KR920020591A - 반도체 장치의 위상시프트 마스크 제조방법 - Google Patents
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 위상시프트 마스크 공정 단면도.
Claims (1)
- 석영기판(1)위에 위상시프트막(2)과 크롬막(3)을 차례로 형성하는 공정과, 상기 크롬막(3)위에 감광막(4)을 형성하고 패터닝한 후 패터닝된 감광막을 이용하여 크롬막(3)을 식각하는 공정과, 자기정렬 방식을 이용하여 위상 시프트막(2)을 식각하고 습식식각에 의해 크롬막(3)을 등방성 식각한 후 감광막(4)을 제거하는 공정을 차례로 실시하여서된 반도체 장치의 위상 시프트 마스크 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910005910A KR940003581B1 (ko) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 반도체 장치의 위상시프트 마스크 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019910005910A KR940003581B1 (ko) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 반도체 장치의 위상시프트 마스크 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR920020591A true KR920020591A (ko) | 1992-11-21 |
KR940003581B1 KR940003581B1 (ko) | 1994-04-25 |
Family
ID=19313214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910005910A KR940003581B1 (ko) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 반도체 장치의 위상시프트 마스크 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940003581B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100265549B1 (ko) * | 1995-10-31 | 2000-09-15 | 가네꼬 히사시 | 하프톤형 위상 시프트 포토마스크 및 그 제조 방법 |
-
1991
- 1991-04-12 KR KR1019910005910A patent/KR940003581B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100265549B1 (ko) * | 1995-10-31 | 2000-09-15 | 가네꼬 히사시 | 하프톤형 위상 시프트 포토마스크 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940003581B1 (ko) | 1994-04-25 |
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