KR920015459A - 반도체 메모리소자의 위상시프트마스크 제조방법 - Google Patents
반도체 메모리소자의 위상시프트마스크 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 (a)~(e)는 본 발명에 따른 공정도이다.
Claims (2)
- 석영기판상에 위상시프터, 크롬을 차례로 도포하는 공정과, 상기 크롬을 선택적 식각하여 일정한 다수의 간격으로 패터닝하는 공정과, 상기 패턴화된 크롬의 2칸 걸러 노출된 상기 위상시프터를 제거하는 공정으로 이루어진 반도체 메모리소자의 위상시프트마스크 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 위상시프터는 도핑된 산화막이나 유전체막으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 위상시프트마스크 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000111A KR920015459A (ko) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | 반도체 메모리소자의 위상시프트마스크 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000111A KR920015459A (ko) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | 반도체 메모리소자의 위상시프트마스크 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920015459A true KR920015459A (ko) | 1992-08-26 |
Family
ID=67396475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910000111A KR920015459A (ko) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | 반도체 메모리소자의 위상시프트마스크 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920015459A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100284069B1 (ko) * | 1997-06-26 | 2001-04-02 | 김영환 | 반도체소자용 노광마스크 및 그 제조방법 |
-
1991
- 1991-01-07 KR KR1019910000111A patent/KR920015459A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100284069B1 (ko) * | 1997-06-26 | 2001-04-02 | 김영환 | 반도체소자용 노광마스크 및 그 제조방법 |
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