KR920010745A - 반도체 장치의 저항소자 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 저항소자 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a)-(d)는 본 발명에 따른 반도체 장치의 저항소자 형성을 설명하기 위한 제조공정도이다.
Claims (1)
- 제1산화층상에 제1다결정실리콘, 산화막, 질화막을 순차적으로 형성시키는 공정과, 상기 질화막을 포토에칭공정에 의하여 소정의 간격으로 패터닝하는 공정과, 상기 질화막을 마스크로 사용하여 상기 제1다결정실리콘을 완전산화하여 제2산화층으로 형성하는 공정과, 상기 질화막을 제거한 후 제2다결정실리콘을 도포하는 공정과, 상기 제2다결정실리콘을 저항소자로 사용되는 부분만 남기는 공정으로 이루어진 반도체 장치의 저항소자 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900018356A KR0166799B1 (ko) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 반도체 장치의 저항소자 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900018356A KR0166799B1 (ko) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 반도체 장치의 저항소자 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920010745A true KR920010745A (ko) | 1992-06-27 |
| KR0166799B1 KR0166799B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19305977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900018356A KR0166799B1 (ko) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 반도체 장치의 저항소자 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0166799B1 (ko) |
-
1990
- 1990-11-13 KR KR1019900018356A patent/KR0166799B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0166799B1 (ko) | 1999-02-01 |
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