KR970016829A - 난반사막을 이용한 산화막 사진식각방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 난반사막을 이용한 산화막 사진식각방법은 반도체기판상에 형성된 산화막상에 반구형층을 증착하여 산화시킴으로서 난반사막을 형성하는 단계와, 난반사막위에 감광막을 도포하고, 산화막의 식각부위를 정의하는 감광막패턴을 형성시키는 단계와, 감광막패턴을 마스크로 하여 산화막과 난반사막을 동시에 식각하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 난반사막을 이용한 산화막 사진식각방법을 설명하기 위해 도시된 도면.
Claims (3)
- (가) 반도체기판상에 형성된 산화막상에 반구형층을 형성시키는 단계와, (나) 상기 반구형층을 산화시켜, 난반사막을 형성하는 단계와, (다) 상기 난반사막위에 감광막을 도포하고, 상기 산화막의 식각부위를 정의하는 감광막패턴을 형성시키는 단계와, (라) 상기 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 산화막과 상기 난반사막을 동시에 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 난반사막을 이용한 산화막 사진식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (나) 단계에서 상기 난반사막은 상기 산화막상에 반구형층을 다결정실리콘으로 형성하여 산화시키는 것을 특징으로 하는 난반사막을 이용한 산화막 사진식각방법.
- 제2항에 있어서, 상기 다결정실리콘층의 산화온도는 750℃ 이상인 것을 특징으로 하는 난반사막을 이용한 산화막 사진식각방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029037A KR970016829A (ko) | 1995-09-05 | 1995-09-05 | 난반사막을 이용한 산화막 사진식각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029037A KR970016829A (ko) | 1995-09-05 | 1995-09-05 | 난반사막을 이용한 산화막 사진식각방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970016829A true KR970016829A (ko) | 1997-04-28 |
Family
ID=66597321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950029037A KR970016829A (ko) | 1995-09-05 | 1995-09-05 | 난반사막을 이용한 산화막 사진식각방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970016829A (ko) |
-
1995
- 1995-09-05 KR KR1019950029037A patent/KR970016829A/ko not_active Application Discontinuation
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