A (ko) | 마스크 및 그 제조방법 | |
JPS535578A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
KR970016801A (ko) | 양호한 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있는 사진 묘화 공정 | |
KR900002432A (ko) | 반도체의 사이드벽 형성방법 | |
KR920015459A (ko) | 반도체 메모리소자의 위상시프트마스크 제조방법 | |
KR950014974A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR950004408A (ko) | 반도체 장치의 폴리실리콘 패턴 형성방법 | |
KR950021040A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
KR880009431A (ko) | 반도체 제조공정에 있어서 금속 패턴 형성을 위한 금속에칭 방법 | |
KR960002501A (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성방법 | |
KR950012848A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR980003860A (ko) | 포토레지스트 패턴 형성방법 | |
JPS6424426A (en) | Formation of fine pattern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060920 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |