KR920020591A - 반도체 장치의 위상시프트 마스크 제조방법 - Google Patents

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KR920020591A
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금은섭
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치의 위상시프트 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 위상시프트 마스크 공정 단면도.

Claims (1)

  1. 석영기판(1)위에 위상시프트막(2)과 크롬막(3)을 차례로 형성하는 공정과, 상기 크롬막(3)위에 감광막(4)을 형성하고 패터닝한 후 패터닝된 감광막을 이용하여 크롬막(3)을 식각하는 공정과, 자기정렬 방식을 이용하여 위상 시프트막(2)을 식각하고 습식식각에 의해 크롬막(3)을 등방성 식각한 후 감광막(4)을 제거하는 공정을 차례로 실시하여서된 반도체 장치의 위상 시프트 마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910005910A 1991-04-12 1991-04-12 반도체 장치의 위상시프트 마스크 제조방법 KR940003581B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100265549B1 (ko) * 1995-10-31 2000-09-15 가네꼬 히사시 하프톤형 위상 시프트 포토마스크 및 그 제조 방법

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KR100265549B1 (ko) * 1995-10-31 2000-09-15 가네꼬 히사시 하프톤형 위상 시프트 포토마스크 및 그 제조 방법

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